JPH0260418A - 高圧トランス保護回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、高圧トランス保護回路、特に高圧トランス
自体又はこの高圧トランスの二次側出力が供給される二
次側回路において異常が発生したときにおける電流停止
に関する。

［従来の技術］ 従来から高電圧発生のためにフライバックトランスなど
の高圧トランスか広く利用されている。

例えば、テレビジョン受像器等のＣＲＴ　（陰極線管）
の高圧電極への電圧供給には、このような高圧トランス
か必須である。また、コンピュータ機器の発達に伴うデ
イスプレィ装置としてのＣＲＴの需要増大に応じ、高圧
トランスの重要性もますます増大してきている。

ここで、このような高圧ｌ・ランスの一例について、第
２図を用いて説明する。高圧トランス１０は、一対のＵ
形コアを組合せたコア脚に一次側コイル及び二次側コイ
ルが同心円状に装着されており、その断面形状は軸を中
心に対称となるため、第２図においては一方側のみを示
しである。

コア脚１２の周囲には筒状の一次側ボビン１４か配置さ
れており、この−次側ホビン１４に低圧コイルである一
次側コイルＮ１が巻回されている。

また、−次側ホビン１４の端面に形成した端子部に固定
された端子ビン１６は例えば−次側コイルＮ１に電力を
供給するためのものである。

そして、−次側ホビン１４の周囲には所定側離隔てて同
じく筒状の二次側ボビン１８か配置されている。この二
次側ボビン１８の周囲には高圧コイルを形成する多巻数
の二次側コイルＮＨか巻回されている。

ここて、この例においては、二次側コイルＮＩ＋は、第
１層Ｎ　から第６層ＮＨＧまでの６層構造と＋１１ なっている。そして、二次側コイルＮ１（の各層間には
、絶縁性のポリエチレンテレフタレート等のシートから
なる層間紙２０が介在されている。また、二次側コイル
ＮＨ１からＮＨ［ｉは、それぞれ高圧整流ダイオードＤ
１１を介し直列に接続されている。

次に、このような高圧トランスを用いた回路の一例につ
いて第３図に基ついて説明する。

この回路は、ＣＲＴに用いられる偏向装置の一般的な回
路であり、水平偏向出力回路３０と、高圧Ｉ・ランス１
０を有している。そして、この高圧トランス１０からの
出力をＣＲＴ３２に供給する。

水平偏向出力回路３０は、水平出力トランジスタＴＲ１
と、ダンパーダイオードＤ１、共振コンデンサＣ１、水
平偏向コイルし１１及び８字補正コンデンサＣ８とから
成っている。そして、水平出力トランジスタＴ１．１は
、水平ドライブ回路（図示せず）から送られてくる電圧
パルス信号を受は入れ、所定のスイッチング動作を行う
。この水平出力トランジスタＴｌ？］のスイッチングと
、ダンパーダイオードＤ１の協働によって水平偏向コイ
ルＬＨにのこぎり刃状の電流を加える。また、この水平
偏向コイルＬＨと共振コンデンサＣ１はその共振作用に
よってフライバックパルスを発生させ、これか高圧Ｉ・
ランス１０に加えられる。

高圧トランス１０は、上述のような構成をしており、高
圧トランス１０の一次側コイルＮ１の一方側の端子はダ
ンパーダイオードＤＩのカソード、水平偏向コイルし１
１及び共振コンデンサＣＩの共通端に接続されており、
他端側端子は入力電源Ｅ１３に接続されている。一方、
高圧トランス１０の二次側コイルＮＩＩの高圧側端子は
高圧整流ダイオードＤＩｌｌ〜Ｄ１１６を介し、ＣＲＴ
　（陰極線管）３２の高圧電極（アノード）３４に接続
されている。

