JPH0451446A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0451446A JPH0451446A JP2159133A JP15913390A JPH0451446A JP H0451446 A JPH0451446 A JP H0451446A JP 2159133 A JP2159133 A JP 2159133A JP 15913390 A JP15913390 A JP 15913390A JP H0451446 A JPH0451446 A JP H0451446A
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- ion
- tube
- ions
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関する。
半導体装置の製造工程において使用されるイオン注入装
置は、所望するイオンだけを取り出し、所望のエネルギ
ーまで加速して、半導体ウェハーへ注入することができ
るように構成されている。
置は、所望するイオンだけを取り出し、所望のエネルギ
ーまで加速して、半導体ウェハーへ注入することができ
るように構成されている。
ここで重要なことは、目的とするイオンだけを半導体ウ
ェハーへ注入することであり、その他のイオンは取り除
いてしまうことである。この為に、従来のイオン注入装
置では、イオン源より取り出されたイオンビームを分析
管に通ずことにより、目的とするイオンだけを取り出し
て、加速管へと送っていた。ここで分析管とは、直線運
動をしている荷電粒子に磁場をかけると、ローレンツ力
により、粒子の質量に応じて軌道が曲げられることを利
用し、イオンビームに適当な磁場をかけることにより目
的とするイオンだけを取り出すようにした装置である。
ェハーへ注入することであり、その他のイオンは取り除
いてしまうことである。この為に、従来のイオン注入装
置では、イオン源より取り出されたイオンビームを分析
管に通ずことにより、目的とするイオンだけを取り出し
て、加速管へと送っていた。ここで分析管とは、直線運
動をしている荷電粒子に磁場をかけると、ローレンツ力
により、粒子の質量に応じて軌道が曲げられることを利
用し、イオンビームに適当な磁場をかけることにより目
的とするイオンだけを取り出すようにした装置である。
以下第３図により更に説明する。
従来のイオン注入装置は、イオン源１、イオン分析管２
、イオン加速管３、ターゲットチャンバー５から主に構
成されている。イオン源１ては、原子あるいは分子をイ
オン化してイオンビームとして取り出ず。ここてのイオ
ンビームは目的としているイオン以外のイオンも多く含
んている。このイオンビームをイオン分析管２にて目的
とするイオンだけを分離して取り出す。そして、そのイ
オンをイオン加速管３にて所望のエネルギーまで加速し
、タ−ゲットチャンバー５内にセラ１〜された半導体ウ
ェハーへ注入する。なお、イオン分析管の後に分析スリ
ットを設け、目的とするイオンの分離をよりよくするこ
とも行なわれている。
、イオン加速管３、ターゲットチャンバー５から主に構
成されている。イオン源１ては、原子あるいは分子をイ
オン化してイオンビームとして取り出ず。ここてのイオ
ンビームは目的としているイオン以外のイオンも多く含
んている。このイオンビームをイオン分析管２にて目的
とするイオンだけを分離して取り出す。そして、そのイ
オンをイオン加速管３にて所望のエネルギーまで加速し
、タ−ゲットチャンバー５内にセラ１〜された半導体ウ
ェハーへ注入する。なお、イオン分析管の後に分析スリ
ットを設け、目的とするイオンの分離をよりよくするこ
とも行なわれている。
」二連した従来のイオン注入装置では、イオン加速管と
ターゲラｌ−チャンバーとの間にイオン分析機構が無い
ため、イオン分析管より選び出された目的とするイオン
が、イオン分析管とイオン加速管との間、あるいはイオ
ン加速管の内部で解離し、質量数を異なったイオンに変
わった場合、この目的の質量数とは異なったイオンもイ
オン加速管にて加速され、半導体ウェハーに注入されて
しまうという欠点がある。
ターゲラｌ−チャンバーとの間にイオン分析機構が無い
ため、イオン分析管より選び出された目的とするイオン
が、イオン分析管とイオン加速管との間、あるいはイオ
ン加速管の内部で解離し、質量数を異なったイオンに変
わった場合、この目的の質量数とは異なったイオンもイ
オン加速管にて加速され、半導体ウェハーに注入されて
しまうという欠点がある。
例えは、ニフッ化ボロンのイオン２９Ｂｐ２を注入しよ
うとする場合、イオン加速管にて、４９８Ｆ２＋→３θ
ＢＦ＋、あるいは４９８Ｆ２＋→１１Ｂ＋のように分解
してしまい、そのまま加速され半導体ウェハーへ注入さ
れてしまうことがある。
うとする場合、イオン加速管にて、４９８Ｆ２＋→３θ
ＢＦ＋、あるいは４９８Ｆ２＋→１１Ｂ＋のように分解
してしまい、そのまま加速され半導体ウェハーへ注入さ
れてしまうことがある。
本発明のイオン注入装置は、イオン源と、このイオン源
から発生したイオンを分析し目的としたイオンを分離す
る分析管と、分離したイオンを加速するイオン加速管と
、加速されたイオンを注入するための試料をセラ１〜す
るターゲットチャンバーとを有するイオン注入装置にお
いて、前記イオン加速管とターゲットチャンバーとの間
に後段のイオン分析管を設けたものである。
から発生したイオンを分析し目的としたイオンを分離す
る分析管と、分離したイオンを加速するイオン加速管と
、加速されたイオンを注入するための試料をセラ１〜す
るターゲットチャンバーとを有するイオン注入装置にお
いて、前記イオン加速管とターゲットチャンバーとの間
に後段のイオン分析管を設けたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の上面図である。
第１図においてイオン注入装置は、イオン源１と、この
イオン源１から発生したイオンを分離するイオン分析管
２と、分離したイオンを加速するイオン加速管３と、更
にイオンを分離するための後段イオン分析管４と、分離
されたイオンを注入するための試料をセットするターゲ
ットチャンバー５とから主に構成されている。
イオン源１から発生したイオンを分離するイオン分析管
２と、分離したイオンを加速するイオン加速管３と、更
にイオンを分離するための後段イオン分析管４と、分離
されたイオンを注入するための試料をセットするターゲ
ットチャンバー５とから主に構成されている。
イオン源１において、原子または分子がイオン化され、
イオンビームとして取り出される。このイオンビーｌ＼
をイオン分析管２へ通ずことにより目的としたイオンだ
