JPH0262794A - Method for writing eprom - Google Patents
Method for writing epromInfo
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- JPH0262794A JPH0262794A JP63214607A JP21460788A JPH0262794A JP H0262794 A JPH0262794 A JP H0262794A JP 63214607 A JP63214607 A JP 63214607A JP 21460788 A JP21460788 A JP 21460788A JP H0262794 A JPH0262794 A JP H0262794A
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- written
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はEPROMの書き込み方法に関し、特にEPR
OMをプリント板に実装して書き込むE〔従来の技術〕
EPROMは書き込みできるデータ量に対してチップの
サイズが小さく、所定の回数書き換えができるので、数
値制御装置、ロボット装置等に広く使用されている。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an EPROM writing method, and particularly to an EPROM writing method.
OM is mounted on a printed board and written to it [Conventional technology] EPROM has a small chip size relative to the amount of data that can be written, and can be rewritten a predetermined number of times, so it is widely used in numerical control equipment, robot equipment, etc. There is.
一方、これらの装置に使用するEPROMの量は相当の
個数を必要とし、通常は一枚のプリント板に相当量のE
PROMを実装する。そして実装した状態でデータを各
EPROMに書き込むことが行われている。On the other hand, a considerable number of EPROMs are required for these devices, and a single printed board usually requires a considerable amount of EPROM.
Implement PROM. Data is then written into each EPROM in the mounted state.
また、記憶容量がIMビット程度のEPROMではデー
タを書き込む方法として、バイト書き込みモードの他に
、より凹き込み速度の速いページ書き込みモードがある
が、どちらもデータバスのビット幅分のEPROMに対
して書き込みを行っていた。In addition, in EPROMs with a storage capacity of about IM bits, in addition to the byte write mode, there are two ways to write data: page write mode, which has a faster writing speed; I was writing.
しかし、この場合、書き込みを行うEPROMを選択す
るデコーダと、そのEPROMに書き込み信号を選択し
て与えるデコーダの2個のデコーダが必要である。この
ようなデコーダはEPROMの書き込み時のみ必要であ
り、EPROMを実装したプリント板が制御装置に実装
されて使用されるときは不要である。However, in this case, two decoders are required: one for selecting the EPROM to be written to, and the other for selecting and applying a write signal to that EPROM. Such a decoder is necessary only when writing to the EPROM, and is unnecessary when the printed board on which the EPROM is mounted is mounted in a control device and used.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、E
PROMをプリント板に実装して書き込むEPROMの
書き込み方法であって、デコーダの個数を減らすととも
に書き込みスピードをあげるEPROMの書き込み方法
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of these points, and is
An object of the present invention is to provide a writing method for an EPROM in which the PROM is mounted on a printed board and written therein, which reduces the number of decoders and increases the writing speed.
本発明では上記課題を解決するために、複数のEPRO
Mをプリント板に実装して書き込むEPROMの書き込
み方法において、ページ・データ・ラッチモードで各E
PROMのラッチ回路に所定のデータを記憶させ、ペー
ジ・プログラムモードで前記各EPROMに共通に書き
込み信号を与え、
前記各EPROMに前記所定のデータを一度に書き込む
ことを特徴とするEPROMの書き込み方法が、
提供される。In the present invention, in order to solve the above problems, a plurality of EPRO
In the EPROM writing method in which M is mounted on a printed board and written, each E
A method for writing an EPROM, characterized in that predetermined data is stored in a latch circuit of the PROM, a write signal is commonly given to each of the EPROMs in a page program mode, and the predetermined data is written to each of the EPROMs at once. , provided.
ページ・データ・ラッチモードを使用して各EPROM
のラッチ回路に所定のデータを記憶させる。次に、ペー
ジ・プログラムモードで各EPROMに共通に書き込み
信号を与えることによって、各ラッチに記憶させていた
データを各EPROMに一度に書き込む。従って、書き
込み信号選択用のデコーダが不要となるとともに書き込
みスピードがあがる。Each EPROM using page data latch mode
Predetermined data is stored in the latch circuit. Next, by commonly applying a write signal to each EPROM in page program mode, the data stored in each latch is written to each EPROM at once. Therefore, a decoder for selecting a write signal is not required and the writing speed is increased.
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。な
お、以下の説明では第1図から第3図の端子あるいは信
号を示す記号の上に付しであるネガティブな状態を表す
記号のバーを省略する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In the following explanation, bars representing negative states, which are added above symbols representing terminals or signals in FIGS. 1 to 3, will be omitted.
