JP4226316B2

JP4226316B2 - Manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: JP4226316B2
Application number: JP2002379028A
Authority: JP
Inventors: 友幸岩淵
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2009-02-18
Anticipated expiration: 2022-12-27
Also published as: JP2004214256A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程にかかる露光工程において、ステップ・アンド・リピート露光方法を用いて、１枚の加工基板上に同形複数の回路と、前記同形複数の回路を識別するための、複数の識別記号を効率的に形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上に周辺回路を一体形成したアクティブマトリクス型の表示装置が開発されてきている。前記表示装置は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）を用いてなる表示部を有するアクティブマトリクス回路と、同様にＴＦＴを用いてなる周辺回路とを基板上に集積した構成を有する半導体装置である。
【０００３】
半導体装置の製造面においては、生産性向上のため、加工基板の大判化が進み、近年では６００ｍｍ×７２０ｍｍサイズのガラス基板が主流となってきている。今後もさらなる大判化が進むと考えられている。加工基板の大判化によって、加工基板１枚あたりで作製出来る表示装置の枚数が多く出来る（多面取り）ため、生産性、歩留まりともに大きく向上する。
【０００４】
前記表示装置におけるＴＦＴの断面図を図９に示す。図９に示されるとおり、ＴＦＴは、活性層、配線等の多層構造となっており、各層を加工基板上に成膜し、所望のパターンへの加工を繰り返すことによって形成される。
【０００５】
各層を所望のパターンへと加工するには、一般的にはフォトリソグラフィ法によって行われる。フォトリソグラフィ法においては、所望のパターンが描画されたレチクルを介して、各層の成膜ごとに被着されたフォトレジストに光を照射し、レチクル上のパターンをフォトレジストに露光し、不用なレジストを除去して、フォトレジストにてパターンを形成する。その後、レジストパターンを保護膜として、成膜された層のエッチングを行い、所望のパターンを得る。
【０００６】
ところで、１枚の大型加工基板上に、同形複数の回路を形成する方法として、ステップ・アンド・リピート露光方法がある。図１に、この露光方法の概略を示す。ここで用いる露光装置は、基板上に照射される光源１０１と、光源からの光を遮蔽することによって、レチクル上の露光領域を決定するためのブラインド１０３〜１０６と、レチクル１０２と、パターン１０７を投影する投影レンズ１０９と、加工基板１１０と、加工基板１１０を移動させる可動ステージ１１１からなる。
【０００７】
この露光装置を用いて、加工基板１１０の移動、ブラインド１０３〜１０６の制御による露光領域の決定、フォトレジスト１１２上への露光といった工程を繰り返すことにより、加工基板上に、同形複数の回路パターンを露光することが出来る。
【０００８】
例えば、図２（Ｂ）に示されるように、加工基板１１０上に、表示装置１０８を縦、横に複数配列（図２（Ｂ）では４行５列）して形成する場合には、図２（Ａ）に示されるように、パターン１０７が形成されたレチクル１０２を用い、各層を前述のステップ・アンド・リピート露光方法によって複数回の露光（図２（Ｂ）のような結果を得るには４×５＝２０回）が行われる。
【０００９】
つまり、大型の加工基板の露光を行うのに、サイズの小さいレチクルを用いて繰り返し露光を行うことにより、簡単な工程で多くの回路を作製することが出来るため、製造コストの低減が可能となる。
【００１０】
このように製造された同形複数の回路は、工程途中に形状検査、回路動作検査等の様々な検査が行われ、品質のランク付けが行われる。しかしながら、加工基板を分断し、個々の回路に分断された後は、同形であるがゆえ、識別が事実上不可能となり、以前に行われたランク付けとの対応が困難になる。つまり、工程途中ですでに不良と判断されたものが、分断後に識別不可能となってしまうため、再度検査が必要となってしまうことになる。
【００１１】
したがって、このような場合には、分断後にもそれぞれの識別が可能となるように、何らかの識別記号が必要となる。
【００１２】
識別記号を形成する方法の一例としては、レーザーによるマーキング等が挙げられるが、描画時にゴミの発生が避けられず、製品の歩留まりを低下させるといった問題があった。
