JPH0243794A - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、セラミック基体上に形成され、かつ導体を形
成する少なくとも一つのスクリーン印刷層とこの導体と
電気的に接触するプールを形成する少な（とも一つのス
クリーン印刷層とからなる回路を有する電子デバイスに
関するものである。

本発明は、特に超高周波数（ＵＨＦ）領域の混成回路の
形成や、集積半導体デバイス用のハウジングの支持部上
に接続部を形成するのに用いられ、これらの回路やデバ
イスは非常な低温での使用を意図する超電導性材料で作
られている。

（従来の技術） スクリーン印刷によるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０の超電導性フ
ィルムの製造法は、アプライド・フィジックス・レター
ズ（Ａｐｐｌ−Ｐｈｙｓ−Ｌｅｔｔ）　５１（１６）、
１９８７年１０月１９日、ｐｐ、　１２７７−１２７９
のアール・シー・ブダニ、シン−モー　エッチ・チェン
他（Ｒ，Ｃ，ＢＵＤＨＡＮＩ。

Ｓｉｎｇ−門ＯｇＨ−ＴＺＥＮＧ、　ｅｔ　ａｌ）によ
る文献［スクリーン印刷法によるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系
の超電導性フィルムの合成」から知られている。

この文献に、超電導性遷移温度、層の表面状態、抵抗、
結晶構造及びフィルムの基体への接着が印刷後の熱処理
に対し非常に敏感であると記載されている。

スクリーン印刷可能なインクの製造に用いる出発時の組
成物は粉状のＢａＣｕＯ２ＣＩＪＯ，ＹＺＯ：ｌを含み
、これらの粉体は次いで混合され、粉砕され、空気中で
２４時間９５０℃の温度へ加熱される。この混合物は次
いで緩徐に冷却され、再度粉砕して微粉とされる。

この混合物は有機流動性媒質へ導入されてスクリーン印
刷可能なインクが形成される。この層がスクリーン印刷
される基体は、 サファイヤ 又は多結晶酸化アルミニウムにより形成される。

このフィルムはスクリーン印刷されると、３００°Ｃで
１時間乾燥される。

上記の文献の示すところでは、アニール温度が９５０°
Ｃ未満ではスクリーン印刷フィルムが基体に接着せず、
１０００°Ｃを超えるアニール温度では、基体への接着
性は充分となるが、スクリーン印刷された材料に再結晶
が起り、幅広く組成上の異成分となり、とりわけ、Ｙと
Ｃｕの酸化物の棒状の様相の析出が起る。

上記文献によれば、４時間７５０°Ｃでアニールし、次
いで３０分間１０００°Ｃでアニールすることで、均一
かつ基体に接着した層が得られる。この合成物はＹ、Ｂ
ａｚＣｕ３０６．　、と小さい割合のＢａＣｕＯ２とか
らなる。

金（Ａｕ）のパッドは蒸発して接点を形成し、テストの
実施に用いられる。零抵抗はサファイヤ基体上で７９°
にで得られ、酸化アルミニウム基体（八１２０：ｌ）上
で７０°にで得られる。この固体材料はほぼ９０゜Ｋで
起電導性となる。

上記文型に記載されているところでは、上記の材質はア
ニール温度にかんして多くの試験に供され、得られた層
はこのアニール温度に非常に敏感であり、規定の条件を
遵守しない場合には、この層は接着も分解もしない。

スクリーン印刷によるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０の超電導性フ
ィルムの形成は、また日本応用物理雑誌（Ｊａｐａｎｅ
ｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ）、　ＶｏＬ、２６゜ｎｏ、５．１９８７年５
月、　ＰＰ、Ｌ７６３〜Ｌ７６５のヒデオミコイヌマ、
マサシ　カワサキ他（Ｈｉｄｅｏｍｉ　ＫＯＩＮＩＪＭ
Ａ。

Ｍａｓａｓｈｉ　ＫＡＷＡＳ＾にＩ　ｅｔ　ａｌ）によ
る発表「セラミック基体上における超電導性酸化物被膜
形成の諸問題」から知ることができる。

この文献には、石英、酸化アルミニウム（ＡＩｚＯｚ）
、Ｙ酸化物（ＹＳＺ）により安定化された酸化ジルコニ
ウム及び５ｒＴｉ（ｈのような異なる基体上に、Ｌａ　
−５ｒ−Ｃｕ−０及びＹｂ−Ｂａ−Ｃｕ−０の層を形成
するごとについて記載されている。とりわけスクリーン
印刷により実行した試験の示すところでは、アニル温度
を１００００とし、石英や酸化アルミニウムの基体を用
いた場合には、劣悪な結果が得られた。

この文献に記載されているところでは、クラックが層に
形成され、この劣悪な結果はとりわけ、酸化アルミニウ
ムおよび石英の膨張係数が、超電導性の形成に用いる材
質に対して適合しないこと、 高温、即ち８００°Ｃを超える温度では、超電導性層と
基体との間で、例えば基体への金属成分の拡散のような
相互作用が起こるという事実に起因する。

Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＭｇＯ及び５ｒＴｉＯ＋のよう
な異なる基体上の薄Ｉｌｌ超電導性層の製造法はエム、
ナイ）　−アール、エンチハモンド等（Ｍ、　ＮＡＩＴ
Ｏ，Ｒ，Ｈ，ＨＡＭ門０ＮＤｅｔ　ａｔ）によるｒＪ、
　ＭＡＴＥＲ，ＲＥＳ、　２（６）　　Ｎｏｖ／Ｄｅｃ
。

１９８７　ＰＰ、　７１３−７１５　、の文献「電子ビ
ーム蒸着（ｃｏｄｅｐｏｓ　ｉ　Ｌｉｏｎ）による高Ｔ
ｃ酸化物超電導性ＹＢａｚＣｕ：＋０７の３膜合成」に
より知られている。

この文献は、材質Ｙ−ＢａＣｕ−０とアルミナ基体との
間の相互拡散及びその超電導性への影宮について、より
実際的に取り扱っている。

超電導性物質のアルミナへの相互拡散により引き起され
る悪影啓を克服すべく、上記文献では緩衝層、特にＺｒ
Ｏ２の使用が提案されている。

上記文献にはまた、固体ＭｇＯ基体上のＹ−Ｂａ−Ｃｕ
−○薄膜の堆積について記載されている。この薄膜がＹ
リッチの場合には、ＭｇＯと僅かな相互拡散を示し、Ｄ
ａリンチの場合には、薄膜は顕著な相互拡散を示し、特
に基体からこの層へとＭｇが拡散し、Ｂａ又はＣｕの位
置に置換する。この超電導特性は予期されたものよりも
はるかに悪い。

上記文献には、ＭｇＯ上に層をスクリーン印刷する方法
は記載されていない。

上記の各文献を研究した後も、明確な結論を弓き出すこ
とはできず、安定で、再現性よく適切に作動し、従って
大規模で製造できるようなスクリーン印刷超電導性層に
達するためのアプローチとして成功していない。

例えば、二番目及び三番目の文献からは、Ａｌ２Ｏ：１
基体が確かに悪い結果をもたらすものと結論できるが、
一番目の文献に従えば、上記の基体について、ある条件
下では適当な結果を得ている。

三番目の文献では、ＺｒＯ□基体の使用を勧め、Ｍｇ０
ｗ体を用いた場合に遭遇する困難について記載されてい
る。後者の文献にはスクリーン印刷層の製造法は記載さ
れておらず、残りの二つの文献に、基体の影響の大きさ
と、スクリーン印刷層をアニールするのに必要な条件を
得ることの重要性および困難性につき記載されている。

（発明が解決しようとする課題） この理由から、本発明は、最初にデバイスを、二番目に
このデバイスの製造方法を提案し、更に、とりわけ下記
の問題の解決を可能とするスクリーン印刷層の製造方法
を提案する。

アニール工程における層の分解 スクリーン印刷中のクラックの存在 基体との相互拡散 基体への接着の乏しさ 超電導特性の乏しさ（例えば、零抵抗が得られないこと
） （課題を解決するための手段） 本発明において、これらの問題は序文に記載したデバイ
スにおいて、基体が多結晶焼結酸化マグネシウムからな
り、かつ導体を形成する層が超電導性ＹＢａ２ＣｕＪ７
−ｘ　　（ここで、Ｏ＜　ｘ　＜０．５）からなること
を特徴とするデバイスにより解決される。

特に、スクリーン印刷超電導性材料の選択と共に、基体
材料の選択により、これらの問題が解決可能となる。

従来技術による他の基体材料と比較して、ＹＢａ−Ｃｕ
−０のスクリーン印刷層の高いアニール温度で、酸化マ
グネシウムは上記化合物の膨張係数と最もよく一致する
膨張係数をもつ。この特性により、基体への接着の乏し
さのみならず層中のクラックの生成の排除も可能となる
。

本発明はまた、特に、接点パッドが電導性スクリーン印
刷層からなり、その活性相が金、銀−パラジウム、金−
パラジウム、金−白金又は恨−白金の中から選ばれた金
属からなり、かつ前記接点パッドが第２レヘルでスクリ
ーン印刷された銀相によって超電導性導体に接続されて
いることを特徴とするデバイスを提案する。

かかる接点パッドの使用により、電気的接点により引き
起される超電導特性の低下は、実際上最小となる。

他方、酸化マグネシウムもまた基体を形成するのに選択
される。これは、冷却液と協働するのに充分なように造
形でき特に、この液を含有するか又は輸送するための中
空の形を与えたり、又はこの液と接触させて置くための
延設部を与えうるという好ましい機械的特性のためであ
る。また、酸化マグネシウムが従来の技術状態から知ら
れている他の基体よりも高い熱電導性を有し、望ましい
動作温度を容易かつ象、速に達成できるからである。

そのうえ、層が分解したり、又は基体との相互拡散が生
ずる温度を避けるように、Ｙ　−Ｂａ　−ＣｕｏＯ層の
アニール条件が選定される製造方法を提供する。この方
法では、充分な超電導作用を達成できる。

（実施例） 本発明を下記の記述により添付図面を参照して更に詳細
に説明する。

第１図の断面図に示すように、本発明による回路１０は
、両端に電気接点パッドを配置した超電導性物質のスク
リーン印刷層からなる少なくとも一つの相互接続トラッ
ク１を備える。この回路は基体Ｓの表面上に配置する。

電気接点バッドＰはスクリーン印刷電導層１１からなり
、この層１１は第２レベルでスクリーン印刷された電導
層１２を介して超電導層１に接続される。

基体を形成するのに使用する材料の選択は、超電導物質
の選択と密接な関係をもつ。

事実、回路形成のために選択した方法は、スクリーン印
刷により厚膜を製造する方法である。この方法は従来技
術から知られている少なくとも一つの工程を有し、この
工程でスクリーン印刷層を高温でアニールする。

従って、基体とスクリーン印刷可能な化合物は、動作温
度と層のアニール温度とにより限定される範囲内で、膨
張係数が互いにできる限り近づくように選ばなければな
らない。

スクリーン印刷により得られる超電導性デバイスは、動
作温度に対するＴｃ　８０°Ｋから、層のアニール温度
に対応するほぼ１２００°Ｋまでの温度範囲をもつ。

この温度範囲でＹＢａｚＣｕ：＋Ｏｙを超電導性物質と
して選ぶと、上記化合物の熱膨張係数に対し、間断なく
最も近い熱膨張係数を有する基体は、第５図の曲線に示
すように酸化マグネシウムＭｇＯセラミックである。第
５図にはＹＢａ−Ｃｕ−０（曲線Ａ）、ＭｇＯ（曲線Ｂ
）　、Ａｌｚ（ｈ　　（曲線Ｃ）及びＺｒ（ｈ　（曲線
Ｄ）の相対線形偏差ΔＬ／Ｌを、単位にの温度Ｔの関数
として示した。ここで、Ｔｃは超電導性の発現点、すな
わち雰抵抗が得られる点である。