第2図にEPROMの概要を示す。図において、10は
EPROMである。11はラッチ回路であり、内部にラ
ッチがある。12はメモリセルであり、IMビット程度
の記憶容量を有する。13はバスであり、アドレスバス
とデータバスの両方を含んでいる。Figure 2 shows an overview of EPROM. In the figure, 10 is an EPROM. A latch circuit 11 has a latch inside. Reference numeral 12 denotes a memory cell, which has a storage capacity of approximately IM bits. A bus 13 includes both an address bus and a data bus.
端子CE、端子OE及び端子PGMに後述する所定の信
号レベルを与えるとページ・データ・ラッチモードとな
り、データバス上のデータがラッチ回路11に記憶され
る。続いて、端子CE及び端子OEに後述する別の信号
レベルを与え、端子PGMに書き込み信号を与えること
によってページ・プログラムモードとなり、ランチ回路
11に記憶されたデータがメモリセル12に書き込まれ
る。When predetermined signal levels, which will be described later, are applied to the terminals CE, OE, and PGM, the page data latch mode is entered, and data on the data bus is stored in the latch circuit 11. Subsequently, another signal level to be described later is applied to the terminal CE and the terminal OE, and a write signal is applied to the terminal PGM to enter the page program mode, and the data stored in the launch circuit 11 is written into the memory cell 12.
第3図にページ・データ・ラッチモード及びページ・プ
ログラムモードの設定条件を示す。21はページモード
の種類を表す欄である。22.23、及び24は、それ
ぞれEPROMの端子CEの信号レベル、端子OEの信
号レベル、端子PGMの信号レベルを示す欄である。2
5は端子VPPに印加する電圧を示す欄であり、26は
端子■CCに印加する電圧を示す欄である。FIG. 3 shows the setting conditions for page data latch mode and page program mode. 21 is a column representing the type of page mode. Columns 22, 23, and 24 indicate the signal level of the terminal CE, the signal level of the terminal OE, and the signal level of the terminal PGM of the EPROM, respectively. 2
5 is a column showing the voltage applied to the terminal VPP, and 26 is a column showing the voltage applied to the terminal CC.
ページ・データ・ラッチモードにするためには、端子C
Eと端子PGMをハイレベルにし、端子OEをローレベ
ルにする。ページ・プログラムモードにするためには、
端子CEと端子OEをハイレベルにし、端子PGMに0
.1〜1m5ec程度のローレベルのパルスの書き込み
信号を与える。To set page data latch mode, use terminal C
E and terminal PGM are set to high level, and terminal OE is set to low level. To enter page program mode,
Set terminal CE and terminal OE to high level, and set terminal PGM to 0.
.. A low level pulse write signal of about 1 to 1 m5ec is given.
なお、いずれの場合においても端子VPPには+12.
5V、端子v c c ニは+6V(7)電圧を印加し
てお(。In either case, +12.
5V, and +6V (7) voltage is applied to terminal vcc (.
第1図は本発明を実施するためのEPROMを実装した
プリント板のブロック図である。図において、lはメモ
リボードであり、2はアドレスバス、3はデータバスで
ある。4はデコーダであり、アドレスバス2よりの入力
信号によって信号OEl〜0E4(ローレベル信号)の
中から一つを選沢して出力する。10a〜10dはEP
ROMであり、ここでは四個のEPROMを表している
が、実際には必要に応じて多数のEPROMが実装され
る。端子PGMIはEPROM I Oa−10dの端
子PGMを共通に接続した端子、端子CELはEPRO
MI Oa 〜10 dの端子CEを共通に接続した端
子である。FIG. 1 is a block diagram of a printed circuit board mounted with an EPROM for implementing the present invention. In the figure, l is a memory board, 2 is an address bus, and 3 is a data bus. A decoder 4 selects and outputs one of the signals OEl to 0E4 (low level signals) according to the input signal from the address bus 2. 10a-10d are EP
Although four EPROMs are shown here, in reality, a large number of EPROMs may be installed as necessary. Terminal PGMI is a terminal commonly connected to terminal PGM of EPROM I Oa-10d, and terminal CEL is EPRO.
This is a terminal to which the terminals CE of MI Oa to 10 d are commonly connected.
