JP2715462B2 - Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same - Google Patents
Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the sameInfo
- Publication number
- JP2715462B2 JP2715462B2 JP21388088A JP21388088A JP2715462B2 JP 2715462 B2 JP2715462 B2 JP 2715462B2 JP 21388088 A JP21388088 A JP 21388088A JP 21388088 A JP21388088 A JP 21388088A JP 2715462 B2 JP2715462 B2 JP 2715462B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wiring pattern
- same
- semiconductor device
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、同一の
下地パターンを有する基板を用いて配線工程のみを異な
る特有の配線パターンで形成するレチクル及びこれを用
いる半導体装置の製造方法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a reticle in which only a wiring process is formed using a substrate having the same base pattern with a different specific wiring pattern. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using the same.
［従来の技術］ 従来、同一の下地パターンを有する基板を使用して配
線工程のみを顧客の要求に応じた特性の配線パターンで
形成するセミカスタム品は配線工程において配線パター
ンを形成する際に、顧客の要求に応じて、第３図に示す
ようなレチクル1bを１枚づつ作成し、各レチクル1bを使
用して露光作業を行うことにより製造していた。第３図
に示すレチクル1bは遮光帯６に囲まれて配線パターンＡ
部２が設けられており、この配線パターンＡ部２内にペ
レット境界８が遮光帯６に平行に相互に直交するように
形成されている。[Prior art] Conventionally, a semi-custom product in which only a wiring process is formed with a wiring pattern having characteristics according to a customer's request using a substrate having the same underlayer pattern, when forming a wiring pattern in the wiring process, In accordance with a customer's request, a reticle 1b as shown in FIG. 3 is prepared one by one, and the reticle 1b is used for performing an exposure operation. The reticle 1b shown in FIG.
A portion 2 is provided, and a pellet boundary 8 is formed in the wiring pattern A portion 2 so as to be parallel to the light shielding band 6 and orthogonal to each other.
また、ウエハ周辺部のフォトレジストを除去するため
の周辺露光の際にも、配線パターンを有しない透明なレ
チクルを使用して露光し、配線パターンの露光作業とは
別の工程でフォトレジストを除去していた。Also, in the case of peripheral exposure for removing the photoresist at the peripheral portion of the wafer, exposure is performed using a transparent reticle having no wiring pattern, and the photoresist is removed in a separate step from the exposure work of the wiring pattern Was.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した従来のセミカスタム品の製造
方法においては、各顧客の要求に応じて個別的に作成し
たレチクルを使用するので、レチクルを多数枚作成する
必要があり、レチクル作成のためにコスト及び工数が多
くかかるという欠点がある。また、ウエハ上にパターン
形成する際にもレチクルを１枚づつ使用するので、レチ
クルの洗浄、ゴミ検査及びアライメントの各作業を１枚
づつ行う必要があり、また、レチクル交換時間も必要で
あるため、ウエハ上にパターン形成するまでの準備時間
及び工数が多くかかるという欠点もある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described conventional method of manufacturing a semi-custom product, since reticles individually prepared according to each customer's request are used, it is necessary to prepare a large number of reticles. However, there is a disadvantage that the cost and the number of steps are increased for producing the reticle. In addition, since a reticle is used one by one also when forming a pattern on a wafer, it is necessary to perform each operation of reticle cleaning, dust inspection, and alignment one by one, and a reticle replacement time is required. In addition, there is also a drawback that a long preparation time and man-hour are required until a pattern is formed on a wafer.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、複数種類の配線パターン及び周辺露光を少ない工数
で迅速に且つ低コストで形成することができるセミカス
タム品の半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。The present invention has been made in view of such a problem, and provides a method of manufacturing a semi-custom semiconductor device capable of forming a plurality of types of wiring patterns and peripheral exposures quickly and at low cost with a small number of steps. The purpose is to do.
［課題を解決するための手段］ 本発明に係るレチクルは、複数種類の配線パターン部
と、透明ブランク部とを有することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A reticle according to the present invention is characterized by having a plurality of types of wiring pattern portions and a transparent blank portion.
本発明に係るレチクルを用いる半導体装置の製造方法
は、複数種類の配線パターン部と、透明ブランク部とを
有するレチクルを使用し、１の配線パターンを選択して
露光すると共に、別の配線パターンを露光する際にはレ
チクルを交換することなく同一のレチクルの別の配線パ
ターンを使用して露光し、更に、周辺露光する場合は前
記透明ブランク部を使用して露光することを特徴とす
る。A method of manufacturing a semiconductor device using a reticle according to the present invention uses a reticle having a plurality of types of wiring pattern portions and a transparent blank portion, selects and exposes one wiring pattern, and forms another wiring pattern. The exposure is performed by using another wiring pattern of the same reticle without exchanging the reticle, and the peripheral blank is exposed by using the transparent blank portion.
