JPH0240938A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH0240938A JPH0240938A JP19193488A JP19193488A JPH0240938A JP H0240938 A JPH0240938 A JP H0240938A JP 19193488 A JP19193488 A JP 19193488A JP 19193488 A JP19193488 A JP 19193488A JP H0240938 A JPH0240938 A JP H0240938A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止によるパッケージ部分をコンパクト
にし、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置
に関する。
にし、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置
に関する。
従来、金属ヒートシンクは、第9図に示すごとく、一定
の板厚りを有するアルミニウム板等からなる放熱板9の
一端にクリップタイプのリードフレーム7を嵌挿するも
のが知られている。
の板厚りを有するアルミニウム板等からなる放熱板9の
一端にクリップタイプのリードフレーム7を嵌挿するも
のが知られている。
即ち、上記放熱板9は、その一端にパッド部81を有し
、該パッド部81は混成集積回路82に電気的に接続さ
れている。そして、上記リードフレーム7をパッド部8
1に嵌挿するには、該リードフレーム7の開口部71を
外側B方向に強制的に拡げる必要がある。そのため、開
口部71は強制的な負荷により損傷し易い。
、該パッド部81は混成集積回路82に電気的に接続さ
れている。そして、上記リードフレーム7をパッド部8
1に嵌挿するには、該リードフレーム7の開口部71を
外側B方向に強制的に拡げる必要がある。そのため、開
口部71は強制的な負荷により損傷し易い。
更にまた。上記パッド部81近傍の混成集積回路82に
半導体チップ4を搭載して樹脂封止する場合には、当該
パッケージ部分Cは体積が大きくなり、軽薄短小化する
電子部品の傾向に反する。
半導体チップ4を搭載して樹脂封止する場合には、当該
パッケージ部分Cは体積が大きくなり、軽薄短小化する
電子部品の傾向に反する。
かかる従来技術の問題点に鑑みて、実公昭63−226
77及び同63−22678号公報に開示の絶縁物封止
半導体装置が提案されている。
77及び同63−22678号公報に開示の絶縁物封止
半導体装置が提案されている。
上記絶縁物封止半導体装置は、第10図及び第11図に
示すごとく、肉厚部91と肉薄部92とからなる放熱板
を有し、該肉厚部91に半導体装ツブ4を搭載するもの
である。
示すごとく、肉厚部91と肉薄部92とからなる放熱板
を有し、該肉厚部91に半導体装ツブ4を搭載するもの
である。
また、該肉厚部91と半導体チップ4とを一体に樹脂封
止し、前記肉薄部92は樹脂封止部分6より突出させる
。また、該肉薄部92はリードフレームの役割をなす部
分である。なお、上記肉厚部91の近傍には、取付穴9
3が設けられているが、この取付穴93は上記肉厚部9
1以外の樹脂封止部分6に設けられたものである。
止し、前記肉薄部92は樹脂封止部分6より突出させる
。また、該肉薄部92はリードフレームの役割をなす部
分である。なお、上記肉厚部91の近傍には、取付穴9
3が設けられているが、この取付穴93は上記肉厚部9
1以外の樹脂封止部分6に設けられたものである。
しかしながら、上記公報開示の絶縁物封止半導体装置は
、上記肉厚部91上の半導体チップ4を一体に樹脂封止
するため、前記第9図に例示の放熱板9と同様に、当該
パッケージ部分D(第11図)は体積が大きくなり、軽
薄短小化の傾向に反する。
、上記肉厚部91上の半導体チップ4を一体に樹脂封止
するため、前記第9図に例示の放熱板9と同様に、当該
パッケージ部分D(第11図)は体積が大きくなり、軽
薄短小化の傾向に反する。
また、上記取付穴93は樹脂封止部分6に設けられてい
るものであるため、該樹脂封止部分6と肉厚部91との
接着強度の向上には直接寄与するものではない。
るものであるため、該樹脂封止部分6と肉厚部91との
接着強度の向上には直接寄与するものではない。