【００１３】
この問題を解決する方法として、前述の露光工程において、回路を構成する際に形成される複数の層のうちいずれか１つのパターニングを行う際に、識別記号もパターニングによって形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１４】
図３に一例を示す。図３（Ａ）に示すように、レチクル３０１上に、回路（ここでは表示装置とする）を形成するパターン３０２と、その周辺部に識別記号を形成するためのパターン３０３が描画されている。この識別記号用のパターン３０３は、前述の複数の層のパターニングに用いるいずれか１つのレチクルに設けられていれば良い。
【００１５】
前述のステップ・アンド・リピート露光方法により、図３（Ｂ）に示すように、加工基板３０４上に、表示装置３０５を縦、横に複数配列して形成する。このとき、識別記号用のパターン３０３を用いて露光、パターニングを行い、表示装置３０５のそれぞれの周辺に、識別記号３０６を形成する。表示装置３０５の分断後も、この識別記号３０６によって、加工基板上のどの位置に形成されていたものかが容易に識別出来る。さらに、前述のレーザーによるマーキング等において生じていたゴミの問題も回避出来る。
【００１６】
【特許文献１】
特開平７−２１９２０９号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この方法によると、回路を形成するパターンの露光工程に加え、識別記号パターンの露光工程が追加される。一般にステップ・アンド・リピート露光方法においては、露光回数に比例して、工程に要する時間が長くなるため、生産性の低下を招く原因となっている。
【００１８】
本発明はかかる問題点に鑑み、生産性を低下させることなく、ステップ・アンド・リピート露光方法を用いて所望の回路パターンおよび識別記号を効率的に形成する半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回路を構成する際に形成される複数の層のうち、少なくとも１層のフォトリソグラフィ工程において、所望の回路を形成するパターンと、識別記号を形成するためのパターンとが同一レチクル上に描画されたレチクルを用い、ステップ・アンド・リピート露光方法による露光の際、一度の露光で、所望の回路パターンと、識別記号を形成するパターンの一部もしくは全体を同時に露光する。識別記号を形成するパターンが露光される際、ブラインドによって識別記号を形成するパターンの一部もしくは全体を遮蔽し、その遮蔽パターンを各露光座標ごとに変えることにより、複数の異なる識別記号を容易に形成することが出来る。
【００２０】
上記方法によって、回路パターンを形成するための露光工程と、識別記号を形成するための露光工程とを同時にこなすことが出来るため、生産性を低下させることなく、効率的に所望の回路と識別記号とを形成することが出来る。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の作製方法は、加工基板上に薄膜を形成する第１の工程と、前記薄膜上に同形複数のパターンの繰り返し露光を行う第２の工程とを有し、前記第１および第２の工程の複数回の繰り返しを含む半導体装置の製造方法であって、前記加工基板上には、前記同形複数のパターンの露光によってパターニングされ形成された同形複数の回路と、前記同形複数の回路を識別するための、複数の識別記号とが形成され、前記第２の工程において、１度の露光により、前記同形複数のパターンのうちいずれか１つと、前記識別記号を形成するパターンの少なくとも一部が露光されることを特徴とする。
【００２２】
また、前記識別記号は、前記レチクル上に設けられた、前記回路を形成するパターンの周辺部に設けられた複数の識別記号パターンのいずれか１つ、もしくは２つ以上の重複露光によって形成されることを特徴とする。
【００２３】
また、前記識別記号パターンのうち、それぞれ異なる一部の領域、もしくは前記識別記号パターン全体を遮蔽して露光することにより、前記識別記号パターンを用いて、異なる複数の識別記号を形成することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２５】
[実施形態１]
図４に示すように、加工基板４２１上に、周辺回路４２２と画素部４２３とを一体形成したアクティブマトリクス型の表示装置４０１〜４２０と、識別記号４２４とを形成する。
【００２６】
表示装置４０１〜４２０は、ＴＦＴを始めとした能動素子群、配線パターン等を有する。これらは、多層の積層構造となるのが集積度の点からも望ましく、各層の成膜と、フォトリソグラフィ工程による所望のパターンへの加工とを繰り返すことによって形成される。
【００２７】
