JPH0235415A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0235415A JPH0235415A JP63186529A JP18652988A JPH0235415A JP H0235415 A JPH0235415 A JP H0235415A JP 63186529 A JP63186529 A JP 63186529A JP 18652988 A JP18652988 A JP 18652988A JP H0235415 A JPH0235415 A JP H0235415A
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Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、人力装置付きの液晶表示装置に関する。
従来の技術
従来、この種の人力機能を持たせた液晶表示装置として
は、例えば特開昭６０−１８８２９号公報や特開昭６２
−８６３８２号公報に示されるものがある。これらは、
透明電極を持つ２枚の透明基板を対向させ、それらの接
触時の閉回路の位置を検出するタッチパネル型人力装置
付きの液晶表示装置である。
は、例えば特開昭６０−１８８２９号公報や特開昭６２
−８６３８２号公報に示されるものがある。これらは、
透明電極を持つ２枚の透明基板を対向させ、それらの接
触時の閉回路の位置を検出するタッチパネル型人力装置
付きの液晶表示装置である。
発明が解決しようとする問題点
ところが、この方式は基板に外圧を適用し、その変形に
よる電極同士の接触を利用するため、外圧が人力装置の
みならず、液晶表示体自身にも作用してしまう。この結
果、−時的な表示不良が発生し、はなはだしい場合には
回復不可能な障害を液晶表示体にもたらすこともある。
よる電極同士の接触を利用するため、外圧が人力装置の
みならず、液晶表示体自身にも作用してしまう。この結
果、−時的な表示不良が発生し、はなはだしい場合には
回復不可能な障害を液晶表示体にもたらすこともある。
また、これらの公報方式によれば、一般にマトリックス
方式を適用する場合には、閉回路内の電圧電流を求め、
或いは抵抗値等の所望の値に換算した後、これらの値を
適当なコンバータを用いてアナログ値からデジタル値に
変換し、求める入力データにすることになる。即ち、コ
ンバータによるＡ／Ｄ変換を必要とする。他の方法とし
て、タッチパネル内の全てのスイッチ回路を各々独立の
構成とし、キー形式の操作を行う方法がある。この方式
ではコンバータによるＡ／Ｄ変換は必要としないが、１
個のスイッチの物理的サイズが限定されてしまい、高密
度、高精細な入力を行わせることが困難である。
方式を適用する場合には、閉回路内の電圧電流を求め、
或いは抵抗値等の所望の値に換算した後、これらの値を
適当なコンバータを用いてアナログ値からデジタル値に
変換し、求める入力データにすることになる。即ち、コ
ンバータによるＡ／Ｄ変換を必要とする。他の方法とし
て、タッチパネル内の全てのスイッチ回路を各々独立の
構成とし、キー形式の操作を行う方法がある。この方式
ではコンバータによるＡ／Ｄ変換は必要としないが、１
個のスイッチの物理的サイズが限定されてしまい、高密
度、高精細な入力を行わせることが困難である。
問題点を解決するための手段
複数の電極群を備えた一対の透明基板間に液晶を封入挾
持させた液晶セルを設け、この液晶セル外の一面側に偏
光板を設けるとともに、他面側には５５００Å以上の波
長の電磁波を選択透過させるバンドパスフィルタ型の半
透過型反射偏光板を設け、さらに、この半透過型反射偏
光板外に配置されて非晶質シリコン又は非晶質ＧａＡｓ
或いは単結晶ＧａＡｓによる光センサをマトリックス状
に形成した２次元センサを設ける。
持させた液晶セルを設け、この液晶セル外の一面側に偏
光板を設けるとともに、他面側には５５００Å以上の波
長の電磁波を選択透過させるバンドパスフィルタ型の半
透過型反射偏光板を設け、さらに、この半透過型反射偏
光板外に配置されて非晶質シリコン又は非晶質ＧａＡｓ
或いは単結晶ＧａＡｓによる光センサをマトリックス状
に形成した２次元センサを設ける。
作用
２次元センサを構成する非晶質シリコン又は非晶質Ｇａ
Ａｓ或いは単結晶ＧａＡｓによる光センサは、可視域中
５０００Å以上〜赤外域２μｍまでの波長の光及び電磁
波に対して応答し得る。そこで、５５００Å以上の波長
の光源を用いて偏光板側から入射させると、このような
波長域の光は液晶セル及び５５００Å以上の波長の電磁
波を選択透過させるバンドパスフィルタ型の半透過型反
射偏光板を透過し、光センサにより受光検知される。つ
まり、光センサに対して非接触で人力させることができ
る。このような２次元センサにより検知された入力デー
タを液晶セルに出力させれば、表示させることもできる
