JPH02308132A - 反射型液晶表示素子 - Google Patents
反射型液晶表示素子Info
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- JPH02308132A JPH02308132A JP1129495A JP12949589A JPH02308132A JP H02308132 A JPH02308132 A JP H02308132A JP 1129495 A JP1129495 A JP 1129495A JP 12949589 A JP12949589 A JP 12949589A JP H02308132 A JPH02308132 A JP H02308132A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 abstract description 4
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は斜め入射光学系に適した反射型の液晶表示素子
に関する。
に関する。
液晶表示素子は低消費電力のフラットパネルディスプレ
イやプロジェノシー1フ用のライトバルブとして広く応
用されている。高密度のディスプレイの場合アクティブ
マトリクスの液晶表示素子が駆動能力の面で好ましいが
透過型では素子面積が開口率を制限してしまう。しかし
素子上に反射電極を形成した反射型では十分な開口率が
とれ高品位の高密度ディスプレイが可能である。特に光
の経路が特定出来るプロジェクション用やビュウファイ
ンダー用のライトバルブでは反射型の応用が容易である
。中でも斜め入射光学系を用いる反射型は構成が簡素に
なるという長所を有する0本発明は斜め入射光学系に適
した新しいモードの反射型の液晶表示素子に関する。
イやプロジェノシー1フ用のライトバルブとして広く応
用されている。高密度のディスプレイの場合アクティブ
マトリクスの液晶表示素子が駆動能力の面で好ましいが
透過型では素子面積が開口率を制限してしまう。しかし
素子上に反射電極を形成した反射型では十分な開口率が
とれ高品位の高密度ディスプレイが可能である。特に光
の経路が特定出来るプロジェクション用やビュウファイ
ンダー用のライトバルブでは反射型の応用が容易である
。中でも斜め入射光学系を用いる反射型は構成が簡素に
なるという長所を有する0本発明は斜め入射光学系に適
した新しいモードの反射型の液晶表示素子に関する。
従来の反射型液晶表示素子は一般的な透過型の表示モー
ドで反射層前後で2度通過させたものが主流である。具
体的には腕時計、電卓に用いられているTN(ツイステ
ッドネマテインク)モードやOA端末に応用されている
5TN(スーツく−ツイステッドネマテインク)モード
が反射型液晶表示素子の代表例である。
ドで反射層前後で2度通過させたものが主流である。具
体的には腕時計、電卓に用いられているTN(ツイステ
ッドネマテインク)モードやOA端末に応用されている
5TN(スーツく−ツイステッドネマテインク)モード
が反射型液晶表示素子の代表例である。
このような従来例の第一の欠点は反射層を液晶層を挟む
基板の外側に配置せざるを得ない点にある。これは前述
のモードが液晶層を偏光板で両側から挟まねばならない
事と、ガラス基板の液晶層側に偏光板を形成できない事
が原因である。
基板の外側に配置せざるを得ない点にある。これは前述
のモードが液晶層を偏光板で両側から挟まねばならない
事と、ガラス基板の液晶層側に偏光板を形成できない事
が原因である。
先に述べたようにアクティブマトリクス方式の液晶表示
素子に於て、スイッチング素子の上に反射層を形成して
開口率を確保する場合、反射層は基板の液晶層側に配置
されるため当然偏光板を液晶層と反射層の間に入れる事
は出来ない。反射層と液晶層との間の偏光板を必要とし
ないモードを直接反射型と呼ぶと、前述の例ではこの直
接反射型が実現できない。
素子に於て、スイッチング素子の上に反射層を形成して
開口率を確保する場合、反射層は基板の液晶層側に配置