酸化マグネシウムは基体としては、他の化合物と比較し
て更に利点を有する。これは著しい熱電導性を存し、従
って超電導回路の動作時に必要とされる該回路の迅速か
つ容易な冷却が可能である。

酸化マグネシウムはセラミックスのように顕著な特性を
存する。即ち１．充分な強度をもちかつ容易に加工でき
る。これらの特性から多数の異なる形の基体が容易に得
られる。とりわけ、第２図に示すように、保持用又は冷
却液循環用の空洞１００を備えた基体、 第３図に示すように冷却液を浸ける延設部１１０を備え
た基体、 第４図に示すように集積回路２０のハウジングとなる形
をもつ基体、 を得ることができる。第４図に示すように、基体Ｓは集
積回路チップ２０を収容する凹所２１を備える。

接点パッドＰ１を、集積回路の入力／出力に対応できる
ように凹所の周辺に形成し、例えば熱圧縮により接点パ
ッドＰｌＯ層ｌｌ上に固定した短＜　ＩＩいワイヤーに
より集積回路に接続する。他の接点パッドＰ２を、集積
回路の支持部若しくはハウジングとして働く基体Ｓの周
辺に形成する。接点パッドＰをトラック１と接続部１２
とにより接点パッドＰ２に接続する。

酸化マグネシウムの膨張係数がスクリーン印刷可能な超
電導性化合物として選んだＹＢａｚＣ＋ｇＯｙの膨張係
数と非常に近いという事実から、熱処理の結果としてク
ラックが層に入ることはなく、この膨張係数間の対応に
より層の接着が高められる。

この結果、かかる接着を得るために非常に高いアニール
温度を使う必要はない。

このことは、ＹＢａｚＣｕ、、Ｏｙ　？８融が適合しな
いプロセスである。即ち、この物質は９２０〜９３０°
より高い温度で分解することが発見されており、従来技
術ではほぼ１０００°の温度で分解が観察されていたの
で、極めて重要である。

Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−ＯとＭｇＯとの膨張係数間の対応によ
り、９２０°Ｃですでに接着が得られるので、ＹＢａ−
Ｃｕ−０層のアニール温度はこの９２０″Ｃの温度を超
えるべきでない。

更に、本発明はスクリーン印刷１’Ｗ１１により超電導
性トラックｌの端部に更に接点パッドＰを形成すること
を提案する。スクリーン印刷層１１は活性相が八Ｕ、　
Ａｕ−Ｐｄ、　　Ａｕ−Ｐｔ、　　Ａｇ−Ｐｄ、　　Ａ
ｇ−Ｐｔから選ばれた金属からなるインキに基づいて好
ましくは超電導性層の前にかつ第１図の断面図に示すよ
うに同一のレヘルに堆積する。超電導性トラック１は層
１２により対応する接点パッドＰにより接続され、この
層１２は銀を用いスフ１ノーン印刷可１ｊヒなインクか
ら超電導性層に続いて第ルベルで堆積し形成する。