識別記号４２４は、スポット４２５を有する。図４に示す例においては、識別記号４２４は、スポット４２５の形成される位置および数が全て異なっており、これによって加工基板４２１上に形成される表示装置４０１〜４２０の全ての識別が可能となっている。
【００２８】
識別記号４２４は、表示装置４０１〜４２０を形成する複数の層のうち、少なくとも１層の形成、加工と同時に行われる。特に識別記号４２４を形成する層に限定はなく、ＴＦＴの活性層を形成するためのシリコン層、主にＴＦＴのゲート電極等を形成する層、配線を形成する層等、いずれの層を用いて形成されても良い。例えば、図１０は、識別記号１００１は、配線９０４を形成している層と同時に露光、パターニングされている。これ以外にも。ＴＦＴ９０５の活性層を形成しているシリコン９０２と同時に形成されても良いし、ゲート電極９０１と同時に形成されても良い。
【００２９】
図５（Ａ）に、本実施形態にて用いられるレチクルの概要を示す。レチクル５０２上には、表示装置を形成するためのパターン５０１が形成されている。パターン５０１には、周辺回路を形成するためのパターン５０３と、画素部を形成するためのパターン５０４が含まれる。表示装置を形成するためのパターン５０１の周辺には、第１の遮光パターン５０７が形成され、その一部に、スポットを形成するためのパターン５０６、５１６、５２６が形成されている。さらに、後に表示装置の一部となる領域、すなわち表示装置を形成するパターン５０１が形成されている領域の一部に、第２の遮光パターンによって、後に識別記号の一部となるパターン５０８が形成されている。パターン５０８は、共通のスポットパターン５１０を有する。
【００３０】
加工基板上に、図５（Ａ）に示したレチクルを用いて、ステップ・アンド・リピート露光方法によって、繰り返し露光を行う。図５（Ｂ）に、２行２列に露光した例を示す。ここで、１〜４で示されているのが、繰り返し露光によって形成された表示装置のパターンである。表示装置１を露光したとき、同時に識別記号５７０と、識別記号５５０、５６０、５８０に含まれるスポットの一部が形成される。これは、図５（Ａ）に示したレチクルのうち、第２の遮光パターン５０８と、スポットパターン５０６、５１６、５２６によって形成されたものである。
【００３１】
続いて表示装置２が露光される。このとき、先に形成されたスポットの一部に重なるように、第２の遮光パターン５０８が露光され、識別記号５８０が形成される。
【００３２】
同様に、表示装置３が露光され、同時に、先に形成されたスポットの一部に重なるように、第２の遮光パターン５０８が露光され、識別記号５５０が形成される。同様の動作で、表示装置４が露光される際には、識別記号５６０が形成される。
【００３３】
ここで、識別記号を構成するスポットは、識別記号５５０〜５８０のいずれにおいても、それぞれ異なる位置に形成される。これによって各表示装置の識別を可能としている。これは、表示装置１〜４を露光する際、そのそれぞれにおいて、ブラインドを用いて、スポットパターン５０６、５１６、５２６の一部もしくは全体を遮蔽することによって、位置、数の異なるスポットを形成している。
【００３４】
図６は各ブラインドのブラインド位置によって、表示装置パターンと同時に位置、数の異なるスポットを露光することが出来ることを示した図である。
【００３５】
例えば、第１のブラインド６０１をブラインド位置６０５に設定し、第２のブラインド６０２をブラインド位置６１０に設定し、第３のブラインド６０３をブラインド位置６１５に設定し、第４のブラインド６０４をブラインド位置６１４に設定し、露光を行った場合、図７に示されるように、加工基板上に被着されたフォトレジスト７０１には表示装置パターン４２０のみが露光される。これに対し、第１のブラインド６０１をブラインド位置６０６に設定し、第２のブラインド６０２をブラインド位置６１１に設定し、第３のブラインド６０３をブラインド位置６１５に設定し、第４のブラインド６０４をブラインド位置６１４に設定し露光を行った場合、加工基板上に被着されたフォトレジスト７０１には表示装置パターン４０１とスポットパターン４２５が図７の様に露光される。
【００３６】
上記のように露光毎に位置、数の異なるスポットパターン５０６と識別記号領域４２４とを重ねるように露光を行うことにより各表示装置固有の識別記号を形成することが出来る。
【００３７】
表１は図６に示した各ブラインドのブラインド位置を露光毎に変え、１回の露光で表示装置パターンと隣接する表示装置のスポットパターンとを同時に加工基板上に被着されたフォトレジストに露光し、露光を繰り返すごとに各ブラインド位置を変化させ図４に示した加工基板上４２１に被着されたフォトレジストに表示装置と識別記号とを形成するための各ブラインドの位置設定の一例を示したものである。
【００３８】
また、表１に示す設定で所定の場所に露光を行えば、露光の順序はどのようなものであっても良い。
【００３９】
【表１】