されるため当然偏光板を液晶層と反射層の間に入れる事
は出来ない。反射層と液晶層との間の偏光板を必要とし
ないモードを直接反射型と呼ぶと、前述の例ではこの直
接反射型が実現できない。
従来例では直接反射型は存在する。ゲストホストモード
やDS(動的散乱)モードを用いた反射型液晶表示素子
は1979−80年頃から報告されている。しかしコン
トラスト、安定性等が十分でなく現在では実用化されて
いない。
やDS(動的散乱)モードを用いた反射型液晶表示素子
は1979−80年頃から報告されている。しかしコン
トラスト、安定性等が十分でなく現在では実用化されて
いない。
従来例の第2の欠点は斜め入射光学系での表示特性が十
分でない点にある。
分でない点にある。
TNモードやSTNモードは基本的に垂直入射系付近で
最も高い表示品質が得られる。ところが垂直入射系では
偏光分離プリズム等の高価な光学系がないと効率の良い
表示が難しい。より簡素なシステムとするには斜め入射
光学系が必要となる。
最も高い表示品質が得られる。ところが垂直入射系では
偏光分離プリズム等の高価な光学系がないと効率の良い
表示が難しい。より簡素なシステムとするには斜め入射
光学系が必要となる。
本発明は斜め入射系であり且つ直接反射型の新規なモー
ドの液晶表示素子の提供を目的とする。
ドの液晶表示素子の提供を目的とする。
本発明の反射型液晶表示素子は電極及び配向層の設けら
れた2枚の基板と、該基板間に挟持された液晶層と、反
射層を有し、基板面内をX−Y平面、基板に垂直な方向
なZ方向とすると、該反射型液晶表示素子に入射する入
射光は入射方向がX−2平面内にあってZ方向に対して
傾いており偏光軸が基板に対し平行なY方向である光で
あり、少なくとも入射側の基極側の液晶分子の配向方向
はほぼZ−Y面にあり側基板に印加される電圧の程度に
よってY方向に対する角度が変調する事により斜め入射
系であり且つ直接反射型の可能な新規なモードを提供す
る。
れた2枚の基板と、該基板間に挟持された液晶層と、反
射層を有し、基板面内をX−Y平面、基板に垂直な方向
なZ方向とすると、該反射型液晶表示素子に入射する入
射光は入射方向がX−2平面内にあってZ方向に対して
傾いており偏光軸が基板に対し平行なY方向である光で
あり、少なくとも入射側の基極側の液晶分子の配向方向
はほぼZ−Y面にあり側基板に印加される電圧の程度に
よってY方向に対する角度が変調する事により斜め入射
系であり且つ直接反射型の可能な新規なモードを提供す
る。
以下、実施例に基づき本発明を説明する。第1図は本発
明の実施例の反射型液晶表示素子の電圧無印加状態での
模式断面図である。
明の実施例の反射型液晶表示素子の電圧無印加状態での
模式断面図である。
本実施例の反射型液晶表示素子は電極(透明電極6と反
射電極4)及び配向層5.6の設けられた2枚の基板(
上基板1と下基板2)と、該基板間1.2に挟持された
液晶層7と、反射層(本実施例では反射電極4が反射層
を兼ねる)から構成される。
射電極4)及び配向層5.6の設けられた2枚の基板(
上基板1と下基板2)と、該基板間1.2に挟持された
液晶層7と、反射層(本実施例では反射電極4が反射層
を兼ねる)から構成される。
ここで基板面内をX−Y平面、基板に垂直な方向をZ方
向とした時、第1図(a)はX−Z面での断面図、第1
図(b)はY−Z面での断面図である。
向とした時、第1図(a)はX−Z面での断面図、第1
図(b)はY−Z面での断面図である。
第2図(a)、(b)は電圧印加状態でのX−Z面での
断面図、及びY−Z面での断面図である。
断面図、及びY−Z面での断面図である。
第1図の電圧無印加状態に於て、該反射型液晶表示素子
に入射する入射光110入射方向はX −Z平面内にあ
ってZ方向に対して傾いている。又、偏光軸は基板に対
し平行なY方向である。
に入射する入射光110入射方向はX −Z平面内にあ
ってZ方向に対して傾いている。又、偏光軸は基板に対
し平行なY方向である。
少なくとも入射側の基板側の液晶分子16の配向方向は
ほぼZ−Y面にある。更に本実施例では側基板1.20
間で液晶分子の電圧無印加での配向方向はほぼ平行であ
りほぼ一様にZ−Y平面にある。
ほぼZ−Y面にある。更に本実施例では側基板1.20
間で液晶分子の電圧無印加での配向方向はほぼ平行であ
りほぼ一様にZ−Y平面にある。
このような電圧無印加状態では、斜め入射光の偏光軸は
常に液晶分子の配列方向に対しほぼ一定の角度で入り入
射偏光は一定程度回転され出射される。
常に液晶分子の配列方向に対しほぼ一定の角度で入り入
射偏光は一定程度回転され出射される。
特に液晶分子の配列方向16のY方向に対する角度がお
およそ10度以内の場合には斜め入射光の偏光軸は常に
液晶分子の配列方向にほぼ平行であり入射偏光は殆ど回
転されずそのまま12のように出射される。
およそ10度以内の場合には斜め入射光の偏光軸は常に
液晶分子の配列方向にほぼ平行であり入射偏光は殆ど回
転されずそのまま12のように出射される。
第2図の電圧印加状態に於て、少なくとも入射側の基板
側の液晶分子17の配向方向15はほぼZ−Y面にあり
且つ基板平面のY方向に対し傾いている。本実施例では
側基板1.20間で液晶分子の電圧無印加での配向方向
はほぼ平行であるため、電圧印加状態でも側基板間でも
ほぼZ−Y平面にあり、中心部ではY方向に対し角度θ
傾いている。
側の液晶分子17の配向方向15はほぼZ−Y面にあり
且つ基板平面のY方向に対し傾いている。本実施例では
側基板1.20間で液晶分子の電圧無印加での配向方向
はほぼ平行であるため、電圧印加状態でも側基板間でも
ほぼZ−Y平面にあり、中心部ではY方向に対し角度θ
傾いている。
このような電圧印加状態では、斜め入射光16の偏光軸
は常に液晶分子の配列方向に対し一定の角度を有し、入
射偏光16は楕円偏光となり楕円主軸は回転され14の
ように出射される。
は常に液晶分子の配列方向に対し一定の角度を有し、入
射偏光16は楕円偏光となり楕円主軸は回転され14の
ように出射される。
特に電圧印加状態の液晶分子のY方向に対する角度が約
45度付近の場合には液晶層の複屈折量(ΔnXd )
を適当に選ぶと出射偏光は入射偏光に対しほぼ直交させ
る事が可能である。
45度付近の場合には液晶層の複屈折量(ΔnXd )
を適当に選ぶと出射偏光は入射偏光に対しほぼ直交させ
る事が可能である。
第4図に本発明の反射型液晶表示素子の電圧v対変調反
射強度Rの関係を示す。入射偏光の偏光軸と出射側の偏
光子の偏光軸は直交させである。
射強度Rの関係を示す。入射偏光の偏光軸と出射側の偏
光子の偏光軸は直交させである。
電圧無印加状態では第1図で説明したように、入射光と
出射光の偏光軸は光線軸に対して平行なため偏光子を経
た後の反射光強度は第4図42のようにほぼ0%となる
。この状態は波長分散が少なく無彩色の高品位の黒表示
が得られる。一方電圧印加状態で、特に液晶分子のY方
向に対する角度が約45度付近の場合には液晶層の複屈
折量(ΔnXd )を適当に設計すると出射偏光は入射
偏光に対しほぼ直交となり、偏光子をほとんど通過する
。よりて偏光子通過後の反射光強度は43のように非常
に高くする事が可能である。この状態の色分散は黒状態
程は良くないが、白は黒程色調に敏感ではないため、実
用上は十分良好な白表示が得られる。
出射光の偏光軸は光線軸に対して平行なため偏光子を経
た後の反射光強度は第4図42のようにほぼ0%となる
。この状態は波長分散が少なく無彩色の高品位の黒表示
が得られる。一方電圧印加状態で、特に液晶分子のY方
向に対する角度が約45度付近の場合には液晶層の複屈
折量(ΔnXd )を適当に設計すると出射偏光は入射
偏光に対しほぼ直交となり、偏光子をほとんど通過する
。よりて偏光子通過後の反射光強度は43のように非常
に高くする事が可能である。この状態の色分散は黒状態
程は良くないが、白は黒程色調に敏感ではないため、実
用上は十分良好な白表示が得られる。
第3図は第1図、第2図の実施例の反射型液晶表示素子
31を用いたプロジェクションディスプレーの一例であ
る。偏光子65で基板面に平行に偏光した入射光36は
反射型液晶表示素子61で変調され、一方の偏光のみが
偏光子36で取り出された変調光64としてスクリーン
32に投影される。本実施例では斜め入射光学系が可能
なため高価な偏光ビームスプリッタ−や光利用効率の悪
いビームスプリッタ−が不用となっている。
31を用いたプロジェクションディスプレーの一例であ
る。偏光子65で基板面に平行に偏光した入射光36は
反射型液晶表示素子61で変調され、一方の偏光のみが
偏光子36で取り出された変調光64としてスクリーン
32に投影される。本実施例では斜め入射光学系が可能
なため高価な偏光ビームスプリッタ−や光利用効率の悪
いビームスプリッタ−が不用となっている。
第5図は本発明の他の実施例の反射型液晶表示素子の電
圧無印加状態での断面図である。
圧無印加状態での断面図である。
第1図、第2図の実施例では液晶分子の配向方向は電圧
無印加状態で側基板の間でほぼ平行であったが、本実施
例では液晶分子の配向方向は電圧無印加状態で側基板の
間でX−Y平面内でツイストしている。しかし少なくと
も入射側の基板側の液晶分子の配向方向が第1図、第2
図の実施例と同様はぼZ−Y面にあれば、ツイスト構造
の旋光性によって同様な効果が得られる。ツイスト構造
を用いた場合の長所は電圧−反透光強度の関係の急峻性
が向上し、コントラストや駆動電圧が改善される点にあ
る。
無印加状態で側基板の間でほぼ平行であったが、本実施
例では液晶分子の配向方向は電圧無印加状態で側基板の
間でX−Y平面内でツイストしている。しかし少なくと
も入射側の基板側の液晶分子の配向方向が第1図、第2
図の実施例と同様はぼZ−Y面にあれば、ツイスト構造
の旋光性によって同様な効果が得られる。ツイスト構造
を用いた場合の長所は電圧−反透光強度の関係の急峻性
が向上し、コントラストや駆動電圧が改善される点にあ
る。
第6図は本発明の他の実施例である。第1図、第2図の
実施例との違いは前面に位相補正板61が設げられてい
る点にある。この位相補正板61は延伸した一軸性の複
屈折フィルムか、パラレルあるいはツイスト配向した液
晶セルである。位相補正板61を入れると液晶セルの最
適複屈折量ΔnXdをずらす事が可能となり、液晶層厚
や材料の設計自由度が向上する。
実施例との違いは前面に位相補正板61が設げられてい
る点にある。この位相補正板61は延伸した一軸性の複
屈折フィルムか、パラレルあるいはツイスト配向した液
晶セルである。位相補正板61を入れると液晶セルの最
適複屈折量ΔnXdをずらす事が可能となり、液晶層厚
や材料の設計自由度が向上する。
実施例ではプロジェクタ−の例を示したが、他の反射型
液晶表示素子の応用範囲でも本発明は有効である。例え
ばピーラファインダー等に応用すれば極めて高品位、高
密度の製品が実現可能となる。
液晶表示素子の応用範囲でも本発明は有効である。例え
ばピーラファインダー等に応用すれば極めて高品位、高
密度の製品が実現可能となる。
また駆動方法もアクティブマトリクス駆動のみならず、
単純マ) IJクス駆動でも可能である。
単純マ) IJクス駆動でも可能である。
以上の実施例で明らかな如く、本発明は従来にない新規
な反射型液晶表示素子を提供する。本発明では反射層を
液晶セル内に内蔵でき、構成が簡素化出来るのみならず
、高密度のアクティブマトリクス駆動等の適用が可能と
なる。使用する光学系も簡素であり、本発明を用いれば
、高品位、高密度の反射型ディスプレーを簡単な構成で
実現できる。
な反射型液晶表示素子を提供する。本発明では反射層を
液晶セル内に内蔵でき、構成が簡素化出来るのみならず
、高密度のアクティブマトリクス駆動等の適用が可能と
なる。使用する光学系も簡素であり、本発明を用いれば
、高品位、高密度の反射型ディスプレーを簡単な構成で
実現できる。
第1図(a)、(b)、第2図(a)、(b)、第5図
、第6図は本発明の反射型液晶表示素子の実施例を示す
模式断面図、第3図は本発明の反射型液晶表示素子を用
いたプロジェクタ−の実施例における配置を示す説明図
、第4図は第1図、第2図の実施例に用いた反射型液晶
表示素子の電圧対反射強度特性を示すグラフである。 1・・・上基板、2・・・下基板、3・・・透明電極、
4・・・反射電極、5.6・・・配向層、7°・・・液
晶層。 第3図 第4図 ム1
、第6図は本発明の反射型液晶表示素子の実施例を示す
模式断面図、第3図は本発明の反射型液晶表示素子を用
いたプロジェクタ−の実施例における配置を示す説明図
、第4図は第1図、第2図の実施例に用いた反射型液晶
表示素子の電圧対反射強度特性を示すグラフである。 1・・・上基板、2・・・下基板、3・・・透明電極、
4・・・反射電極、5.6・・・配向層、7°・・・液
晶層。 第3図 第4図 ム1
Claims (5)
- (1)電極及び配向層の設けられた2枚の基板と、該基
板間に挟持された液晶層と反射層と、入射光側および反
射光側にそれぞれ設けられた一対の偏光子とを有する反
射型液晶表示素子に於て、基板面内をX−Y平面、基板
に垂直な方向をZ方向とするとき、該反射型液晶表示素
子に入射する入射光は入射方向がX−Z平面内にあって
Z方向に対して傾いており偏光軸が基板に対し平行なY
方向である直線偏光であり、少なくとも入射側の基板側
の液晶分子の配向方向はほぼZ−Y面にあり両基板に印
加される電圧の程度によってY方向に対する角度が変調
される事を特徴とする反射型液晶表示素子。 - (2)両基板に印加される電圧によって変調される液晶
分子の配列方向は、Y方向に対する角度がおおよそ10
度以下の状態と、約45度付近の状態との間で変調され
る事を特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示素子。 - (3)液晶分子の配向方向は電圧無印加状態で両基板の
間でほぼ平行であることを特徴とする請求項1記載の反
射型液晶表示素子。 - (4)液晶分子の配向方向は電圧無印加状態で両基板の
間でX−Y平面内でツイストしている事を特徴とする請
求項1記載の反射型液晶表示素子。 - (5)入射側基板の入射光側或は出射光側には位相補償
板が配置されてなる請求項1記載の反射型液晶表示素子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1129495A JP2755428B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 反射型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1129495A JP2755428B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 反射型液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02308132A true JPH02308132A (ja) | 1990-12-21 |
JP2755428B2 JP2755428B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=15010893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1129495A Expired - Fee Related JP2755428B2 (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 反射型液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2755428B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP1129495A patent/JP2755428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2755428B2 (ja) | 1998-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |