JPH0230028B2 - - Google Patents
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- JPH0230028B2 JPH0230028B2 JP56000378A JP37881A JPH0230028B2 JP H0230028 B2 JPH0230028 B2 JP H0230028B2 JP 56000378 A JP56000378 A JP 56000378A JP 37881 A JP37881 A JP 37881A JP H0230028 B2 JPH0230028 B2 JP H0230028B2
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリクス表示装置の駆動回路に係
り、特に、多重マトリクス表示装置の画像情報の
書込みおよび読出し回路の駆動法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a driving circuit for a matrix display device, and more particularly to a method for driving a circuit for writing and reading image information in a multiple matrix display device.
第1図は、液晶表示装置の原理を示すもので、
上下のガラス基板1および1′に形成された透明
電極2および2′に交流電圧を印加すると、両基
板間に薄く封入された表示体である液晶層3が励
起して、光の透過状態が変化して表示するもので
ある。液晶マトリクス表示装置では、この透明電
極2および2′をマトリクス状に形成し、この交
点の液晶に印加する実効電圧の大小によつて表示
するものである。この実効電圧と光の透過量の関
係は、第2図の様になつており、通常VNSとVSの
電圧の差で表示する。 Figure 1 shows the principle of a liquid crystal display device.
When an AC voltage is applied to the transparent electrodes 2 and 2' formed on the upper and lower glass substrates 1 and 1', the liquid crystal layer 3, which is a display body thinly sealed between the two substrates, is excited and the light transmission state changes. It changes and is displayed. In a liquid crystal matrix display device, the transparent electrodes 2 and 2' are formed in a matrix, and display is performed by varying the effective voltage applied to the liquid crystal at the intersections. The relationship between the effective voltage and the amount of light transmitted is as shown in Figure 2, and is usually expressed as the difference between the voltages VNS and VS.
第3図に、2行、3列の画素を表示するマトリ
クス表示装置を示す。 FIG. 3 shows a matrix display device that displays pixels in two rows and three columns.
第3図によつて、斜線に示す部分の画素を表示
する場合について、具体的な回路動作を説明す
る。ここで横長の走査電極を行電極X1,X2、縦
長の信号電極を列電極Y1,Y2,Y3と呼ぶ。 With reference to FIG. 3, a specific circuit operation will be described in the case where pixels in the shaded area are displayed. Here, the horizontally elongated scanning electrodes are called row electrodes X 1 , X 2 , and the vertically elongated signal electrodes are called column electrodes Y 1 , Y 2 , Y 3 .
4はメモリ駆動回路、5はフレームメモリ、8
は走査回路であり、列電極駆動回路100は、ラ
インメモリ6及び選択スイツチ回路7より構成さ
れる。 4 is a memory drive circuit, 5 is a frame memory, 8
is a scanning circuit, and the column electrode drive circuit 100 is composed of a line memory 6 and a selection switch circuit 7.
画像データDIを入力として、フレームメモリ
5にはメモリ駆動回路4によつて、ピ示パネル9
の行電極と列電極の交叉部に形成される画像
(1,1),(1,2),…(2,2),(2,3)に
対応する1フレーム期間中の画像データD1,D2,
…D6が記憶される。走査の第1行目のときには、
画像データD1,D2,D3がラインメモリ6に入力
され、選択スイツチ回路7によつて得られる第4
図bに示す様な波形の電圧VYを印加する。走査
回路8で発生する信号は、画像データDIに基づ
いて第4図aに示す様なフレーム周期Tで順次行
電極X1,X2を選択する波形の信号VXである。従
つて、液晶側からみた印加電圧は、第4図に示す
様に、画素(1,1)の斜線部ではc、画素
(2,1)の白部ではdの波形が印加され、斜線
部電圧VS>白部電圧VNSとなり、所定の表示が得
られる。このときの液晶印加電圧の実効電圧値
は、第4図から明らかなように、行電極のフレー
ム周期Tの関数で表わされる。 With the image data D I as input, the frame memory 5 is provided with a picture display panel 9 by the memory drive circuit 4.
Image data D 1 during one frame period corresponding to images (1, 1), (1, 2), ... (2, 2), (2, 3) formed at the intersection of the row electrode and column electrode of ,D 2 ,
...D 6 is memorized. At the first line of scanning,
Image data D 1 , D 2 , D 3 are input to the line memory 6, and the fourth image data obtained by the selection switch circuit 7 is input to the line memory 6.
