JPH0262541A - Production of semiconductor product of semi-customized goods - Google Patents
Production of semiconductor product of semi-customized goodsInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、同一の下
地パターンを有する基板を用いて配線工程のみを顧客の
要求に応じた特有の配線パターンで形成するセミカスタ
ム品の半導体装置の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and in particular, to a method for manufacturing a semiconductor device, in particular, only the wiring process is performed using a unique wiring pattern according to customer requirements using substrates having the same underlying pattern. The present invention relates to a method for manufacturing a semi-customized semiconductor device formed using a semiconductor device.
〔従来の技術]
従来、この種のセミカスタム品は配線工程において配線
パターンを形成する際に、顧客の要求に応じて、第3図
に示すようなレチクル1bを1枚づつ作成し、各レチク
ル1bを使用して露光作業を行うことにより製造してい
た。第3図に示すレチクル1bは遮光帯6に囲まれて配
線パターンA部2が設けられており、この配線パターン
A部2内にペレット境界8が遮光帯6に平行に相互に直
交するように形成されている。[Prior Art] Conventionally, in this type of semi-custom product, when forming a wiring pattern in the wiring process, one reticle 1b as shown in FIG. It was manufactured by performing an exposure operation using 1b. The reticle 1b shown in FIG. 3 is provided with a wiring pattern A part 2 surrounded by a light-shielding band 6, and within this wiring pattern A part 2, pellet boundaries 8 are arranged parallel to the light-shielding band 6 and perpendicular to each other. It is formed.
また、ウェハ周辺部のフォトレジストを除去するための
周辺露光の際にも、配線パターンを有しない透明なレチ
クルを使用して露光し、配線パターンの露光作業とは別
の工程でフォトレジストを除去していた。Also, during peripheral exposure to remove photoresist from the periphery of the wafer, a transparent reticle without wiring patterns is used for exposure, and the photoresist is removed in a separate process from the wiring pattern exposure process. Was.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述した従来のセミカスタム品の製造方
法においては、各顧客の要求に応じて個別的に作成した
レチクルを使用するので、レチクルを多数枚作成する必
要があり、レチクル作成のためにコスト及び工数が多く
かかるという欠点がある。また、ウェハ上にパターン形
成する際にもレチクルを1枚づつ使用するので、レチク
ルの洗浄、ゴミ検査及びアライメントの各作業を1枚づ
つ行う必要があり、また、レチクル交換時間も必要であ
るため、ウェハ上にパターン形成するまでの準備時間及
び工数が多くかかるという欠点もある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional manufacturing method for semi-custom products described above, reticles are individually created according to the requirements of each customer, so it is necessary to create a large number of reticles. However, the disadvantage is that it takes a lot of cost and man-hours to create a reticle. Furthermore, since one reticle is used when forming a pattern on a wafer, it is necessary to perform each reticle cleaning, dust inspection, and alignment one by one, and it also takes time to replace the reticle. However, it also has the disadvantage that it takes a lot of preparation time and man-hours to form a pattern on the wafer.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
セミカスタム品の配線パターンを少ない工数で迅速に且
つ低コストで形成することができるセミカスタム品の半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such problems, and includes:
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device of a semi-custom product, which can quickly form a wiring pattern of a semi-custom product with a small number of man-hours and at low cost.
[課題を解決するための手段]
本発明に係るセミカスタム品の半導体装置の製造方法は
、複数種類の配線パターンが設けられたレチクルを使用
し、顧客の要求に応じて所望の配線パターンを選択して
露光すると共に、別の所望の配線パターンを露光する際
にはレチクルを交換することなく同一のレチクルの別の
配線パターンを使用して露光することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semi-customized semiconductor device according to the present invention uses a reticle provided with a plurality of types of wiring patterns, and selects a desired wiring pattern according to a customer's request. The present invention is characterized in that when another desired wiring pattern is exposed, another wiring pattern of the same reticle is used without exchanging the reticle.