また、二次側コイルＮｌ１ｌ〜Ｎ１１８の出力端からＣ
ＲＴ３２のアノード３４に至る二次側回路にはフォーカ
スペックＦ　ｐ−平滑用コンデンサＣ１］が接続されて
いる。このフォーカスバックＦＰは直列接続された複数
の抵抗Ｒ７、Ｒ８、Ｒｖｌ、Ｒｖ２から成っており、Ｃ
ＲＴ３２のスクリーン電極、フォーカス電極に所定の電
圧を供給するためのものである。　このような構成にお
いて、高圧トランス１０は前述の水平偏向出力回路３０
から加えられるフライバックパルスを昇圧し、更に高圧
整流ダイオードＤＩＩによって整流を行い、その整流出
力である高電圧Ｅ１１をアノード３４に加えるのである
。尚、平滑用コンデンサＣＨはこの高電圧Ｅ１１を平滑
するためのものである。

このような高圧トランス１０において、何らがの原因に
よって、二次側コイルＮｎにおいて短絡が発生すると、
ここにおいて電流量が増大し、発火発煙等の事故にも繋
がる。

このため、従来の装置においても、このような発火発煙
を防止するための手段が講じられている。

そこで、従来の保護回路について第４図に基づいて説明
する。

この例においては、第３図における電源ＥＢで過大電流
を検出し、電流供給を制限するようになっている。これ
は、二次側コイルＮＩＩにおいて短絡か発生ずると一次
側電流ＩＢもそれに応じて増大するからである。

すなわち、この例において電源ＥＢは次のような構成を
有している。入力端Ｐは、電力の入力端であって、通常
交流の１００Ｖの電源に接続される。そして、この入力
端Ｐはブリッジ結合された４つのダイオードＤ２１”　
２２’　Ｄ２３”　２４からなる整流回路４２に接続さ
れている。また、この整流回路４２の出力側には、電圧
安定化回路４４か接続され、所定の直流電力を高圧トラ
ンス１０に供給するようになっている。すなわち、出力
端４６か第３図におｉ−する−次側コイルＮ　の一端Ｔ
１に接続されている。なお、コンデンサＣ２１は電圧を
平滑させるためのものである。

電圧安定化回路４４は、トランジスタＴＲ２１、抵抗Ｒ
２ｏ及び制御回路４８からなっている。そして、制御回
路４８には、電圧安定化回路４４の出力側の電圧か入力
され、制御回路４８はこの電圧が所定の一定値になるよ
うにトランジスタＴＲ２□のベース電圧を制御する。従
って、電圧安定化回路４４から出力される電圧はほぼ一
定値に制御され、出力端４６における電圧ＥＢもほぼ一
定値となる。なお、コンデンサＣ２３は、電圧平滑、特
に過渡応答改善のためのものである。

更に、この例においては、電圧安定化回路４４と出力端
４６の間に異常電流検出回路５０を設け、これに流れる
電流ＩＢを監視するようになっている。この異常電流検
出回路５０は、電圧安定化回路４４と出力端４６の間に
挿入配置された抵抗Ｒ２２の両端電圧を検出し、この両
端電圧か所定値以上になった際に、トランジスタＴＲ２
２をオンすることによって、異常電流を検出するもので
ある。

このため、抵抗Ｒ２２の−に流側端にはトランジスタＴ
　　のエミッタが接続され、抵抗Ｒ２２の下流側端には
抵抗Ｒを介しｌ・ランジスタＴＲ２２のへスか接続され
ている。なお、コンデンサＣ２２は電流ＩＢの微小時間
における変化を吸収するためのものである。

このような構成において、電流ＩＢか増加し、抵抗Ｒ２
２の両端の電位差が所定値を越えると、！・ランジスタ
”Ｒ２２のベース・エミッタ間の電位差が所定値を越え
、トランジスタＴＲ２２が導通される。ここで、このＴ
　　のコレクタは抵抗Ｒ２４及びＲを介しアースされて
いる。そこで、ＴＲ２２が導通され、ここに電流が流れ
ると、抵抗Ｒ２４とＲの接続点の電位は、抵抗Ｒ２５の
電圧降下分たけ上昇することになる。なお、コンデンサ
Ｃ２４は、抵抗Ｒ２４とＲ２５の接続点における交流成
分を除去するだめのものである。