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたも
ので、樹脂封止によるパッケージ部分をコンパクトにし
、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提
供しようとするものである。
ので、樹脂封止によるパッケージ部分をコンパクトにし
、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提
供しようとするものである。
本発明は、金属ヒートシンクを有する混成集積回路装置
であって、該金属ヒートシンクにおける混成集積回路を
配設した部分の板厚を薄クシ、また該板厚の薄い部分に
は貫通孔を設け、これらの加工部分と、混成集積回路と
を一体に樹脂封止したことを特徴とする混成集積回路装
置にある。
であって、該金属ヒートシンクにおける混成集積回路を
配設した部分の板厚を薄クシ、また該板厚の薄い部分に
は貫通孔を設け、これらの加工部分と、混成集積回路と
を一体に樹脂封止したことを特徴とする混成集積回路装
置にある。
本発明において、最も注目すべきことは、混成集積回路
を配設した部分の板厚を薄クシ、また該板厚の薄い部分
には貫通孔を設けていることである。これにより、パッ
ケージ部分をコンパクトにし、かつ強固な樹脂封止接合
とすることができる。
を配設した部分の板厚を薄クシ、また該板厚の薄い部分
には貫通孔を設けていることである。これにより、パッ
ケージ部分をコンパクトにし、かつ強固な樹脂封止接合
とすることができる。
本発明において、上記金属ヒートシンクは1例えばアル
ミニウム、銅、モリブデン等の熱伝導性の良好な材料よ
りなる。該金属ヒートシンクは。
ミニウム、銅、モリブデン等の熱伝導性の良好な材料よ
りなる。該金属ヒートシンクは。
−JGにアルミニウムが安価であることにより使用され
3面積、板厚により放熱量が異なる。
3面積、板厚により放熱量が異なる。
また、上記混成集積回路は集積回路基板上に半導体チッ
プを1例えばワイヤボンデインして組込んだ電子回路で
ある。
プを1例えばワイヤボンデインして組込んだ電子回路で
ある。
上記板厚を薄くする方法としては、金属ヒートシンクを
予め肉厚部と肉薄部とが一体形成されるよう鋳造又は押
出成形により形成する方法がある。
予め肉厚部と肉薄部とが一体形成されるよう鋳造又は押
出成形により形成する方法がある。
また、所定の板厚の金属板を、各種化学的エツチング、
切削又はザグリ、グラインダー等の物理的研摩切削等に
よる加工方法がある。
切削又はザグリ、グラインダー等の物理的研摩切削等に
よる加工方法がある。
また、上記貫通孔はドリル穴明は加工、エツチング加工
、パンチング加工等により設けることができる。
、パンチング加工等により設けることができる。
また、上記加工部分とは、金属ヒートシンクのうち、前
記のごとく板厚を薄<シた部分及び上記貫通孔を設けた
部分を意味する。
記のごとく板厚を薄<シた部分及び上記貫通孔を設けた
部分を意味する。
また1本発明において、上記金属ヒートシンクは、その
片面側のみを切削等により除去して薄くする(第1図、
第1実施例参照)か、或いはその両面側を除去して板厚
を薄くする(第8図、第2実施例参照)。
片面側のみを切削等により除去して薄くする(第1図、
第1実施例参照)か、或いはその両面側を除去して板厚
を薄くする(第8図、第2実施例参照)。
本発明にかかる混成集積回路装置は、混成集積回路を配
設した部分を上記のごとく薄くしている。
設した部分を上記のごとく薄くしている。
そのため、リードフレームを金属ヒートシンクの上記薄
板部分のパッド部に嵌挿することか容易である。また、
このような薄板部分に設けた。樹脂封止によるパッケー
ジ部分をコンパクトにすることができる。
板部分のパッド部に嵌挿することか容易である。また、
このような薄板部分に設けた。樹脂封止によるパッケー
ジ部分をコンパクトにすることができる。
しかも、上記混成集積回路を配設した加工部分において
は2貫通孔が設けられている。そのため。
は2貫通孔が設けられている。そのため。
該貫通孔を介して樹脂封止用の樹脂を基板両面より結合
させ9強固な樹脂封止接合とすることができる。
させ9強固な樹脂封止接合とすることができる。
したがって1本発明によれば、金属ヒートシンクの加工
部分におけるパッケージ部分全体をコンパクトにし、か
つ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提供す