［作用］ 本発明においては、同一レチクル上に複数の配線パタ
ーンが設けられ、また必要に応じてブランク部が設けら
れたものを使用して配線パターン又はウエハ周辺部の露
光作業を行う。このため、異なる配線パターンを形成す
る場合又は配線パターンの形成の後に周辺露光する場合
も、レチクルを交換することなく、同一のレチクルを使
用して露光作業をすることができる。従って、レチクル
作成コスト及び工程を削減することができると共に、露
光作業も迅速化される。[Operation] In the present invention, a plurality of wiring patterns are provided on the same reticle, and if necessary, a blank portion is provided to perform an exposure operation of the wiring pattern or the peripheral portion of the wafer. Therefore, even when a different wiring pattern is formed or when the peripheral exposure is performed after the formation of the wiring pattern, the exposure operation can be performed using the same reticle without changing the reticle. Therefore, the reticle production cost and process can be reduced, and the exposure operation can be sped up.
［実施例］ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。Example Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第１図は本発明の参考例にて使用するレチクル１の平
面図である。このレチクル１は４面付の場合のものであ
り、配線パターン部2,3,4,5に夫々異なる４個のパター
ンA,B,C,Dが形成されている。各配線パターン部2,3,4,5
は遮光帯６に囲まれているい。この遮光帯６はウエハ上
で隣接ペレットに光が漏れないようにするためのもので
ある。FIG. 1 is a plan view of a reticle 1 used in a reference example of the present invention. The reticle 1 has four surfaces, and four different patterns A, B, C, and D are formed in the wiring pattern portions 2, 3, 4, and 5, respectively. Each wiring pattern part 2,3,4,5
Is surrounded by a light-shielding band 6. The light shielding band 6 is for preventing light from leaking to the adjacent pellet on the wafer.
このように構成されたレチクル１を使用して配線パタ
ーンを形成する場合は、顧客の要求が配線パターンＡの
ときは露光装置本体の遮光板を配線パターンＢ部３、配
線パターンＣ部４及び配線パターンＤ部５に光が当たら
ないようにセットし、配線パターンＡ部２を使用して配
線パターンＡ用のウエハの露光を行う。When a wiring pattern is formed using the reticle 1 configured as described above, when the customer requests wiring pattern A, the light-shielding plate of the exposure apparatus main body is connected to the wiring pattern B part 3, the wiring pattern C part 4, and the wiring pattern. The wafer is set so that light does not hit the pattern D portion 5 and the wafer for the wiring pattern A is exposed using the wiring pattern A portion 2.
次に、別の配線パターンＢを露光する場合は、配線パ
ターンＡ部２、配線パターンＣ部４及び配線パターンＤ
部５上を前記遮光板で覆い、配線パターンＢ用のウエハ
の露光を行う。配線パターンＣ又は配線パターンＤ用の
ウエハを露光する場合も同様の操作により行う。Next, when exposing another wiring pattern B, the wiring pattern A part 2, the wiring pattern C part 4, and the wiring pattern D
The portion 5 is covered with the light-shielding plate, and the wafer for the wiring pattern B is exposed. The same operation is performed when exposing the wafer for the wiring pattern C or the wiring pattern D.
このように、同一レチクル１上に４個の配線パターン
A,B,C,Dを設けたから、１つのレチクルを使用して４種
類の配線パターンを形成することができ、レチクルの作
成コスト及び工数を削減できると共に、露光に先立つ準
備作業を要する時間を著しく短縮することができる。Thus, the four wiring patterns on the same reticle 1
Since A, B, C, and D are provided, one reticle can be used to form four types of wiring patterns, reducing the cost and man-hours of reticle creation, and reducing the time required for preparation work prior to exposure. It can be significantly shortened.
なお、上記参考例のようにレチクルが４面付の場合以
外の複数の面付の場合も、上述のようにして同一レチク
ルに複数の配線パターンを設けることができる。It should be noted that a plurality of wiring patterns can be provided on the same reticle as described above even in a case where the reticle has a plurality of surfaces other than the case where the reticle has four surfaces as in the above reference example.
第２図はレチクルの実施例を示す平面図である。この
レチクル1aは、第１図に示すレチクル１の配線パターン
Ｄ部５の替わりに、透明ブランク部７を設けたものであ
る。FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the reticle. The reticle 1a is provided with a transparent blank portion 7 instead of the wiring pattern D portion 5 of the reticle 1 shown in FIG.