。
Ａｓ或いは単結晶ＧａＡｓによる光センサは、可視域中
５０００Å以上〜赤外域２μｍまでの波長の光及び電磁
波に対して応答し得る。そこで、５５００Å以上の波長
の光源を用いて偏光板側から入射させると、このような
波長域の光は液晶セル及び５５００Å以上の波長の電磁
波を選択透過させるバンドパスフィルタ型の半透過型反
射偏光板を透過し、光センサにより受光検知される。つ
まり、光センサに対して非接触で人力させることができ
る。このような２次元センサにより検知された入力デー
タを液晶セルに出力させれば、表示させることもできる
。
実施例
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、複数の電極群を備えた一対の透明基板１゜２間に
液晶３を封入挾持させた液晶セル４が設けられ、この液
晶セル４の上面側に偏光板５を設け、下面側に半透過型
反射偏光板６とバンドパスフィルタ７とが設けられ、液
晶表示素子８が構成されている。
液晶３を封入挾持させた液晶セル４が設けられ、この液
晶セル４の上面側に偏光板５を設け、下面側に半透過型
反射偏光板６とバンドパスフィルタ７とが設けられ、液
晶表示素子８が構成されている。
より具体的には、まず、上側の偏光板５には例えば王立
電機株式会社製のニュートラルグレイＬ−８２−１８５
（単体透過率４３％、偏光度９５％）が用いられている
。また、透明基板１，２には一軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフイルム上に酸化インジウムにスズを配合し
たＩＴ○膜を形成し、パターン化シテストライプ状の透
明電極（電極幅３４０μｍ、’＋を極間ギャップ４０μ
ｍ）なる電極群を持つ高分子フィルム基板である。透明
基板１側が走査電極を有し、透明基板２側が信号電極を
有する。液晶３にはチッソ株式会社製のＲ４０００なる
ＳＴＮ用の液晶が用いられている。
電機株式会社製のニュートラルグレイＬ−８２−１８５
（単体透過率４３％、偏光度９５％）が用いられている
。また、透明基板１，２には一軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフイルム上に酸化インジウムにスズを配合し
たＩＴ○膜を形成し、パターン化シテストライプ状の透
明電極（電極幅３４０μｍ、’＋を極間ギャップ４０μ
ｍ）なる電極群を持つ高分子フィルム基板である。透明
基板１側が走査電極を有し、透明基板２側が信号電極を
有する。液晶３にはチッソ株式会社製のＲ４０００なる
ＳＴＮ用の液晶が用いられている。
半透過型反射偏光板６には例えば王立電機株式会社製の
Ｌ−８２−１８ＷＴ （単体透過率４３％、偏光度８５
％）が用いられている。さらに、バンドパスフィルタ７
として半透過型反射偏光板６の裏面（反射面とは反対側
の面）に５５００Å以上の波長を持つ電磁波を９０％程
度透過させ、かつ、５５００Ａ以下の波長の光の透過率
を１０％程度にする性能を持つフィルムが配置されてい
る。このような構造からなる液晶表示素子８は、１２８
Ｘ２５６ドツト、Ｌ／１２８デユーティの５ＴＮ（スー
パーツィステッドネマティック）方式のイエローモード
として構成されている。
Ｌ−８２−１８ＷＴ （単体透過率４３％、偏光度８５
％）が用いられている。さらに、バンドパスフィルタ７
として半透過型反射偏光板６の裏面（反射面とは反対側
の面）に５５００Å以上の波長を持つ電磁波を９０％程
度透過させ、かつ、５５００Ａ以下の波長の光の透過率
を１０％程度にする性能を持つフィルムが配置されてい
る。このような構造からなる液晶表示素子８は、１２８
Ｘ２５６ドツト、Ｌ／１２８デユーティの５ＴＮ（スー
パーツィステッドネマティック）方式のイエローモード
として構成されている。
そして、このような液晶表示素子８の下面、即ちバンド
パスフィルタ７側には２次元センサ９が設けられている
。この２次元センサ９は例えば第２図に示すように画素
１０による４ドツト当りに１個の光センサ１１をマトリ
ックス状に形成したものである。これは、入力１データ
の表示（ｌドツト分）を液晶表示素子８上の４ドツトに
より行うことにより、入力データの強調を図り、他の画
像データとの区別を視覚的に行う目的を持つ。勿論、表
示素子の１ドツト当り１個の光センサ１１を設けること
も可能である。第２図では、破線枠１２で囲まれた４ド
ツト分の画素１０とその中央の斜線を施して示す１個の
光センサ１１とが対応する。ここに、光センサ１１に対
してはＸ電極１３、Ｙ電極１４がマトリックス状に形成
されている。これらの電極１３．１４は膜厚１０００人
のＩＴＯ上にＣｒ、ＡＱ、或いはＡＱ−Ａｕ合金を真空
蒸着法、スパッタリング法を用いて膜厚１０００人に形
成し、マトリックス状にパターン化したものである。こ
の際、斜線で示す光センサ１１はＩＴ○のみにより構成
されている。ＩＴＯ透明電極は、入射してくる電磁波の
透過率を高めるためのものであり、その上部に形成され
た金属電極は電極抵抗による信号電圧の減衰を極力少な
くするために設けられる。
パスフィルタ７側には２次元センサ９が設けられている
。この２次元センサ９は例えば第２図に示すように画素
１０による４ドツト当りに１個の光センサ１１をマトリ
ックス状に形成したものである。これは、入力１データ
の表示（ｌドツト分）を液晶表示素子８上の４ドツトに
より行うことにより、入力データの強調を図り、他の画
像データとの区別を視覚的に行う目的を持つ。勿論、表
示素子の１ドツト当り１個の光センサ１１を設けること
も可能である。第２図では、破線枠１２で囲まれた４ド
ツト分の画素１０とその中央の斜線を施して示す１個の
光センサ１１とが対応する。ここに、光センサ１１に対
してはＸ電極１３、Ｙ電極１４がマトリックス状に形成
されている。これらの電極１３．１４は膜厚１０００人
のＩＴＯ上にＣｒ、ＡＱ、或いはＡＱ−Ａｕ合金を真空
蒸着法、スパッタリング法を用いて膜厚１０００人に形
成し、マトリックス状にパターン化したものである。こ
の際、斜線で示す光センサ１１はＩＴ○のみにより構成
されている。ＩＴＯ透明電極は、入射してくる電磁波の
透過率を高めるためのものであり、その上部に形成され
た金属電極は電極抵抗による信号電圧の減衰を極力少な
くするために設けられる。
ここに、光センサ１１のより具体的な構成を、破線枠１
２対応の１個分のみを示す第３図により説明する。この
先センサ１１の光導電部１５にはＣＶＤ法により厚さ１
５００人に薄膜化したアモルファスシリコンａ−３Ｌが
用いられ、これをコーニング社製の７０５９ガラス（厚
さ１ｍｍ）上に前記Ｘ電極１３を形成した基板１６上に
作製し、Ｓｉｎ、絶縁膜１７を膜厚１５００人に形成し
、光導電部１５上Ｓｉ○２ 膜をケミカルエツチングに
より除去し、コンタクトホールを形成した後、Ｘ電極１
３と同様の製法でＹ＠電極１４形成する。
２対応の１個分のみを示す第３図により説明する。この
先センサ１１の光導電部１５にはＣＶＤ法により厚さ１
５００人に薄膜化したアモルファスシリコンａ−３Ｌが
用いられ、これをコーニング社製の７０５９ガラス（厚
さ１ｍｍ）上に前記Ｘ電極１３を形成した基板１６上に
作製し、Ｓｉｎ、絶縁膜１７を膜厚１５００人に形成し
、光導電部１５上Ｓｉ○２ 膜をケミカルエツチングに
より除去し、コンタクトホールを形成した後、Ｘ電極１
３と同様の製法でＹ＠電極１４形成する。
Ｘ電極１３及びＹ電極１４と半導体層（光導電部１５）
とはオーミックコンタクトをもって接合している。
とはオーミックコンタクトをもって接合している。
また、第４図（ａ）に示すように、光導電部１５をアモ
ルファスシリコンで形成する際に、ポジティブ及びネガ
ティブのイオン注入を行い、Ｐ−Ｎジャンクションを設
け、光センサ１１をフォトダイオード構造としてもよい
。或いは、第４図（Ｃ）に示すようにＰ−Ｉ−Ｎ接合の
アモルファスシリコンを用いて光センサ１１を太陽電池
構造とし、その起電力を増幅して信号電圧とするように
してもよい。
ルファスシリコンで形成する際に、ポジティブ及びネガ
ティブのイオン注入を行い、Ｐ−Ｎジャンクションを設
け、光センサ１１をフォトダイオード構造としてもよい
。或いは、第４図（Ｃ）に示すようにＰ−Ｉ−Ｎ接合の
アモルファスシリコンを用いて光センサ１１を太陽電池
構造とし、その起電力を増幅して信号電圧とするように
してもよい。
さらには、光センサ１１用の半導体光導電材料としては
、非晶質又は単結晶のＧａＡｓであってもよい。
、非晶質又は単結晶のＧａＡｓであってもよい。
このような構成の液晶表示装置において、５５００Å以
上の波長を持つ入力光源が液晶表示素子４上面（＋’！
Ｉ＋ （偏光板５側）に設けられ、その人力光が液晶表
示素子４に対して入力される。これに対し、光センサ１
１は可視域中５０００Å以上赤外域２μｍまでの波長の
光及び電磁波に応答するものである。そこで、このよう
な波長域の入射光源から入力情報を光入力させることに
より液晶表示素子４部分は透過して光センサ１１に受光
検出され、その人力データが２次元センサ９として２次
元で把握される。そして、このような２次元センサ６に
より検知された人力データを液晶表示素子４に出力させ
ることにより、可視出力として表示させることができる
。これらは液晶表示装置８にあっては、下側の偏光板と
してバンドパスフィルタ７付きの半透過型反射偏光板６
を用い、５５００人以上の波長の電磁波を選択透過させ
るようにしたことによるものである。このようにして、
非接触入力可能な液晶表示装置とし得る。
上の波長を持つ入力光源が液晶表示素子４上面（＋’！
Ｉ＋ （偏光板５側）に設けられ、その人力光が液晶表
示素子４に対して入力される。これに対し、光センサ１
１は可視域中５０００Å以上赤外域２μｍまでの波長の
光及び電磁波に応答するものである。そこで、このよう
な波長域の入射光源から入力情報を光入力させることに
より液晶表示素子４部分は透過して光センサ１１に受光
検出され、その人力データが２次元センサ９として２次
元で把握される。そして、このような２次元センサ６に
より検知された人力データを液晶表示素子４に出力させ
ることにより、可視出力として表示させることができる
。これらは液晶表示装置８にあっては、下側の偏光板と
してバンドパスフィルタ７付きの半透過型反射偏光板６
を用い、５５００人以上の波長の電磁波を選択透過させ
るようにしたことによるものである。このようにして、
非接触入力可能な液晶表示装置とし得る。
勿論、外部処理装置に出力させることもできる。
このような人力光源としては、５５００Å以上の波長を
持つ光源であれば有効であり、具体的には近赤外域光源
（半導体レーザ波長８３００Ａ及び７８ｏＯ人）が使用
される。
持つ光源であれば有効であり、具体的には近赤外域光源
（半導体レーザ波長８３００Ａ及び７８ｏＯ人）が使用
される。
第４図はこのような液晶表示装置を用いた人出力構成を
示すブロック図である。まず、通常の画像信号はＣＰＵ
２０より画像ＯＲ回路２１を経て液晶表示素子コントロ
ーラ２２に入力され、各々コモンドライバ２３、セグメ
ントドライバ２４を経由して液晶表示素子８に至る。こ
の時、２次元センサ９に入力光源２５を用いて人力する
と、光センサパネルコントローラ２６に人力データが転
送され、このコントローラ２６内で画像データに変換さ
れる。この際、第２図で説明したように、入力データ１
ビツトに対し２×２の４ビット分がコントローラ２６か
らの出力となる。さらに、画像ＯＲ回路２１内でＣＰＵ
２０から転送されてくる画像データに加算され、これら
２つの画像情報が１画面分の画像データとして液晶表示
素子コントローラ２２に転送され、コモン、セグメント
ドライバ２３．２４を経て液晶表示素子８を駆動させ表
示されるに至る。なお、駆動電源２７は液晶表示素子コ
ントローラ２２用としてはＶＤＤ、ＶＥＥ、ＶＳＳ、バ
イアス電圧用としては■１、■よ、■８、光センサパネ
ルコントローラ２６用としてはＶＤＤ、ＶＥＥ、■１
を各々供゛給するものである。
示すブロック図である。まず、通常の画像信号はＣＰＵ
２０より画像ＯＲ回路２１を経て液晶表示素子コントロ
ーラ２２に入力され、各々コモンドライバ２３、セグメ
ントドライバ２４を経由して液晶表示素子８に至る。こ
の時、２次元センサ９に入力光源２５を用いて人力する
と、光センサパネルコントローラ２６に人力データが転
送され、このコントローラ２６内で画像データに変換さ
れる。この際、第２図で説明したように、入力データ１
ビツトに対し２×２の４ビット分がコントローラ２６か
らの出力となる。さらに、画像ＯＲ回路２１内でＣＰＵ
２０から転送されてくる画像データに加算され、これら
２つの画像情報が１画面分の画像データとして液晶表示
素子コントローラ２２に転送され、コモン、セグメント
ドライバ２３．２４を経て液晶表示素子８を駆動させ表
示されるに至る。なお、駆動電源２７は液晶表示素子コ
ントローラ２２用としてはＶＤＤ、ＶＥＥ、ＶＳＳ、バ
イアス電圧用としては■１、■よ、■８、光センサパネ
ルコントローラ２６用としてはＶＤＤ、ＶＥＥ、■１
を各々供゛給するものである。
発明の効果
本発明は、上述したように複数の電極群を備えた一対の
透明基板間に液晶を封入挾持させた液晶セルを設け、こ
の液晶セル外の一面側に偏光板を設けるとともに、他面
側には５５００Å以上の波長の電磁波を選択透過させる
バンドパスフィルタ型の半透過型反射偏光板を設け、さ
らに、この半透過型反射偏光板外に配置されて非晶質シ
リコン又は非晶質ＧａＡｓ或いは単結晶ＧａＡｓによる
光センサをマトリックス状に形成した２次元センサを設
けたので、光センサに特定波長域の光に対する応答性を
持たせるとともに、半透過型反射偏光板によりこのよう
な特定波長域の光のみを透過させることができ、よって
、液晶セルの偏光板側に対して５５００Å以上の波長の
光源を用いて光入力させることにより２次元センサで検
知する非接触入力機能を持たせることができ、その入力
データを液晶表示させること゛も外部処理装置へ出力さ
せることもできるものである。
透明基板間に液晶を封入挾持させた液晶セルを設け、こ
の液晶セル外の一面側に偏光板を設けるとともに、他面
側には５５００Å以上の波長の電磁波を選択透過させる
バンドパスフィルタ型の半透過型反射偏光板を設け、さ
らに、この半透過型反射偏光板外に配置されて非晶質シ
リコン又は非晶質ＧａＡｓ或いは単結晶ＧａＡｓによる
光センサをマトリックス状に形成した２次元センサを設
けたので、光センサに特定波長域の光に対する応答性を
持たせるとともに、半透過型反射偏光板によりこのよう
な特定波長域の光のみを透過させることができ、よって
、液晶セルの偏光板側に対して５５００Å以上の波長の