なお、レチクルとしては、複数の配線パターンの外に、
レジスト除去のための周辺露光用の透明なブランク部も
併わぜで設けたものを使用してもよい。In addition, as a reticle, in addition to multiple wiring patterns,
A transparent blank section for peripheral exposure for resist removal may also be provided.
[作用]
本発明においては、同一レチクル上に複数の配線パター
ンが設けられ、また必要に応じてブランク部が設けられ
たものを使用して配線パターン又はウェハ周辺部の露光
作業を行う。このため、異なる配線パターンを形成する
場合又は配線パターンの形成の後に周辺露光する場合も
、レチクルを交換することなく、同一のレチクルを使用
して露光作業をすることができる。従って、レチクル作
成コスト及び工程を削減することができると共に、露光
作業も迅速化される。[Operation] In the present invention, a plurality of wiring patterns are provided on the same reticle, and a blank portion is provided as necessary to perform the exposure work of the wiring patterns or the periphery of the wafer. Therefore, even when forming a different wiring pattern or performing peripheral exposure after forming a wiring pattern, the same reticle can be used for exposure work without changing the reticle. Therefore, the reticle production cost and process can be reduced, and the exposure work can be speeded up.
[実施例]
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の第1の実施例方法にて使用するレチク
ル1の平面図である。このレチクル1は4面付の場合の
ものであり、配線パターン部2゜3.4.5に夫々異な
る4個の配線パターンA。FIG. 1 is a plan view of a reticle 1 used in the first embodiment method of the present invention. This reticle 1 has four sides, and has four different wiring patterns A in the wiring pattern portion 2°3, 4.5.
B、C,Dが形成されている。各配線パターン部2.3
,4.5は遮光帯6に囲まれている。この遮光帯6はウ
ェハ上で隣接ペレットに光が漏れないようにするための
ものである。B, C, and D are formed. Each wiring pattern section 2.3
, 4.5 are surrounded by a light shielding zone 6. This light shielding band 6 is provided to prevent light from leaking to adjacent pellets on the wafer.
このように構成されたレチクル1を使用して配線パター
ンを形成する場きは、顧客の要求が配線パターンAのと
きは露光装置本体の遮光板を配線パター78部3、配線
パターンC部4及び配線パター79部5に光が当たらな
いようにセットし、配線パターンA部2を使用して配線
パターンA用のウェハの露光を行う。When forming a wiring pattern using the reticle 1 configured in this way, if the customer's request is wiring pattern A, the light shielding plate of the exposure apparatus main body is attached to the wiring pattern 78 section 3, the wiring pattern C section 4, and the wiring pattern C section 4. The wiring pattern 79 section 5 is set so as not to be exposed to light, and the wafer for the wiring pattern A is exposed using the wiring pattern A section 2.
次に、別の配線パターンBを露光する場合は、配線パタ
ーンA部2、配線パターンC部4及び配線パター70部
5上を前記遮光板で覆い、配線パターンB用のウェハの
露光を行う。配線パターンC又は配線パターンD用のウ
ェハを露光する場合も同様の操作により行う。Next, when exposing another wiring pattern B, the wiring pattern A section 2, the wiring pattern C section 4, and the wiring pattern 70 section 5 are covered with the light shielding plate, and the wafer for the wiring pattern B is exposed. A similar operation is performed when exposing a wafer for wiring pattern C or wiring pattern D.
二のように、同一レチクル1上に4個の配線パターンA
、B、C,Dを設けたから、1つのレチクルを使用して
4種類の配線パターンを形成することができ、レチクル
の作成コスト及び工数を削減できると共に、露光に先立
つ準備作業に要する時間を著しく短縮することができる
。2, four wiring patterns A are placed on the same reticle 1.
, B, C, and D, four types of wiring patterns can be formed using one reticle, reducing reticle production costs and man-hours, and significantly reducing the time required for preparation work prior to exposure. Can be shortened.
なお、上記実施例のようにレチクルが4面付の場合以外
の複数の面付の場合も、上述のようにして同一レチクル
に複数の配線パターンを設けることができる。Note that even in the case where the reticle has multiple surfaces other than the four-sided reticle as in the above embodiment, a plurality of wiring patterns can be provided on the same reticle as described above.
