JPH0233964A - 半導体装置の組立体 - Google Patents
半導体装置の組立体Info
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- JPH0233964A JPH0233964A JP18402588A JP18402588A JPH0233964A JP H0233964 A JPH0233964 A JP H0233964A JP 18402588 A JP18402588 A JP 18402588A JP 18402588 A JP18402588 A JP 18402588A JP H0233964 A JPH0233964 A JP H0233964A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば大電力用の半導体素子を備えた半導体
装置の組立体に関する。
装置の組立体に関する。
第2図はこの種半導体装置の組立体を示す構成図であり
、このうち、第2図(a)は平面図、第2図(b)は第
2図(a)のA−B線に沿っての断面図である。図にお
いて、1は圧接形のダイオード素子、2はダイオード素
子1と積層されるスペーサであり銅などの金属部材から
なる。平板陰極端子3及び平板陽極端子4は積層されて
いるダイオド索子1とスペーサ2とをはさみこんでいる
。5および6はダイオード素子1を電気的に外部から絶
縁するための絶縁板である。絶縁板5は絶縁が良好であ
ることに加え、通電中にダイオード素子1内部から発生
する熱を効率よく金属ブロック7に伝えるために良好な
熱伝導性を右する必要がある。金属ブロック7は銅また
アルミニウムなどの金属からなっており、熱を外気に放
熱する役目をする。
、このうち、第2図(a)は平面図、第2図(b)は第
2図(a)のA−B線に沿っての断面図である。図にお
いて、1は圧接形のダイオード素子、2はダイオード素
子1と積層されるスペーサであり銅などの金属部材から
なる。平板陰極端子3及び平板陽極端子4は積層されて
いるダイオド索子1とスペーサ2とをはさみこんでいる
。5および6はダイオード素子1を電気的に外部から絶
縁するための絶縁板である。絶縁板5は絶縁が良好であ
ることに加え、通電中にダイオード素子1内部から発生
する熱を効率よく金属ブロック7に伝えるために良好な
熱伝導性を右する必要がある。金属ブロック7は銅また
アルミニウムなどの金属からなっており、熱を外気に放
熱する役目をする。
8は加圧用バネ、9は加圧用バネ8の圧力を絶縁板6に
伝え、平板陽極端子4.スペーサ2.ダイオード素子1
.平板陰極端子3.絶縁板5.金属ブロック7を圧接す
るための押し当て金属ブロツクである。10は加圧用バ
ネ8による加圧を保持するための金属プレート、11は
金属プレート10を固定するための加圧締付用ボルト、
11aは金属ブロック7にねじ込まれた加圧締付用ボル
ト11のねじ部、12は上記に示した各素子1部品を収
納するためのケース、13はケース12のM′cある。
伝え、平板陽極端子4.スペーサ2.ダイオード素子1
.平板陰極端子3.絶縁板5.金属ブロック7を圧接す
るための押し当て金属ブロツクである。10は加圧用バ
ネ8による加圧を保持するための金属プレート、11は
金属プレート10を固定するための加圧締付用ボルト、
11aは金属ブロック7にねじ込まれた加圧締付用ボル
ト11のねじ部、12は上記に示した各素子1部品を収
納するためのケース、13はケース12のM′cある。
ケース12および蓋13はプラスチックなどの樹脂によ
り形成される。14は組立体の取り付は用の穴である。
り形成される。14は組立体の取り付は用の穴である。
従来の半導体装置の組立体は以上のように構成され、ダ
イオード素子1の内部から発生する熱は絶縁板5を介し
て金属ゾロツク7に伝えられ外部に放熱させるようにし
ている。そのため、ダイオード素子1の冷却効率をより
向トさせ、ひいてはダイオード素子1の通電能力を高め
るためには、金属ブロック7の外気に接触する面積を広
くする必要がある。その−手段として金属ブロック7の
平面に、1′3Eノる縦と横の寸法を大きくすることが
考えられるが、この方法では、装置自体が大型化すると
いう問題点があった。
イオード素子1の内部から発生する熱は絶縁板5を介し
て金属ゾロツク7に伝えられ外部に放熱させるようにし
ている。そのため、ダイオード素子1の冷却効率をより
向トさせ、ひいてはダイオード素子1の通電能力を高め
るためには、金属ブロック7の外気に接触する面積を広
くする必要がある。その−手段として金属ブロック7の
平面に、1′3Eノる縦と横の寸法を大きくすることが
考えられるが、この方法では、装置自体が大型化すると
いう問題点があった。
さらに上記に述べたダイオード素子1の通電能力の向上
を図ることは別に、装置自体の小型化を図る上で、従来
の半導体装置の組立体では、ケース12内部に加圧締付
用ボルト11を設けているために、ケース12を高さ方
向および横方向に小さくする上で、加圧締付用ボルト1
1が弊害となるという問題点があった。
を図ることは別に、装置自体の小型化を図る上で、従来
の半導体装置の組立体では、ケース12内部に加圧締付
用ボルト11を設けているために、ケース12を高さ方
向および横方向に小さくする上で、加圧締付用ボルト1
1が弊害となるという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
ちので、半導体素子の冷却効率を向上させつつ装置の小
型化を図ることができる半導体装置の組立体を提供する
ことを目的とする。
ちので、半導体素子の冷却効率を向上させつつ装置の小
型化を図ることができる半導体装置の組立体を提供する
ことを目的とする。
この発明に係る半導体装置の組立体は、上方が問いた筺
体形状の金属ケースと、前記金属ケース内に積層される
半導体素子および平板電極と、前記積層された前記半導
体素子と前記平板電極を1方より一方側で押圧し、前記
金属ケース内の前記半導体素子と前記平板電極を加圧積
層させる押圧部材と、前記押圧部材の他方端を上方から
位置規制するためのプレートど、前記プレートを前記金
属ケースの側壁に固定する固定部材とを備えた構成とし
ている。
体形状の金属ケースと、前記金属ケース内に積層される
半導体素子および平板電極と、前記積層された前記半導
体素子と前記平板電極を1方より一方側で押圧し、前記
金属ケース内の前記半導体素子と前記平板電極を加圧積
層させる押圧部材と、前記押圧部材の他方端を上方から
位置規制するためのプレートど、前記プレートを前記金
属ケースの側壁に固定する固定部材とを備えた構成とし
ている。
この発明においては、ケースを金属ケースにしたので、
半導体素子から発生した熱は金属ケースの底面及び側面
を介して放熱される。また、押圧部材を上方から位置規
制するプレートを固定する固定部材を金属ケース内でな
く金属ケースの側壁に設けたので、金属ケース内のスペ
ースが固定手段により制限されることはない。
半導体素子から発生した熱は金属ケースの底面及び側面
を介して放熱される。また、押圧部材を上方から位置規
制するプレートを固定する固定部材を金属ケース内でな
く金属ケースの側壁に設けたので、金属ケース内のスペ
ースが固定手段により制限されることはない。
第1図は、この発明に係る半導体装置の組立体の一実施
例を示す構成図であり、このうち第1図(a)は平面図
を示し、第1図(b)は第1図(a)の(、−D線に沿
っての断面図、第1図(C)は第1図(a)のE−F線
に沿っての断面図である。第2図の示した従来例との相
違点は蓋13をなくしケース15全体を金属により構成
したこと、および加圧締付用ボルト11をケース15内
部ではなく、ケース15の開口部外周にねじ込むように
したことである。なお、金属ケース15の間口部を金属
プレー1〜10により完全には覆っていないのは、平板
陰極端子3と平板陽極端子4がショートしないようにす
るためである。
例を示す構成図であり、このうち第1図(a)は平面図
を示し、第1図(b)は第1図(a)の(、−D線に沿
っての断面図、第1図(C)は第1図(a)のE−F線
に沿っての断面図である。第2図の示した従来例との相
違点は蓋13をなくしケース15全体を金属により構成
したこと、および加圧締付用ボルト11をケース15内
部ではなく、ケース15の開口部外周にねじ込むように
したことである。なお、金属ケース15の間口部を金属
プレー1〜10により完全には覆っていないのは、平板
陰極端子3と平板陽極端子4がショートしないようにす
るためである。
図において、金属ケース15は、従来の半導体装置の組
立体で用いていた金属ブロック7およびケース12の機
能、すなわちダイオード素子1の冷却のための機能およ
びダイオード素子1等を収納するための機能を合わせ持
つ。16は金属ケース15の開口部外周に設【づられた
加圧締付用ボルト11をねじ込むことができるねじ穴で
ある。その仙の構成は従来と同様である。
立体で用いていた金属ブロック7およびケース12の機
能、すなわちダイオード素子1の冷却のための機能およ
びダイオード素子1等を収納するための機能を合わせ持
つ。16は金属ケース15の開口部外周に設【づられた
加圧締付用ボルト11をねじ込むことができるねじ穴で
ある。その仙の構成は従来と同様である。
このように構成された半導体装置の組立体においては、
ダイオード素子1の通電によって発生する熱が絶縁板5
を介して金属ケース15に伝わり、さらにその熱が金属
ケース15の底面および側面から放熱される。従って、
金属ケース15の低面積が従来例で示した金属ブロック
7(第2図参照)と同一であれば、その放熱量は金属ケ
ース15の側部分だけ多くなり、従来のものに比ベダイ
オード累子1の通電能力は向上する。さらに、加圧締付
用ボルト11を金属ケース15の内部に設けないで、ね
じ穴16を金属ケース15の開口部外周に設は加圧締付
用ボルト11を金属ケース15の外側に設けるようにし
たので、加圧締付用ボルト11に制限されることなく装
置の小型化を図ることができる。また、従来用いられて
いたケース12および若13は、金属ケース15および
金属プレート10によって代用することができるので不
用となり、その弁部品数も減少させることができるとい
った利点もある。
ダイオード素子1の通電によって発生する熱が絶縁板5
を介して金属ケース15に伝わり、さらにその熱が金属
ケース15の底面および側面から放熱される。従って、
金属ケース15の低面積が従来例で示した金属ブロック
7(第2図参照)と同一であれば、その放熱量は金属ケ
ース15の側部分だけ多くなり、従来のものに比ベダイ
オード累子1の通電能力は向上する。さらに、加圧締付
用ボルト11を金属ケース15の内部に設けないで、ね
じ穴16を金属ケース15の開口部外周に設は加圧締付
用ボルト11を金属ケース15の外側に設けるようにし
たので、加圧締付用ボルト11に制限されることなく装
置の小型化を図ることができる。また、従来用いられて
いたケース12および若13は、金属ケース15および
金属プレート10によって代用することができるので不
用となり、その弁部品数も減少させることができるとい
った利点もある。
なお、上記実施例においては、半導体素子どしてダイオ
ード素子1を示したが、ダイオード素子1の代わりに一
般のサイリスタ素子および、GT○す゛イリスタ素子、
またはトランジスタ素子であっても」二記実施例と同様
の効果が得られる。
ード素子1を示したが、ダイオード素子1の代わりに一
般のサイリスタ素子および、GT○す゛イリスタ素子、
またはトランジスタ素子であっても」二記実施例と同様
の効果が得られる。
また上記実施例では加圧締付用ボルト11をねじ込むね
じ穴16を金属ケース15の開口部外周に設けたが、側
壁であればどこに設けてもよく、この場合も上記実施例
と同様、加圧締付用ポル1〜11により装置の小型化が
妨げられることがないという効果がある。
じ穴16を金属ケース15の開口部外周に設けたが、側
壁であればどこに設けてもよく、この場合も上記実施例
と同様、加圧締付用ポル1〜11により装置の小型化が
妨げられることがないという効果がある。
また、加圧用バネ10、加圧締付用ボルト11を金属に
し、絶縁板6を絶縁板5ど同様、良好な熱伝導性を有す
るようにすると、ダイオード素子1で発生した熱は絶縁
板6→押し当て金属ブロック9→加圧用バネ8→金属プ
レート10→加圧締付用ポル1〜11の経路でも放熱さ
れ、さらにダイオード素子1の冷却能力が向−ト4る。
し、絶縁板6を絶縁板5ど同様、良好な熱伝導性を有す
るようにすると、ダイオード素子1で発生した熱は絶縁
板6→押し当て金属ブロック9→加圧用バネ8→金属プ
レート10→加圧締付用ポル1〜11の経路でも放熱さ
れ、さらにダイオード素子1の冷却能力が向−ト4る。
(発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、半導体素子から発
生ずる熱を大気中に放熱させるのに、金属ケースを用い
たので、熱が金属ケースの底面からだけでなく側面から
1:)放熱され、その結果従来に比し半導体素子の通電
能力を向上させつつ装置の小型化が図れるという効果が
ある。
生ずる熱を大気中に放熱させるのに、金属ケースを用い
たので、熱が金属ケースの底面からだけでなく側面から
1:)放熱され、その結果従来に比し半導体素子の通電
能力を向上させつつ装置の小型化が図れるという効果が
ある。
また、押圧部材の他方端を−F方から位置規制するため
のプレートを固定する固定部材を金属ケースの側壁に設
置プだので、固定部材に制限されることなく装置の小型
化を図ることができるという効果がある。
のプレートを固定する固定部材を金属ケースの側壁に設
置プだので、固定部材に制限されることなく装置の小型
化を図ることができるという効果がある。
第1図はこの発明に係る半導体装置の組立体の構成を示
す構成図、第2図は従来の半導体装置の@1立体の構成
を示寸構成図である。 図において、1はダイオード素子、3は平板陰極端子、
4は平板陽極端子、8は加圧用バネ、10は金属プレー
1−111は加圧締付用ボルト、15は金属ケース、1
6はねじ穴である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を小づ。 第1図
す構成図、第2図は従来の半導体装置の@1立体の構成
を示寸構成図である。 図において、1はダイオード素子、3は平板陰極端子、
4は平板陽極端子、8は加圧用バネ、10は金属プレー
1−111は加圧締付用ボルト、15は金属ケース、1
6はねじ穴である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を小づ。 第1図
Claims (1)
- (1)上方が開いた筺体形状の金属ケースと、前記金属
ケース内に積層される半導体素子および平板電極と、 前記積層された前記半導体素子と前記平板電極を上方よ
り一方側で押圧し、前記金属ケース内の前記半導体素子
と前記平板電極を加圧積層させる押圧部材と、 前記押圧部材の他方端を上方から位置規制するためのプ
レートと、 前記プレートを前記金属ケースの側壁に固定する固定部
材とを備えた半導体装置の組立体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18402588A JPH0233964A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体装置の組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18402588A JPH0233964A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体装置の組立体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0233964A true JPH0233964A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16146031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18402588A Pending JPH0233964A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体装置の組立体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0233964A (ja) |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP18402588A patent/JPH0233964A/ja active Pending
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