Apply a voltage V Y with a waveform as shown in Figure b. The signal generated by the scanning circuit 8 is a waveform signal VX that sequentially selects the row electrodes X 1 and X 2 at a frame period T as shown in FIG. 4A based on the image data D I. Therefore, as shown in FIG. 4, the applied voltage seen from the liquid crystal side has a waveform of c in the shaded area of the pixel (1, 1), a waveform of d in the white area of the pixel (2, 1), and the waveform of the voltage applied in the shaded area is d. Voltage V S > white part voltage V NS , and a predetermined display is obtained. As is clear from FIG. 4, the effective voltage value of the voltage applied to the liquid crystal at this time is expressed as a function of the frame period T of the row electrodes.
ところで、マトリクス表示装置の解析度、明る
さ、コントラストを向上させるための一手段とし
て、例えば特開昭52−115198号に示される様な多
重マトリクス方式が提案されている。この方式
は、1行の走査電極内に複数個の信号電極を形成
して、走査電極選択時にこれらの画像データ信号
を同時に印加して表示するものである。 Incidentally, as a means for improving the resolution, brightness, and contrast of a matrix display device, a multiplex matrix method as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 115198/1983 has been proposed. In this method, a plurality of signal electrodes are formed within one row of scanning electrodes, and these image data signals are applied simultaneously when selecting a scanning electrode for display.
第5図に、従来の多重マトリクス方式の一例と
して4行、3列の画素を表示する2重マトリクス
表示装置を示す。 FIG. 5 shows a dual matrix display device that displays pixels in 4 rows and 3 columns as an example of a conventional multiple matrix system.
第3図と同様にフレームメモリ5には画素
(1,1)…(4,3)に対応する1フレーム期
間中の画像データD1…D12が記憶される。まず、
画像データD1,D2,…D6がラインメモリ6に入
力され、第3図と同様に、選択スイツチ回路7、
走査回路8によつて列電極Y1〜Y6に駆動信号が
入力され、表示パネル9に所定の表示が得られる
が、第5図に示す様に、1行電極内の画素列数を
2重に形成して、表示列は2つのグループに分割
された列電極で形成される。 Similar to FIG. 3, the frame memory 5 stores image data D1 ... D12 during one frame period corresponding to pixels (1,1)...(4,3). first,
Image data D 1 , D 2 ,...D 6 are input to the line memory 6, and as in FIG. 3, the selection switch circuits 7,
Drive signals are input to the column electrodes Y1 to Y6 by the scanning circuit 8, and a predetermined display is obtained on the display panel 9. As shown in FIG. The display columns are formed with column electrodes divided into two groups.
この場合、ラインメモリ6及び選択スイツチ回
路7から構成される列電極駆動回路100の出力
端子数は増加するが、第3図に示した単純マトリ
クス方式と同じ実効電圧で、画素数を倍に増加す
ることができるので、画質の向上が図れる。 In this case, the number of output terminals of the column electrode drive circuit 100 consisting of the line memory 6 and the selection switch circuit 7 increases, but the number of pixels is doubled at the same effective voltage as in the simple matrix method shown in FIG. Therefore, image quality can be improved.
ところで、ラインメモリ6に入力される画像デ
ータ信号Dは、画像データD1,D2…を記憶して
いる1つのフレームメモリ5から読出して直列デ
ータ信号Dにすることが多い。第3図に示す単純
マトリクス方式の場合には、順次フレームメモリ
5の内容を読出して、ラインメモリ6に直接書込
めば良い。 Incidentally, the image data signal D input to the line memory 6 is often read out from one frame memory 5 storing image data D 1 , D 2 . . . and converted into a serial data signal D. In the case of the simple matrix method shown in FIG. 3, the contents of the frame memory 5 may be sequentially read and written directly to the line memory 6.
しかし、多重マトリクス方式の場合には、フレ
ームメモリ内の画像データの順序を交互に変えて
読出さなければならないのでアドレスカウンタな
ど周辺の回路構成が複雑になる。例えば、第5図
の場合、フレームメモリ5内の画像データをD1,
D2,…D6とすると、その読出し順序は、D1,
D4,D2,D5,D3,D6とする必要がある。 However, in the case of the multiplex matrix method, the order of the image data in the frame memory must be alternately changed and read out, which complicates the peripheral circuitry such as the address counter. For example, in the case of FIG. 5, the image data in the frame memory 5 is D 1 ,
Assuming D 2 ,...D 6 , the reading order is D 1 ,...D 6
It is necessary to set D 4 , D 2 , D 5 , D 3 , and D 6 .
第5図に示したメモリ駆動回路4の一例を第6
図に示す。 An example of the memory drive circuit 4 shown in FIG.
As shown in the figure.
この回路は、カウンタ41、加算器42A、加
算器42B、マルチプレクサ43等から成り、こ
れらは、第7図のタイムチヤートに示す動作を行
なう。この様に、フレームメモリ5の読出し順序
を複雑にすることは、フレームメモリ5の周辺駆
動回路を複雑にすることになる。 This circuit consists of a counter 41, an adder 42A, an adder 42B, a multiplexer 43, etc., which perform the operations shown in the time chart of FIG. In this way, complicating the reading order of the frame memory 5 complicates the peripheral drive circuit of the frame memory 5.
本発明の目的は上記欠点を除去し、回路構成が
簡単なマトリクス表示装置を得ることである。 An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and provide a matrix display device with a simple circuit configuration.
上記目的を達成する本発明マトリクス表示装置
の特徴とするところは、表示パネルのマトリクス
状の画素の一列に対向する列電極が各列毎に一定
の規則性を持つて電気的に複数のグループに分割
され、フレームメモリが上記分割された列電極の
グループの数と同数のブロツクに分割された点に
ある。 A feature of the matrix display device of the present invention that achieves the above object is that the column electrodes facing one row of matrix-shaped pixels of the display panel are electrically divided into a plurality of groups with a certain regularity for each row. The frame memory is divided into the same number of blocks as the number of divided column electrode groups.
本発明マトリクス表示装置の特徴とするところ
を具体的に言えば、表示パネルのマトリクス状の
画素の一列に対向する列電極が各列毎に一定の規
則性を持つて電気的に複数のグループに分割さ
れ、フレームメモリが上記分割された列電極のグ
ループの数と同数のブロツクに分割され、上記複
数のブロツクに分割されたフレームメモリのうち
の少なくとも一つを順次指定し、かつ上記フレー
ムメモリのアドレスを指定してフレームメモリを
駆動する点にある。 Specifically, the matrix display device of the present invention is characterized in that the column electrodes facing one row of matrix-shaped pixels of the display panel are electrically divided into a plurality of groups with a certain regularity for each row. The frame memory is divided into the same number of blocks as the number of divided column electrode groups, and at least one of the frame memories divided into the plurality of blocks is sequentially designated, and the frame memory is The point is that the frame memory is driven by specifying an address.
ここでいう列電極を電気的に複数のグループに
分けるための一定の規則性とは、例えば列電極を
行電極数の4倍に分割し、各行電極に対向して4
行の画素を形成するようにし、4つのグループ
a,b,c,dに分ける場合、列電極のグループ
分けは、第1行目から順次a,b,c,d,a,
b,c,d,……となる多重方式、a,b,c,
d,d,c,b,a,a,b,c,d,……とな
る反転多重方式等のように配列順序が規則正しく
繰返された配列となつていることを意味する。 The certain regularity for electrically dividing the column electrodes into a plurality of groups means, for example, dividing the column electrodes into four times the number of row electrodes, and dividing the column electrodes into four groups facing each row electrode.
When forming row pixels and dividing them into four groups a, b, c, d, the column electrodes are grouped sequentially from the first row to a, b, c, d, a,
b, c, d, ... multiplexing method, a, b, c,
This means that the arrangement order is regularly repeated, such as in the inverse multiplexing method, where d, d, c, b, a, a, b, c, d, . . . .
第8図に本発明の第1の実施例を示す。同図に
於いて、第5図と同一記号は同一物を示すが、選
択スイツチ回路7、走査回路8、表示パネル9は
第5図と同一なので省略する。第8図では、第5
図と同様の4行、3列の画素の表示を行なうもの
とする。 FIG. 8 shows a first embodiment of the present invention. In this figure, the same symbols as in FIG. 5 indicate the same parts, but the selection switch circuit 7, scanning circuit 8, and display panel 9 are the same as in FIG. 5, so their description will be omitted. In Figure 8, the fifth
Assume that pixels in four rows and three columns are displayed as shown in the figure.
第8図に於いて、10はアドレスセレクタ、1
1は読出し時のアドレスカウンタでこれらは、ス
イツチSW1,SW2,NOT回路と共に、フレーム
メモリ51,52を駆動するメモリ駆動回路4を
構成する。 In FIG. 8, 10 is an address selector, 1
Reference numeral 1 denotes an address counter at the time of reading, which together with switches SW 1 , SW 2 , and a NOT circuit constitute a memory drive circuit 4 that drives frame memories 51 and 52 .
第5図に示す様に、表示パネル9に於いて列電
極Y1とY2,Y3とY4,Y5とY6というように、1
つの表示列は2つのグループに分割された列電極
によつて構成される。これに対応して、フレーム
メモリも列電極Y1,Y3,Y5と列電極Y2,Y4,
Y6にそれぞれ対応して、2つに分割する。すな
わち、第1行目、第3行目の画像データD1,D2,
D3,D7,D8,D9はフレームメモリ51に、第2
行目、第4行目の画像データD4,D5,D6,D10,
D11,D12はフレームメモリ52に記憶される。
その後、フレームメモリ51,52の画像データ
をスイツチにより切換えてラインメモリ6に転送
させる。 As shown in FIG. 5, in the display panel 9, the column electrodes Y 1 and Y 2 , Y 3 and Y 4 , Y 5 and Y 6 , etc.