ることができる。
部分におけるパッケージ部分全体をコンパクトにし、か
つ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提供す
ることができる。
第1実施例
本例にかかる混成集積回路装置を、第1図〜第7図を用
いて説明する。
いて説明する。
即ち2本例の装置は、第1図及び第2図に示すごとく、
金属ヒートシンクlと、該金属ヒートシンクl上に配設
した混成集積回路13と、該混成集積回路13が積層さ
れた側とは反対側Pの片面を切削して薄い板厚Hとした
加工部分11と、該加工部分11の部分に設けた貫通孔
14と、これらの加工部分11と混成集積回路13とを
一体に封止した樹脂15とよりなる。
金属ヒートシンクlと、該金属ヒートシンクl上に配設
した混成集積回路13と、該混成集積回路13が積層さ
れた側とは反対側Pの片面を切削して薄い板厚Hとした
加工部分11と、該加工部分11の部分に設けた貫通孔
14と、これらの加工部分11と混成集積回路13とを
一体に封止した樹脂15とよりなる。
上記金属ヒートシンク1は、アルミニウム板よりなり、
その板厚は約1.5+maである。そして。
その板厚は約1.5+maである。そして。
一端には該金属ヒートシンクlをトランジスタ等(図示
路)に取付けるための貫通孔16を有する。
路)に取付けるための貫通孔16を有する。
また、上記混成集積回路13は9表面に半導体チップ1
33及びコンデンサー134を搭載しこれらの電子部品
相互を電気的に連結するための電子回路132,135
.136を有する。
33及びコンデンサー134を搭載しこれらの電子部品
相互を電気的に連結するための電子回路132,135
.136を有する。
また、上記加工部分11は上記混成集積回路13を配設
した部分の裏面側Pをエツチングにより切削して、板厚
H1を金属ヒートシンクlの約3分の1に薄くする。そ
して、該板厚Hを薄くした部分には複数の貫通孔14を
設ける。
した部分の裏面側Pをエツチングにより切削して、板厚
H1を金属ヒートシンクlの約3分の1に薄くする。そ
して、該板厚Hを薄くした部分には複数の貫通孔14を
設ける。
また、上記加工部分11は、その表面及び裏面に絶縁層
12を設ける。これにより、上記混成集積回路13は金
属ヒートシンク1の加工部分11より電気的に絶縁され
た状態となる。
12を設ける。これにより、上記混成集積回路13は金
属ヒートシンク1の加工部分11より電気的に絶縁され
た状態となる。
また、主樹脂封止11の先端部に配設されたパッド部1
31には、リードフレーム7を嵌挿する。
31には、リードフレーム7を嵌挿する。
該リードフレーム7は、その先端部に略U字状の開口部
71を有し、該開口部71を上記パッド部131に嵌挿
する。これにより、上記混成集積回路13は、そのパッ
ド部131を介して、他の電子回路装置2例えばマザー
ボードの回路と電気的に接続することができる。
71を有し、該開口部71を上記パッド部131に嵌挿
する。これにより、上記混成集積回路13は、そのパッ
ド部131を介して、他の電子回路装置2例えばマザー
ボードの回路と電気的に接続することができる。
また、上記混成集積回路13と加工部分11とリードフ
レーム7とを一体に樹脂15により被覆する。該樹脂封
止は鎖線部分であるパッド部Eを形成するよう行う。
レーム7とを一体に樹脂15により被覆する。該樹脂封
止は鎖線部分であるパッド部Eを形成するよう行う。
上記パッド部Eは、第4図に示すごとく、裏面側Pより
見ると、金属ヒートシンクlと加工部分11に被覆した
樹脂15との境界は略直線状をなす。なお、同図におい
て、符号16は取付穴、7はリードフレームである。
見ると、金属ヒートシンクlと加工部分11に被覆した
樹脂15との境界は略直線状をなす。なお、同図におい
て、符号16は取付穴、7はリードフレームである。
また2本例の混成集積回路装置は、第3図に示すごとく
、マザーボード2と電気的に接続することができる。該
マザーボード2は、上面に回路21〜25を有する。接
続ピン3は1両端に係止板31を有し、これにより、金
属ヒートシンク1とマザーボード2を固定する。また、
ヒートシンク1とマザーボード2の間には熱導体5を挟
持する。
、マザーボード2と電気的に接続することができる。該
マザーボード2は、上面に回路21〜25を有する。接
続ピン3は1両端に係止板31を有し、これにより、金
