JPH0247570A - 半導体装置のテスト装置 - Google Patents
半導体装置のテスト装置Info
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- JPH0247570A JPH0247570A JP19914488A JP19914488A JPH0247570A JP H0247570 A JPH0247570 A JP H0247570A JP 19914488 A JP19914488 A JP 19914488A JP 19914488 A JP19914488 A JP 19914488A JP H0247570 A JPH0247570 A JP H0247570A
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- contact pins
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のテスト装置に関するものであ
る。
る。
第3図は従来の半導体装置のテスト装r1tを下す平面
図である。第4図は、従来の半導体装置のテスト装置i
を示す断面図であり、図において、11はステージ、1
!1はステージ11+上に取り付けられた位置決めブロ
ック、(31は位置決めブロック2)をステージ…に固
定するボルト、(41はステージ田土に収納された金属
板、+51t’i金属板(4)に固着されたはんだ、1
6)ははんだ(6)により金属板(41に固着された半
導体素子、 r7a)は半導体素子(6)の上面に接触
し通電するコンタクトビンa、(7b)は半導体素子(
61上面に接触し通電するコンタクトビン1)、+81
Uコンタクトピンa r7a)及びコンタクトビン1)
(71))を固定する絶縁ブロック、(91はステージ
山下万より上下動し金属板141に接触して通電するコ
ンタクトビンCである。
図である。第4図は、従来の半導体装置のテスト装置i
を示す断面図であり、図において、11はステージ、1
!1はステージ11+上に取り付けられた位置決めブロ
ック、(31は位置決めブロック2)をステージ…に固
定するボルト、(41はステージ田土に収納された金属
板、+51t’i金属板(4)に固着されたはんだ、1
6)ははんだ(6)により金属板(41に固着された半
導体素子、 r7a)は半導体素子(6)の上面に接触
し通電するコンタクトビンa、(7b)は半導体素子(
61上面に接触し通電するコンタクトビン1)、+81
Uコンタクトピンa r7a)及びコンタクトビン1)
(71))を固定する絶縁ブロック、(91はステージ
山下万より上下動し金属板141に接触して通電するコ
ンタクトビンCである。
次に動作について説明する。はんだ(6)を介して半導
体素子(6)を固着した金属板(41をステージ田土の
位置決めブロック−(!1に一挿入する。次いで絶縁ブ
ロック(81全下降させてコンタ(21トビンa通電状
態か否か全確認し1通電状態であれば、コンタクトピン
Ci91 i上昇させ、金属板+41に接触した状態で
金属板(41と半導体素子+61 VCコンタクトピン
a 、 (’Ia)及びコンタクトピンcf91により
電圧を掛はコンタクトピンa 、 (’Ia)、及びコ
ンタクトピンC(91間を流れる電流を測定する。
体素子(6)を固着した金属板(41をステージ田土の
位置決めブロック−(!1に一挿入する。次いで絶縁ブ
ロック(81全下降させてコンタ(21トビンa通電状
態か否か全確認し1通電状態であれば、コンタクトピン
Ci91 i上昇させ、金属板+41に接触した状態で
金属板(41と半導体素子+61 VCコンタクトピン
a 、 (’Ia)及びコンタクトピンcf91により
電圧を掛はコンタクトピンa 、 (’Ia)、及びコ
ンタクトピンC(91間を流れる電流を測定する。
また1通電状態でなければ再度同じ動作により確認をし
通電状態でなければ装置異常?検知する。
通電状態でなければ装置異常?検知する。
従来の装置tは以上のように構成されているので、金属
板の大きさに合わせて位置決めブロックを交換する必要
があるためはん用件が無く。
板の大きさに合わせて位置決めブロックを交換する必要
があるためはん用件が無く。
品種切換に対しては、段取り換えを行うことが必要で、
また、金属板に接触するコンタクトピンの通電チエツク
ができないため良品を不良品と判定するなどの問題点が
あった。
また、金属板に接触するコンタクトピンの通電チエツク
ができないため良品を不良品と判定するなどの問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、段取lAえを行わずに金属板の位置決めがで
きると共に、金属板に接触するコンタクトピンの通電チ
エツクができるテスト装f[−得ることを目的とする。
たもので、段取lAえを行わずに金属板の位置決めがで
きると共に、金属板に接触するコンタクトピンの通電チ
エツクができるテスト装f[−得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置のテスト装置は。
金属板と水平にX方向、Y方向に前後にしゆう幼するコ
ンタクトピンを設は金属板の端面に接触するように配電
したものである。
ンタクトピンを設は金属板の端面に接触するように配電
したものである。
この発明における半導体装置のテスト装置はコンタクト
ピンにより位置決めするため段取り換えが不要になると
共にコンタクトピンの接触不良も低減する。
ピンにより位置決めするため段取り換えが不要になると
共にコンタクトピンの接触不良も低減する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図及び第2図は半導体装置のテスト装置の平面図及び断
面図である。図において、11〜(8)は第8図の従来
例に示したものと同等であるので説明の重複を避ける。
図及び第2図は半導体装置のテスト装置の平面図及び断
面図である。図において、11〜(8)は第8図の従来
例に示したものと同等であるので説明の重複を避ける。
(9a)は金属板14)と平行に位置しX方向より接触
し通電するコンタクトピンa 、 (91))は、同様
にY方向より接触し通電するコンタクトピンeである。
し通電するコンタクトピンa 、 (91))は、同様
にY方向より接触し通電するコンタクトピンeである。
次に動作について説明する。はんだ+6)′fr:介し
て半導体素子(6)が固着された金属板141をステー
ジfil上の位置決めグロック(2)に挿入する。次い
でコンタクトピンd (9a)、コンタクトピンe (
9b)を前方向にしゆう#Jさせて金属板(41の端部
を押しながら位置決めブロック12)に当たった状態で
位置決めする。この時コンタクトビンdr9a)。
て半導体素子(6)が固着された金属板141をステー
ジfil上の位置決めグロック(2)に挿入する。次い
でコンタクトピンd (9a)、コンタクトピンe (
9b)を前方向にしゆう#Jさせて金属板(41の端部
を押しながら位置決めブロック12)に当たった状態で
位置決めする。この時コンタクトビンdr9a)。
コンタクトピンe (9b)の先端を金属板14+の端
部に接触させ、コンタクトピンeL (9a)により通
電させる。次いでコンタクトピンe (9b)に上り通
電状態か台かを確認し、通電状右であれば絶縁ブロック
(8)全下降させコンタクトピンa (7a)。
部に接触させ、コンタクトピンeL (9a)により通
電させる。次いでコンタクトピンe (9b)に上り通
電状態か台かを確認し、通電状右であれば絶縁ブロック
(8)全下降させコンタクトピンa (7a)。
コンタクトピンb(vb)を半導体素子(6)の表面に
接触させる。
接触させる。
なお、通電状態でなければ再度コンタクトピンeL (
9a)、コンタクトピンe (9b)を後進させてから
同様の動作を繰り返し通電状態でなければ装置異常を検
出する。
9a)、コンタクトピンe (9b)を後進させてから
同様の動作を繰り返し通電状態でなければ装置異常を検
出する。
次いで、コンタクトピンa(7a)*コンタクトピンb
(vb)を半導体素子(6)に接触させた状態でコン
タクトピンa (7a)により電通させ、コンタクトピ
ンb (7b)により通°逼状態か否かを確認し、通電
状態であればコンタクトピンa (7a)、コンタクト
ピンd (9a)により電圧を掛け、コンタクトピンa
(7a)、コンタクトピン6 (9a)間を流れる電
流を測定する。
(vb)を半導体素子(6)に接触させた状態でコン
タクトピンa (7a)により電通させ、コンタクトピ
ンb (7b)により通°逼状態か否かを確認し、通電
状態であればコンタクトピンa (7a)、コンタクト
ピンd (9a)により電圧を掛け、コンタクトピンa
(7a)、コンタクトピン6 (9a)間を流れる電
流を測定する。
なお、コンタクトピンa 、 (7a)、コンタクトピ
ンb(7b)が通電状態でなければコンタクトピンa
(7a)、コンタクトピンb (7b)’)上昇させ。
ンb(7b)が通電状態でなければコンタクトピンa
(7a)、コンタクトピンb (7b)’)上昇させ。
再度下降させてから同様の動作rcより通電状態を確認
し、通電状態でなければ装置異常を検出する。
し、通電状態でなければ装置異常を検出する。
以上のように、コンタクトピンa (9a)、コンタク
トピンe (9b)により金属板141の位置決めと。
トピンe (9b)により金属板141の位置決めと。
金属板(41への通電を同時に行うことにより複数の大
きさの半導体装置に対応できるとともに金属板(41の
コンタクトチエツクも可能になる。
きさの半導体装置に対応できるとともに金属板(41の
コンタクトチエツクも可能になる。
なお、上記実施例では金属板にはんだを介して半導体素
子を固着させた半導体装置の耐圧テストについて説明し
