JPH0242796A - 多層セラミックス基板の製造方法 - Google Patents

多層セラミックス基板の製造方法

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JPH0242796A
JPH0242796A JP19207688A JP19207688A JPH0242796A JP H0242796 A JPH0242796 A JP H0242796A JP 19207688 A JP19207688 A JP 19207688A JP 19207688 A JP19207688 A JP 19207688A JP H0242796 A JPH0242796 A JP H0242796A
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JP
Japan
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partial pressure
green sheet
water vapor
ceramic substrate
inert gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP19207688A
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English (en)
Inventor
Kazuo Sunahara
一夫 砂原
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Publication of JPH0242796A publication Critical patent/JPH0242796A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は多層セラミックス基板の製造方法に関するもの
である。
[従来の技術] 銅導体多層セラミックス基板は、有機バインダーの熱分
解に有利な、酸化性雰囲気(たとえば空気雰囲気)中で
、焼成した場合、銅導体が酸化され、導電性を失なうた
め、不活性雰囲気(主に窒素雰囲気中)で焼成する試み
がなされている。
しかしながら、このように窒素雰囲気中で焼成した場合
、グリーンシート中に含まれている有機バインダーが、
完全に飛散せず、多層セラミックス基板中に炭化して残
留し、多層セラミックス基板の絶縁抵抗値の低下をもた
らすとともに、クローズした気孔内部に残留した炭素が
、より焼成が進行し、温度が上昇した時に気化し、多層
セラミックス基板表面や銅導体表面を気化ガス圧によっ
て、風船の様に膨らませる現象、いわゆるブリスタが発
生する等の問題があり、実用化が難かしかった。
[発明の解決しようとする課題] 本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった多
層セラミックス基板の製造方法を新規に提供することを
目的とするものである。
[課題を解決するための手段] +11構成の表示 本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
、セラミックスの原料粉末を有機バインダー等にて混練
してグリーンシートを形成し、該グリーンシート上に銅
導体を形成して多層構造に積層したものを、水蒸気、酸
素、不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、1000℃以下
の温度で焼成することを特徴とする多層セラミックス基
板の製造方法を提供するものである。
(2)構成の詳細説明 以下本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明にかかる実施例の焼成の昇温曲線を示す
本発明にかかる多層セラミックス基板は該昇温曲線のよ
うに温度を変化させて焼成される。
本発明の目的は焼成中、不活性ガス中に混入させる水蒸
気分圧と酸素分圧を約550℃以下の範囲と約650℃
以上の範囲で、分けて変化させ、グリーンシート内の有
機バインダーの飛散を完全に行いせしめるようにしよう
とするものである。
尚本発明にかかる焼成の昇温は第1図に示す昇温曲線に
限定されるものではない。
本発明にかかる多層セラミックス基板の焼成に必要な水
蒸気分圧、酸素分圧の範囲は、次の通りである。
約550℃以下、 水蒸気分圧、 0.05〜0.3気圧、酸素分圧、  
0.00005〜0.002気圧残り不活性ガス 約650℃以上 水蒸気分圧、 0.05〜0.15気圧、酸素分圧、 
 0.00001気圧以下、残り不活性ガス 本発明にかかる多層セラミック、ス基板の焼成中約55
0℃以下の温度では、不活性ガス中の水蒸気分圧、酸素
分圧が、各々、0.05気圧、0、00005気圧以下
であると、有機バインダーが炭化して残留して基板が黒
化する不良が発生するばかりでな(、残留炭素により絶
縁抵抗が低下したり、ブリスタ等の不良が発生するので
好ましくない。
基板の黒化、絶縁抵抗の低下、ブリスタの発生を防止す
るためには、窒素中の水蒸気分圧0.05気圧以上、酸
素分圧0.00005気圧以上であることが必要である
。また、焼成の際、約550℃以下の場合、不活性ガス
中の水蒸気分圧、酸素分圧の何れかが各々0.3気圧、
0.002気圧(2000ppm)以上になると銅導体
が酸化され導電性を失うので、好ましくない。
以上の点を考慮すると焼成の際約550℃以下のとき望