【００４０】
例えば、図４に示される表示装置４０１と、表示装置４２０とを含む露光の際には表１のブラインド設定に従い露光をすると、加工基板に被着されたフォトレジスト７０１に露光されるパターンは図７のようになる。すなわち、加工基板４２１上には識別記号領域４２４を含む表示装置４０１が形成される。
【００４１】
続いて図４に示す表示装置パターン４０２を含む露光と、表示装置パターン４０６を含む露光と、表示装置４０７を含む露光と、を表１のブラインド設定に従い、スポット４２５と識別記号領域パターン５０５とを重なるように露光をすると、加工基板に被着されたフォトレジスト７０１に転写されるパターンは図８のようになる。すなわち、加工基板４２１上に表示装置４０２、４０６、４０７が形成される。
【００４２】
このように表１に示すブラインド設定で露光を表示装置数分繰り返すことによって、図４示す複数同形の表示装置と複数の識別記号とを加工基板上のフォトレジストにパターンを形成できる。続いて、このフォトレジストを保護膜として、成膜された層のエッチングを行い所望の回路パターン及び識別記号を効率的に形成することが出来る。
【００４３】
本実施形態ではＴＦＴを用いた半導体装置として表示装置の製造方法を説明したが、同様の方法を用いてＣＰＵやメモリ等を製造しても良い。
【００４４】
【発明の効果】
本発明に開示する発明を利用することにより、一つの基板上に所望の同形複数の回路と回路同士を識別するための複数の識別記号とを効率的に形成することが可能となり、生産性を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】加工基板上に同形複数の回路を形成する工程を示す図。
【図２】加工基板上に同形複数の回路を形成する工程を示す図。
【図３】加工基板上に同形複数の回路と複数の識別記号とを別々に露光することによって形成する工程を示す図。
【図４】本発明に従った露光により形成される同形複数の回路と、複数の識別記号の形成方法を示す図。
【図５】本発明に従った露光により形成される同形複数の回路と、複数の識別記号の形成方法を示す図。
【図６】本発明に従った露光により形成される同形複数の回路と、複数の識別記号の形成方法を示す図。
【図７】本発明に従った露光により形成される同形複数の回路と、複数の識別記号の形成方法を示す図。
【図８】本発明に従った露光により形成される同形複数の回路と、複数の識別記号の形成方法を示す図。
【図９】回路の断面を示す図。
【図１０】本発明に従った露光により形成される回路と、識別記号の断面図を示す図。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the exposure process according to the manufacturing process of the semiconductor device, the present invention uses a step-and-repeat exposure method to identify a plurality of isomorphous circuits and a plurality of isomorphous circuits on one processed substrate. The present invention relates to a method for efficiently forming a plurality of identification symbols.
[0002]
[Prior art]
In recent years, active matrix display devices in which peripheral circuits are integrally formed on a substrate have been developed. The display device is a semiconductor device having a configuration in which an active matrix circuit having a display portion using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and a peripheral circuit similarly using a TFT are integrated on a substrate. .
[0003]
On the manufacturing side of semiconductor devices, the size of processed substrates has been increased to improve productivity, and in recent years, glass substrates having a size of 600 mm × 720 mm have become mainstream. It is thought that further enlargement will continue in the future. By increasing the size of the processed substrate, the number of display devices that can be manufactured per processed substrate can be increased (multi-cavity), so that both productivity and yield are greatly improved.
[0004]
A cross-sectional view of the TFT in the display device is shown in FIG. As shown in FIG. 9, the TFT has a multilayer structure such as an active layer and a wiring, and is formed by forming each layer on a processing substrate and repeating processing into a desired pattern.
[0005]
In general, each layer is processed into a desired pattern by photolithography. In the photolithographic method, light is applied to the photoresist applied for each layer deposition through a reticle on which a desired pattern is drawn, and the pattern on the reticle is exposed to the photoresist, thereby unnecessary resist. Then, a pattern is formed with a photoresist. Thereafter, the formed layer is etched using the resist pattern as a protective film to obtain a desired pattern.
[0006]
By the way, there is a step-and-repeat exposure method as a method of forming a plurality of circuits having the same shape on a single large-sized processed substrate. FIG. 1 shows an outline of this exposure method. The exposure apparatus used here includes a light source 101 irradiated on a substrate, blinds 103 to 106 for determining an exposure area on the reticle by shielding light from the light source, a reticle 102, and a pattern 107. It comprises a projection lens 109 for projecting, a processed substrate 110, and a movable stage 111 for moving the processed substrate 110.
[0007]
Using this exposure apparatus, by repeating the steps of moving the processed substrate 110, determining the exposure area by controlling the blinds 103 to 106, and exposing the photoresist 112, a plurality of circuit patterns having the same shape are formed on the processed substrate. It can be exposed.