一方、抵抗Ｒ２４とＲ２，の接続点はトランジスタＴＲ
２３のベースに接続されている。そして、このトランジ
スタＴＲ２３のコレクタにはフォトカプラ５２の入力端
の一端側か接続され、トランジスタＴＲ２３のエミッタ
はアースされている。また、フォトカプラ５２の入力端
の他端側には抵抗Ｒ２６を介し電源Ｅｃ２１か接続され
ている。このため、トランジスタＴｌ？２３かオンされ
ると、フォトカプラ５２の入力端に接続された発光ダイ
オード５２ａかオンされる。また、フォトカプラ５２の
受光側のトランジスタ５２ｂのベースは抵抗Ｒ２７を介
しアースに接続され、コレクタは電源Ｅ。２２に接続さ
れ、エミッタは水平発振回路５４に接続されている。

そこで、フオＩ・カプラ５２の発光ダイオード５２ａの
発光によりトランジスタ５２ｂがオンすると水平発振回
路５４に発振停止信号が入力される。そして、水平発振
回路５４は発振停止信号を受は入れたときに発振を停止
する。この水平発振回路からの発振パルスは、第４図に
おけるドライブ回路３０の入力端子に入力されるものな
ので、これが停止されることによってドライブ回路３０
の動作が停止される。これによって高圧トランス１０に
はフライバック・パルスが発生しない。そこで、高圧ト
ランス１０の発火、発煙などを防止することかできる。

［発明か解決しようとする課題］ 上述のように従来の高圧トランス保護回路において理論
的には高圧トランスの発火、発煙を防止することかでき
る。しかし、このような保護回路を有するにも拘らず、
高圧トランスか発火、発煙を起こす場合もある。そこで
、これについて詳細に検討したところ高圧トランスの二
次側コイルＮ１１のンヨー１−　（レアショート）につ
いて、次のようなことか明らかとなった。

すなわち、何らかの原因により、二次側コイルＮ１１の
一つの層、例えは−層目ＮＨ１の中間の一巻回がショー
トすると、この部分において短絡電流に起因する発熱か
起こる。二次側より数＋Ｗ（２０Ｗ〜５０Ｗ）程度の電
力を出力する場合において、二次側コイルＮＩＩの一巻
において２Ｗ程度の電力を消費することになる。すると
、第１図において斜線で示すようにこの熱によって両隣
の巻回ＮＨもンヨート状態になり、更に発熱が増加する
。

そして、このような発熱状態は、ショート領域が広がる
につれ更に大きくなり、二次側コイルＮ１１の一層目に
おける５、６巻回のショートによって約１０Ｗ程度の発
熱エネルギーか生しる。

この程度の発熱か起こると、−層目と二層目の二次側コ
イルＮＨ１とＮ１１２を絶縁している層間紙２０の溶解
も始まる。すなわち、この層間紙２０には通常の場合ポ
リエチレン系の祠料か用いられており、その融点は２５
０°Ｃ程度である。そこで、−層目内のンヨーＩ・によ
って発熱量か増加すると、この層間紙２０か溶け、−層
目と二層目のコイル同士の短絡も生しることになる。

一方、高圧トランス１０の二次側コイルは６つの二次側
コイルＮｌ１１からＮ１１６の直列接続からなっている
。このため、Ｎｌ１ｌとＮ１１２の間には出力電圧Ｅ１
１の６分の１の直流電圧かかかっていることになる。そ
して、通常のＣＲＴ３２の高圧電極３４に印加する電圧
か３０ｋＶ程度なので、−層目の二次側コイルＮＨ１と
二次側コイルＮ１（２の間には５ｋＶ近くの電圧かかか
っていることになる。

そこて、層間紙２０か溶け、層間のショートか発生する
ということは、５ｋＶもの高電圧におけるショートとな
り、このときに消費される電力は非常に大きなものとな
ってしまう。従って、高圧トランス１０において、この
ような状態か生起されると、その瞬間に大電流か流れて
しまい、発火、発煙か生じ、その後電流か停止されても
臭い、煙等の発生を十分に防止することはできなかった
。

この短絡時の一時側電流ＩＢの一態様を第５図に示して
おり、図中ｔ１において第１層における最初の短絡が起
こり、時間ｔ２まで徐々に層内における短絡が進んでい
く。そして、時間ｔ２において層間の短絡か起こるとそ
の電流値は直線的に上昇し発火発煙等の危険を生じるの
である。このように、従来の高圧トランス保護回路にお
いては、短絡が起こった際に十分な対処か行イつれない
という問題点があった。