属ヒートシンク1とマザーボード2を固定する。また、
ヒートシンク1とマザーボード2の間には熱導体5を挟
持する。
また、リード線7をマザーボード2に電気的に接続する
。
。
本例の混成集積回路装置は、上記のように構成されてい
るので1次の作用効果を有する。
るので1次の作用効果を有する。
金属ヒートシンク1における混成集積回路13を配設す
る部分は、エツチングにより切削し板厚を薄くしている
。そのため、樹脂封止によるパッケージ部がコンパクト
になると共に、該混成集積回路13におけるパッド部1
31にリードフレーム7の嵌挿が容易となる。
る部分は、エツチングにより切削し板厚を薄くしている
。そのため、樹脂封止によるパッケージ部がコンパクト
になると共に、該混成集積回路13におけるパッド部1
31にリードフレーム7の嵌挿が容易となる。
また、加工部分11には貫通孔14が複数形成されてい
る。そのため、樹脂封止による樹脂が貫通孔14を介し
て上下より強固に結合し、樹脂封止の信顛性を向上させ
ることができる。また1本例の装置はコンパクトである
ため、これを搭載するマザーボード等における配線設計
は空間部を十分にとることができ、自由度を向上させる
ことができる。
る。そのため、樹脂封止による樹脂が貫通孔14を介し
て上下より強固に結合し、樹脂封止の信顛性を向上させ
ることができる。また1本例の装置はコンパクトである
ため、これを搭載するマザーボード等における配線設計
は空間部を十分にとることができ、自由度を向上させる
ことができる。
したがって2本例によれば、加工部分をコンパクトにし
、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提
供することができる。
、かつ強固な樹脂封止接合とした混成集積回路装置を提
供することができる。
また9本例の混成集積回路装置は、加工部分11の形状
を、前記第4図に示す形状(斜線部分)に代えて、第5
図〜第7図に示す形状にすることができる。同図の斜線
部分は、前記加工部分11に被覆した樹脂15を示して
いる。
を、前記第4図に示す形状(斜線部分)に代えて、第5
図〜第7図に示す形状にすることができる。同図の斜線
部分は、前記加工部分11に被覆した樹脂15を示して
いる。
これにより、マザーボード上の配線設計に自由度を持た
せた樹脂封止を行うことができる。
せた樹脂封止を行うことができる。
即ち、第5図に示す形状は、先端側に半円弧状の凹所1
11を有している。また、第6図に示す形状は、先端側
に半円弧状の凸部112を有している。また、第7図に
示す形状は、未加工部分113が円板状をなしている。
11を有している。また、第6図に示す形状は、先端側
に半円弧状の凸部112を有している。また、第7図に
示す形状は、未加工部分113が円板状をなしている。
第2実施例
本例の混成集積回路装置につき、第8図を用いて説明す
る。
る。
即ち1本例の装置は、上記第1実施例の片面切削に代え
て9両面切削により加工部分11を形成したものである
。また、混成集積回路13は加工部分11の裏面側Rに
配設する。その他の構成は。
て9両面切削により加工部分11を形成したものである
。また、混成集積回路13は加工部分11の裏面側Rに
配設する。その他の構成は。
上記第1実施例と同様とした。
即ち1本例の装置は、第8図に示すごと(、金属ヒート
シンク1における混成集積回路13を配設する部分の上
下両面をエツチングにより切削して薄い板厚りとする。
シンク1における混成集積回路13を配設する部分の上
下両面をエツチングにより切削して薄い板厚りとする。
加工部分11は表面側S及び裏面側Rを略3分の1づつ
エツチングにより切削して、残りの3分の1を残して板
厚りの加工部分を形成する。
エツチングにより切削して、残りの3分の1を残して板
厚りの加工部分を形成する。
そして、上下両面に絶縁層12を形成し、裏面側Rには
更に混成集積回路13を配設する。該混成集積回路13
は、その先端部におけるパッド部131にリードフレー
ム7を嵌挿する。
更に混成集積回路13を配設する。該混成集積回路13
は、その先端部におけるパッド部131にリードフレー
ム7を嵌挿する。
また、混成集積回路13と、加工部分11と。
リードフレーム7は一体に樹脂封止して樹脂15により
鎖線部分であるパッケージ部Gを形成する。
鎖線部分であるパッケージ部Gを形成する。
本例の混成集積回路装置は、上記のように構成されてい
るので、上記第1実施例の効果のほかに。
るので、上記第1実施例の効果のほかに。
樹脂封止によるパッケージ部、即ちパッケージ部Gをよ
りコンパクトにして、金属ヒートシンク1と略同様の板
厚とすることができる。
りコンパクトにして、金属ヒートシンク1と略同様の板
厚とすることができる。
第1図〜第7図は第1実施例を示し、第1図は第2図の
A−A矢視断面図、第2図は混成集積回路装置の平面図
、第3図は混成集積回路装置の取付使用説明側面図、第
4図〜第7図は第1図のY−Y矢視断面図、第8図は第
2実施例にかかる混成集積回路装置の側面断面図、第9
図〜第11図は従来例を示し、第9図は金属ヒートシン
クの側面断面図、第1O図は絶縁物封止半導体装置の平
面図、第11図はその側面断面図である。 1.5.金属ヒートシンク。 1 1、 、 。 12、、。 13、、。 14、、。 15、、。 2、 、 。 41.。 50.。 70.。 加工部分。 絶縁層。 混成集積回路。 貫通孔。 樹脂。 マザーボード。 半導体チップ。 熱導体。 リードフレーム。 出 代 願人 イ ビ 埋入
A−A矢視断面図、第2図は混成集積回路装置の平面図
、第3図は混成集積回路装置の取付使用説明側面図、第
4図〜第7図は第1図のY−Y矢視断面図、第8図は第
2実施例にかかる混成集積回路装置の側面断面図、第9
図〜第11図は従来例を示し、第9図は金属ヒートシン
クの側面断面図、第1O図は絶縁物封止半導体装置の平
面図、第11図はその側面断面図である。 1.5.金属ヒートシンク。 1 1、 、 。 12、、。 13、、。 14、、。 15、、。 2、 、 。 41.。 50.。 70.。 加工部分。 絶縁層。 混成集積回路。 貫通孔。 樹脂。 マザーボード。 半導体チップ。 熱導体。 リードフレーム。 出 代 願人 イ ビ 埋入
Claims (1)
- 金属ヒートシンクを有する混成集積回路装置であって
、該金属ヒートシンクにおける混成集積回路を配設した
部分の板厚を薄くし、また該板厚の薄い部分には貫通孔
を設け、これらの加工部分と、混成集積回路とを一体に
樹脂封止したことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19193488A JPH0240938A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19193488A JPH0240938A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0240938A true JPH0240938A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16282883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19193488A Pending JPH0240938A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0240938A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681728A1 (fr) * | 1991-09-24 | 1993-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | Structure combinee de radiateur et de bornes de connexion pour un circuit integre hybride, et procede de fabrication de ce circuit. |
US5264730A (en) * | 1990-01-06 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Resin mold package structure of integrated circuit |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP19193488A patent/JPH0240938A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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