JPH024002A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路装置による発振回路装置（以
下■ＣＯという）に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のｖＣＯの回路図で、図において、Ｒ＋、
Ｒｚ及びＣは発振周波数を決定する抵抗素子及びコンデ
ンサ素子で、これらの素子の組合せにより発振周波数の
範囲を決定する。（１）はｌ’？、、Ｒ，。

Ｃを駆動するインバータＲ１、Ｒ４及び（２）は抵抗素
子及びインバータで前段部分にて得た発振波形の整形及
びデユティの決定１発振の持続をさせるための回路であ
る。

次に動作について説明する０図において、抵抗素子Ｒｓ
、Ｒ−及びインバータ（２）は等偏曲にシュミット回路
を構成している。第３図を書き直すと、第４図のように
なる。

第４図において、入力端子ＡにＥ、　　〔Ｖ）が印加さ
れると、節点（ａｌには出力端子Ｂと入力端子への電位
差を抵抗素子Ｒ５とＲ２によって分圧した電位が与えら
れる。

出力端子Ｂに出力される電位はＶＣＣ又はＧＮＤ電位で
あるので、節点（ａｌの電位は次式より得られる。

出力端子ＢがＶＣＣの電位の時： Ｒ１＋　　Ｒ。

出力端子ＢがＧＮＤの電位の時： Ｒ１＋Ｒ２ 又、節点（ｂｌの電位は節点（ａｌの電位が、インバー
この時の発振周波数ｆは。

タイ１）のしきい値Ｖ□より低い時はＶＣＣ電位に、節
点ｆａｔの電位がインバータ（１）のしきい値Ｖアイよ
り高い時はＧＮＤ電位となる。

しかるに、節点（ａｌ、　（ｂ）間にはコンデンサ素子
Ｃが接続されているため節点（ｂｌの電位は急激にｖＣ
ＣｒＧＮＤ電位位へ変化することはない。

接点Ｔｏ）の電位は Ｖｂ　　−Ｖ＋　　　（１ｅ　　　） ＝Ｖ２　ｅβ　　　　　　　　　　９０．■によって与
えられる。ただし、α、βはＲＩ、ＲＥ。

Ｃ及びインパークｆｉｌにより決定する時定数で、■１
゜■２はそれぞれα、βによって決まる電圧である。

節点ｆｂｌはンユミフ１−回路の入力に接続されている
ので節点山）の電位が、シュミット・回路のしきい値Ｖ
　ＴＨ！を切ることにより、出力端子Ｂの電位はＶＣＣ
電位又はＧＮＤ電位に変化する。

この変化によって、節点（ａ）の電位は■式、■式によ
って与えられる電位が交互に変化し、発振が持続する。

となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の発振回路装置は以上のような動作原理であるため
、入力電圧Ｅｉ　はＧＮＤ〜−ＶＣＣ又は、一■０．〜
ＶＣＣの範囲でしか、変化されることができず、させた
としても上記範囲内で得られる以外の発振周波数を得る
ことができない（０式による）又、出力◇：ら子Ｂに出
力される波形はｔ氏抗素子Ｒ１゜Ｒ４によって決定し、
周波数１よＲ，、Ｒｔ、Ｃによって決まるため、目的の
周波数、波形を得るためにはＩ’？、、Ｒ１，Ｃ，Ｒ３
，Ｒ，を調整する必要があるという問題があった。

この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、調整する素子数を減らすとともに入力電圧範囲
を広くすることができる半導体集積回路装置を得ること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体集積回路装置はＣＲによる充放電
方法を偏向するとともに、発振回路装置の電源を電圧入
力端子とすることにより、調整する素子数を凍らすとと
もに、入力端子範囲を広くしたものである。

〔作用〕

この発明における半導体集積回路装置はＣ，ＲとＧＮＤ
電位発生用回路及びシュミット回路により構成され、発
振周波数はＣＲによって決定する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図にて具体的に説明する。

第１図において、発振はＲ，−Ｃの充電及びＲ，−Ｃの
放電によって繰りかえされる。

充電時及び放電時の等価回路を第２図ｔａｇ、　ｆｂｌ
にそれぞれ示す。

容■Ｃへの充電は抵抗んＲｏのみによって行われる。こ
の時の節点ｔｃ＋の電位■１　は（’ｒ＋　　：充電時
間） で与えられる。

放電時第２図（ｂｌは等偏曲に第２図（ｃｌとなる。こ
の時容量Ｃが保持している電圧をＶとすると節点ｆｃｌ
の電位■、は となる。

ところで節点ｆｃｌはシュミット・インバータ回路（４
）につながっている、又、シュミットインバータ回路（
４）の出力はＮチャンネルトランジスタ（以下Ｎｃｔ　
　Ｔｒ　という）（５）のゲート電極に接続されている
。

このため、接点（Ｃ）の電圧により、ＮｃｔＴｒｆ５１
はＯＮ、ＯＦＦの状態となり、ＯＮの時Ｒ，−ｃによる
放電回路がＯＦＦのとき、Ｒ，−Ｃによる充電回路が構
成される。　Ｎｃｔ　　Ｔｒ　（５１がＯＮすると容量
Ｃの電荷が放電され、接点（Ｃ１の電位はＧＮＤ電位に
近づくため、シュミットインバータ回路の出力は“Ｈ″
レベルなり、ＮｃｔＴｒ（５）はＯＦＦとなる。

これにより、容１ｃは抵抗Ｒ１より充電され、節点（Ｃ
１の電位は■。、電位（入力端子Ａの電位）に近づく、
このため、シュミットインバータ回路の出力は“Ｌ”レ
ベルとなり、ＮｃｔＴｒｆ５）はふたたびＯＮとなる。

この様にして出力端子Ｂには常に“Ｈ”又は“Ｌ０レベ
ルが、繰りかえし出力され、発振波形を得ることができ
る。

この時に得られる発振周波数ｆは ■！に−・Ｖ？Ｎ＋ｊシュミットインバータの電源電圧
８１時のしきい値、 Ｔ、　・　Ｔｔ　：シュミットインバータ、ＮｃｔＴｒ
の遅延値 であるが、通常「は小さく無視できるので、上式％式％ 発振波形のデユティ比は放電時間及び充電時間の比よっ
て決まるため、抵抗素子Ｒ，とＲ１の比がそのまま、デ
ユティ比とすることができる。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、入力端子へを発振回路
装置の電源と共通にしたので、六方電圧は上限は素子の
保証限界（通常５〜７ｖ程度）まで、下限はＮｅｔ　　
Ｔｒのしきい値（通常ＩＶ以下）となるので、電圧範囲
を広くとれまた、動作がＲｌＲ，Ｃの充放電のみで決定
するので、発振周波数の調整が容易にできるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるＶＣ６回路を示す回
路図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は従来の７
００回路を示す回路図、第４図は第３図の等価回路図、
第５図は第３図の動作を示す波形図である。 図において、（４）はシュミットインバータ回路、（５
）はＮｃｔ　　Ｔｒ　　Ｃはコンデンサ素子、Ｒ，、Ｒ
。 は抵抗素子、（Ｃ１は節点を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 第１図 Ｒ７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コンデンサ素子と抵抗素子とを用い入力電圧の変化に応
   じて、発振周波数を変化し出力する半導体集積回路装置
   において、半導体集積回路装置自身の電源とコンデンサ
   素子及び抵抗素子に与える電圧源を共通としかつ、その
   端子を電圧入力端子としたことを特徴とする半導体集積
   回路装置。