JPH023013A - 強誘電性液晶素子の製造方法 - Google Patents
強誘電性液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH023013A JPH023013A JP14971188A JP14971188A JPH023013A JP H023013 A JPH023013 A JP H023013A JP 14971188 A JP14971188 A JP 14971188A JP 14971188 A JP14971188 A JP 14971188A JP H023013 A JPH023013 A JP H023013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- org
- substrate
- crystal element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 33
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 13
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- UIUYMEPKMPFKEM-UHFFFAOYSA-N 4-octadec-17-enylpyridine Chemical compound C=CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC=NC=C1 UIUYMEPKMPFKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、強誘電性液晶を用いた液晶素子、特に強誘電
性液晶の配向処理方法に関する。
性液晶の配向処理方法に関する。
(従来の技術)
液晶素子は直視型の表示素子として精力的に研究開発が
行われ、現在では広く用いられている。
行われ、現在では広く用いられている。
従来の液晶素子に用いられている液晶材料はネマティッ
ク液晶であるTN液晶、STN液晶である。しかしTN
液晶等は、応答時間が長く、応用範囲に限界があった。
ク液晶であるTN液晶、STN液晶である。しかしTN
液晶等は、応答時間が長く、応用範囲に限界があった。
近年、応答時間の短い液晶として強誘電性液晶が開発さ
れ、高速化が図られている。ここで強誘電性液晶の動作
について説明する。強誘電性液晶の高速応答動作は、ノ
ーエル・ニー・クラーク(NoelA、 C1ark)
とスベン・チー・ラガバル(Sven T。
れ、高速化が図られている。ここで強誘電性液晶の動作
について説明する。強誘電性液晶の高速応答動作は、ノ
ーエル・ニー・クラーク(NoelA、 C1ark)
とスベン・チー・ラガバル(Sven T。
Lagerwall)によって確認された(アプライド
・フイジクスルターズ(Appl、 Phys、 Le
tt、 36(1980)899))。すなわち、強誘
電性を示すカイラルスメクティック液晶は第2図に示す
ように自発分極21を持った液晶分子22が層構造をと
ると共に螺旋構造を形成をしている。このままでは自発
分極21は螺旋軸23の回りに均一に分布して打ち消し
あっているが、このような液晶を、その螺旋軸23と平
行な2枚の配向処理を行った基板31.32ではさみ、
かつその間隔、すなわち液晶の厚さを少なくとも螺旋構
造のピッチ長以下に薄くすると、液晶分子22は自発分
極23が基板に対して垂直となるような二つの配向状態
のいずれかに強制的に配向させられる。第3図はその様
子を示す図であり領域Aは自発分極21が下側の基板に
向いた状態、領域Bは自発分極21が上側の基板に向い
た状態である。
・フイジクスルターズ(Appl、 Phys、 Le
tt、 36(1980)899))。すなわち、強誘
電性を示すカイラルスメクティック液晶は第2図に示す
ように自発分極21を持った液晶分子22が層構造をと
ると共に螺旋構造を形成をしている。このままでは自発
分極21は螺旋軸23の回りに均一に分布して打ち消し
あっているが、このような液晶を、その螺旋軸23と平
行な2枚の配向処理を行った基板31.32ではさみ、
かつその間隔、すなわち液晶の厚さを少なくとも螺旋構
造のピッチ長以下に薄くすると、液晶分子22は自発分
極23が基板に対して垂直となるような二つの配向状態
のいずれかに強制的に配向させられる。第3図はその様
子を示す図であり領域Aは自発分極21が下側の基板に
向いた状態、領域Bは自発分極21が上側の基板に向い
た状態である。
第4図は、基板の上面からみた図であり、領域Aと領域
Bでは41.42で示すように液晶分子が異なる配向状
態をとっている。例えば、このような状態を2枚の互い
に偏光方向が直行する偏光板ではさみ、かつ1枚の偏光
板の偏光方向43を液晶分子の方向に一致させて観測す
ると、領域Aは暗く見え、領域Bは明るく見える。この
ように、強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を
間隔の狭い2枚の基板で挟むと、液晶分子は光学的に識
別される二つの配向状態のいずれかをとるようになる。
Bでは41.42で示すように液晶分子が異なる配向状
態をとっている。例えば、このような状態を2枚の互い
に偏光方向が直行する偏光板ではさみ、かつ1枚の偏光
板の偏光方向43を液晶分子の方向に一致させて観測す
ると、領域Aは暗く見え、領域Bは明るく見える。この
ように、強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を
間隔の狭い2枚の基板で挟むと、液晶分子は光学的に識
別される二つの配向状態のいずれかをとるようになる。
しがも、強誘電性液晶はその自発分極が外部電界に直接
的に応答して配向する。従って外部がら基板と直行する
方向の直流電界を印加して、その向きを反転すると、そ
れに応じて自発分極の向きが反転する。すなわち、第4
図の領域Aと領域Bとが電気的にスイッチングされるわ
けで、これは2枚の基板の内側に透明電極の類を形成し
ておくことによって容易に実現できる。さらに、この電
気的スイッチング現象が自発分極と外部電界との直接的
な応答によるものであるために、きわめて高速であり、
前述の論文によるとマイクロ秒台の応答時間が確認され
ている。
的に応答して配向する。従って外部がら基板と直行する
方向の直流電界を印加して、その向きを反転すると、そ
れに応じて自発分極の向きが反転する。すなわち、第4
図の領域Aと領域Bとが電気的にスイッチングされるわ
けで、これは2枚の基板の内側に透明電極の類を形成し
ておくことによって容易に実現できる。さらに、この電
気的スイッチング現象が自発分極と外部電界との直接的
な応答によるものであるために、きわめて高速であり、
前述の論文によるとマイクロ秒台の応答時間が確認され
ている。
また、電圧を除去した後も、電圧印加時の配向状態が保
持されるという特性が、強誘電性液晶にはある。これは
通常双安定性と呼ばれる。
持されるという特性が、強誘電性液晶にはある。これは
通常双安定性と呼ばれる。
強誘電性液晶の配向処理方法としては、TN液晶で用い
られているラビング法、耕法蒸着法等が提案されている
。
られているラビング法、耕法蒸着法等が提案されている
。
(発明が解決しようとする問題点)
配向処理として前述のラビング法を用いた液晶素子では
、配向膜表面に−様な溝を形成するのが困難で、さらに
膜のはがれや、膜厚の不均一により、液晶素子全体にわ
たって十分な光学応答特性、特に双安定性動作が得られ
ていない。また、斜方蒸着では大面積で均一な液晶素子
を作成するのは大規模な装置を用いなければならず、さ
らには量産性にも問題がある。
、配向膜表面に−様な溝を形成するのが困難で、さらに
膜のはがれや、膜厚の不均一により、液晶素子全体にわ
たって十分な光学応答特性、特に双安定性動作が得られ
ていない。また、斜方蒸着では大面積で均一な液晶素子
を作成するのは大規模な装置を用いなければならず、さ
らには量産性にも問題がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去して、均一性のよい
膜を基板上に積層し、−様な凹凸を形成することにより
、強誘電性液晶の特徴である高速応答、双安定性動作を
大面積の素子で実現できる強誘電性液晶素子の製造方法
を提供することにある。
膜を基板上に積層し、−様な凹凸を形成することにより
、強誘電性液晶の特徴である高速応答、双安定性動作を
大面積の素子で実現できる強誘電性液晶素子の製造方法
を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
本発明は、電極が形成されている二枚の電極付き基板で
強誘電性液晶を狭持する構造の強誘電性液晶素子の製造
方法であって、前記基板上に水面上に展開した感光性を
有するアミド酸とピリジン系有機物より構成される有機
物質の単分子膜を少なくとも一層積層し、その後に、露
光・現像することで前記有機物質を一部除去し前記基板
表面上に凹凸を形成し、その凹凸の上に強誘電性液晶を