光源を用いて光入力させることにより２次元センサで検
知する非接触入力機能を持たせることができ、その入力
データを液晶表示させること゛も外部処理装置へ出力さ
せることもできるものである。
Ｊ、ｌ 図
第１図は本発明の一実施例を示し、第１図は基本構成を
示す断面図、第２図は光センサ配列を示す概略平面図、
第３図はより具体的構成を示す断面図、第４図は光セン
サの変形例を示す断面図、第５図は入出力構成を示すブ
ロック図である。 １．２・・・透明基板、３・・・液晶、４・・・液晶セ
ル、５・・・偏光板、６・・・半透過型反射偏光板、７
・・・バンドパスフィルタ、９・・・２次元センサ、１
１・・・光センサ
示す断面図、第２図は光センサ配列を示す概略平面図、
第３図はより具体的構成を示す断面図、第４図は光セン
サの変形例を示す断面図、第５図は入出力構成を示すブ
ロック図である。 １．２・・・透明基板、３・・・液晶、４・・・液晶セ
ル、５・・・偏光板、６・・・半透過型反射偏光板、７
・・・バンドパスフィルタ、９・・・２次元センサ、１
１・・・光センサ
Claims (1)
- 複数の電極群を備えた一対の透明基板間に液晶を封入挾
持させた液晶セルと、この液晶セル外の一面側に位置さ
せた偏光板と、前記液晶セル外の他面側に位置して５５
００Å以上の波長の電磁波を選択透過させるバンドパス
フィルタ型の半透過型反射偏光板と、この半透過型反射
偏光板外に配置されて非晶質シリコン又は非晶質ＧａＡ
ｓ或いは単結晶ＧａＡｓによる光センサをマトリックス
状に形成した２次元センサとからなることを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63186529A JPH0235415A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63186529A JPH0235415A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235415A true JPH0235415A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16190091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63186529A Pending JPH0235415A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993011615A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recepteur de signal et procede de reception de signal |
| WO1999004315A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
| JP2005266007A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像表示媒体および画像表示装置 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63186529A patent/JPH0235415A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993011615A1 (fr) * | 1991-11-29 | 1993-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recepteur de signal et procede de reception de signal |
| WO1999004315A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides |
| US6646697B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-11-11 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP2005266007A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像表示媒体および画像表示装置 |
| JP4645048B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2011-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像表示媒体および画像表示装置 |
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