このレチクル1aを使用して配線パターンを形成する場
合は、ウエハ上に配線パターン部2,3,4のいづれかを使
用して配線パターンを露光した後に、レチクル1aのブラ
ンク部７を使用してウエハ周辺部のフォトレジストを露
光する。このレチクル1aを使用することにより、ウエハ
周辺部のフォトレジストの除去を目的とする周辺露光を
も１枚のレチクルで行うことができるため、レチクルの
交換又はアライメントに要する時間を更に一層短縮でき
るという利点がある。なお、本発明は、上記実施例のよ
うに、セミカスタム品の半導体装置のみならず、セミカ
スタム品以外の半導体装置の製造にも適用することがで
きる。When a wiring pattern is formed using the reticle 1a, the wiring pattern is exposed on one of the wiring patterns 2, 3, and 4 using the blank portion 7 of the reticle 1a. The peripheral photoresist is exposed. By using this reticle 1a, the peripheral exposure for removing the photoresist at the peripheral portion of the wafer can be performed with one reticle, so that the time required for reticle replacement or alignment can be further reduced. There are advantages. Note that the present invention can be applied not only to the manufacture of a semiconductor device of a semi-custom product but also to the manufacture of a semiconductor device other than a semi-custom product as in the above-described embodiment.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、同一レチクル上に複数
個の配線パターン及びブランク部を設けたレチクルを使
用し、同一レチクルを使用して複数の配線パターンを露
光したり、所謂周辺露光したりするので、顧客の要求又
は周辺露光の目的に応じて複数のレチクル又は透明レチ
クルを作成するためのコスト及び工数を削減できる。ま
た、露光作業を行う際のレチクルの洗浄、ゴミ検査、交
換及びアライメントに要する時間を著しく短縮できると
いう効果もある。[Effects of the Invention] As described above, the present invention uses a reticle provided with a plurality of wiring patterns and blank portions on the same reticle, and exposes a plurality of wiring patterns using the same reticle. Since the peripheral exposure is performed, the cost and man-hour for producing a plurality of reticles or transparent reticles according to the customer's request or the purpose of the peripheral exposure can be reduced. Further, there is an effect that the time required for cleaning, dust inspection, replacement, and alignment of the reticle when performing the exposure operation can be significantly reduced.
第１図は本発明の参考例にて使用するレチクルの平面
図、第２図は本発明の実施例に係るレチクルを示す平面
図、第３図は従来方法に使用するレチクルを示す平面図
である。 1,1a,1b;レチクル、2;配線パターンＡ部、3;配線パター
ンＢ部、4;配線パターンＣ部、5;配線パターンＤ部、6;
遮光帯、7;ブランク部、8;ペレット境界FIG. 1 is a plan view of a reticle used in a reference example of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a reticle according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing a reticle used in a conventional method. is there. 1, 1a, 1b; reticle, 2; wiring pattern A part, 3; wiring pattern B part, 4; wiring pattern C part, 5; wiring pattern D part, 6;
Shading zone, 7; blank, 8; pellet boundary
Claims (2)
ク部とを有することを特徴とするレチクル。1. A reticle comprising a plurality of types of wiring pattern portions and a transparent blank portion.
ク部とを有するレチクルを使用し、１の配線パターンを
選択して露光すると共に、別の配線パターンを露光する
際にはレチクルを交換することなく同一のレチクルの別
の配線パターンを使用して露光し、更に、周辺露光する
場合は前記透明ブランク部を使用して露光することを特
徴とするレチクルを用いる半導体装置の製造方法。2. A reticle having a plurality of types of wiring pattern portions and a transparent blank portion is used to select and expose one wiring pattern, and exchange a reticle when exposing another wiring pattern. A method of manufacturing a semiconductor device using a reticle, wherein the exposure is performed using another wiring pattern of the same reticle without using the reticle, and the peripheral blank is exposed using the transparent blank portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21388088A JP2715462B2 (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21388088A JP2715462B2 (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262541A JPH0262541A (en) | 1990-03-02 |
| JP2715462B2 true JP2715462B2 (en) | 1998-02-18 |
Family
ID=16646544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21388088A Expired - Fee Related JP2715462B2 (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715462B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058935U (en) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | シチズン時計株式会社 | Semiconductor device reticle |
| JP2858543B2 (en) * | 1995-03-30 | 1999-02-17 | 日本電気株式会社 | Exposure method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
| US4758863A (en) * | 1987-02-17 | 1988-07-19 | Hewlett-Packard Company | Multi-image reticle |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21388088A patent/JP2715462B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262541A (en) | 1990-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6532585B1 (en) | Method and apparatus for application of proximity correction with relative segmentation | |
| JPH09134870A (en) | Method and device for forming pattern | |
| US4397543A (en) | Mask for imaging a pattern of a photoresist layer, method of making said mask, and use thereof in a photolithographic process | |
| JP2715462B2 (en) | Reticle and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| JPH07117744B2 (en) | Dicing line formation method | |
| JPS59160144A (en) | Photomask | |
| JPH05243115A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH01107527A (en) | Forming method for pattern | |
| JPH01234850A (en) | Photomask for semiconductor integrated circuit | |
| JPH0545944B2 (en) | ||
| US20030203286A1 (en) | High-transmittance halftone phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS6223862B2 (en) | ||
| JPH0787174B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPS6155106B2 (en) | ||
| JPS63278230A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS62296422A (en) | Exposure | |
| JP2545431B2 (en) | Lithography reticle and reticle pattern transfer method | |
| KR100728947B1 (en) | Method for exposing using reticle for semiconductor device | |
| JP2005017314A (en) | Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPS6341050B2 (en) | ||
| JP2878551B2 (en) | Exposure method | |
| JPS6258139B2 (en) | ||
| JPH03180017A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6215854B2 (en) | ||
| JP2001215685A (en) | Method and device for preparing reticle pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |