JPH02308579A - 光伝送モジュール - Google Patents
光伝送モジュールInfo
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- JPH02308579A JPH02308579A JP1128771A JP12877189A JPH02308579A JP H02308579 A JPH02308579 A JP H02308579A JP 1128771 A JP1128771 A JP 1128771A JP 12877189 A JP12877189 A JP 12877189A JP H02308579 A JPH02308579 A JP H02308579A
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- thin film
- optical transmission
- transmission module
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Landscapes
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- Optical Communication System (AREA)
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- Led Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光ダイオード、発光ダイオード駆動集積回
路、フォトダイオード、受信増幅器集積回路を一体化し
た光伝送モジュールに係り、特に送受動作時のクロスト
ーク、送信漏話の少ない実装手段の改良延関する。
路、フォトダイオード、受信増幅器集積回路を一体化し
た光伝送モジュールに係り、特に送受動作時のクロスト
ーク、送信漏話の少ない実装手段の改良延関する。
〔従来の技術］
第４図は送信部である発光ダイオード（以下ＬＥＤと略
す）およびＬＥＤ駆動回路のブロック図である。４１は
入力バッファ回路（波形整形回路）、４２はＬＥＤ駆動
回路、４３は第１の定電流源基準電圧発生回路、４４は
第２の定電流源基準電圧発生回路、４５はＬ Ｅ Ｄ、
４０１．４０２は正電源端子、４０３゜４０４は負電
源端子、４１１は信号入力、端子、４１２は出力遮断端
子、４１３．４１４は信号入力基準電圧調整端子、４１
５は大カバ・ンファ電圧モニタ端子、４２１゜４２２は
ＬＥＤ信号出力端子、４２３．４２４はモニタ信号端子
、４２５．４２６は電流源接続端子、４３１は内部回路
定電流源調整端子、４３２．４４１はＬＥＤ駆動定電流
基準電圧端子である。
す）およびＬＥＤ駆動回路のブロック図である。４１は
入力バッファ回路（波形整形回路）、４２はＬＥＤ駆動
回路、４３は第１の定電流源基準電圧発生回路、４４は
第２の定電流源基準電圧発生回路、４５はＬ Ｅ Ｄ、
４０１．４０２は正電源端子、４０３゜４０４は負電
源端子、４１１は信号入力、端子、４１２は出力遮断端
子、４１３．４１４は信号入力基準電圧調整端子、４１
５は大カバ・ンファ電圧モニタ端子、４２１゜４２２は
ＬＥＤ信号出力端子、４２３．４２４はモニタ信号端子
、４２５．４２６は電流源接続端子、４３１は内部回路
定電流源調整端子、４３２．４４１はＬＥＤ駆動定電流
基準電圧端子である。
実際には、第４図に示した構成要素を集積化し基板上に
実装される。第５図に実装図を示す。５１は、第３図に
て説明した入カバッファ回路ＬＥＤ駆動回路４１５、第
１のおよび第２の定電流源基準電圧発生回路４３．４４
で構成される送信部集積回路であり、２はＬＥＤ駆動用
の小型トランジスタである。
実装される。第５図に実装図を示す。５１は、第３図に
て説明した入カバッファ回路ＬＥＤ駆動回路４１５、第
１のおよび第２の定電流源基準電圧発生回路４３．４４
で構成される送信部集積回路であり、２はＬＥＤ駆動用
の小型トランジスタである。
また同図上の集積回路の端子番号は第３図のそれと同一
である。
である。
第６図は、受信部であるフォトダイオード（以下ＰＤと
略す）および受信増幅器のブロック図である。６１はＰ
Ｄ、６２は前置増幅器、６３は主増幅器、６４はＥＣＬ
バッファ、６５は第１の定電圧源、６６は第２の定電圧
源、６７はオフセット補償回路、６８は出力ラッチ回路
、６９は入力断検出回路、６０１は人力断検出レベル調
整端子、６０２．６０３．６１４は正電源端子、６０４
は正相信号出力、６０５は逆相信号出力、６０６は入力
断検出出力端子、６０７は出力ラッチ信号入力端子、６
０８．６１８は定電圧源出力端子、６０９、６１０はオ
フセット補償回路、積分器出力端子、６１１、６１２は
負電源端子、６１３は信号入力端子、６１５は前置増幅
器出力端子、６１６．６１７は主増幅器入力端子、６１
９．６２０は入力断検出回路、積分器出力である。
略す）および受信増幅器のブロック図である。６１はＰ
Ｄ、６２は前置増幅器、６３は主増幅器、６４はＥＣＬ
バッファ、６５は第１の定電圧源、６６は第２の定電圧
源、６７はオフセット補償回路、６８は出力ラッチ回路
、６９は入力断検出回路、６０１は人力断検出レベル調
整端子、６０２．６０３．６１４は正電源端子、６０４
は正相信号出力、６０５は逆相信号出力、６０６は入力
断検出出力端子、６０７は出力ラッチ信号入力端子、６
０８．６１８は定電圧源出力端子、６０９、６１０はオ
フセット補償回路、積分器出力端子、６１１、６１２は
負電源端子、６１３は信号入力端子、６１５は前置増幅
器出力端子、６１６．６１７は主増幅器入力端子、６１
９．６２０は入力断検出回路、積分器出力である。
実際には、第６図に示した構成要素を集積化し基板上に
実装される。第７図に実装図を示す。７１は、第６図に
て説明した前置増幅器６２、主増幅器６３、ＥＣＬバッ
ファ６４、オフセット補償回路６７、出力ラッチ回路６
８、入力断検出回路６９、第１および第２の定電圧源６
５．６６で構成される受信部集積回路である。同図上の
集積回路の端子番号は、第６図に示す各端子の下２桁の
番号と同じである。
実装される。第７図に実装図を示す。７１は、第６図に
て説明した前置増幅器６２、主増幅器６３、ＥＣＬバッ
ファ６４、オフセット補償回路６７、出力ラッチ回路６
８、入力断検出回路６９、第１および第２の定電圧源６
５．６６で構成される受信部集積回路である。同図上の
集積回路の端子番号は、第６図に示す各端子の下２桁の
番号と同じである。
第８図は、第４図、第５図に示した集積化送信部と第６
図、第７図に示した集積化受信部とを一体化した光伝送
モジュールの断面図を示す。８１は受信部集積回路、８
２は送信部集積回路、８３は受信部集積回路設置用基板
、８４は送信部集積回路設置用基板、８５は遮へい板、
８６はケースである。受信部集積回路８１と送信部集積
回路８２とを電気的に分離するために、銅箔のような遮
へい板８５を設けている。
図、第７図に示した集積化受信部とを一体化した光伝送
モジュールの断面図を示す。８１は受信部集積回路、８
２は送信部集積回路、８３は受信部集積回路設置用基板
、８４は送信部集積回路設置用基板、８５は遮へい板、
８６はケースである。受信部集積回路８１と送信部集積
回路８２とを電気的に分離するために、銅箔のような遮
へい板８５を設けている。
また、ＬＥＤ４５を接続するパターンとＰＤ６１を接続
するパターンをできる限り離すようにし、受信部集積回
路８１と前記ＰＤ６１との距離をできる限り近づけるよ
うな構造となっている。
するパターンをできる限り離すようにし、受信部集積回
路８１と前記ＰＤ６１との距離をできる限り近づけるよ
うな構造となっている。
上記した第５図や第７図の場合には、用いる基板上に形
成されるパターンの材質に金属等の常電導体を用いるた
め、必然的に抵抗が存在し、十分なアースがとれなかっ
た。特に、送信部と受信部（第５図、第７図）を一体化
したモジエールを構成する場合は、送受信動作時のクロ
ストークや送信漏話が生じ問題となっていた。
成されるパターンの材質に金属等の常電導体を用いるた
め、必然的に抵抗が存在し、十分なアースがとれなかっ
た。特に、送信部と受信部（第５図、第７図）を一体化
したモジエールを構成する場合は、送受信動作時のクロ
ストークや送信漏話が生じ問題となっていた。
本発明の目的は、上記のようなりロストークや送信漏話
を低減することにある。
を低減することにある。
〔課題を解決するための手段］
上記目的は基板上に形成し各部端子、回路素子および集
積回路間を接続する導電性パターンが超電導性セラミッ
クス単層薄膜をもって形成した送信部と、基板上に形成
し各部端子、回路素子および集積回路間を接続する導電
性パターンが超電導性セラミックス単層薄膜をもって形
成した受信部とをそれぞれ具備することにより達成され
る。
積回路間を接続する導電性パターンが超電導性セラミッ
クス単層薄膜をもって形成した送信部と、基板上に形成
し各部端子、回路素子および集積回路間を接続する導電
性パターンが超電導性セラミックス単層薄膜をもって形
成した受信部とをそれぞれ具備することにより達成され
る。
本発明の光伝送モジュールでは、超電導体セラミックス
の薄膜や２線材は、その電気抵抗が原理的に零となるの
で、基板に形成されるパターン材やアース線材を用いる
ことにより、通常の常電導体（たとえば金属）を遮へい
板やケースに用いてもシールド効果を向上させることが
できる。
の薄膜や２線材は、その電気抵抗が原理的に零となるの
で、基板に形成されるパターン材やアース線材を用いる
ことにより、通常の常電導体（たとえば金属）を遮へい
板やケースに用いてもシールド効果を向上させることが
できる。
以下本発明を実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明による実施例で集積化された送信部と基
板上に実装した図である。これは前述した第５図と同じ
構成の送信部で１１は送信部集積回路１２はＬＥＤ駆動
用小型トランジスタである。斜線で示した１３は基板上
に形成される導電性パターンであり、その材質は超電導
体セラミックス単層薄膜または２層以上の多層膜を用い
る。１５はＬＥＤである。
板上に実装した図である。これは前述した第５図と同じ
構成の送信部で１１は送信部集積回路１２はＬＥＤ駆動
用小型トランジスタである。斜線で示した１３は基板上
に形成される導電性パターンであり、その材質は超電導
体セラミックス単層薄膜または２層以上の多層膜を用い
る。１５はＬＥＤである。
第２図は本発明による他の実施例で、受信部を基板上に
実装した図である。これは第７図と同じ構成の受信部で
２１は受信部集積回路である。２３は基板上に形成され
る導電性パターンであり、その材質は超電導体セラミッ
クス単層薄膜または２層以上の多層膜を用いる。２２は
ＰＤである。
実装した図である。これは第７図と同じ構成の受信部で
２１は受信部集積回路である。２３は基板上に形成され
る導電性パターンであり、その材質は超電導体セラミッ
クス単層薄膜または２層以上の多層膜を用いる。２２は
ＰＤである。
第３図（ａ）、 （ｂ）は、本発明による他の実施例で
、送信部と受信部と一体化した光伝送モジュールの図で
ある。第３図（ａ）は見取図（斜視図）、第３図（ｂ）
は断面図である。
、送信部と受信部と一体化した光伝送モジュールの図で
ある。第３図（ａ）は見取図（斜視図）、第３図（ｂ）
は断面図である。
３０は送信用ＬＥＤ、３１は受信用ＰＤ、３２は受信部
集積回路基板、３３は送信部集積回路基板、３４は送信
部と受信部とを電気的に分離する遮へい板でその材質は
超電導体セラミックス、３５はケースで、 その材質
は超電導体セラミックス、３６はケースのふたで、その
材質は、超電導体セラミックス、３７は光ファイバ挿入
用ＳＴレセプタタル、３８は足ピンでその材質は超電導
体セラミックス、３９はアース端子でその接続線は、超
電導体セラミックス線材を用いる。
集積回路基板、３３は送信部集積回路基板、３４は送信
部と受信部とを電気的に分離する遮へい板でその材質は
超電導体セラミックス、３５はケースで、 その材質
は超電導体セラミックス、３６はケースのふたで、その
材質は、超電導体セラミックス、３７は光ファイバ挿入
用ＳＴレセプタタル、３８は足ピンでその材質は超電導
体セラミックス、３９はアース端子でその接続線は、超
電導体セラミックス線材を用いる。
本実施例によれば、送信部や受信部の集積回路を設置す
る基板上に形成する導電性パターン材に起電導体セラミ
ックス単層薄膜または２層以上の多層膜を用いること、
そしてモジュール化したときのアース材や足ビンに超電
導体セラミックス線材を用いることにより送受信動作時
におけるクロストークや送信漏話を低減することができ
る。
る基板上に形成する導電性パターン材に起電導体セラミ
ックス単層薄膜または２層以上の多層膜を用いること、
そしてモジュール化したときのアース材や足ビンに超電
導体セラミックス線材を用いることにより送受信動作時
におけるクロストークや送信漏話を低減することができ
る。
本発明によれば、下記の効果がある。
ｉ）送信部や受信部の集積回路を設置する基板上に形成
する導電性パターン材やアース材の電気抵抗を原理的に
零にすることが可能なため、遮へい板やケースに常電導
体を用いても、シールド効果が向上し、送受信動作時の
クロストークや送信漏話を低減することができる。
する導電性パターン材やアース材の電気抵抗を原理的に
零にすることが可能なため、遮へい板やケースに常電導
体を用いても、シールド効果が向上し、送受信動作時の
クロストークや送信漏話を低減することができる。
ｉｉ）送信部や受信部の集積回路を設置する基板上に形
成する導電性パターン材の電気抵抗を原理的に零にする
ことができるのでモジュール化したとき、その発熱を低
減することができる。
成する導電性パターン材の電気抵抗を原理的に零にする
ことができるのでモジュール化したとき、その発熱を低
減することができる。
第１図は本発明の一実施例の送信部実装図、第２図、第
３図（ａ）、 （ｂ）は本発明による他の実施例を示す
ための図で、それぞれ、受信部実装図、送信部と受信部
を一体化した光モジュールの見取図（斜視図）と断面図
、第４〜第８図は従来技術を説明するための図で第４図
、第５図はそれぞれ送信部のブロック図および実装図、
第６図、第７図はそれぞれ受信部のブロック図および実
装図、第８図は送信部と受信部を一体化した光モジュー
ルの断面図である。 １１・・・送信部集積回路、１２・・・発光ダイオード
（ＬＥＤ）駆動用小型トランジスタ、１３・・・導電性
パターン、１５・・・発光ダイオード（ＬＥＤ）。 特許出願人 日立湘南電子株式会社 代理人 弁理士 秋 本 ° 正 実（外１名） 隼 Ｉ 図 稟 ２ 図 ２３４を性パターン 纂 ＋ 図 第５図 ＪｊＸ型トランジス７ 第 ６ 図 檀鵠ベ −＋０（カ 第７図 ７１ 受椙部８積回藩 纂 ８ 図 ８１ 受導部集積旧路 ８６ ケース
３図（ａ）、 （ｂ）は本発明による他の実施例を示す
ための図で、それぞれ、受信部実装図、送信部と受信部
を一体化した光モジュールの見取図（斜視図）と断面図
、第４〜第８図は従来技術を説明するための図で第４図
、第５図はそれぞれ送信部のブロック図および実装図、
第６図、第７図はそれぞれ受信部のブロック図および実
装図、第８図は送信部と受信部を一体化した光モジュー
ルの断面図である。 １１・・・送信部集積回路、１２・・・発光ダイオード
（ＬＥＤ）駆動用小型トランジスタ、１３・・・導電性
パターン、１５・・・発光ダイオード（ＬＥＤ）。 特許出願人 日立湘南電子株式会社 代理人 弁理士 秋 本 ° 正 実（外１名） 隼 Ｉ 図 稟 ２ 図 ２３４を性パターン 纂 ＋ 図 第５図 ＪｊＸ型トランジス７ 第 ６ 図 檀鵠ベ −＋０（カ 第７図 ７１ 受椙部８積回藩 纂 ８ 図 ８１ 受導部集積旧路 ８６ ケース
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光素子と集積化した発光素子駆動回路から構成さ
れる送信部と光受光素子と集積化した受信増幅器回路か
ら構成される受信部を一体化した光伝送モジュールにお
いて、基板上に形成し各部端子、回路素子および集積回
路間を接続する導電性パターンが超電導性セラミックス
単層薄膜をもって形成した送信部と、基板上に形成し各
部端子、回路素子および集積回路間を接続する導電性パ
ターンが超電導性セラミックス単層薄膜をもって形成し
た受信部とをそれぞれ具備してなることを特徴とする光
伝送モジュール。 ２、上記２つの基板上に形成される導電性パターンが超
電導性セラミックスの２層以上の多層薄膜で形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール
。 ３、上記２つの基板上に形成される導電性パターンが超
電導性セラミックス単層単結晶薄膜または２層以上の多
層単結晶薄膜で形成されていることを特徴とする請求項
１記載の光伝送モジュール。 ４、上記光伝送モジュールにおいて、アース線および足
ピンが超電導性セラミックス線材で形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128771A JPH02308579A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128771A JPH02308579A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 光伝送モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308579A true JPH02308579A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14993065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128771A Pending JPH02308579A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 光伝送モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730133A (ja) * | 1990-03-26 | 1995-01-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子光学的アセンブリ |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP1128771A patent/JPH02308579A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730133A (ja) * | 1990-03-26 | 1995-01-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子光学的アセンブリ |
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