JPH0230693A - 分子線発生装置 - Google Patents
分子線発生装置Info
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- JPH0230693A JPH0230693A JP18125788A JP18125788A JPH0230693A JP H0230693 A JPH0230693 A JP H0230693A JP 18125788 A JP18125788 A JP 18125788A JP 18125788 A JP18125788 A JP 18125788A JP H0230693 A JPH0230693 A JP H0230693A
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- Japan
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- crucible
- molecular beam
- cylinder
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- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）
に用いる分子線発生装置に関し、特に使用温度で液体で
ある原料の分子線を下向きに発生させる分子線発生装置
に関する。
に用いる分子線発生装置に関し、特に使用温度で液体で
ある原料の分子線を下向きに発生させる分子線発生装置
に関する。
従来、この種の分子線発生装置は第３図（ａ）に示すよ
うに、分子線原料５を充填する内るつぼ３と、内るつぼ
３を内装する円筒形の外るつぼ４と、外るつぼ４の外周
に配置したヒータ２と、中央に分子線放出口３Ｒとなる
開口部を有する外るつぼ４の１１６とで構成されている
。第３図（１１）に示すように、内るつぼ３は外るつぼ
４を小さくした形状をしており、外るつぼ４の開口部を
斜め下方に設置した基板１へ向けた状態で、該外るつぼ
４の開口部に蓋６をして、内るつぼ３が落下しないよう
にしである。これにより下向きのファーネスに溶融する
原料をチャージできるようになっている。
うに、分子線原料５を充填する内るつぼ３と、内るつぼ
３を内装する円筒形の外るつぼ４と、外るつぼ４の外周
に配置したヒータ２と、中央に分子線放出口３Ｒとなる
開口部を有する外るつぼ４の１１６とで構成されている
。第３図（１１）に示すように、内るつぼ３は外るつぼ
４を小さくした形状をしており、外るつぼ４の開口部を
斜め下方に設置した基板１へ向けた状態で、該外るつぼ
４の開口部に蓋６をして、内るつぼ３が落下しないよう
にしである。これにより下向きのファーネスに溶融する
原料をチャージできるようになっている。
外るつぼ４がヒータ２で熱せられることにより、内るつ
ぼ３内の分子線原料５は加熱されて蒸発し、分子線とな
って内るつぼ３から出射する。該分子線を外るつぼ４の
内面で反射して蓋６の開口部６ａから基板１に向けて放
出している。
ぼ３内の分子線原料５は加熱されて蒸発し、分子線とな
って内るつぼ３から出射する。該分子線を外るつぼ４の
内面で反射して蓋６の開口部６ａから基板１に向けて放
出している。
ところが、内るつぼ３の位置及び形状のために分子線が
反射バラツキを起こし、分子線が基板１上へ均一に放出
されず、成長膜が不均一になるという欠点があり、さら
に分子線原料のチャージ量が充分にとれないという欠点
もあった。
反射バラツキを起こし、分子線が基板１上へ均一に放出
されず、成長膜が不均一になるという欠点があり、さら
に分子線原料のチャージ量が充分にとれないという欠点
もあった。
本発明の目的は、上記課題を解消した分子線発生装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の分子線発生装置に対し、本発明は内るつ
ぼに内外二重円筒構造を用い、その内部で発生させる分
子線を内周側のテーバ状分子線放出口から均一に放出さ
せるという相違点を有する。
ぼに内外二重円筒構造を用い、その内部で発生させる分
子線を内周側のテーバ状分子線放出口から均一に放出さ
せるという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明においては分子線発生
原料を収容する内るつぼと、課内るつぼを内装する外る
つぼと、課外るつぼの外周に配置され分子線発生原料を
加熱するヒータとを有する分子線発生装置において、前
記内るつぼを有底の内外二重筒構造としてその内筒内に
分子線の放出口を形成し、その外筒を前記外るつぼの内
周面に接触させ、内筒の分子線放出口をテーバ状に拡径
したものである。
原料を収容する内るつぼと、課内るつぼを内装する外る
つぼと、課外るつぼの外周に配置され分子線発生原料を
加熱するヒータとを有する分子線発生装置において、前
記内るつぼを有底の内外二重筒構造としてその内筒内に
分子線の放出口を形成し、その外筒を前記外るつぼの内
周面に接触させ、内筒の分子線放出口をテーバ状に拡径
したものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図、第１図
（ｂ）は本発明による内るつぼの一実施例を示す図であ
る。
（ｂ）は本発明による内るつぼの一実施例を示す図であ
る。
第１図（ａ）において、外るつぼ４とヒータ２との構造
及び基板１に対する配置は第３図に示した従来例と同じ
である０本発明分子線発生装置に用いた内るつぼ３は、
外ｆ＠３ａと内ｆｉ３ｂとの組合せにより内外二重の筒
状構造からなっている。外筒３ａは全長にわたり同径で
、内ｆ！Ｊ３ｂは円錐形をなし、両筒３ａ、３ｂは内筒
３ｂの大径側で閉塞し、内ｆ！Ｊ３ｂの小径側を開放し
て両１！Ｊ ３ ａ 、 ３ｂ間に原料の収納空間を形
成したものである。この内るつぼ３内に原料を充填し、
底部を外部に臨ませて外筒３ａを外るつぼ４の内径に嵌
合保持させる。これによって、内筒３ｂのテーバ状に拡
径した大径側開口が分子線放出口３Ｒとなる。
及び基板１に対する配置は第３図に示した従来例と同じ
である０本発明分子線発生装置に用いた内るつぼ３は、
外ｆ＠３ａと内ｆｉ３ｂとの組合せにより内外二重の筒
状構造からなっている。外筒３ａは全長にわたり同径で
、内ｆ！Ｊ３ｂは円錐形をなし、両筒３ａ、３ｂは内筒
３ｂの大径側で閉塞し、内ｆ！Ｊ３ｂの小径側を開放し
て両１！Ｊ ３ ａ 、 ３ｂ間に原料の収納空間を形
成したものである。この内るつぼ３内に原料を充填し、
底部を外部に臨ませて外筒３ａを外るつぼ４の内径に嵌
合保持させる。これによって、内筒３ｂのテーバ状に拡
径した大径側開口が分子線放出口３Ｒとなる。
本実施例は一種類の分子線原料（例えばＩｎ）を用いる
るつぼの例である０本実施例の内るつぼ３内に分子線原
料５を充填し、ヒータ２によって加熱すると、分子線原
料５は外るつぼ４の内面全体から加熱されて分子線を発
生する０発生した分子線は外るつぼ４の内面で反射して
、内るつぼ３のテーバ状分子線放出口３Ｒから基板１の
全面に均一に放出される。従って、第３図（ａ） 、
（ｂ）に示した従来の内るつぼを用いた場合に比べて基
板１のエビ成長膜厚め面内バラツキか低減される。
るつぼの例である０本実施例の内るつぼ３内に分子線原
料５を充填し、ヒータ２によって加熱すると、分子線原
料５は外るつぼ４の内面全体から加熱されて分子線を発
生する０発生した分子線は外るつぼ４の内面で反射して
、内るつぼ３のテーバ状分子線放出口３Ｒから基板１の
全面に均一に放出される。従って、第３図（ａ） 、
（ｂ）に示した従来の内るつぼを用いた場合に比べて基
板１のエビ成長膜厚め面内バラツキか低減される。
また、分子線原料を従来の内るつぼに比べてより多くチ
ャージ出来る。
ャージ出来る。
第２図（ａ）は本発明の他の実施例を示す断面図、第２
図（ｂ）は同斜視図である。
図（ｂ）は同斜視図である。
本実施例は、２種の分子線原料５ａ、５ｂ （例えばＩ
ｎ、Ｇａ）を収容する内るつぼの例を示している０図に
おいて、内るっぽ３の外筒及び内筒の形状１組合せは第
１図（ａ） 、 （ｂ）に示した内るつぼ３と同じであ
る。
ｎ、Ｇａ）を収容する内るつぼの例を示している０図に
おいて、内るっぽ３の外筒及び内筒の形状１組合せは第
１図（ａ） 、 （ｂ）に示した内るつぼ３と同じであ
る。
本実施例の内るつぼ３を構成する外筒３ａと内Ｉｌ！ｊ
３ｂとの空間を仕切り板７で軸方向に２室に区画したも
のである０本実施例によれば第２図（ａ）に示すように
、区画された各室内に異種の分子線原料５ａ及び５ｂを
それぞれ内るつぼ３内の各室に充填し、両原料５ａ、５
ｂを同時に加熱するようにしたものである。この実施例
では、仕切り板を用いることにより２ｓ類の原料、例え
ばＧａとＩｎを内るつぼ３に収容し、ヒータ２によって
同時に加熱して２種の分子線を同時に発生させて基板１
にＩ ｎＧａＡｓを成長させることができる利点を有す
る。
３ｂとの空間を仕切り板７で軸方向に２室に区画したも
のである０本実施例によれば第２図（ａ）に示すように
、区画された各室内に異種の分子線原料５ａ及び５ｂを
それぞれ内るつぼ３内の各室に充填し、両原料５ａ、５
ｂを同時に加熱するようにしたものである。この実施例
では、仕切り板を用いることにより２ｓ類の原料、例え
ばＧａとＩｎを内るつぼ３に収容し、ヒータ２によって
同時に加熱して２種の分子線を同時に発生させて基板１
にＩ ｎＧａＡｓを成長させることができる利点を有す
る。
以上説明したように、本発明は分子線発生装置において
内るつぼを中心部分が貫通した二重の円１！Ｊｉ１４造
とし、しかも内側の面には外るつぼの開口部に向って広
くなるようにテーバ角を付けたことにより、基板上へ向
けて均一に分子線を放出させることができ、エビ成長膜
厚の面内バラツキを大幅に低減できる効果を有し、さら
に、分子線発生原料のチャージ量を増加できるので、１
回のソースチャージでエビ成長処理回数を増やすことが
でき、生産効率を向上させる効果を有する。
内るつぼを中心部分が貫通した二重の円１！Ｊｉ１４造
とし、しかも内側の面には外るつぼの開口部に向って広
くなるようにテーバ角を付けたことにより、基板上へ向
けて均一に分子線を放出させることができ、エビ成長膜
厚の面内バラツキを大幅に低減できる効果を有し、さら
に、分子線発生原料のチャージ量を増加できるので、１
回のソースチャージでエビ成長処理回数を増やすことが
でき、生産効率を向上させる効果を有する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図、第１図
（ｂ）は本発明による内るつぼの一実施例を示す図、第
２図（ａ）は他の実施例を示す断面図、第２図（ｂ）は
同斜視図、第３図（ａ）は従来の分子線発生装置の断面
図、第３図（ｂ）は従来の内るつぼを示す図である。 １・・・基板 ２・・・ヒータ３・・・内
るつぼ ３ａ・・・内るつぼの外筒３ｂ・・・
内るつぼの内筒 ３Ｒ・・・分子線放出口４・・・外る
つぼ ５．５ａ、５ｂ・・・原料６・・・蓋
（ｂ）は本発明による内るつぼの一実施例を示す図、第
２図（ａ）は他の実施例を示す断面図、第２図（ｂ）は
同斜視図、第３図（ａ）は従来の分子線発生装置の断面
図、第３図（ｂ）は従来の内るつぼを示す図である。 １・・・基板 ２・・・ヒータ３・・・内
るつぼ ３ａ・・・内るつぼの外筒３ｂ・・・
内るつぼの内筒 ３Ｒ・・・分子線放出口４・・・外る
つぼ ５．５ａ、５ｂ・・・原料６・・・蓋
Claims (1)
- （１）分子線発生原料を収容する内るつぼと、該内るつ
ぼを内装する外るつぼと、該外るつぼの外周に配置され
分子線発生原料を加熱するヒータとを有する分子線発生
装置において、 前記内るつぼを有底の内外二重筒構造としてその内筒内
に分子線の放出口を形成し、その外筒を前記外るつぼの
内周面に接触させ、内筒の分子線放出口をテーパ状に拡
径したことを特徴とする分子線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18125788A JPH0230693A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 分子線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18125788A JPH0230693A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 分子線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230693A true JPH0230693A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16097539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18125788A Pending JPH0230693A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 分子線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475278B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molecular beam source and molecular beam epitaxy apparatus |
| JP2007251281A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Pioneer Electronic Corp | スピーカ |
| JP2009040615A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Choshu Industry Co Ltd | 分子線源セル |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP18125788A patent/JPH0230693A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6475278B2 (en) | 2000-02-02 | 2002-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Molecular beam source and molecular beam epitaxy apparatus |
| JP2007251281A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Pioneer Electronic Corp | スピーカ |
| JP2009040615A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Choshu Industry Co Ltd | 分子線源セル |
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