まず、端子CEIと端子PGMIをハイレベルに設定す
る。デコーダ4により信号OEIを出力するとEPRO
M10aがページ・データ・ラッチモードとなり、デー
タバス3上のデータがEPROMloaのラッチ回路に
記憶される。次に、信号OE2を出力することによって
データバス3上のデータがEPROM10bのラッチ回
路に記憶される。同様にして、信号OE3、OE4を出
力することによってEPROMI Oc、10dの各ラ
ッチにも所定のデータが記憶される。First, terminal CEI and terminal PGMI are set to high level. When decoder 4 outputs signal OEI, EPRO
M10a enters the page data latch mode, and data on the data bus 3 is stored in the latch circuit of EPROMloa. Next, the data on the data bus 3 is stored in the latch circuit of the EPROM 10b by outputting the signal OE2. Similarly, by outputting signals OE3 and OE4, predetermined data is also stored in each of the latches of EPROMI Oc and 10d.
次に、デコーダ4の出力を停止させて各EPROMのO
E端子をハイレベルにする。また、端子CEIはハイレ
ベルに設定しておく。ここで、端子PGMIに書き込み
信号を与えると、全てのEPROMがページ・プログラ
ムモードになるので、各EPROMのラッチ回路に記憶
されているデータが各EPROMのメモリセルに一度に
書き込まれる。このように、メモリボードl上の複数の
EPROMに対して一度に書き込みを行うことができる
。Next, the output of the decoder 4 is stopped and the output of each EPROM is
Set the E terminal to high level. Further, the terminal CEI is set to a high level. Here, when a write signal is applied to the terminal PGMI, all the EPROMs enter the page program mode, so that the data stored in the latch circuit of each EPROM is written to the memory cells of each EPROM at once. In this way, it is possible to write to multiple EPROMs on the memory board l at once.
以上説明したように本発明では、各EPROMに同時に
書き込みパルスを与えることにより、予め各EPROM
のラッチ回路に記憶させていたデータを一度に書き込む
ことができる。従って、書き込み信号を各EPROMに
選択して与えるためのデコーダが不要となり、配線を簡
単になり、経済性が向上する。As explained above, in the present invention, by applying write pulses to each EPROM at the same time, each EPROM is written in advance.
The data stored in the latch circuit can be written all at once. Therefore, there is no need for a decoder for selectively applying write signals to each EPROM, simplifying wiring and improving economical efficiency.
また、書き込み信号を与える回数が一回で良いので、書
き込み時間が短縮する。Furthermore, since the write signal only needs to be applied once, the write time is shortened.
第1図は本発明を実施するためのEPROMを実装した
プリント板のブロック図、
第2図はEPROMの概要を示した図、第3図はページ
書き込みモードの設定条件を示した図である。
1−−−−−−−−−−−−−・−メモリボード2−・
−−−−−−・−アドレスバス
3・・−・−・・−・・−データバス
4−・−・・・−−−−−・・デコーダ10 a 〜1
0 d−−−−−−−−−EP ROMll−・・−・
−・−・−ラッチ回路
12・−−−一−・・・・・−・−メモリセル特許出願
人 ファナック株式会社
代理人 弁理士 服部毅巖
第2図FIG. 1 is a block diagram of a printed circuit board equipped with an EPROM for implementing the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an outline of the EPROM, and FIG. 3 is a diagram showing setting conditions for page write mode. 1------------------Memory board 2--
---------Address bus 3...--Data bus 4--Decoder 10 a ~ 1
0 d--------EP ROMll--・・-
−・−・−Latch circuit 12・−−1−・・・・−・−Memory cell patent applicant FANUC Co., Ltd. agent Patent attorney Takeshi Hattori Figure 2
Claims (1)
むEPROMの書き込み方法において、ページ・データ
・ラッチモードで各EPROMのラッチ回路に所定のデ
ータを記憶させ、 ページ・プログラムモードで前記各EPROMに共通に
書き込み信号を与え、 前記各EPROMに前記所定のデータを一度に書き込む
ことを特徴とするEPROMの書き込み方法。(1) In an EPROM writing method in which multiple EPROMs are mounted on a printed board and written, predetermined data is stored in the latch circuit of each EPROM in page data latch mode, and common to each EPROM in page program mode. A method for writing an EPROM, characterized in that the predetermined data is written to each EPROM at once by applying a write signal to the EPROM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214607A JPH0262794A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Method for writing eprom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214607A JPH0262794A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Method for writing eprom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262794A true JPH0262794A (en) | 1990-03-02 |
Family
ID=16658517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63214607A Pending JPH0262794A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Method for writing eprom |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0262794A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002046929A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Tdk Corporation | Method of controlling flash memory |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214607A patent/JPH0262794A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002046929A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Tdk Corporation | Method of controlling flash memory |
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