One display column is constituted by column electrodes divided into two groups. Correspondingly, the frame memory also has column electrodes Y 1 , Y 3 , Y 5 and column electrodes Y 2 , Y 4 ,
Divide into two, each corresponding to Y 6 . That is, the image data D 1 , D 2 ,
D 3 , D 7 , D 8 , D 9 are stored in the frame memory 51;
Image data of the fourth line D 4 , D 5 , D 6 , D 10 ,
D 11 and D 12 are stored in the frame memory 52.
Thereafter, the image data in the frame memories 51 and 52 are transferred to the line memory 6 by being switched by a switch.
第9図及び第10図は第8図の回路動作を説明
するためのタイムチヤートである。 9 and 10 are time charts for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 8.
WEはフレームメモリの書込み/読出し制御信
号で論理“H”のとき書込み、“L”のとき読出
し、またCSはチツプセレクト信号で論理“H”
でチツプセレクトが行なわれ、ストローブパルス
STBの立上りのタイミングで書込動作が行なわ
れる。 WE is a write/read control signal for the frame memory, and when it is logic "H", it is written, and when it is "L", it is read. CS is a chip select signal, and it is logic "H".
Chip selection is performed at , and the strobe pulse is
A write operation is performed at the rising edge of STB.
書込み時にはSW1がSTB側に切換えられ、ア
ドレスセレクタ10はその制御信号CP1により、
書込みアドレスWAを選択し、WAをアドレス出
力Aとする。この書込みアドレス信号WAは、た
とえば第9図に示す様な順序で計算機等から出力
され、画像データ信号DIと同周期で、フレーム
メモリ内のアドレスを指定する。また、チツプセ
レクト信号CSは、フレームメモリのセレクトブ
ロツクを決める信号で書込み時には第9図の様な
タイミングで発生する。従つてストローブパルス
STBの立上りにより、フレームメモリ51には
画素の第1行目及び第3行目の画像データD1,
D2,D3及びD7,D8,D9が記憶され、フレームメ
モリ52には第2行目及び第4行目の画像データ
D4,D5,D6及びD10,D11,D12が記憶される。こ
こで、ストローブパルスSTBは、書込みアドレ
ス信号の情報が十分に判断できる程度まで立上が
つてから、発生するようにする。 During writing, SW 1 is switched to the STB side, and the address selector 10 uses its control signal CP 1 to
Select write address WA and set WA as address output A. This write address signal WA is outputted from a computer or the like in the order shown in FIG. 9, for example, and specifies an address in the frame memory at the same cycle as the image data signal DI . The chip select signal CS is a signal that determines the select block of the frame memory, and is generated at the timing shown in FIG. 9 during writing. Therefore the strobe pulse
With the rising edge of STB, the frame memory 51 stores the image data D 1 and 3 of the first and third rows of pixels.
D 2 , D 3 and D 7 , D 8 , D 9 are stored, and the frame memory 52 contains the image data of the second and fourth rows.
D 4 , D 5 , D 6 and D 10 , D 11 , D 12 are stored. Here, the strobe pulse STB is generated after the information of the write address signal has risen to the extent that it can be determined sufficiently.
次に、読出し時には、第8図に於いて書込み/
読出し制御信号WEを“L”にし、また、アドレ
スセレクタ10は制御信号CP1により読出しカウ
ンタ11の出力である読出しアドレス信号RAを
選択し、RAをアドレス出力Aとする。この読出
しアドレス信号RAは、例えば第10図に示す様
な順序で出力され、画像データ信号DIの2倍の
周期で発生し、読出し時のフレームメモリ51,
52のアドレスを指定する。 Next, when reading, write/write in FIG.
The read control signal WE is set to "L", and the address selector 10 selects the read address signal RA, which is the output of the read counter 11, using the control signal CP1 , and makes RA the address output A. This read address signal RA is output in the order shown in FIG. 10, for example, and is generated at twice the cycle of the image data signal D I , and is
52 address.
読出しカウンタ11の具体的な回路構成を示す
と第11図のようになる。この回路は、通常用い
られている1チツプ構成の4ビツト、16進カウン
タ回路111およびゲート回路112によつて構
成され、第12図のような回路動作を行なうこと
ができる。 The specific circuit configuration of the read counter 11 is shown in FIG. This circuit is composed of a commonly used 1-chip 4-bit hexadecimal counter circuit 111 and a gate circuit 112, and can perform the circuit operation as shown in FIG. 12.
チツプセレクト信号CSは、第10図に示す様
に発生し、書込み時の3分の1の周期で発生し、
NOT回路と共に、チツプセレクト回路を構成し、
フレームメモリ51,52のいずれかが選択され
る。読出しアドレス信号RAの周期の期間に、ク
ロツクパルスCP2によりスイツチSW2が切換えら
れ、フレームメモリ51,52内の画像データが
画像データ信号Dによつて交互にラインメモリ6
に転送される。従つて、ラインメモリ6には、
D1,D4,D2,D5,D3,D6の順序で、第5図に示
した従来例と同じ順序となる。 The chip select signal CS is generated as shown in Figure 10, and is generated at one-third of the writing cycle.
Together with the NOT circuit, it constitutes a chip select circuit.
Either frame memory 51 or 52 is selected. During the period of the read address signal RA, the switch SW 2 is switched by the clock pulse CP 2 , and the image data in the frame memories 51 and 52 are alternately transferred to the line memory 6 by the image data signal D.
will be forwarded to. Therefore, in the line memory 6,
The order of D 1 , D 4 , D 2 , D 5 , D 3 , and D 6 is the same as in the conventional example shown in FIG.
この後、ラインメモリ6により並列データに変
換し、列電極に電圧印加するまでの動作は、従来
例と同じなので省略する。 Thereafter, the operations from converting to parallel data by the line memory 6 to applying voltage to the column electrodes are the same as in the conventional example, and will therefore be omitted.
尚、第8図に於いては、フレームメモリ51,
52の出力信号の切換えは、スイツチSW2によつ
て行なつたが、第13図のように、トライステー
ト出力のフレームメモリ51′,52′を用いる
と、スイツチSW2は省略できる。 In addition, in FIG. 8, the frame memory 51,
Switching of the output signal of 52 was performed by switch SW 2 , but if frame memories 51' and 52' of tri-state output are used as shown in FIG. 13, switch SW 2 can be omitted.
本実施例によれば、第7図に示す従来に比べ
て、フレームメモリを2つに分割することで、第
11図に示す様に簡単な回路で画像データを読み
出すことができる。 According to this embodiment, by dividing the frame memory into two, image data can be read out with a simpler circuit as shown in FIG. 11, compared to the conventional method shown in FIG. 7.
第14図に本発明の第2の実施例を示す。同図
に於いて、前述した図と同一記号は同一物及び相
当物を示す。 FIG. 14 shows a second embodiment of the present invention. In this figure, the same symbols as those in the above-mentioned figures indicate the same or equivalent parts.
第14図に於いては、表示パネル9の両側に列
電極の端子が引出されており、それぞれフレーム
メモリ51,52、列電極駆動回路100a,1
00bを構成するラインメモリ61,62、選択
スイツチ回路71,72と接続されている。 In FIG. 14, column electrode terminals are drawn out on both sides of the display panel 9, and frame memories 51 and 52 and column electrode drive circuits 100a and 1 are connected to each other.
It is connected to line memories 61 and 62 and selection switch circuits 71 and 72 that constitute 00b.
第8図と同様に、フレームメモリ51及び52
には、それぞれD1,D2,D3,D7,D8,D9及び
D4,D5,D6,D10,D11,D12が記憶されている。
走査の第1行目に於いて、フレームメモリ51,
52内の走査の第1行目に対応する画像データ、
D1〜D3,D4〜D6が同時に読出され、各々のライ
ンメモリ61,62に書込まれ、所定の表示を行
なう。 Similarly to FIG. 8, frame memories 51 and 52
are D 1 , D 2 , D 3 , D 7 , D 8 , D 9 and
D 4 , D 5 , D 6 , D 10 , D 11 , and D 12 are stored.
In the first line of scanning, the frame memory 51,
Image data corresponding to the first line of scanning in 52,
D 1 to D 3 and D 4 to D 6 are simultaneously read out and written into the respective line memories 61 and 62 to perform a predetermined display.
本実施例に於いても、フレームメモリを2つに
分割することで、スイツチSW2が必要なく、簡単
な回路で画像データを読み出すことができる。 In this embodiment as well, by dividing the frame memory into two, the switch SW 2 is not required and the image data can be read out with a simple circuit.
さらに、本実施例に於いては、表示パネル9の
両側に列電極の端子が引出されているので、列電
極の端子の高密度化を避けることができる。 Furthermore, in this embodiment, since the column electrode terminals are drawn out on both sides of the display panel 9, it is possible to avoid increasing the density of the column electrode terminals.
第15図に本発明を反転4重マトリクス方式に
適用した第3の実施例を示す。 FIG. 15 shows a third embodiment in which the present invention is applied to an inverted quadruple matrix method.
51,52,53,54はフレームメモリであ
り、61,62はラインメモリであり、また7
1,72は選択スイツチ回路である。 51, 52, 53, 54 are frame memories, 61, 62 are line memories, and 7
1 and 72 are selection switch circuits.
デコーダ12は、フレームメモリ51,52,
53,54のチツプセレクトを行なう制御信号
CS1…CS4を出力とするチツプセレクト回路であ
る。 The decoder 12 includes frame memories 51, 52,
Control signal for selecting chips 53 and 54
This is a chip select circuit that outputs CS 1 ...CS 4 .
なお、第8図と第14図と同一記号は同一物又
は相当物を示す。第15図に於いて、画面は例え
ば8行、3列の画素(1,1),(1,2),…
(8,2),(8,3)により形成される。ここで、
表示列単位は、4つのグループの列電極YAj,
YBj,YCj,YDj(j=1,2,3)によつて形成さ
れる。A列電極YAjは、第1行目と第8行目の画
素に接続され、B列電極YBjは第2行目と第7行
目の画素に接続される。同様に、C列電極YCj及
びD列電極YDjは、それぞれ第3行目と第6行目、
及び第4行目と第5行目に接続されている。表示
列単位が4つのグループに分割されるので、フレ
ームメモリも4つ51,52,53,54に分け
られ、図に示す様に画像データD1〜D24は、それ
ぞれの列電極が接続している画素の画像データと
して、フレームメモリに記憶されている。 Note that the same symbols as in FIGS. 8 and 14 indicate the same or equivalent items. In FIG. 15, the screen has, for example, 8 rows and 3 columns of pixels (1,1), (1,2),...
It is formed by (8,2) and (8,3). here,
The display column unit is four groups of column electrodes Y Aj ,
It is formed by Y Bj , Y Cj , and Y Dj (j=1, 2, 3). The A column electrode Y Aj is connected to the pixels in the first and eighth rows, and the B column electrode Y Bj is connected to the pixels in the second and seventh rows. Similarly, the C column electrode Y Cj and the D column electrode Y Dj are in the third and sixth rows, respectively.
and connected to the fourth and fifth rows. Since the display column unit is divided into four groups, the frame memory is also divided into four groups 51, 52, 53, and 54, and as shown in the figure, image data D 1 to D 24 are connected to each column electrode. It is stored in the frame memory as image data of the pixels in the frame memory.
まず、走査の第1行目に於いて、フレームメモ
リ51内の画素の第1行目の画像データD1,D2,
D3とフレームメモリ52内の画素の第2行目の
画像データD4,D5,D6をフレームメモリ51の
画像データが先になる様にスイツチSW21を切換
えることにより、ラインメモリ61にD1,D4,
D2,D5,D3,D6の順序で画像データが転送され
る。同時に、フレームメモリ53,54内の画素
第3行目、第4行目の画像データD7〜D12をフレ
ームメモリ53の画像データが先になる様にスイ
ツチSW22を切換えることにより、ラインメモリ
62にD7,D10,D8,D11,D9,D12の順序で画像
データが転送される。 First, in the first line of scanning, the first line of image data D 1 , D 2 ,
D 3 and the image data D 4 , D 5 , D 6 of the second row of pixels in the frame memory 52 are transferred to the line memory 61 by switching the switch SW 21 so that the image data in the frame memory 51 comes first. D 1 , D 4 ,
Image data is transferred in the order of D 2 , D 5 , D 3 , and D 6 . At the same time, the image data D 7 to D 12 of the third and fourth rows of pixels in the frame memories 53 and 54 are transferred to the line memory by switching the switch SW 22 so that the image data in the frame memory 53 comes first. Image data is transferred to 62 in the order of D 7 , D 10 , D 8 , D 11 , D 9 , and D 12 .
次に、走査の第2行目に於いては、フレームメ
モリ51,52内の画素の第7行目、第8行目の
画像データD19〜D24をフレームメモリ52の画
像データが先になる様にSW21を切換え、ライン
メモリ61にD19,D22,D20,D23,D21,D24の
順序で画像データが転送され、同時にフレームメ
モリ53,54内の画素の第5行目、第6行目の
画像データD13〜D18をフレームメモリ54の画
像データが先になる様にSW22を切換え、ライン
メモリ62にD13,D16,D14,D17,D15,D18の
順序で画像データが転送され、所定の表示が行な
われる。 Next, in the second line of scanning, the image data D 19 to D 24 of the seventh and eighth lines of pixels in the frame memories 51 and 52 are first scanned by the image data in the frame memory 52. The image data is transferred to the line memory 61 in the order of D 19 , D 22 , D 20 , D 23 , D 21 , D 24 , and at the same time , the The SW 22 is switched so that the image data D 13 to D 18 of the 6th and 6th rows are stored in the frame memory 54 first, and the image data D 13 , D 16 , D 14 , D 17 , D are stored in the line memory 62. Image data is transferred in the order of 15 and D18 , and a predetermined display is performed.
本実施例に於いても、フレームメモリを4つに
分割しているので、簡単な回路で画像データを読
み出すことができる。 In this embodiment as well, since the frame memory is divided into four parts, image data can be read out with a simple circuit.
上述した実施例は2重マトリクス、反転2重マ
トリクス、反転4重マトリクス方式に適用したも
のであるが、本発明は、一般的なn重、反転n重
マトリクス方式の他に、行電極も分割させたいわ
ゆる多段マトリクス方式等にも適用できうる。 The above-mentioned embodiments are applied to double matrix, inverted double matrix, and inverted quadruple matrix systems, but the present invention is applicable to the general n-fold and inverted n-fold matrix systems, as well as to split row electrodes. It can also be applied to a so-called multi-stage matrix method.
また、本発明は液晶に限らず他の表示体、例え
ばエレクトロルミネツセンス、プラズマデイスプ
レイ等の表示体にも適用できうる。 Further, the present invention is applicable not only to liquid crystal displays but also to other display bodies such as electroluminescence displays and plasma displays.
以上の様に、本発明によれば、フレームメモリ
を、複数に分割される列電極のグループの数と同
数のブロツクに分割するので、フレームメモリの
読出し動作が簡単になるので、回路構成の簡単な
マトリクス表示装置を得ることができる。 As described above, according to the present invention, the frame memory is divided into the same number of blocks as the number of column electrode groups divided into a plurality of blocks, so the read operation of the frame memory is simplified, and the circuit configuration is simplified. A matrix display device can be obtained.
第1図は液晶表示装置の原理説明図、第2図は
液晶素子の印加電圧と光透過量の関係を示す図、
第3図は従来例である単純マトリクス表示装置の
構成図、第4図は液晶マトリクス表示装置の駆動
波形の一例を示す図、第5図は従来例である2重
マトリクス表示装置の構成図、第6図は第5図に
示すメモリ駆動回路の一例の構成図、第7図は第
7図に示すメモリ駆動回路の駆動動作のタイムチ
ヤート、第8図は本発明の第1の実施例である2
重マトリクス表示装置の構成図、第9図は第8図
に示す本発明の第1の実施例の画像データ書込み
時の動作タイムチヤート、第10図は第8図に示
す本発明の第1の実施例の画像データ読出し動作
タイムチヤート、第11図は第8図に示す読出し
カウンタの一例の構成図、第12図は第11図に
示す読出しカウンタの回路動作のタイムチヤー
ト、第13図は本発明の第1の実施例の応用を示
す構成図、第14図は本発明の第2の実施例であ
る2重マトリクス表示装置の構成図、第15図は
本発明の第3の実施例である反転4重マトリクス
表示装置の構成図である。
4……メモリ駆動回路、5,51,52,5
3,54……フレームメモリ、6,61,62…
…ラインメモリ、7,71,72……選択スイツ
チ回路、8……走査回路、9……表示パネル、1
0……アドレスセレクタ、11……読出しカウン
タ、12……デコーダ、100,100a,10
0b……列電極駆動回路。
Fig. 1 is a diagram explaining the principle of a liquid crystal display device, Fig. 2 is a diagram showing the relationship between the applied voltage of the liquid crystal element and the amount of light transmission,
FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional simple matrix display device, FIG. 4 is a diagram showing an example of driving waveforms of a liquid crystal matrix display device, and FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional dual matrix display device. 6 is a block diagram of an example of the memory drive circuit shown in FIG. 5, FIG. 7 is a time chart of the drive operation of the memory drive circuit shown in FIG. 7, and FIG. 8 is a diagram showing the first embodiment of the present invention. There are 2
9 is a block diagram of a heavy matrix display device, FIG. 9 is an operation time chart when writing image data of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a diagram of the operation time chart of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 11 is a configuration diagram of an example of the read counter shown in FIG. 8; FIG. 12 is a time chart of the circuit operation of the read counter shown in FIG. 11; FIG. 13 is a time chart of the read counter shown in FIG. FIG. 14 is a block diagram showing an application of the first embodiment of the invention, FIG. 14 is a block diagram of a dual matrix display device which is a second embodiment of the invention, and FIG. 15 is a block diagram showing a third embodiment of the invention. FIG. 1 is a configuration diagram of a certain inverted quadruple matrix display device. 4...Memory drive circuit, 5, 51, 52, 5
3, 54... Frame memory, 6, 61, 62...
... Line memory, 7, 71, 72 ... Selection switch circuit, 8 ... Scanning circuit, 9 ... Display panel, 1
0... Address selector, 11... Read counter, 12... Decoder, 100, 100a, 10
0b...Column electrode drive circuit.
