JPH0238512Y2 - - Google Patents
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- JPH0238512Y2 JPH0238512Y2 JP15447683U JP15447683U JPH0238512Y2 JP H0238512 Y2 JPH0238512 Y2 JP H0238512Y2 JP 15447683 U JP15447683 U JP 15447683U JP 15447683 U JP15447683 U JP 15447683U JP H0238512 Y2 JPH0238512 Y2 JP H0238512Y2
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- turned
- light emitting
- switching transistor
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、タツチスイツチが押圧されたことを
表示するとともに、前記タツチスイツチの押圧に
応じた制御信号を発生することが出来る表示兼制
御信号発生回路に関するもので、特にAM−FM
バンド切換回路に用いて好適な表示兼制御信号発
生回路に関する。[Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention is a display/control signal generator that can display that a touch switch is pressed and also generate a control signal in response to the touch switch being pressed. Regarding circuits, especially AM-FM
The present invention relates to a display/control signal generation circuit suitable for use in a band switching circuit.
(ロ) 従来技術
従来、第１図に示す如きバンド表示回路が知ら
れている。このバンド表示回路は、AMバンドを
選択する為の第１タツチスイツチ１と、FMバン
ドを選択する為の第２タツチスイツチ２と、前記
第１タツチスイツチ１の押圧時に第1MOSFET
３を、前記第２タツチスイツチ２の押圧時に第
2MOSFET４をそれぞれオンさせる様に作動す
る入力回路５、第１及び第２フリツプフロツプ回
路６及び７と、前記第1MOSFET３がオンする
ときオンして点灯する第１発光ダイオード８と、
前記第2MOSFET４がオンするときオンして点
灯する第２発光ダイオード９とで構成されてい
る。尚、本考案において、タツチスイツチという
語は、押圧時にオンし、押圧を解除するとオフと
なる機械スイツチを意味する。しかして、第１図
のバンド表示回路は、簡単な構成で、正確なバン
ド表示を行い得るので多用されている。(b) Prior Art Conventionally, a band display circuit as shown in FIG. 1 has been known. This band display circuit includes a first touch switch 1 for selecting the AM band, a second touch switch 2 for selecting the FM band, and a first MOSFET when the first touch switch 1 is pressed.
3, when the second touch switch 2 is pressed.
an input circuit 5 that operates to turn on the two MOSFETs 4, first and second flip-flop circuits 6 and 7, and a first light emitting diode 8 that turns on and lights up when the first MOSFET 3 turns on;
It is composed of a second light emitting diode 9 that turns on and lights up when the second MOSFET 4 turns on. In the present invention, the term "touch switch" refers to a mechanical switch that is turned on when pressed and turned off when the pressure is released. The band display circuit shown in FIG. 1 has a simple configuration and can display accurate bands, so it is widely used.
しかしながら、第１図のバンド表示回路に、第
２図に示す如くスイツチングトランジスタ１０を
付加し、該スイツチングトランジスタ１０のコレ
クタに制御信号を得んとする場合には、様々な欠
点が生じ好ましくない。例えば、第２図において
は、MOSFET１１がオンの時、発光ダイオード
１２が点灯し、かつスイツチングトランジスタ１
０がオフにならなければならないが、前記
MOSFET１１のオン抵抗が約20Ω程度ある為、
前記MOSFET１１のオン時に、電源＋Ｂから抵
抗１３及び発光ダイオード１２を介して前記
MOSFET１１に流れる電流を20mAとすれば、
前記スイツチングトランジスタ１０のベースに、
約0.4V程度の電圧が発生し、温度上昇時に前記
スイツチングトランジスタ１０がオンして誤動作
する危険があつた。また、MOSFET１１がオフ
の時は、発光ダイオード１２が消灯し、スイツチ
ングトランジスタ１０がオンしなければならない
が、前記スイツチングトランジスタ１０のベース
電流が前記発光ダイオード１２に流れる為、該発
光ダイオード１２が微弱点灯し、使用者に異和感
を与えるという欠点があつた。 However, when adding a switching transistor 10 as shown in FIG. 2 to the band display circuit shown in FIG. do not have. For example, in FIG. 2, when MOSFET 11 is on, light emitting diode 12 lights up and switching transistor 1
0 must be off, but the above
Since the on-resistance of MOSFET11 is about 20Ω,
When the MOSFET 11 is turned on, the voltage is supplied from the power supply +B through the resistor 13 and the light emitting diode 12.