第2図はレチクルの変形例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a modification of the reticle.
このレチクル1aは、第1図に示すレチクル1.の配線
パター79部5の替わりに、透明ブランク部7を設けた
ものである。This reticle 1a is similar to reticle 1. shown in FIG. In place of the wiring pattern 79 section 5, a transparent blank section 7 is provided.
このレチクル1aを使用して配線パターンを形成する場
合は、ウェハ上に配線パターン部2,3゜4のいづれか
を使用して配線パターンを露光した後に、レチクル1a
のブランク部7を使用してウェハ周辺部のフォトレジス
トを露光する。このレチクル1aを筒用することにより
、ウェハ周辺部のフォトレジストの除去を目的とする周
辺露光をも1枚のレチクルで行うことができるため、レ
チクルの交換又はアライメントに要する時間を更に一層
短縮できるという利点がある。When forming a wiring pattern using this reticle 1a, after exposing the wiring pattern on the wafer using either the wiring pattern section 2 or 3.
The blank section 7 is used to expose the photoresist at the periphery of the wafer. By using this reticle 1a as a tube, peripheral exposure for the purpose of removing photoresist around the wafer can be performed with a single reticle, which further reduces the time required for reticle replacement or alignment. There is an advantage.
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、同一レチクル上に複数個
の配線パターン及び必要に応じてブランク部を設けたレ
チクルを使用し、同一レチクルを使用して複数の配線パ
ターンを露光したり、所謂周辺露光したりするので、顧
客の要求又は周辺露光の目的に応じて複数のレチクル又
は透明レチクルを作成するためのコスト及び工数を削減
できる。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention uses a reticle in which a plurality of wiring patterns are provided on the same reticle and a blank portion is provided as necessary, and a plurality of wiring patterns can be exposed using the same reticle. or so-called peripheral exposure, it is possible to reduce the cost and man-hours for creating a plurality of reticles or transparent reticles according to customer requirements or the purpose of peripheral exposure.
また、露光作業を行う際のレチクルの洗浄、ゴミ検査、
交換及びアライメントに要する時間を著しく短縮できる
という効果もある。In addition, we also clean reticles during exposure work, inspect dust,
Another effect is that the time required for replacement and alignment can be significantly shortened.
第1図は本発明の実施例方法にて使用するレチクルの平
面図、第2図はレチクルの変形例を示す平面図、第3図
は従来方法に使用するレチクルを示す平面図である。
1、la、lb;レチクル、2;配線パターンA部、3
;配線パター78部、4;配線パターンC部、5;配線
パター20部、6;遮光帯、7;ブランク部、8:ベレ
ット境界FIG. 1 is a plan view of a reticle used in the embodiment method of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a modified example of the reticle, and FIG. 3 is a plan view showing a reticle used in the conventional method. 1, la, lb; reticle, 2; wiring pattern A section, 3
; Wiring pattern 78 parts, 4; Wiring pattern C part, 5; Wiring pattern 20 parts, 6; Shading zone, 7; Blank part, 8: Bullet boundary
Claims (1)
使用し、顧客の要求に応じて所望の配線パターンを選択
して露光すると共に、別の所望の配線パターンを露光す
る際にはレチクルを交換することなく同一のレチクルの
別の配線パターンを使用して露光することを特徴とする
セミカスタム品の半導体装置の製造方法。(1) Using a reticle with multiple types of wiring patterns, select and expose the desired wiring pattern according to the customer's request, and change the reticle when exposing another desired wiring pattern. 1. A method for manufacturing a semiconductor device of a semi-custom product, characterized in that exposure is performed using different wiring patterns on the same reticle without any additional wiring.
Priority Applications (1)
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JP21388088A JP2715462B2 (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5919605A (en) * | 1995-03-30 | 1999-07-06 | Nec Corporation | Semiconductor substrate exposure method |
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-
1988
- 1988-08-29 JP JP21388088A patent/JP2715462B2/en not_active Expired - Fee Related
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