JPH025356A - イオン注入装置

Info

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は半導体製造に利用できるイオン注入装置に関す
るものである。

従来の技術従来の装置を第２図の概要図に示す。イオン源１１に、
例えばＰＨ３を用いた場合、ｐ　＋４２　Ｐ＋。

Ｐ２十等の数種類のイオンが発生可能であるが、そのう
ち、実際に注入できるのは分析磁界１２より加速管１３
に導かれる任意の１種類のイオンのみである。

発明が解決しようとする課題このような従来の方法では、発生させているイオン種の
一部しか利用され得ないため、資源の熱駄になる。また
、同時に１種類のイオン注入しかできない。

課題を解決するための手段本発明は、イオン注入装置に質量分析系以降のイオンの
経路を複数にそなえ、２種類以上のイオン注入を同時に
行なうことを可能になしたものである。

作用本発明によると、ひとつのイオン源から複数種のイオン
種を取り出し、それらを同時に、イオン注入に利用する
ことができる。

実施例本発明の一実施例を第１図の概要図を用いて述べる。第
１図において、第２図と同一部分には同一番号を付す。

第１図は分析磁界１２に結合されるイオンの経路を２本
設けて、それぞれに加速管１３．１４をそなえ、イオン
源１１に配したＰ）ｈガスを利用してＰ＋とｐ　＋＋を
同時に注入しているものである。

本実施例では２本の経路を設けたが、３本以上の経路を
設けて３種以上のイオンを同時に注入することができる
。また、ＰＨ３ガスにかわってＢＦ３　、ＡｓＨ３ガス
等も利用できる。

発明の効果以上述べたように、本発明のイオン注入装置を利用する
と、同時に複数のイオンの注入が行えるため、装置の能
力が向上する。また、資源の節約になる。

【図面の簡単な説明】

１１・・・イオン源、１２・・・分析磁界、１３．１４
・・・加速管。

【特許請求の範囲】