If the current flowing through MOSFET11 is 20mA,
At the base of the switching transistor 10,
A voltage of approximately 0.4V was generated, and there was a risk that the switching transistor 10 would turn on and malfunction when the temperature rose. Furthermore, when the MOSFET 11 is off, the light emitting diode 12 must be turned off and the switching transistor 10 must be turned on. However, since the base current of the switching transistor 10 flows to the light emitting diode 12, the light emitting diode 12 The drawback was that the light was weak and gave a strange feeling to the user.
前記温度上昇時のスイツチングトランジスタ１
０の誤動作を防止する方法として、発光ダイオー
ド１２のカソードとスイツチングトランジスタ１
０のベースとの間にダイオードを挿入する方法が
ある。前記ダイオードの挿入により、前記スイツ
チングトランジスタ１０のオンレベルを２倍にす
ることが出来、不要時のオンという誤動作を防止
できる。しかしながら、その場合でもスイツチン
グトランジスタ１０のベース電流は、発光ダイオ
ード１２を介して供給されるから、前記発光ダイ
オード１２の誤点灯を防ぐことが出来ず、更に、
低温時にMOSFET１１がオフになつてもスイツ
チングトランジスタ１０が十分にオンしないとい
う新たな欠点が生じる危険があつた。 Switching transistor 1 when the temperature rises
As a method to prevent malfunction of the light emitting diode 12 and the switching transistor 1,
There is a method of inserting a diode between the base of 0. By inserting the diode, the on level of the switching transistor 10 can be doubled, and malfunction of turning on when unnecessary can be prevented. However, even in this case, since the base current of the switching transistor 10 is supplied via the light emitting diode 12, it is not possible to prevent the light emitting diode 12 from being erroneously lit.
There was a risk that a new drawback would arise in that even if the MOSFET 11 was turned off at low temperatures, the switching transistor 10 would not be turned on sufficiently.
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、構
成簡単にしてしかも確実に動作する表示兼制御信
号発生回路を提供せんとするものである。(c) Purpose of the invention The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and aims to provide a display/control signal generating circuit which has a simple structure and operates reliably.
(ニ) 考案の構成
本考案に係る表示兼制御信号発生回路は、タツ
チスイツチと、該タツチスイツチの押圧に応じて
オンするMOSFETと、該MOSFETのオンに応
じて点灯する発光ダイオードと、前記MOSFET
のオンに応じてオフするスイツチングトランジス
タと、前記発光ダイオードと並列接続される抵抗
とによつて構成される。(d) Structure of the invention The display and control signal generation circuit according to the invention includes a touch switch, a MOSFET that turns on when the touch switch is pressed, a light emitting diode that lights up when the MOSFET is turned on, and the MOSFET.
The light emitting diode is configured of a switching transistor that is turned off in response to the on state of the light emitting diode, and a resistor that is connected in parallel with the light emitting diode.