これは、高圧トランス１０の一次側に供給する電流ＩＢ
は、一定値ではないことによる。すなわち、第６図に示
すようにＣＲＴ３２における明るさ調整（輝度調整）等
によって電流ＩＢはかなり大きく変化する。これは、Ｃ
ＲＴ３２の輝度の変化に応じて二次側電流（高圧電流）
ＩＨが変化し、−次側電流■Ｂか変化するからである。

そして、この変化量は高圧−次側電流ＩＢの値に対して
かなり大きなものとなっている。

従って、異常電流検出回路５０おけるトランジスタＴＲ
２２の動作するタイミングは、−次側電流ＩＢかかなり
上昇したときになってしまう。そこで、−次側電流■８
か層内の短絡により」−昇してもこれを検知し、−次側
電流を遮断することかできない場合が多い。このため、
従来の高圧トランス保護回路は十分な機能を発揮できな
い場合かあった。

更に、従来の高圧トランス保護回路によれば、−度フオ
ドカプラ５２が動作し水平発振回路５４が停止しても、
主電源をオフしその後にもう一度電源を投入した際に、
再度フォトカブラ５２が動作するまで電流ＩＢか流れて
しまうという問題点もあった。

また、高圧トランス１０に温度ヒユーズを埋め込めば、
温度が上昇した時にこのヒユーズの溶断によって高圧ト
ランス１０への電流を遮断することができる。しかし、
高圧トランス１ｏの駆動周波数は一般ニ１５．　７５ｋ
）ＩＺ　−１３０ｋＨｚと高く、７１１４度ヒユーズの
ような形状の大きいものを配設するとその電磁結合度が
低くなり、高圧Ｉ・ランス１０の基本的性能か害されて
しまうという問題点があった。

関連技術 このような問題点を解決するため、本出願人は特願昭６
２−２８５０５６号において、高圧トランスのレアンヨ
−１・を初期の段階で検出てきる高圧トランス保護回路
について提案した。この提案こ係る高圧トランス保護回
路においては、高圧トランスの二次側電流を検出し、二
次側電流を基準として一次側電流か所定以上」１貸した
時に異常と判定する。

これは、」二連のようにＣＲＴの輝度調整等により一次
側電流か土性する場合には、二次側電流も」−昇するの
に対し、高圧トランスにおいてレアショートか発生した
場合には、二次側電流に比べ一次側電流のみが急増する
からである。従って、この提案の高圧トランス保護回路
においては、ＣＲＴの輝度調整等に起因する一次電流変
化を除外して異常判定を行える。このため、レアショー
トの初期の段階での効果的な高圧トランスに異常検出か
行える。

一方、高圧トランスの二次側の高圧出力はＣＲＴのアノ
ードに接続されるのであるか、この二次側回路にはＣＲ
Ｔのフォーカス電極、スクリーン電極への電圧印加用の
フォーカスパックＦｐや高圧出力の平滑用のコンデンサ
ＣＨ等が設けられている。そして、このこれらのフォー
カスパックＦ　やコンデンサＣ１１の破壊等の事故によ
って短絡を生じた場合には、ここに大電流を生じる。

そして、このようなときこの提案に係る高圧トランス保
護回路では、異常の判定が行えないという問題点かある
。すなわち、先に提案の保護回路においては、−次側電
流が二次側電流に比べ急激に上昇した時のみに異常と判
定する。そして、フォーカスパック等の高圧出力側の回
路における異常の場合には、二次側電流の増加に応じて
一次側電流も増加するため、異常とは判定されないので
ある。

そこで、このような原因の電流増加の場合にも、高圧ト
ランス１０に過大な電流が流れ、高圧ｌ・ランスの発熱
、発煙等を生じることになる。

従って、高圧トランスの二次側回路における自己に起因
する高圧トランスへの過大電流供給を防止する必要があ
る。

発明の目的 この発明は、上述のような問題点を解決することを課題
として為されたものであり、高圧トランスにおけるレア
ショート等の異常のみならず、二次側回路における事故
に起因する異常が発生した場合にも効果的な電流遮断か
行える高圧トランス保護回路を提供することを目的とす
る。

［課題を解決するだめの手段］ 一１二記目的を達成するために、本発明は、高圧トラン
スへの過大電流の供給を防止する高圧トランス保護回路
において、上記高圧トランスの一次側に供給される電流
値を検出する一次側電流検出回路と、上記高圧トランス
の二次側電流を検出する二次側電流検出回路と、」二記
一次側電流検出回路及び二次側電流検出回路の両方の検
出値が入力され、二次側電流の上昇を伴わずに一次側電
流が所定量」二上昇したときに高圧トランスの異常を検
出する高圧トランス異常検出回路と、上記二次側電流検
出回路の検出値か入力され、この二次側電流が所定値を
上回った場合に二次側回路における異常を検出する二次
側回路異常検出回路と、上記高圧トランス異常検出回路
又は二次側回路異常検出回路のどちらか一方において異
常を検出したときに高圧トランスへの電流供給を停止す
る電流供給停止回路と、を有し、高圧トランス及び高圧
トランスの出力側の回路において異常か発生した際に確
実に高圧トランスへの電流供給を停止することを特徴と
する。

［作用コ この発明においては、高圧トランスの一次側コイルに供
給する電流値を一次側電流検出回路によって検出し、二
次側電流を二次側電流検出回路よって検出する。

そして、高圧トランス内部におけるショートなどに起因
して高圧トランスの一次側電流か二次側電流を基準とし
て所定以上上昇した場合は、高圧トランス異常検出回路
によってこれを検出する。

一方、フォーカスパンクの不良などにより二次側回路に
事故が発生し、二次側電流が所定以」二となった場合に
は、二次側回路異常検出回路によってこれを検出する。

そして２つの異常検出回路のどちらか一方でも異常を検
出した場合には、高圧トランスへの電流供給を停止する
。

このため、異常発生時に高圧トランスへの電流供給を確
実に停止することかでき、高圧トランスの異常発熱、発
煙等の発生を効果的に防止することができる。

「実施例］ 次に、この発明に係る高圧トランス保護回路の一実施例
について図面に基づいて説明する。第１図は、実施例の
回路図である。

図において、水平ドライブ回路（図示せず）、水平偏向
出力回路３０、高圧トランス１ｏは第３図に示した従来
例の構成及び作用と同様であり、説明を省略する。

そして、この実施例においては、保護回路６゜を有して
いる。

この保護回路６０は、異常発生時に高圧トランス１０へ
の電流供給を停止するものであり、次のような構成を有
している。

電源ＥＢから一次側コイルＮ１の始端Ｔ〕への電流供給
回路には、−次側電流工８検出用の抵抗Ｒ１と、電流遮
断用のヒユーズＦ１が挿入配置されている。

また、−次側コイルＮ１にはその中間点に中ｍツタツブ
Ｔ２が設けられ、始端側コイルＮ１４と終端側コイルＮ
１２の２つのコイルに分割できるようになっている。そ
して、この中間タップＴ２には逆流防止用のダイオード
Ｄ２のアノード側が接続されている。このダイオードＤ
２のカソード側にはサイリスタＳＣＲのアノードが接続
され、このサイリスタＳＣＲのカソードはヒユーズＦ、
と抵抗Ｒ１の接続点に接続されている。従って、サイリ
スタＳＣＲかオンされた場合には始端側コイルＮ１１及
びヒユーズＦ１を含む閉回路が形成されることになる。

なお、サイリスタＳＣＲと並列に配設されているコンデ
ンサＣ２は平滑用のものであり、適宜省略することも可
能である。また、サイリスタＳＣＲのカソード、ゲート
間に接続されたコンデンサＣ３は電圧平滑及びノイズ除
去のためのものである。

一方、二次側コイルＮＩ（の入力側端Ｔ４は、電流検出
用抵抗Ｒ２、抵抗Ｒ３、バイアス電源Ｅ８を介し電源Ｅ
Ｂの出力側に接続されている。そして、抵抗Ｒ２によっ
て二次側コイルＮＨに流れる高圧電流ＩＨを検出するこ
とができる。なお、抵抗Ｒ３の一端側に接続され他端が
アースされているコンデンサＣ５は高圧電流１１１の交
流成分を除去するためのものである。また、抵抗Ｒ２と
抵抗Ｒ３の接続部はＡ　Ｂ　Ｌ　（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
　ＢｒｉｔｅｎｅｓｓＬｉｍｉｔｔｅｒ）側に通じてい
る。

そして、この抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３の接続部力はイリスタ
ＳＣＲのゲートに接続されているため、サイリスタＳＣ
Ｒのゲート電位は抵抗Ｒ２における電圧降下、すなわち
高圧電流■ＩＩの大きさに応じて変化することになり、
オンオフされることになる。

さらに、抵抗Ｒ２とバイアス電源Ｅ８の接続部はツェナ
ーダイオードＺＤ１のカソードに接続されている。そし
て、ツェナーダイオードＺＤ１のアットは抵抗Ｒ５を介
しサイリスタＳＣＲのゲートに接続されている。従って
、抵抗Ｒ２における電圧降下が所定値以上となった時に
このツェナーダイオードＺＤ１かオンされることになる
。

なお、コンデンサＣ４はトランジスタＴＲ２のベースに
発生する信号成分の交流分やノイズ成分を接地するため
のものである。

また、ツェナーダイオードＺＤ１と抵抗Ｒ５の接続部は
トランジスタＴＲ２のベースに接続されている。そして
、このｌ・ランジスタＴＲ２のコレクタ側は抵抗Ｒ６、
補助電源Ｅ。を介し、電源ＥＢの出力側に接続されてお
り、エミッタ側はサイリスタＳＣＲのケートに接続され
ている。従って、ツェナーダイオードＺ１）１かオンす
るとトランジスタＴ２゜かすりし、補助電源Ｅ。の電圧
かサイリスタＳＣＲのゲートに印加されることになる。

なお、抵抗ＲはトランジスタＴＲ２に対する電流制限用
の抵抗である。

レアンヨ−１・発生の場合 高圧トランス１０内部においてレアショートか発生した
場合には、−次側電流■８と二次側電流’ＩＩの比較に
よってこれを検出し、−次側電流Ｉ８を停＋ｌする。

ここで、この電流停止は、サイリスタＳＣＲをオンする
ことによって行うのであるか、このための回路の抵抗Ｒ
、Ｒバイアス電流Ｅｓの設置　　　　２　ゝ 定等について説明する。

まず、−次側電流■８はＣＲＴ３２の輝度調整によって
第４図のように変化する。このように、この−次側電流
ＩＢは輝度調整等の二次側電流ＩＨによらない定数部分
と、輝度調整等による二次側電流■ＩＩによるに比例す
る部分に分けられ、次のように表すことかできる。

１　　＝ＡＸ　Ｉ、Ｉ＋　■Ｂｏ−（１）ここで、Ａは
回路から決定される定数であり、”ＢＯはＣＲＴの輝度
調整等によって変動しない定数部分である。

また、バイアス電源Ｅｓ１抵抗Ｒ２を介しサイリスタＳ
ＣＲのゲートに印加される電圧ｅ１１は、次のように表
される。

ｅ　Ｈ−１ｎ　Ｘ　Ｒ２＋　Ｅ　ｓ　　　　”・（２）
ここで、この電圧は、電源ＥＢの＋側を基準として表し
である。

さらに、抵抗Ｒ１における電圧降下ｅＢは次のように表
すことかできる。

ｅＢ＝■ＢＸＲ１・・（３） ここで、この電圧は、」二連の場合と同様に電源ＥＢの
＋側を基準として表しである。

そして、（１）式を（３）式に代入することによって抵
抗Ｒ１における電圧降下ｅＢは次のように表されること
になる。

ｅ　ｎ　−Ａ　×Ｉ　ＨＸ　Ｒｔ　＋Ｉ　ＢＯＸ　Ｒｌ
”’　（４）一方、正常動作時においては、サイリスタ
ＳＣＲのゲートの電位は、カソードと同電位とし、遮断
状態とするため、両者は等しくなるように設定すること
が望ましい。従って、ｅＢ””ｅＩＩとなるようにＲ８
を設定する必要かある。