本発明による回路の製造に好通に用いうる製造方法は、
少なくとも次の工程を有する：ａ）焼結多結晶酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなり、回路を収容するのに好通
な寸法と形状とを有し、また、例えば第１図、第２図、
第３図又は第４図に断面で示す形状に対応する形状をも
つ基体Ｓを形成する工程 ｂ）金（Ａｕ）、恨−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）　、金
−パラジウム（Ａｕ−Ｐｄ）　、金−白金（＾ｕ−Ｐｔ
）又は根−白金（Ａｇ　−Ｐ　ｔ）から選ばれた金属粉
からなる活性相をほぼ次記の相対モル比率：４０％、２
０％、５％、３５％のＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３、
ＳｉＯ２からなる１種のガラスと混合してなる出発混合
物により、スクリーン印刷可能な電導インクを製造する
工程。この混合物はほぼ９層容足％の金属を含有し、モ
ーターミキサーによって得られ、流動性媒体にほぼ５０
容量％の割合で導入する。このｆｉ　動性［体はエチル
セルロースのテルピネオール溶液、例えばエチルセルロ
ースを３〜１０％で含むテルピネオール溶液であってよ
い。

Ｃ）超電導性トラック１の回路用の電気接点パッドＰを
形成するのに好通なパターンに従い、マグネシウム基体
上にスクリーン印刷で上記電導性インク層１１を堆積す
る工程。

こうしてスクリーン印刷した層１１は、次の処理工程を
実施する前に、好ましくは９００°Ｃでアニールする。

しかし、このアニール工程は、残りの工程を実施するた
めには必要でない。

ｄ）　表示の比率で下記の粉体を混合（ほぼ−時間の間
）するか、 Ｙｚ０３０．５　ｍｏｌ ｎａｃＯｚ　　　　２　　ｍｏｌ ＣｕＯ：　　　　３　　ｍｏｌ 又は下記の比率で下記の粉体を混合することで粉を形成
する工程 Ｙ２Ｏ３０，５ｍｏｌ Ｂａｄ□２　　ｍｏｌ ＣｕＯ：　　　　３　ｍｏｌ ｅ）　混合によって得られた粉を酸化アルミニウムＡｈ
ａ、のるつぼの中で、９００　℃の温度にまで加熱し、
この温度に１０〜１８時間、好ましくは１６時間の間保
持し、空気中又は好ましくは酸素中で、固体状態での相
互拡散によってＹＢａ　ｚｃｕ　３０７−　Ｘ粉を生成
へと導く工程。

「）　この粉の粒子を１〜３時間粉砕してこの混合物を
仕上げ、８〜１２μｍの径をもつ粒子を得る工程。

ｇ）　この粉を、エチルセルロースのテルピネオール溶
液、例えばエチルロースを３〜１０％含むテルピネオー
ルであってもよい流動性媒体と、次記の体積比で混合し
、スクリーン印刷可能なインクを得る工程。

４０〜５０％のＹＢａｚＣｕ１０７−粉６０〜５０％の
流動性液体 好ましい比率は、 ４５％のＹＢａ２Ｃｕ：＋０ｔ−２粉 ５５％の流動性液体である。

ｈ）　　ｇ）工程で得られたインクを用い、前記のよう
に形成した酸化マグネシラ１、基体上に、超電導性トラ
ック１の特定の回路を形成するのに好通なパターンに従
ってスクリーン印刷する工程。

工程ｂ）による接点パッドＰは層１によって覆われてい
ないが、電導性トラックの部分は接点パッドＰの近くに
存在する。

ｉ）　　ＹＢａｚＣｕ＋Ｏのスクリーン印刷層をほぼ１
２０°Ｃでほぼ１５分間乾燥する工程。

ｊ）　この層を正確に９２０°±１０°の温度で、５〜
２０時間、好ましくは１６時間、空気中又は好ましくは
酸素中でアニールする工程。

ｋ）　例えばｌ″Ｃ／分で周囲温度まで酸素中で緩徐に
冷却する工程。

このようにして得られた超電導性トラックを構成部品を
接続するのに使用して酸化マグネシウムからなるハウジ
ング又は基体上に配置する集積回路チンプ用の大カー出
力接続又は混成回路を形成する場合にはこれらの超電導
性トラック１に、好ましくは上記の方法で、同様のスク
リーン印刷技術によって製造される電気接点パッドを設
ける。しかし、これらの接点パッドは、接続トラックの
超電導性に悪影古を与えないような方法で設けなければ
ならない。従って、本発明においては超電導性層ｌと層
１１の接点パッドＰとの間の接続部は、恨を用いたスク
リーン印刷可能なインクからなる層１２によって形成し
、この層１２は第１図に示すように第２レベルで形成す
る。