たが、他のテストについても同様の効果を奏する〇 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば半導体装置の位置決め
と通電1に’yンタクトビンで行うように構成したので
種々の大きさの半導体装置に対応できるとともにコンタ
クトピンの接触不良によるテスト不良を大幅に低減する
ことができる。
子を固着させた半導体装置の耐圧テストについて説明し
たが、他のテストについても同様の効果を奏する〇 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば半導体装置の位置決め
と通電1に’yンタクトビンで行うように構成したので
種々の大きさの半導体装置に対応できるとともにコンタ
クトピンの接触不良によるテスト不良を大幅に低減する
ことができる。
第1図は、この発明の一実施例による半導体装置のテス
ト装置を示す平面図、第2図は第1図VCおけるテスト
装置の断面図、第8図は従来の半導体装置のテスト装置
lを示す平面図、第4図は第8図におけるテスト装置の
平面図である。 図においてIllはステージ、+21)j位置決めブロ
ック、(3)はボルト、+41は金属板、覧61ははん
だ、61は半導体素子、(7a)はコンタ、ストビンa
、(7b)はコンタクトピン1)、t8H1絶縁ブロッ
ク、(9a)はコンタクトピンd 、 (IIlb)は
コンタクトピンeである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ト装置を示す平面図、第2図は第1図VCおけるテスト
装置の断面図、第8図は従来の半導体装置のテスト装置
lを示す平面図、第4図は第8図におけるテスト装置の
平面図である。 図においてIllはステージ、+21)j位置決めブロ
ック、(3)はボルト、+41は金属板、覧61ははん
だ、61は半導体素子、(7a)はコンタ、ストビンa
、(7b)はコンタクトピン1)、t8H1絶縁ブロッ
ク、(9a)はコンタクトピンd 、 (IIlb)は
コンタクトピンeである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属板上にはんだを介して半導体素子が固着された半導
体装置を位置決めした状態で通電するテスト装置におい
て、半導体素子の主面に上下動する複数のコンタクトピ
ンと、上記半導体収納 装置を位置決めするステージ内で、上記半導体装置の面
に平行かつ金属板上面より低い位置の水平面内で直交す
る2軸方向にそれぞれしゆう動する2つのコンタクトピ
ンを設けたことを特徴とする半導体装置のテスト装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19914488A JPH0247570A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置のテスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19914488A JPH0247570A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置のテスト装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0247570A true JPH0247570A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16402881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19914488A Pending JPH0247570A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置のテスト装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0247570A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10493457B2 (en) | 2014-03-28 | 2019-12-03 | Brooks Automation, Inc. | Sample storage and retrieval system |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19914488A patent/JPH0247570A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10493457B2 (en) | 2014-03-28 | 2019-12-03 | Brooks Automation, Inc. | Sample storage and retrieval system |
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