そこで、（４）式と（２）式の右辺同士は等しくなり、 ｌ１ｌｘＲ２＋Ｅｓ＝ＡｘＩ１１ｘＲ１＋ＩＢＯｘＲ１ となる。

そして、この式における変数部分同士、定数部分同士は
等しいため、 １　ｏ　Ｘ　Ｒ２−Ａ　Ｘ　Ｉ　ｏ　×Ｒ１であり、 Ｒ２”’　Ｉ　Ｂｏ　Ｘ　Ｒ１ となる。

ここで、Ｅｓの値を先に決定するとＲ１、Ｒ２はそれぞ
れ次のように決定される。

Ｒ１−Ｅｓ／■Ｂ。

Ｒ＝ＡｘＥｓ／■Ｂ。

このようにして、求まった値に対し回路のバラツキ等を
考慮して、その分Ｅ８の値を大きめに設定すれば、サイ
リスタＳＣＲの正常時にゲート電位がカソード電位に比
べ高くなることはなく、常にオフされることになる。

そして、高圧トランス中でレアーショート等が発生する
と、上述のようにそのショート部において大量のエネル
ギーが消費され、そのエネルギ消費Ｐに対応した電流Δ
ＩＢか一次側電流に加算される。

ΔＩＢ＝Ｐ／ＥＢ 通常の場合高圧トランスか発火に至るようなショートで
あれば、この電流増加分ΔＩｎは第４図におけるΔＩＢ
の２倍以」二となる。従って、抵抗Ｒ１における電圧降
下は非常に大きくなり、ザイリスクＳＣＲのカソードの
電位がケート電位に比較して充分低くなり、サイリスク
ＳＣＲがオンされる。なお、このショートは高圧トラン
ス内部の二次側コイルＮ１１におけるものであり、この
時の二次側電流ＩＩ＋はほとんど変化しない。

このようにしてサイリスタＳＣＲがオンすると、サイリ
スクＳＣＲは一次側コイルＮ１の中間タップＴ　に発生
するパルス電圧を非常に低いインピダンスで流すことに
なり、この電流によってヒュースＦ１は溶断される。

そして、ヒュースＦ１を溶断することによって、高圧ト
ランスの一次側コイルＮ１に対する電流供給を停止する
ことができる。

なお、このような動作の場合には、ツェナーダイオード
ＺＤ１はオンしないようにツェナーダイオドＺ　の降伏
電圧Ｅ　か設定しである（ｅｎ＜Ｄｉ　　　　　　　　
　　Ｚ Ｅｚ）。

されたフォーカスパックＦ　ｐ−平滑用コンデンサＣＨ
等に破壊短絡が発生した場合について、フォカスパック
Ｆ　内の抵抗Ｒ７かショートした場合を例として説明す
る。

二次側電流ＥＨを一定とすると、アノード３４に対する
電流は同一なので、フォーカスパックＦ　に流れる電流
の増加分たけ二次側電流ＩＨか増加する。

そこで、この増加分ΔＩＨは、 ΔＩＩＩ−Ｅ）Ｉ／（Ｒ８＋Ｒｖｌ＋Ｒｖ２）Ｅ１■／
　（Ｒ７＋Ｒａ　＋Ｒ，ｔ＋ＲＶ２）となる。ここで、
この右辺第２項は通常非常に小さいため、０とおいて問
題ない。このため、増加分ΔＩＩ＋は、 ΔＩ　、、　＝　Ｅ、、　／　（Ｒ８＋　Ｒｖ１＋　Ｒ
ｖ２）となる。

そして、この増加分ΔＩＨに応して一次側電流■８も増
加するため、その増加分へＩＢは、Δ■Ｂ＝ＥＨ×ΔＩ
　Ｈ／　Ｅ　ｐ。

となる。

すなわち、フォーカスパックにおける短絡は、二次側電
流と一次側電流の関係においては、ＣＲＴへの電流増加
と同様のものとなり、上述の異常検出手段によっては異
常の検出かできない事が理解される。