Claims (1)
成された行電極および列電極と、上記行電極と上
記列電極に挟まれた電気光学効果を有する材料と
からなる画素が全体としてマトリクス状をなし、
上記行電極と上記列電極に電圧を印加して表示を
行うものにおいて、 上記マトリクス状の画素は画素グループに区分
され、該画素グループの数はI個であり、そのう
ち1個の画素グループに含まれる画素は同じタイ
ミングで走査され、上記個々の画素グループに含
まれる画素はn行×J列のマトリクス状に配列さ
れ、 上記行電極のそれぞれ1本は上記画素グループ
に含まれるn行×J列の画素を覆うようにI本設
けられ、 上記列電極の夫々は、1個の上記画素グループ
に含まれるn行×J列の画素1個に対応するよう
にn×J本設けられ、上記n×J本の列電極のう
ち、K×J本の列電極が上記他方の基板の同一辺
側に引き出されるように構成されたマトリクス表
示パネルと、 上記行電極へ行電極駆動信号を供給する行電極
駆動回路と、 一画面の画像データのうち、各行電極上の画素
1行分の画像データをそれぞれ記憶するn個のフ
レームメモリと、 書き込みアドレスおよびチツプセレクト信号に
基づいて、上記n個のフレームメモリへ画像デー
タを書き込み、かつ読出しアドレスを入力し、上
記同一辺側に引出される上記列電極の端子の配列
順序に対応して上記n個のフレームメモリから画
像データ信号を切り換えて読出すメモリ駆動回路
と、 読出された上記n行分の画素に対応する画像デ
ータ信号に基づき、上記列電極に供給する列電極
駆動信号を発生する列電極駆動回路と を具備することを特徴とするマトリクス表示装
置。[Scope of Claims] 1. A pixel consisting of a row electrode and a column electrode formed on one substrate and the other substrate, respectively, and a material having an electro-optic effect sandwiched between the row electrode and the column electrode. form a matrix,
In the device that performs display by applying a voltage to the row electrode and the column electrode, the pixels in the matrix are divided into pixel groups, and the number of the pixel groups is I, and the pixels included in one pixel group are divided into pixel groups. The pixels included in each pixel group are scanned at the same timing, and the pixels included in each pixel group are arranged in a matrix of n rows x J columns, and each one of the row electrodes is scanned at the same timing as the pixels included in each pixel group. Each of the column electrodes is provided in n×J pieces so as to cover one pixel of n rows×J columns included in one pixel group, and each of the column electrodes is provided in n×J pieces so as to cover one pixel of A matrix display panel configured such that K×J column electrodes out of ×J column electrodes are drawn out to the same side of the other substrate; and a row supplying a row electrode drive signal to the row electrodes. an electrode drive circuit; n frame memories each storing image data for one row of pixels on each row electrode among one screen of image data; A memory for writing image data into a memory, inputting a read address, and switching and reading image data signals from the n frame memories in accordance with the arrangement order of the terminals of the column electrodes drawn out to the same side. A matrix display comprising: a drive circuit; and a column electrode drive circuit that generates a column electrode drive signal to be supplied to the column electrodes based on image data signals corresponding to the n rows of read pixels. Device.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37881A JPS57114190A (en) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | Matrix display device |
US06/335,690 US4481511A (en) | 1981-01-07 | 1981-12-30 | Matrix display device |
DE3200122A DE3200122C2 (en) | 1981-01-07 | 1982-01-05 | Matrix display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37881A JPS57114190A (en) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | Matrix display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57114190A JPS57114190A (en) | 1982-07-15 |
JPH0230028B2 true JPH0230028B2 (en) | 1990-07-04 |
Family
ID=11472129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP37881A Granted JPS57114190A (en) | 1981-01-07 | 1981-01-07 | Matrix display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57114190A (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59195278A (en) * | 1983-04-20 | 1984-11-06 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | Display unit |
JPH0731482B2 (en) * | 1985-03-19 | 1995-04-10 | 三洋電機株式会社 | Image display device |
JPS61213896A (en) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | 株式会社 アスキ− | Display controller |
GB8728435D0 (en) * | 1987-12-04 | 1988-01-13 | Emi Plc Thorn | Display device |
CA2075441A1 (en) * | 1991-12-10 | 1993-06-11 | David D. Lee | Am tft lcd universal controller |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5263014A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-25 | Hitachi Ltd | Driving system of multiple matrix liquid crystal panel |
JPS5454521A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Memory unit |
-
1981
- 1981-01-07 JP JP37881A patent/JPS57114190A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5263014A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-25 | Hitachi Ltd | Driving system of multiple matrix liquid crystal panel |
JPS5454521A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Memory unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57114190A (en) | 1982-07-15 |
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