この目的のため、製造工程を次のように進行させる： ■）恨（Ａｇ）を用いて次の体積比率で混合することで
スクリーン印刷可能なインクを造る工程。

４０〜５０％の純粋な恨Ａｇ粉体 エチルセルロースのテルピネオール溶液例えばテルピネ
オール中の３〜１０％のエチルセルースのような流動性
媒体を６０〜５０％ｍ）　こうして得られたインクをス
クリーン印刷して層１２を形成し、ｂ）工程で形成した
接点パッド１１と、接触パッドの近くに設けたＹ　−Ｂ
ａ−ＣｕＯの超電導性層１の少なくとも一部とを部分的
に覆う工程。

ｎ）　アセンブリーをほぼ６００°Ｃで１０〜１８時間
、好ましくは１６時間加熱する工程。

０）例えば１分間に１°Ｃの割合で、４１０°Ｃの定常
温度まで緩徐に冷却する工程。アセンブリーを再加熱す
る工程ｎ）と、工程０）の定常温度までの再冷却操作と
の間に、工程ｍ）でスクリーン印刷された銀層１２のア
ニールが達せられ、結果として層の接着が適当となり、
これに加え、超電導性材料が酸素を吸収し、その最大吸
収がほぼ４１０°Ｃにある。Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０の材料
を４１０°Ｃ未満の温度まで冷却する場合には、酸素が
充分に吸収されず、最終的にＯ＜　ｘ　＜０．５の組成
のものを製造できない。

ｐ）　　４１０°Ｃの温度で１〜２０時間、好ましくは
１６時間温度を一定に保つ工程。

ｑ）　例えば１分間に１度かそれ以上の割合で、周囲温
度まで再冷却する工程。

超電導性への遷移が起る臨界温度Ｔｃは、７９゜Ｋと等
しいか又はそれ以上のものが得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は平坦な基板上の本発明による一例の超伝導性回
路の断面図、 第２図は中空の基板上に形成したかかる回路の断面図、 第３図は延設部を備えた基板上のかかる回路の断面図、 第４図は集積回路チップ用のハウジングの一部又は支持
部をも形成する基板に設けられたかかる回路の断面図、 第５図は異なる基板材料の温度に対する相対伸びΔＩ、
／Ｌを示す曲線図である。 １・・・相互接続トラック １０・・・回路 １１・・・スクリーン印刷伝導層 １００・・・空洞 １１０・・・延設部 ５・・・基体 Ｐ・・・電気接点パッド ＦＩＧ、　１

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. １．導体を形成する少なくとも一つのスクリーン印刷層
   と前記導体と電気的に接触するパッドを形成する少なく
   とも一つのスクリーン印刷層とからなり、かつセラミッ
   ク基体上に形成された回路を有する電子デバイスにおい
   て、前記基体が多結晶焼結酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
   からなり、かつ導体を形成する前記層が超電導性ＹＢａ
   ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ここで、０＜ｘ＜０．５
   ）からなることを特徴とする電子デバイス。
2. ２．前記接点パッドが電導性スクリーン印刷層からなり
   、その活性相が金、銀−パラジウム、金−パラジウム、
   金−白金又は銀−白金の中から選ばれた金属からなり、
   かつ前記接点パッドが第２レベルでスクリーン印刷され
   た銀層によって超電導性導体に接続されていることを特
   徴とする請求項１記載のデバイス。
3. ３．前記回路が混成型であることを特徴とする請求項１
   又は２記載のデバイス。
4. ４．なかでも、集積回路チップが前記セラミック基板上
   に設けられ、前記混成回路の導体が前記集積回路チップ
   の入力−出力接続部を形成していることを特徴とする請
   求項３記載のデバイス。
5. ５．前記セラミック基体が前記集積回路チップの支持ハ
   ウジングを形成していることを特徴とする請求項４記載
   のデバイス。
6. ６．前記セラミック基体が、冷却液を導入できる空洞を
   有することを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか一
   つの項に記載のデバイス。
7. ７．前記セラミック基体が、冷却液の循環が可能な空洞
   を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つ
   の項に記載のデバイス。
8. ８．前記セラミック基体が、冷却液中に浸漬すべき延設
   部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一
   つの項に記載のデバイス。
9. ９．少なくとも下記の工程： ａ）焼結多結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の基体を形
   成する工程 ｂ）Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ
   −Ｐｔから選ばれた粉状の金属と、ほぼ次記の相対モ ル比率４０％、２０％、５％、３５％のＰｂＯ、Ｂ＿２
   Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２から形成された１
   種のガラスとからなる出発混合物により、スクリーン 印刷可能な電導インクを製造する工程；こ の出発混合物は、ほぼ９５容量％の金属を有し、流動性
   媒体へ導入する。 ｃ）所望の回路用の電気接点パッドＰを形成するのに好
   通なパターンに従って、スクリー ン印刷により酸化マグネシウム基体上に前 記導電性インクの層１１を堆積し、この電導性層を９０
   ０℃でアニールする工程、 ｄ）下記の組成 Ｙ＿２Ｏ＿３：０．５ｍｏｌ ＢａＣＯ＿３：２ｍｏｌ ＣｕＯ：３ｍｏｌ 又は Ｙ＿２Ｏ＿３：０．５ｍｏｌ ＢａＯ＿２：２ｍｏｌ ＣｕＯ：３ｍｏｌ を有する混合物から粉体を形成する工程、 ｅ）この粉体を９００℃で１０〜１８時間の間酸素を流
   しながら加熱し、固体状態で拡散によっ てＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ粉体の生成へと導
   く工程、ｆ）この粉体の粒子を１〜３時間粉砕して８〜
   １２μｍの直径をもつ粒子を得る工程、 ｇ）この粉体を有機媒質と下記の体積比： ４０〜５０％のＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ粉体
   ６０〜５０％の流動性液体 で混合してスクリーン印刷可能なインクを 得る工程、 ｈ）導体の一部分が工程ｃ）で形成された接点パッドの
   近傍にある、特定の導体回路を形成 するのに適するパターンに従って工程ｇ）で得られたイ
   ンクをスクリーン印刷する工程、ｉ）この層をほぼ１５
   分間、ほぼ１２０℃で乾燥する工程、 ｊ）この層を正確に９２０゜±１０゜の温度で５〜２０
   時間アニールする工程、 ｋ）酸素中で周囲温度までほぼ毎分１℃で緩徐に冷却す
   る工程 を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つ
   の項に記載のデバイスの製造方法。
10. １０．特に下記の工程： １）銀（Ａｇ）を用いて下記の体積比率： ４０〜５０％のＡｇ粉体 ６０〜５０％の流動性液体 て混合してスクリーン印刷可能な電導性イ ンクをつくる工程、 ｍ）前記の電導性インクの層をスクリーン印刷して前記
    超電導層の少なくとも一部と近く に位置する接点パッドの少なくとも一部を この二番目の電導性層で覆うという方法で、工程ｃ）で
    形成された電気接点パッドと超電導性導体との間の接続
    部を形成する工程、 ｎ）アセンブリーをほぼ６００℃で１０〜１８時間加熱
    する工程、 ｏ）超電導性層の組成が０＜ｘ＜０．５となる方法で、
    毎分１℃の割合で４１０℃の一定温度まで緩徐に冷却す
    る工程、 ｐ）４１０℃で１〜２０時間温度を一定に保つ工程ｑ）
    ほぼ毎分１℃の割合で周囲温度まで再冷却する工程 を有することを特徴とする請求項９記載の製造方法。