JPH0243793A - 半導体レーザペレット位置ずれ検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザペレット位置ずれ検出器、特に、
半導体レーザペレットのマウント位置決め時の位置ずれ
検出に適用しうる半導体レーザペレット位置ずれ検出器
に関する。

〔従来の技術〕

従来の半導体レーザペレット位置ずれ検出器は、第３図
に示すようにレーザ発振部１と、ビーム位置検出器２と
を含んで構成される。

レーザ発振部１はレーザビーム１０を発振する。

レーザビーム１０は半導体レーザ装置Ａの半導体レーサ
ペレノト７の発光面７ａを斜角照射する。

この半導体レーザ装置Ａは、第４図に要部を示すように
半導体レーザペレット７と、マウントペース８と、ステ
ム９とを含んで構成される。半導体レーザビーム）７ｉ
ｄ、ステムベース９ａに固定されたマウントベース８に
マウント位置決めされて、発光面７ａからレーザ光を発
振する。この半導体レーザ装置Ａはステム９の基準面（
図示せず）を基準にして機器（図示せず）に位置決めし
、取付穴９ｂでネジ締結される。その時、発光面７ａか
ら発振するレーザ光は組付けられる機器に対して、常に
一定の位置で、且つ、一定の方向に向って発振される必
要がある。従って、半導体レーザペレット７０発光面７
ａはステム９の基準面に対して、常に一定の位置と一定
の傾斜に調整しマウントベース８にマウントされねばな
らない。

斜角照射されたレーザビーム１０を反射し得られたレー
ザビーム１１はビーム位置検出器２を照射する。ビーム
位置検出器２は一次元位置検出デバイス等からなシ、レ
ーザビーム１１の照射を受けて、そのビームスポットの
位置を検出する。

次に、動作を説明する。拡大鏡等を用いた目視作業によ
り、半導体レーザペレット７の発光面７ａはステムペー
ス９ａを基準にして傾斜を調整しマウントペース８に仮
止めされる。次に、発光面７ａを反射したレーザビーム
１１がビーム位置検出器２の基準のスポット位置にくる
ように発光面７ａの位置が調整される。上述の作業にて
発光面７ａの傾斜と位置の調整が完了する。

しかしながら、最初に行う傾斜の調整は目視作業なので
不正確であり、半導体レーザペレット７が図の破線で示
すように傾斜してずれていた場合は、発光面７ａを反射
したレーザビーム１２は破線の光路を通ってビーム位置
検出器２の基準の位置にスホットを結び、発光面７ａは
正常な位置からずれて調整されてしまう。

上述したように、従来は、半導体レーサベレノト７の発
光面７ａの位置決めは、傾斜と位置の双方とも不正確で
あった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体レーサベレット位置ずれ検出器は
、半導体レーザペレットの発光面の傾斜の検出が目視作
業となっているので不正確でｌ）、位置の検出も不正確
な傾斜を基準にして行われるので位置決め精度が悪いと
いう欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体レーザペレット位置ずれ検出器は、第１
のレーザビームを発振する第１のレーザ発振部と、前記
第１のレーザビームが半導体レザペレットの発光面に斜
角照射されることにより反射して得られた第２のレーザ
ビームの位置を検出するビーム位置検出器と、第３のレ
ーザビームを発振する第２のレーザ発振部と、前記第３
のレーザビームを１／４波長偏光して透過し第４のレー
ザビームとして出力する光路変更部と、前記第４のレー
ザビームが前記半導体レーザペレットの発光面に垂直照
射されることにより反射して得られた第５のレーザビー
ムを前記光路変更部でさらに１７４波長偏光されること
により光路変更して得られた第６のレーザビームの位置
を検出する傾斜検出器とを含んで構成される。

また、本発明の半導体レーザペレット位置ずれ検出器は
、前記第１のレーザ発振部の代りに、前記第２のレーザ
発振部より発振した前記第３のレーザビームを前記光路
変更部を透過する第７のし−ザビームと第８のレーザビ
ームに２分割する第１のビームスプリッタ−と、前記第
８のレーザビームを反射し得られた第９のレーザビーム
を前記半導体レーザペレットの発光面に斜角照射する第
１のミラーとを含んで構成される。

さらに、また、本発明の半導体レーザペレット位置ずれ
検出器は、前記第２のレーザ発振部の代りに、前記第１
のレーザ発振部より発振した前記第１のレーザビームを
前記半導体レーサペレットの発光面に斜角照射する第１
０のレーザビームと第１１のレーザビームに２分割する
第２のビームスプリッタ−と、前記第１１のレーザビー
ムを反射し得られた第１２のレーザビームを前記光路変
更部に透過する第２のミラーとを含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。

第１図に示す半導体レーザペレット位置ずれ検出器は、
レーザ発振部１，１′と、ビーム位置検出器２と、光路
変更部３と傾斜検出器４とを含んで構成される。

レーザ発振部１はレーザビーム１０を発振する。

レーザビーム１０は半導体レーザ装置人の半導体レーサ
ペレット７の発光面７ａを斜角照射する。

斜角照射されたレーザビーム１０を反射して得られたレ
ーザビーム１１はビーム位置検出器２を照射する。ビー
ム位置検出器２は一次元位置検出デバイス等からなυ、
レーザビーム１１の照射を受ケチ、ソのビームスポット
の位置を検出する。

レーザ発振部１′はレーザビーム１０′を発振する。光
路変更部２は偏光ビームスプリンター３ａと、１／４波
長板３ｂからなる。レーザビーム１０′は、偏光ビーム
スプリッタ−３ａを透過し、１／４波長板３ｂにより円
偏光となりレーザビム１３として出力される。レーザビ
ーム１３は半導体レーサベレット７の発光面７ａを垂直
照射する。照射面からはレーザビーム１４が反射する。

レーザビーム１４は、１／４波長板３ｂを再び通過する
ことにより、レーザビーム１０′の偏光面と直交する偏
光面を有する直線偏光に変換される。

偏光ビームスプリッタ−３３は、レーザビーム１０′を
垂直の方向に透過する一方、レーザビーム１０′と偏光
面の直交するレーザビーム１４は水平の方向に反射し、
レーザビーム１５として出力する。傾斜検出器４は一次
元位置検出デバイス等からなシ、偏光ビームスプリンタ
ー３ａで反射したレーザビーム１５の照射を受けて、そ
のビームスポットの位置を検出する。

上述したように、レーザビーム１０′は半導体レーザペ
レット７の発光面７ａを垂直照射し、照射面から反射し
たレーザビーム１４は光路変更部３により光路を変更し
、傾斜検出器４を照射し、そのビームスポット位置が検
出される。

次に、第１図を参照しながら動作を説明する・先ず、発
光面７ａの傾斜の調整が行われる。図の破線に示すよう
に、発光面７ａが傾斜していると、垂直照射されたレー
ザビーム１３は破線の光路で反射する。反射したレーザ
ビーム１６は光路変更部３で光路を変更する。光路を変
更して得られたレーザビーム１７は破線で示す光路で傾
斜検出器４を照射しビームスポットが検出される。この
ビームスポットが基準の位置にくるように、半導体レー
ザペレット７はマウントベース８上で位置を調整され、
発光面７ａの傾斜が正確に位置決めされる。

次に、ステムペース９ａの基準に対する発光面７ａの位
置の調整が行われる。図に示す破線の位置に半導体レー
ザペレット７があると、レーザ発振部１より斜角照射さ
れたレーザビーム１０は破線の光路で反射する。反射し
たレーザビーム１２はビーム位置検出器２を照射し、ビ
ームスボンドが検出される。このビームスポットが基準
の位ｔにくるように発光面７ａの位置が調整される。す
でに傾斜が正確に調整されているので、位置の調整も正
確に行われる。

次に、第２図に示す他の実施例を説明する。

第２図に示す半導体レーザペレット位置ずれ検吊器は、
第１図に示す実施例におけるレーザ発振部１の代りに、
ビームスプリッタ−５と、ミラー６とを含んで構成され
、他はすべて第１図と同じに構成される。

ビームスプリンター５は、レーザ発振部１′から発振さ
れたレーザビーム１０′を、半導体レーサベレット７の
発光面７ａを垂直照射するレーザビーム１８とミラー６
を照射するレーザビーム１９とに分割する。ミラー６は
レーザビーム１９を反射し、反射して得られたレーザビ
ーム２０を発光面７ａに斜角照射する。

以下、各部の構成と動作は第１図に示す実施例と同じで
あり、説明を省略する。

〔発明の効果〕

本発明の半導体レーサペレソト位置ずれ検出器は、光路
変更部と傾斜検出器を追加することにより、発光面の傾
斜を正確に検出できるため斜角照射による位置決めを正
′確化できるので半導体レザペレットのマウント位置決
め精度を向上できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
本発明の他の実施例を示すブロック図、第３図は従来の
一例を示すブロック図、第４図は第１図〜第３図に示す
半導体レーザ装置の要部斜視図である。 Ａ・・・半導体レーザ装置、１．１’・・・レーザ発振
部、２・・・ビーム位置検出器、３・・・光路変更部、
３ａ・・・偏光ビームスプリッタ−３ｂ・・・１／４波
長板、４・・・傾斜検出器、５・・・ビームスプリッタ
−６・・・ミラー　７・・・半導体レーザペレット、８
・・・マウントペース、９・・・ステム、９ａ・・・ス
テムベース、９ｂ・・・取付穴、１０．１０’、１１，
１２，１３，１４，１５゜１６．１７，１８，１９．２
０・・レーザビーム。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１のレーザビームを発振する第１のレーザ発振部
   と、前記第１のレーザビームが半導体レーザペレットの
   発光面に斜角照射されることにより反射して得られた第
   ２のレーザビームの位置を検出するビーム位置検出器と
   、第３のレーザビームを発振する第２のレーザ発振部と
   、前記第３のレーザビームを１／４波長偏光して透過し
   第４のレーザビームとして出力する光路変更部と、前記
   第４のレーザビームが前記半導体レーザペレットの発光
   面に垂直に照射されることにより反射して得られた第５
   のレーザビームを前記光路変更部でさらに１／４波長偏
   光されることにより光路変更して得られた第６のレーザ
   ビームの位置を検出する傾斜検出器とを含むことを特徴
   とする半導体レーザペレット位置ずれ検出器。 ２、前記第１のレーザ発振部の代りに、前記第２のレー
   ザ発振部より発振した前記第３のレーザビームを前記光
   路変更部を透過する第７のレーザビームと第８のレーザ
   ビームに２分割する第１のビームスプリッターと、前記
   第８のレーザビームを反射し得られた第９のレーザビー
   ムを前記半導体レーザペレットの発光面に斜角照射する
   第１のミラーとを含むことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の半導体レーザペレット位置ずれ検出器。 ３、前記第２のレーザ発振部の代りに、前記第１のレー
   ザ発振部より発振した前記第１のレーザビームを前記半
   導体レーザペレットの発光面に斜角照射する第１０のレ
   ーザビームと第１１のレーザビームに２分割する第２の
   ビームスプリッターと、前記第１１のレーザビームを反
   射し得られた第１２のレーザビームを前記光路変更部に
   透過する第２のミラーとを含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体レーザペレット位置ずれ検
   出器。