積層させる点に特徴がある。
強誘電性液晶を狭持する構造の強誘電性液晶素子の製造
方法であって、前記基板上に水面上に展開した感光性を
有するアミド酸とピリジン系有機物より構成される有機
物質の単分子膜を少なくとも一層積層し、その後に、露
光・現像することで前記有機物質を一部除去し前記基板
表面上に凹凸を形成し、その凹凸の上に強誘電性液晶を
積層させる点に特徴がある。
(作用)
強誘電性液晶の配向機構に関しては、まだ明確にはなっ
ていない。しかし、いままである程度の効果が得られて
いるラビング法、斜方蒸着法について考察してみると、
強誘電性液晶が配向する理由について、多少は推定する
ことができる。
ていない。しかし、いままである程度の効果が得られて
いるラビング法、斜方蒸着法について考察してみると、
強誘電性液晶が配向する理由について、多少は推定する
ことができる。
ラビング法は基板上にポリイミドなどの高分子膜を塗布
した後に綿布等で表面を一方向に擦る方法である。また
、斜方蒸着法はSiOなどの蒸着源に対して基板を傾け
て蒸着を行う方法である。どちらの場合も基板表面に何
等かの物理形状を一軸性を持たせて形成することによっ
て強誘電性液晶を配向させているというように推察する
ことができる。
した後に綿布等で表面を一方向に擦る方法である。また
、斜方蒸着法はSiOなどの蒸着源に対して基板を傾け
て蒸着を行う方法である。どちらの場合も基板表面に何
等かの物理形状を一軸性を持たせて形成することによっ
て強誘電性液晶を配向させているというように推察する
ことができる。
ところで、水面上に有機物質を展開しその有機膜を基板
上に付着させることにより、均質の有機薄膜を基板上に
形成させることができる。この方法で形成した膜は、通
常LB(Langmuir−Blodget)膜と呼ば
れている。このLB膜は何層も積層することができ、基
板上の膜の厚みを自由に変えることができる。特に感光
性の官能基を含む有機物質のLB膜を使用することによ
り、上記の特徴を保ったまま、マクスを介して露光・現
像するだけで、所望の凹凸が形成できる。
上に付着させることにより、均質の有機薄膜を基板上に
形成させることができる。この方法で形成した膜は、通
常LB(Langmuir−Blodget)膜と呼ば
れている。このLB膜は何層も積層することができ、基
板上の膜の厚みを自由に変えることができる。特に感光
性の官能基を含む有機物質のLB膜を使用することによ
り、上記の特徴を保ったまま、マクスを介して露光・現
像するだけで、所望の凹凸が形成できる。
上述の基板上のLB膜に例えばストライブ状にパターン
を形成することにより基板表面上に一軸性を持った凹凸
が形成できる。この基板を用いて液晶素子を作成し、強
誘電性液晶を注入することにより強誘電性液晶素子がえ
られる。この素子は基板表面上に均一な凹凸が形成され
ているので、強誘電性液晶分子が配向する。さらに、素
子を偏光板で挾むことにより強誘電性液晶をスイッチン
グさせ光変調液晶素子として用いることができる。
を形成することにより基板表面上に一軸性を持った凹凸
が形成できる。この基板を用いて液晶素子を作成し、強
誘電性液晶を注入することにより強誘電性液晶素子がえ
られる。この素子は基板表面上に均一な凹凸が形成され
ているので、強誘電性液晶分子が配向する。さらに、素
子を偏光板で挾むことにより強誘電性液晶をスイッチン
グさせ光変調液晶素子として用いることができる。
(実施例1)
以下、本発明の実施例を挙げて詳細に説明する。
第1図に示すような強誘電性液晶素子を以下に示すよう
な方法で作成した。以下の構造式で表されと4−(17
−オクタデセニル)ピリジン混合物(1:2)をベンゼ
ン、ジメチルアセトアミド混合溶媒(1:1)に溶解し
、それぞれ1.7mM、3.3mMの濃度の試料溶液を
作った。なお、このポリアミド酸の分子量を光散乱GP
C法を用いて観測したところ、数平均分子量が12,8
00、重量平均分子量が23,200であった。次に、
表面に透明電極1としてITO(酸化インジウム、スズ
)のバターニングを行いガラス基板2及び5を作成した
。表面圧を一定に保つフィードバック機構のついている
水槽の水面上に試料溶液を展開して、フィードバック機
構により表面圧を25mN/mに保ちながら、このガラ
ス基板2及び5を水面を横切って上下させることにより
、ガラス基板2上にポリアミド酸とピリジン系有機物と
して4−(17−オクタデセニル)ピリジン混合物(1
:2)から成るLB膜すなわちポリイミド膜3及び6を
10層積層させた。その後、ラインアンドスペース0.
5pmのストライプ状のマスクを用いて、窒素気流中で
1分間DeepUV露光を行い、ベンゼンとジメチルア
セトアミドの1=1の混合液で1分間現像後、エタノー
ルで1分間リンスすることによってLB膜のパターニン
グを行った。
な方法で作成した。以下の構造式で表されと4−(17
−オクタデセニル)ピリジン混合物(1:2)をベンゼ
ン、ジメチルアセトアミド混合溶媒(1:1)に溶解し
、それぞれ1.7mM、3.3mMの濃度の試料溶液を
作った。なお、このポリアミド酸の分子量を光散乱GP
C法を用いて観測したところ、数平均分子量が12,8
00、重量平均分子量が23,200であった。次に、
表面に透明電極1としてITO(酸化インジウム、スズ
)のバターニングを行いガラス基板2及び5を作成した
。表面圧を一定に保つフィードバック機構のついている
水槽の水面上に試料溶液を展開して、フィードバック機
構により表面圧を25mN/mに保ちながら、このガラ
ス基板2及び5を水面を横切って上下させることにより
、ガラス基板2上にポリアミド酸とピリジン系有機物と
して4−(17−オクタデセニル)ピリジン混合物(1
:2)から成るLB膜すなわちポリイミド膜3及び6を
10層積層させた。その後、ラインアンドスペース0.
5pmのストライプ状のマスクを用いて、窒素気流中で
1分間DeepUV露光を行い、ベンゼンとジメチルア
セトアミドの1=1の混合液で1分間現像後、エタノー
ルで1分間リンスすることによってLB膜のパターニン
グを行った。
これらの基板を用いて、ギャップが2pmとなるように
液晶素子を作成し、強誘電性液晶4であるC8−101
5(チッソ製)を注入して配向状態を偏光顕微鏡を用い
て観測したところ均一配向していることが確認された。
液晶素子を作成し、強誘電性液晶4であるC8−101
5(チッソ製)を注入して配向状態を偏光顕微鏡を用い
て観測したところ均一配向していることが確認された。
さらに液晶素子の光学応答特性としてコントラスト比を
測定したところ30が得られた。
測定したところ30が得られた。
また良好な双安定性動作も確認できた。
LB膜の凹凸のラインアンドスペースは10pm以下の
場合に、極めて良好な配向性が得られた。ここでは凹凸
はポリイミド膜3,6の両方に形成させたが、凹凸の形
成はポリイミド膜3あるいは6のどちらか1つでも構わ
ない。またポリイミド3と6の両方に形成させる場合、
2面間の凹凸の角度は例えば90°の角度を持っても良
く、2面とも同じ向きの必要はない。
場合に、極めて良好な配向性が得られた。ここでは凹凸
はポリイミド膜3,6の両方に形成させたが、凹凸の形
成はポリイミド膜3あるいは6のどちらか1つでも構わ
ない。またポリイミド3と6の両方に形成させる場合、
2面間の凹凸の角度は例えば90°の角度を持っても良
く、2面とも同じ向きの必要はない。
なお、実用的な露光時間を得るという意味で、ポリアミ
ド酸の数平均分子量は1000以上であることが望まし
い。さらに、溶媒に対する可溶性の点から数平均分子量
は10万以下が望ましい。また上記ピリジン系有機物炭
素数では8〜25が望ましい。
ド酸の数平均分子量は1000以上であることが望まし
い。さらに、溶媒に対する可溶性の点から数平均分子量
は10万以下が望ましい。また上記ピリジン系有機物炭
素数では8〜25が望ましい。
8より小さいと水に溶解し易くなり、25より大きいと
、単分子膜を形成しにくくなるためである。
、単分子膜を形成しにくくなるためである。
上記実施例においては強誘電性液晶としてC8−101
5を用いたが、他の種々の液晶、例えばZLT−348
9(メルク製)やC8−1011(チッソ製)などに応
用できる。
5を用いたが、他の種々の液晶、例えばZLT−348
9(メルク製)やC8−1011(チッソ製)などに応
用できる。
(実施例2)
LB膜の積層数のみ1層にして、実施例1と全く同様の
実験を行なった。その結果コントラスト比のみ10に低
下したが、その他は全く同様の結果が得られた。
実験を行なった。その結果コントラスト比のみ10に低
下したが、その他は全く同様の結果が得られた。
(実施例3)
実施例1と全く同様にして、LB膜のパターニングを行
い、その後、無水酢酸:ビリジン:ベンゼン=1:1:
3の混合溶液に一晩浸漬することによって、以下の構造
式で表されるポリイミド膜に変化させた後、実施例1と
同様の方法で液晶素子を作成したところ、実施例1と同
様の結果が得られた。
い、その後、無水酢酸:ビリジン:ベンゼン=1:1:
3の混合溶液に一晩浸漬することによって、以下の構造
式で表されるポリイミド膜に変化させた後、実施例1と
同様の方法で液晶素子を作成したところ、実施例1と同
様の結果が得られた。
本方式ではラビング法に比較して使用する液晶材料が違
い、分子構造や液晶の自発分極等の物性定数が異なり、
配向条件が違う場合にも積層数を変えたり、凹凸のピッ
チを変えることが容易にできるので使用液晶材料の配向
条件にあった表面状態を容易に実現することができる。
い、分子構造や液晶の自発分極等の物性定数が異なり、
配向条件が違う場合にも積層数を変えたり、凹凸のピッ
チを変えることが容易にできるので使用液晶材料の配向
条件にあった表面状態を容易に実現することができる。
さらに均一な膜が形成されるので、液晶素子内での配向
不良が生じない。また斜方蒸着に比較すると大面積対応
も容易である。
不良が生じない。また斜方蒸着に比較すると大面積対応
も容易である。
(発明の効果)
以上述べたように本発明によれば、配向性の良い液晶素
子が得られるため、光学応答特性に優れ、大面積対応に
も容易になる。
子が得られるため、光学応答特性に優れ、大面積対応に
も容易になる。
第1図は本発明の一実施例を示す強誘電性液晶素子の断
面図である。第2図は強誘電性液晶分子の螺旋配列状態
を示す模式図、第3図及び第4図は基板間の強誘電性液
晶分子の配向状態を模式的に示す側面図及び平面図であ
る。 1・・・透明電極、2,15・・・ガラス基板、3,6
・・ポリイミド膜、4・・・強誘電性液晶、21・・・
自発分極、22,41,42・・・液晶分子、23・・
・螺旋軸、31.32・・・基板、43・・・偏光軸。
面図である。第2図は強誘電性液晶分子の螺旋配列状態
を示す模式図、第3図及び第4図は基板間の強誘電性液
晶分子の配向状態を模式的に示す側面図及び平面図であ
る。 1・・・透明電極、2,15・・・ガラス基板、3,6
・・ポリイミド膜、4・・・強誘電性液晶、21・・・
自発分極、22,41,42・・・液晶分子、23・・
・螺旋軸、31.32・・・基板、43・・・偏光軸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電極が形成されている二枚の電極付き基板で強誘電性液
晶を狭持する構造の強誘電性液晶素子の製造方法におい
て前記基板上に、以下の構造式(1)で表されるポリア
ミド酸と以下の構造式(2)で表される有機物質の混合
物からなる有機単分子膜を一層以上積層させる工程と、
その後に前記有機物質の一部を除去することにより前記
基板表面上に凹凸を形成させる工程と、ついで前記基板
上に強誘電性液晶を積層させる工程とを含むことを特徴
とする強誘電性液晶素子の製造方法。 構造式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 構造式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14971188A JPH023013A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14971188A JPH023013A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023013A true JPH023013A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15481151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14971188A Pending JPH023013A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH023013A (ja) |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP14971188A patent/JPH023013A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6027772A (en) | Optical alignment composition, alignment layer formed using the same and LCD having the alignment layer | |
US5357357A (en) | Liquid crystal display devices with organic thin film formed by compressing molecules on liquid surface and transferring to substrate by horizontal lifting | |
KR920010053B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR100565739B1 (ko) | 광배향성 물질 및 이를 이용한 액정표시소자 | |
JPS6298326A (ja) | 液晶セル | |
JPS6314123A (ja) | 液晶素子 | |
US5554419A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH023015A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPH023014A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPH023013A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPH01186915A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
JPH01178922A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
KR20110099939A (ko) | 광 조사를 통한 액정과 광경화성 단분자 혼합물의 수직 배향을 이용한 액정 표시 장치 및 그 방법 | |
JP2550054B2 (ja) | 強誘電性スメクチツク液晶電気光学装置 | |
JPH05210101A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
US5599593A (en) | Liquid crystal display device using main-chain polyester liquid crystal polymer | |
JPH04225325A (ja) | 液晶分子配向体の製造方法 | |
JPS62247327A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JP3241502B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
JPS62247326A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPH0348817A (ja) | 液晶電気光学素子 | |
JPH01251015A (ja) | 液晶素子 | |
JPH04190328A (ja) | 強誘電性液晶表示素子とその製造法 | |
JPS63277295A (ja) | 強誘電性液晶組成物 | |
KR100462383B1 (ko) | 액정표시소자및액정배향방법 |