[0008]
For example, as shown in FIG. 2B, when a plurality of display devices 108 are arranged on the processed substrate 110 vertically and horizontally (4 rows and 5 columns in FIG. 2B), As shown in FIG. 2 (A), a reticle 102 on which a pattern 107 is formed is used, and each layer is exposed a plurality of times by the above-described step-and-repeat exposure method (to obtain a result as shown in FIG. 2 (B)). 4 × 5 = 20 times).
[0009]
In other words, a large number of circuits can be manufactured in a simple process by repeatedly performing exposure using a small-sized reticle to expose a large processed substrate, and thus manufacturing costs can be reduced. .
[0010]
A plurality of identical circuits manufactured in this way are subjected to various inspections such as shape inspection and circuit operation inspection in the middle of the process, and quality ranking is performed. However, after the processed substrate is divided and divided into individual circuits, it has the same shape, so that the identification is practically impossible and it is difficult to cope with the ranking performed previously. That is, what has already been determined to be defective in the middle of the process becomes indistinguishable after the division, and inspection is required again.
[0011]
Therefore, in such a case, some kind of identification symbol is necessary so that each identification is possible even after the division.
[0012]
An example of a method for forming an identification symbol is laser marking, but there is a problem in that the generation of dust is unavoidable at the time of drawing and the yield of products is reduced.
[0013]
As a method for solving this problem, there has been proposed a method of forming an identification symbol by patterning when performing patterning of any one of a plurality of layers formed when configuring a circuit in the above-described exposure process. (For example, refer to Patent Document 1).
[0014]
An example is shown in FIG. As shown in FIG. 3A, a pattern 302 for forming a circuit (here, a display device) and a pattern 303 for forming an identification symbol are drawn on the periphery of the reticle 301. The identification symbol pattern 303 may be provided on any one of the reticles used for patterning the plurality of layers described above.
[0015]
As shown in FIG. 3B, a plurality of display devices 305 are vertically and horizontally arranged on the processed substrate 304 by the above-described step-and-repeat exposure method. At this time, exposure and patterning are performed using the identification symbol pattern 303, and the identification symbol 306 is formed around each of the display devices 305. Even after the display device 305 is divided, the identification symbol 306 can easily identify the position on the processed substrate. Furthermore, it is possible to avoid the problem of dust generated in the above-described laser marking or the like.
[0016]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-219209
[Problems to be solved by the invention]
However, according to this method, in addition to the pattern exposure process for forming a circuit, an identification symbol pattern exposure process is added. In general, in the step-and-repeat exposure method, the time required for the process becomes longer in proportion to the number of exposures, which causes a decrease in productivity.
[0018]
In view of such problems, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device that efficiently forms a desired circuit pattern and identification symbol using a step-and-repeat exposure method without reducing productivity. Let it be an issue.