(ホ) 実施例
第３図は、本考案をAM−FM受信機に応用し
た場合の一実施例を示す回路図で、１４はAMチ
ユーナ、１５はFMチユーナ、１６は前記AMチ
ユーナ１４の出力信号と前記FMチユーナ１５の
出力信号とを切換え発生させる切換回路、１７は
AMバンドを選択する為の第１タツチスイツチ、
１８はFMバンドを選択する為の第２タツチスイ
ツチ、１９は前記第１タツチスイツチ１７の押圧
時にオンする第1MOSFET、２０は前記第２タ
ツチスイツチ１８の押圧時にオンする第
2MOSFET、２１は入力回路２２、フリツプフ
ロツプ回路２３及び２４から成り、前記第１及び
第２タツチスイツチ１７及び１８の押圧状態に応
じて前記第１及び第2MOSFET１９及び２０を
切換制御する制御回路、２５は前記第
1MOSFET１９のオン時に点灯する第１発光ダ
イオード、２６は該第１発光ダイオード２５に並
列接続された第１抵抗、２７は前記第
2MOSFET２０のオン時に点灯する第２発光ダ
イオード、２８は該第２発光ダイオード２７に並
列接続された第２抵抗、２９はベースが抵抗３０
及び第１ダイオード３１を介して前記第１発光ダ
イオード２５のカソードに接続された第１スイツ
チングトランジスタ、３２はベースが抵抗３３及
び第２ダイオード３４を介して前記第２発光ダイ
オード２７のカソードに接続された第２スイツチ
ングトランジスタ、３５は前記第１スイツチング
トランジスタ２９により駆動され、前記AMチユ
ーナ１４の電源を制御する第１制御トランジス
タ、及び３６は前記第２スイツチングトランジス
タ３２により駆動され、前記FMチユーナ１５の
電源を制御する第２制御トランジスタである。(E) Embodiment FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to an AM-FM receiver, in which 14 is an AM tuner, 15 is an FM tuner, and 16 is the output of the AM tuner 14. A switching circuit 17 switches between and generates the signal and the output signal of the FM tuner 15;
1st touch switch for selecting AM band,
18 is a second touch switch for selecting the FM band; 19 is a first MOSFET that is turned on when the first touch switch 17 is pressed; and 20 is a first MOSFET that is turned on when the second touch switch 18 is pressed.
2MOSFET, 21 is composed of an input circuit 22, flip-flop circuits 23 and 24, and 25 is a control circuit that switches and controls the first and second MOSFETs 19 and 20 according to the pressed states of the first and second touch switches 17 and 18; No.
1 A first light emitting diode that lights up when the MOSFET 19 is turned on; 26 a first resistor connected in parallel to the first light emitting diode 25; 27 a first resistor connected in parallel to the first light emitting diode 25;
2 A second light emitting diode that lights up when the MOSFET 20 is turned on; 28 is a second resistor connected in parallel to the second light emitting diode 27; 29 is a base connected to the resistor 30;
and a first switching transistor 32 connected to the cathode of the first light emitting diode 25 via a first diode 31, the base of which is connected to the cathode of the second light emitting diode 27 via a resistor 33 and a second diode 34. A second switching transistor 35 is driven by the first switching transistor 29 and is a first control transistor for controlling the power supply of the AM tuner 14, and a second switching transistor 36 is driven by the second switching transistor 32 and is This is a second control transistor that controls the power supply of the FM tuner 15.
いま、AMバンドを選択する為、第１タツチス
イツチ１７を押圧すると、第1MOSFET１９が
オンし、第１発光ダイオード２５が点灯してAM
バンドが選択されたことを知らせる。同時に、第
１スイツチングトランジスタ２９がオフし、第１
制御トランジスタ３５がオンとなり、AMチユー
ナ１４の電源が投入され切換回路１６がAM側に
切換えられ、AM受信が行なわれる。逆に、FM
バンドを選択する為、第２タツチスイツチ１８を
押圧すると、第2MOSFET２０がオンし、第２
発光ダイオード２７が点灯してFMバンドが選択
されたことを知らせる。同時に、第２スイツチン
グトランジスタ３２がオフ、第２制御トランジス
タ３６がオンとなり、FMチユーナ１５の電源が
投入され、FM受信が行なわれる。その時選択さ
れないAMバンドに関しては、第1MOSFET１９
がオフ、第１発光ダイオード２５がオフ、第１ス
イツチングトランジスタ２９がオン、第１制御ト
ランジスタ３５がオフとなり、AMチユーナ１４
の電源が遮断されるとともに、切換回路１６が
FM側に切換えられる。 Now, when you press the first touch switch 17 to select the AM band, the first MOSFET 19 turns on, the first light emitting diode 25 lights up, and the AM band is selected.
Indicates that a band has been selected. At the same time, the first switching transistor 29 is turned off, and the first
The control transistor 35 is turned on, the AM tuner 14 is powered on, the switching circuit 16 is switched to the AM side, and AM reception is performed. On the contrary, F.M.
When the second touch switch 18 is pressed to select a band, the second MOSFET 20 is turned on and the second MOSFET 20 is turned on.
The light emitting diode 27 lights up to notify that the FM band has been selected. At the same time, the second switching transistor 32 is turned off, the second control transistor 36 is turned on, the power of the FM tuner 15 is turned on, and FM reception is performed. For the AM band not selected at that time, the first MOSFET 19
is off, the first light emitting diode 25 is off, the first switching transistor 29 is on, the first control transistor 35 is off, and the AM tuner 14 is turned off.
At the same time, the switching circuit 16 is turned off.
Can be switched to FM side.
第1MOSFET１９がオンしている場合、従来
技術の場合と同様、オン抵抗を20Ω、その時の電
流を20mAとすれば、前記第1MOSFET１９のド
レーンに0.4Vの電圧が発生する。一方、第１ス
イツチングトランジスタ２９がオンする為に必要
な電圧V1は、
〔V1＝RIB＋VD＋VBE≒1.4（ｖ） ……(1)
ただし、Ｒは抵抗３０の抵抗値、IBは第１ス
イツチングトランジスタ２９のベース電流、
VDは第１ダイオード３１の順方向電圧、VBE
は第１スイツチングトランジスタ２９のベー
ス・エミツタ間立上り電圧〕
となり、温度上昇により前記VD及びVBEが低下し
ても、第1MOSFET１９のオン時に第１スイツ
チングトランジスタ２９がオンすることは無く、
誤動作が防止出来る。 When the first MOSFET 19 is on, a voltage of 0.4V is generated at the drain of the first MOSFET 19, assuming that the on-resistance is 20Ω and the current is 20mA, as in the case of the prior art. On the other hand, the voltage V 1 required for the first switching transistor 29 to turn on is as follows : I B is the base current of the first switching transistor 29, V D is the forward voltage of the first diode 31 , and V BE is the rising voltage between the base and emitter of the first switching transistor 29. Even if V BE decreases, the first switching transistor 29 will not turn on when the first MOSFET 19 is turned on.
Malfunctions can be prevented.
また、第１発光ダイオード２５には、第１抵抗
２６が並列接続されている為に、前記第１発光ダ
イオード２５が誤点灯したり、第１スイツチング
トランジスタ２９が必要時オンしないという誤動
作が防止出来る。すなわち、前記第１抵抗２６
は、第１スイツチングトランジスタ２９のベース
電流を供給する役割を成し、前記第１抵抗２６の
値を、例えば第１発光ダイオード２５の点灯時の
抵抗（約100Ω）の10倍の1KΩに設定すれば、第
1MOSFET１９がオンし、第１発光ダイオード
２５が点灯している場合には、前記第１抵抗２６
が悪影響を及ぼすことは無い。そして、第
1MOSFET１９がオフし、第１発光ダイオード
２５が消灯して、大なる抵抗となつた場合に、第
１スイツチングトランジスタ２９のベース電流の
すべてが前記第１抵抗２６を通つて流れるから、
前記第１スイツチングトランジスタ２９を確実に
オンさせることが出来る。また、第１発光ダイオ
ード２５に電流が流れなくなるので、前記第１発
光ダイオード２５が誤点灯することも無い。前記
第１抵抗２６の値としては、第１発光ダイオード
２５の点灯時の抵抗よりも大で、消灯時の抵抗よ
りも小なる任意の値が選択されるが、通常の場合
1KΩから10KΩ程度が適当である。 Furthermore, since the first resistor 26 is connected in parallel to the first light emitting diode 25, malfunctions such as the first light emitting diode 25 erroneously lighting up or the first switching transistor 29 not turning on when necessary are prevented. I can do it. That is, the first resistor 26
serves to supply the base current of the first switching transistor 29, and the value of the first resistor 26 is set to 1KΩ, which is 10 times the resistance (approximately 100Ω) when the first light emitting diode 25 is turned on. Then, the first
When the 1MOSFET 19 is turned on and the first light emitting diode 25 is lit, the first resistor 26
has no adverse effect. And the th
When the 1MOSFET 19 is turned off and the first light emitting diode 25 is turned off, creating a large resistance, all of the base current of the first switching transistor 29 flows through the first resistance 26.
The first switching transistor 29 can be turned on reliably. Moreover, since no current flows through the first light emitting diode 25, the first light emitting diode 25 will not be erroneously lit. As the value of the first resistor 26, an arbitrary value is selected that is larger than the resistance when the first light emitting diode 25 is turned on and smaller than the resistance when the first light emitting diode 25 is turned off.
Approximately 1KΩ to 10KΩ is appropriate.
(ヘ) 考案の効果
以上述べた如く、本考案に依れば、確実なる表
示と、確実なる制御信号の発生を行なわせること
が出来、しかも回路構成が簡単であるという利点
が得られる。(f) Effects of the invention As described above, according to the present invention, reliable display and reliable generation of control signals can be performed, and the advantage is that the circuit configuration is simple.
第１図は従来のバンド表示回路を示す回路図、
第２図はそれを制御信号発生回路に共用する場合
を示す回路図、及び第３図は本考案を利用した
AM−FM受信機の一例を示す回路図である。
主な図番の説明、１７，１８……タツチスイツ
チ、１９，２０……MOSFET、２５，２７……
発光ダイオード、２６，２８……抵抗、２９，３
２……スイツチングトランジスタ。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional band display circuit.
Figure 2 is a circuit diagram showing the case where it is shared with the control signal generation circuit, and Figure 3 is a circuit diagram using the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of an AM-FM receiver. Explanation of main drawing numbers, 17, 18...Touch switch, 19, 20...MOSFET, 25, 27...
Light emitting diode, 26, 28... Resistor, 29, 3
2...Switching transistor.
Claims (1)
に応じてオンするMOSFETと、該MOSFET
のオンに応じて点灯する発光ダイオードと、前
記MOSFETのオンに応じてオフするスイツチ
ングトランジスタと、前記発光ダイオードと並
列接続される抵抗とから成り、前記タツチスイ
ツチの押圧時に、前記発光ダイオードを点灯さ
せて表示を行うとともに、前記スイツチングト
ランジスタをオフにして制御信号を発生する様
にした表示兼制御信号発生回路。 (2) 前記抵抗の値は、前記発光ダイオードの点灯
時の抵抗よりも大で、消灯時の抵抗よりも小と
したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第１項記載の表示兼制御信号発生回路。[Scope of claims for utility model registration] (1) A touch switch, a MOSFET that turns on in response to the press of the touch switch, and a MOSFET
The switch includes a light-emitting diode that lights up when the touch switch is turned on, a switching transistor that turns off when the MOSFET is turned on, and a resistor that is connected in parallel with the light-emitting diode, and lights up the light-emitting diode when the touch switch is pressed. A display/control signal generating circuit that performs a display and generates a control signal by turning off the switching transistor. (2) The display and control according to claim 1, wherein the value of the resistor is larger than the resistance when the light-emitting diode is turned on and smaller than the resistance when the light-emitting diode is turned off. Signal generation circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447683U JPS6061845U (en) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | Display and control signal generation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447683U JPS6061845U (en) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | Display and control signal generation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061845U JPS6061845U (en) | 1985-04-30 |
| JPH0238512Y2 true JPH0238512Y2 (en) | 1990-10-17 |
Family
ID=30341461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15447683U Granted JPS6061845U (en) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | Display and control signal generation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061845U (en) |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP15447683U patent/JPS6061845U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6061845U (en) | 1985-04-30 |
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