ところが、この発明においては、ツェナーダイオードＺ
Ｄ１を有している。従って、このツェナダイオードＺＤ
１の降伏電圧ＥＺをここにかかる電圧Ｒ２×Ｉ１１に対
し所定の値、すなわち上述の輝度調整におけるＩ　の最
大値’８Ｍに対応する電圧より少し大きな値に設定して
おけば、二次側電流’Ｈの異常に対し所定の電流停止が
行える。通常、輝度調整における一次側電流ＩＢの増加
に対しフォーカスパックＦｐ等の短絡による電流増加は
かなり大きいため、異常検出を充分行うことができる。

すなわち、抵抗Ｒの両端の電圧Ｒ２Ｘ　Ｉ　ｏがツェナ
ーダイオードＺＤ１の降伏電圧Ｅ、７．を越えたとき、
このツェナーダイオードＺＤ１がオンされる。

そして、このツェナーダイオードＺＤ１かオンすると抵
抗Ｒに電流か流れ、トランジスタＴＲ２のベース電位か
−に昇し、このトランジスタＴＲ２がオンする。このト
ランジスタＴＲ２かオンすると、補助電源Ｅ　と抵抗Ｒ
６の値に応じてサイリスタＳＣＲのゲートの電位か上昇
する。そして、これによってサイリスタＳＣＲがオンさ
れ、上述の場合と同様にヒユーズＦ１が溶解され、高圧
トランス１０への電流供給が停止される。

なお、所定の条件下では、ツェナーダイオードＺ、１を
省略し、二次側電流■Ｉ＋の変化によって、トランジス
タＴＲ２を直接オンオフすることも可能である。

このように、この実施例によれば、簡単な回路の付加に
よって、異常発生時の電流供給を確実に停止できる。従
って、温度ヒユーズ埋込みの場合のような高圧トランス
の性能悪化の問題がない。

更に、このような保護回路を高圧トランスに追加しても
、高圧トランスブロックとしての出力及び入力端子数は
変更する必要なく、ブロック化しゃすい。

また、ヒユーズＦ１を切断するため、主電源を再投入し
ても、高圧トランスに電流か流れることはない。なお、
電流の遮断は、ヒユーズに限らす、半導体、各種導体な
とか適宜採用可能である。異常検出時に動作するサイリ
スタＳＣＲに替え、各種の」（導体素子等を採用しても
よい。

［発明の効果コ 以上説明したように、この発明に係る高圧トランス保護
回路によれば、高圧トランス自体の異常のみならず二次
側回路における異常についても効果的な電流供給の停止
か行え、高圧ｌ・ランスの発熱、発火等の発生を確実に
防止することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る高圧トランス保護回路の一実施
例を示す回路図、 第２図は高圧トラレスの内部構造を示す構成図、第３図
は高圧トランスの使用例を示す構成図、第４図は従来の
高圧トランス保護回路を説明するための回路図、 第５図は高圧トランスの異常発生時における電流の変化
を示す特性図、 第６図はＣＲＴ３２の輝度調整に対応する二次側電流工
１１と一次側電流の関係を示す特性図である。 １０　　・　高圧トランス ６０　　・　保護回路 Ｆｌ　・・　ヒユーズ（停止手段）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 高圧トランスへの過大電流の供給を防止する高圧トラン
   ス保護回路において、 上記高圧トランスの一次側に供給される電流値を検出す
   る一次側電流検出回路と、 上記高圧トランスの二次側電流を検出する二次側電流検
   出回路と、 上記一次側電流検出回路及び二次側電流検出回路の両方
   の検出値が入力され、二次側電流の上昇を伴わずに一次
   側電流が所定以上上昇したときに高圧トランスの異常を
   検出する高圧トランス異常検出回路と、 上記二次側電流検出回路の検出値が入力され、この二次
   側電流が所定値を上回った場合に二次側回路における異
   常を検出する二次側回路異常検出回路と、 上記高圧トランス異常検出回路又は二次側回路異常検出
   回路のどちらか一方において異常を検出したときに高圧
   トランスへの電流供給を停止する電流供給停止回路と、 を有し、 高圧トランス及び高圧トランスの出力側の回路において
   異常が発生した際に確実に高圧トランスへの電流供給を
   停止することを特徴とする高圧トランス保護回路。