[0019]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, a pattern for forming a desired circuit and a pattern for forming an identification symbol are formed on the same reticle in a photolithography process of at least one layer among a plurality of layers formed when a circuit is formed. In the exposure using the step-and-repeat exposure method, a part of or a part of the desired circuit pattern and the pattern forming the identification symbol are simultaneously exposed in one exposure. When a pattern that forms an identification symbol is exposed, a part or the whole of the pattern that forms the identification symbol is shielded by a blind, and a plurality of different identification symbols can be easily changed by changing the shielding pattern for each exposure coordinate. Can be formed.
[0020]
According to the above method, an exposure process for forming a circuit pattern and an exposure process for forming an identification symbol can be performed at the same time, so that a desired circuit and an identification symbol can be efficiently produced without reducing productivity. And can be formed.
[0021]
A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a first step of forming a thin film on a processed substrate, and a second step of repeatedly exposing a plurality of patterns having the same shape on the thin film. And a semiconductor device manufacturing method including a plurality of repetitions of the second step, wherein a plurality of isomorphous circuits formed by patterning the plurality of isomorphous patterns on the processed substrate, and the isomorphous plurality of circuits. A plurality of identification symbols for identifying the circuit of the pattern, and in the second step, one of the plurality of patterns having the same shape and the pattern forming the identification symbol by one exposure. At least a part is exposed.
[0022]
The identification symbol is formed by any one of a plurality of identification symbol patterns provided on the periphery of the pattern forming the circuit provided on the reticle, or by two or more overlapping exposures. It is characterized by that.
[0023]
Further, a plurality of different identification symbols are formed using the identification symbol pattern by shielding and exposing a part of each of the identification symbol patterns different from each other or the entire identification symbol pattern. And
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
[0025]
[Embodiment 1]
As illustrated in FIG. 4, active matrix display devices 401 to 420 in which a peripheral circuit 422 and a pixel portion 423 are integrally formed, and an identification symbol 424 are formed over a processed substrate 421.
[0026]
The display devices 401 to 420 have an active element group including a TFT, a wiring pattern, and the like. It is desirable that these layers have a multi-layered structure from the viewpoint of integration, and are formed by repeatedly forming each layer and processing it into a desired pattern by a photolithography process.
[0027]
The identification symbol 424 has a spot 425. In the example shown in FIG. 4, the identification symbol 424 is different in the position and number of the spots 425 formed, whereby all the display devices 401 to 420 formed on the processed substrate 421 can be identified. It has become.
[0028]
The identification symbol 424 is performed simultaneously with the formation and processing of at least one of the plurality of layers forming the display devices 401 to 420. The layer for forming the identification symbol 424 is not particularly limited, and any layer such as a silicon layer for forming an active layer of a TFT, a layer for mainly forming a gate electrode of a TFT, a layer for forming a wiring, or the like is used. It may be formed. For example, in FIG. 10, the identification symbol 1001 is exposed and patterned simultaneously with the layer forming the wiring 904. Besides this. It may be formed simultaneously with the silicon 902 forming the active layer of the TFT 905, or may be formed simultaneously with the gate electrode 901.
[0029]
FIG. 5A shows an outline of a reticle used in this embodiment. A pattern 501 for forming a display device is formed on the reticle 502. The pattern 501 includes a pattern 503 for forming a peripheral circuit and a pattern 504 for forming a pixel portion. A first light-shielding pattern 507 is formed around a pattern 501 for forming a display device, and