ましい範囲は 水蒸気分圧、 0.05〜0.2気圧 酸素分圧、  0.0004〜0.001気圧残りが不
活性ガス であり、特に望ましい範囲は 水蒸気分圧、 0.1−0.2気圧 酸素分圧、  o、ooos〜0.001気圧残りが不
活性ガス である。
次に、焼成中約650℃以上の温度では、銅導体と雰囲
気中の酸素、水蒸気との反応が増大するため、酸素分圧
、水蒸気分圧は焼成温度が約550℃以下の場合より小
さいことが必要である。酸素分圧が0.00001気圧
(10ppm1以上、水蒸気分圧が0.15気圧以上で
あると、銅導体を酸化させるので使用できない、更に水
蒸気分圧が0.05気圧以下の場合には、多層セラミッ
クス基板中に、炭素が残留し、絶縁抵抗値が低下すると
共にブリスタ不良が発生するため、好ましくない。
以上の点を考慮すると約650℃以上では望ましい範囲
は 水蒸気分圧、 0.05〜0.1気圧 酸素分圧、  0.000005気圧以下残りが不活性
ガス であり、特に望ましい範囲は 水蒸気分圧、 0.06〜0.09気圧酸素分圧、  
0.000003気圧以下残りが不活性ガス である。
尚、不活性ガスは、窒素ガスが通常使用されるが、アル
ゴン等でも使用できる。酸素分圧が0、000003以
下等の非常に少ない範囲は、液体窒素によって実現され
る。
本発明にかかる焼成の際の酸素分圧、水蒸気分圧のコン
トロールは、約550℃以下は、上記した如く、約55
0℃以下の必要な範囲である水蒸気分圧0.05〜0.
3気圧、酸素分圧0.00005〜0、002気圧で行
ない、そのままの状態を維持して、約650℃士数℃付
近で急激に約650℃以上の必要な範囲である水蒸気分
圧0.05〜0.15気圧、酸素分圧0.00001気
圧以下にしてもよいし、約り50℃〜約650℃の間で
だんだんに変化させて約650℃以上で上記所望の値に
してもよい。上記約り50℃〜約650℃の間でだんだ
んに変化させる場合は、直線的に変化させてもよいし、
2次曲線的に変化させてもよい。
また、本発明にかかるセラミックスの原料粉末は、アル
ミナとガラスフリット(S 1o−A 1203−Ca
O−B203−PbO系)の粉末が通常使用さレルカ、
これらに限界されるものではなく、他のセラミックスの
原料粉末でも使用できるものもある。
上記原料粉末と有機バインダー等を混合してグリーンシ
ートをつくり、該グリーンシート上に配線用の導体を形
成するが、この導体は銅(Cu)を使用する。そして、
該グリーンシートを多層構造に積層した後1000℃以
下で焼成する。
[実施例] アルミナ80重量%、ガラスフリット(SiO−A I
203−CaO−8?03−PbO系)40重量%を、
ボールミルにて30分間混合した。
次いで、これらに有機バインダーとしてアクリル樹脂、
可塑剤としてフタル酸ジブチル。
溶剤としてトルエンを添加し、混練して粘度10000
〜30000CPSのスラリーを作製した。
次いでこのスラリーを約0.2■鵬厚のシートに成形し
た後、70℃で2時間乾燥し、グリーンシートを作製し
た。
このグリーンシートに銅導体ペース)e印mして、12
層に積層し、更に90℃、100kg/ci+26分M
熱圧着し、第1図に示した昇温曲線で焼成し、銅導体多
層セラミックス基板を得た。
実施した雰囲気条件と、焼成後の多層セラミックスの基
板の特性評価結果を、表−1に示した0表−1に示した
酸素分圧値水蒸気分圧値以外の残りの部分は窒素である
表−1より明らかな如く、本発明にかかる焼成の水蒸気
、酸素、字素雰囲気の範囲では、なんら不良は見い出さ
れず、優れた銅導体の多層セラミックス基板を得ること
が出来た。
[表−1]−1゜ 法−1]−2゜ [発明の効果] 本発明にかかる多層セラミックス基板を水蒸気、酸素、
窒素等の不活性ガスの混合雰囲気中で焼成することによ
り、該多層セラミックス基板の黒化、絶縁抵抗値の低下
、ブリスタの発生、銅導体の配化等の不良を防止できる
という効果が認められ、この工業的価値は多大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる実施例の焼成の昇温曲線である

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.セラミックスの原料粉末を有機バインダー等にて混
    練してグリーンシートを形成し、該グリーンシート上に
    銅導体を形成して多層構造に積層したものを、水蒸気、
    酸素、不活性ガスの混合ガス雰囲気中で、1000℃以
    下の温度で焼成することを特徴とする多層セラミックス
    基板の製造方法。
JP19207688A 1988-08-02 1988-08-02 多層セラミックス基板の製造方法 Pending JPH0242796A (ja)

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JP (1) JPH0242796A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5732619A (en) * 1994-04-28 1998-03-31 Komatsu Ltd. Press machine with press function display
JP2020111797A (ja) * 2019-01-11 2020-07-27 Jx金属株式会社 セラミックと導体の複合体の製造方法

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