けを取り出す。そして、このイオンをイオン加速管３で
加速する。イオン加速管にて解離しなかった目的とする
イオンは、後段イオン分析管４を通ってターゲットチャ
ンバー５内にセラ１〜された半導体ウェハーへ注入され
る。
イオンビームとして取り出される。このイオンビーｌ＼
をイオン分析管２へ通ずことにより目的としたイオンだ
けを取り出す。そして、このイオンをイオン加速管３で
加速する。イオン加速管にて解離しなかった目的とする
イオンは、後段イオン分析管４を通ってターゲットチャ
ンバー５内にセラ１〜された半導体ウェハーへ注入され
る。
一方、イオン加速管にて解離してしまい、目的としない
質量数に変わってしまったイオンは、後段分析管４にて
取り除かれ、半導体ウェハーへは注入されない。
質量数に変わってしまったイオンは、後段分析管４にて
取り除かれ、半導体ウェハーへは注入されない。
例えば、４９８Ｆ２＋イオンを半導体ウェハーへ注入す
る場合、従来のイオン注入装置では、全注入イオンの１
％はＩＩＢ＋イオンとして注入されてしまうが、本節１
の実施例では、目Ｂ”イオンの混入は０．００１％以下
におさえることか出来る。
る場合、従来のイオン注入装置では、全注入イオンの１
％はＩＩＢ＋イオンとして注入されてしまうが、本節１
の実施例では、目Ｂ”イオンの混入は０．００１％以下
におさえることか出来る。
第２図は本発明の第２の実施例の」二面図である。この
第２の実施例では、イオン加速３とターゲットチャンバ
ー５との間に、後段イオン分析管４と分析スリット６を
設けたものである。
第２の実施例では、イオン加速３とターゲットチャンバ
ー５との間に、後段イオン分析管４と分析スリット６を
設けたものである。
このように構成された第２の実施例によれは、後段イオ
ン分析管４で充分には分離されないで、ターゲットチャ
ンバー５へと混入されてしまう恐れのある目的としない
イオンは、この分析スリブ１−６に遮られてターゲラ１
〜チヤンバ５へ混入するのが制御されるという利点があ
る。
ン分析管４で充分には分離されないで、ターゲットチャ
ンバー５へと混入されてしまう恐れのある目的としない
イオンは、この分析スリブ１−６に遮られてターゲラ１
〜チヤンバ５へ混入するのが制御されるという利点があ
る。
４９ＢＦ２＋イオンを半導体ウェハーへ注入する場合、
本節２の実施例によれば１１Ｂ゛イオンの混入率を第１
の実施例よりも更に１−桁小さい００００１％以下にお
さえることがてきる。
本節２の実施例によれば１１Ｂ゛イオンの混入率を第１
の実施例よりも更に１−桁小さい００００１％以下にお
さえることがてきる。
以上説明しまたように本発明は、イオン加速管とターゲ
ラ１−チャンバーとの間に後段イオン分析管を設けるこ
とにより、イオン加速管にて解離し生成された、目的の
イオンとは質量数の異なるイオンを取り除くことができ
るため、目的とするイオンだＣつを半導体ウェハー等の
試料に効率良く注入てきるという効果かある。
ラ１−チャンバーとの間に後段イオン分析管を設けるこ
とにより、イオン加速管にて解離し生成された、目的の
イオンとは質量数の異なるイオンを取り除くことができ
るため、目的とするイオンだＣつを半導体ウェハー等の
試料に効率良く注入てきるという効果かある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の上
面図、第３図は従来のイオン注入装置の」二面図である
。 １・・イオン源、２・・イオン分析管、３・・・イオン
加速管、４・・・後段イオン分析管、５・・・ターゲッ
トチャンバー、６・・分析スリッ１へ。
面図、第３図は従来のイオン注入装置の」二面図である
。 １・・イオン源、２・・イオン分析管、３・・・イオン
加速管、４・・・後段イオン分析管、５・・・ターゲッ
トチャンバー、６・・分析スリッ１へ。
Claims (1)
- イオン源と、このイオン源から発生したイオンを分析
し目的としたイオンを分離する分析管と、分離したイオ
ンを加速するイオン加速管と、加速されたイオンを注入
するための試料をセットするターゲットチャンバーとを
有するイオン注入装置において、前記イオン加速管とタ
ーゲットチャンバーとの間に後段のイオン分析管を設け
たことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159133A JPH0451446A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159133A JPH0451446A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451446A true JPH0451446A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15686972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159133A Pending JPH0451446A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451446A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306922A (en) * | 1993-03-16 | 1994-04-26 | Genus, Inc. | Production of high beam currents at low energies for use in ion implantation systems |
| US5349196A (en) * | 1992-04-10 | 1994-09-20 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2159133A patent/JPH0451446A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349196A (en) * | 1992-04-10 | 1994-09-20 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus |
| US5306922A (en) * | 1993-03-16 | 1994-04-26 | Genus, Inc. | Production of high beam currents at low energies for use in ion implantation systems |
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