patterns

506, 516, and 526 for forming spots are formed in a part thereof. Further, a pattern 508 to be a part of an identification symbol later is formed by a second light-shielding pattern in a part to be a part of the display device later, that is, a part of a region in which the pattern 501 that forms the display device is formed. Has been. The pattern 508 has a common spot pattern 510.
[0030]
Using the reticle shown in FIG. 5A, repeated exposure is performed on the processed substrate by the step-and-repeat exposure method. FIG. 5B shows an example of exposure in 2 rows and 2 columns. Here, 1 to 4 indicate patterns of the display device formed by repeated exposure. When the display device 1 is exposed, a part of spots included in the identification symbol 570 and the

identification symbols

550, 560, and 580 are formed at the same time. This is formed by the second light shielding pattern 508 and the

spot patterns

506, 516, and 526 among the reticle shown in FIG.
[0031]
Subsequently, the display device 2 is exposed. At this time, the second light-shielding pattern 508 is exposed so as to overlap a part of the previously formed spot, and an identification symbol 580 is formed.
[0032]
Similarly, the display device 3 is exposed, and at the same time, the second light shielding pattern 508 is exposed so as to overlap a part of the previously formed spot, and the identification symbol 550 is formed. In a similar operation, when the display device 4 is exposed, an identification symbol 560 is formed.
[0033]
Here, the spots constituting the identification symbol are formed at different positions in any of the identification symbols 550 to 580. Thus, each display device can be identified. This is because, when the display devices 1 to 4 are exposed, the blinds are used to block part or the whole of the

spot patterns

506, 516, and 526, thereby forming spots with different positions and numbers. Yes.
[0034]
FIG. 6 is a diagram showing that spots with different positions and numbers can be exposed simultaneously with the display device pattern depending on the blind position of each blind.
[0035]
For example, the first blind 601 is set to the blind position 605, the second blind 602 is set to the blind position 610, the third blind 603 is set to the blind position 615, and the fourth blind 604 is set to the blind position 614. 7 and exposure is performed, as shown in FIG. 7, only the display device pattern 420 is exposed to the photoresist 701 deposited on the processed substrate. On the other hand, the first blind 601 is set to the blind position 606, the second blind 602 is set to the blind position 611, the third blind 603 is set to the blind position 615, and the fourth blind 604 is blind. When exposure is performed at the position 614, the display device pattern 401 and the spot pattern 425 are exposed to the photoresist 701 deposited on the processed substrate as shown in FIG.
[0036]
As described above, by performing exposure so that the spot patterns 506 and the identification symbol areas 424 having different positions and numbers are overlapped for each exposure, an identification symbol unique to each display device can be formed.
[0037]
In Table 1, the blind position of each blind shown in FIG. 6 is changed for each exposure, and the display device pattern and the spot pattern of the adjacent display device are simultaneously exposed to the photoresist deposited on the processed substrate in one exposure. Then, each time the exposure is repeated, the position of each blind is changed to show an example of the position setting of each blind for forming a display device and an identification symbol on the photoresist deposited on the processed substrate 421 shown in FIG. It is a thing.
[0038]
Further, as long as exposure is performed at a predetermined place with the settings shown in Table 1, the order of exposure may be any.
[0039]
[Table 1]

[0040]
For example, when the exposure including the display device 401 and the display device 420 shown in FIG. 4 is performed according to the blind setting shown in Table 1, the pattern exposed to the photoresist 701 deposited on the processed substrate is shown in FIG. It becomes like 7. That is, the display device 401 including the identification symbol region 424 is formed on the processed substrate 421.
[0041]
Subsequently, the exposure including the display device pattern 402, the exposure including the display device pattern 406, and the exposure including the display device 407 shown in FIG. When exposure is performed so as to overlap, the pattern transferred to the photoresist 701 deposited on the processed substrate is as shown in FIG. That is,

display devices

402, 406, and 407 are formed on the processed substrate 421.
[0042]
As described above, by repeating the exposure for the number of display devices with the blind setting shown in Table 1, it is possible to form a pattern on the photoresist on the processed substrate by using the plurality of display devices having the same shape and the plurality of identification symbols shown in FIG. Subsequently, using the photoresist as a protective film, the formed layer can be etched to efficiently form a desired circuit pattern and identification symbol.
[0043]
In this embodiment, the method for manufacturing a display device has been described as a semiconductor device using TFTs. However, a CPU, a memory, and the like may be manufactured using a similar method.
[0044]
【The invention's effect】
By utilizing the invention disclosed in the present invention, it becomes possible to efficiently form a plurality of desired isomorphous circuits and a plurality of identification symbols for identifying the circuits on one substrate, thereby improving productivity. Can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a process of forming a plurality of circuits having the same shape on a processed substrate.
FIG. 2 is a diagram showing a process of forming a plurality of circuits having the same shape on a processed substrate.
FIG. 3 is a diagram showing a process of forming a plurality of isomorphous circuits and a plurality of identification symbols on a processed substrate by separately exposing them.
FIG. 4 is a diagram showing a plurality of isomorphous circuits formed by exposure according to the present invention and a method for forming a plurality of identification symbols.
FIG. 5 is a diagram showing a plurality of isomorphous circuits formed by exposure according to the present invention and a method for forming a plurality of identification symbols.
FIG. 6 is a diagram showing a plurality of isomorphous circuits formed by exposure according to the present invention and a method of forming a plurality of identification symbols.
FIG. 7 is a diagram showing a plurality of isomorphous circuits formed by exposure according to the present invention and a method for forming a plurality of identification symbols.
FIG. 8 is a diagram showing a plurality of isomorphous circuits formed by exposure according to the present invention and a method for forming a plurality of identification symbols.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a circuit.
FIG. 10 is a diagram showing a cross-sectional view of a circuit formed by exposure according to the present invention and an identification symbol.

Claims

A thin film is formed on the processed substrate,
Perform multiple exposures using a reticle provided with an isomorphous pattern and a plurality of identification symbol patterns on the periphery of the isomorphic pattern,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of isomorphous patterns on the thin film; and a plurality of identification symbols configured by combining the plurality of identification symbol patterns to identify each of the plurality of isomorphic patterns. Because
Each of the plurality of identification symbols is
In each of the multiple exposures, at least a part of one selected from the plurality of identification symbol patterns provided on the reticle is shielded , and the identification symbol patterns having different shapes are exposed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is formed by overlapping exposure selected from the plurality of identification symbol patterns in different combinations and at least partially overlapping each other .

A thin film is formed on the processed substrate,
Perform multiple exposures using a reticle provided with an isomorphous pattern and a plurality of identification symbol patterns on the periphery of the isomorphic pattern,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of isomorphous patterns on the thin film; and a plurality of identification symbols configured by combining the plurality of identification symbol patterns to identify each of the plurality of isomorphic patterns. Because
One of the plurality of identification symbols is
In each of the multiple exposures, at least a part of one selected from the plurality of identification symbol patterns provided on the reticle is shielded , and the identification symbol patterns having different shapes are exposed. In the first combination selected from the plurality of identification symbol patterns , and formed by overlapping exposure so that at least a part of each other overlaps ,
Another one of the plurality of identification symbols is
In each of the multiple exposures, at least a part of one selected from the plurality of identification symbol patterns provided on the reticle is shielded , and the identification symbol patterns having different shapes are exposed. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a second combination selected from the plurality of identification symbol patterns , and overlapping exposure so that at least a part of each other overlaps .

In claim 1 or claim 2,
Each of the plurality of identification symbols is
Simultaneously with one of the plurality of isomorphous patterns, shielding a portion of the reticle and exposing at least one of the plurality of identification symbol patterns on the thin film;
The plurality of identification symbols wherein the other part of the reticle is shielded simultaneously with the other one of the plurality of isomorphous patterns, and at least one of the plurality of identification symbol patterns is exposed on the thin film. By overlapping exposure so that at least part of each other overlaps at least one of the patterns,
A semiconductor comprising: at least one of the plurality of identification symbol patterns exposed on the thin film; and at least one other combination of the plurality of identification symbol patterns exposed on the thin film. Device manufacturing method.

In any one of Claim 1 thru | or 3,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: repeating a step of forming the thin film and a step of performing exposure a plurality of times using the reticle a plurality of times.