JPH02297704A - バイアス磁界供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光磁気ディスク装置において、光磁気ディスク
（以下ディスクと称す）の半径方向の記録領域に磁界を
供給する装置に関するものである。

従来の技術 従来のバイアス磁界供給装置は、第４図に示すようにデ
ィスクＤにおける半径方向の記録領域の長さく以下記録
長と称す）に比べて小さい径のセンターヨーク１に記録
長と略対応しかつ近接する先端ヨーク２を設け、前記セ
ンターヨーク１の周囲にコイル３を配置するとともに、
コイル３の外周及びディスクＤとは反対側の側面をヨー
ク４で囲んだ電磁石６が用いられ、この電磁石６をディ
スクに対し適当な間隙Ｇをあけて位置させ得るように構
成されていた。ここでディスクＤは図示しないモータ等
により矢印６方向に回転するので。

ディスクＤのソリや回転軸７とディスクＤとの直角度の
変動により間隙０は例えば０．７〜１．１ｆｆの間で変
動する。一方ディスクＤは記録、消去動作を安定確実に
行なうために、記録長く加わる磁束密度の範囲が例えば
２５０〜４００ガウスと規定されている。よって電磁石
６には間隙Ｇが０．７〜１．１ｆｆの範囲で変動しても
記録長の範囲では２５０〜４００ガウスの範囲内に入る
ことが要求されることとなる。

発明が解決しようとする課題 ところが、上記のように先端ヨーク２の長さが概略記録
長と対応させた場合で１間隙Ｇが１１３ｆｆの状態で２
６０ガウスとなるようにコイル３に流す電流を設定すれ
ば１間隙Ｇが０．７ｆｌに変動した状態では先端ヨーク
２の両端に磁束が集中するエツジ効果が犬きく現れるの
で、第６図の斜線部に示すように記録長の両端部でディ
スクの許容最大磁束密度（例えば４００ガウス）を越え
るという問題があった。

本発明は上記従来の問題点に鑑み磁束密度の分布を記録
長の範囲内で平滑化して、ギャップが変動しても磁束密
度分布がディスクの許容範囲に納まるようにしたバイア
ス磁界供給装置の提供を目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するため、光磁気ディスク装置
におけるディスクの半径方向の記録領域に電磁石にてバ
イアス磁界を供給する装置において、前記電磁石の記録
領域と概略対向する先端ヨークの前記記録領域両端近傍
に磁界分布調整穴を設けたものである。

作用 本発明の上記構成によれば、先端ヨークの前記記録領域
両端近傍に設けた穴部でエツジ効果の一部が吸収される
ので５間隙Ｇが変動しても磁束密度がディスクの許容範
囲を超えないようにすることができる。

実施例 以下本発明の一実施例を第１図〜第３図を参照しながら
説明する。

まず第１図により光デイスク装置１１の全体構成を説明
する。１２は光磁気ディスク（以下ディスクと称す）で
、カートリッジ１３内に収容された状態でセットされ、
中央の支持部１４がスピンドル１６の上端に設けられた
回転伝達部１６にて支持される。１７は前記回転伝達部
１４に固定されたディスク１２の吸着用磁石、１８はデ
ィスク１２の支持部１４に設けられたディスク１２の位
置決め及び吸着用の位置決め板である。前記スピンドル
１５の下部にはこれを回転駆動するモータ部１９が配置
され、このロータ２０にスピンドル６の下端が固定され
ている。

２１は前記ディスク１２の記録膜２２に光を当てて記録
、再生、消去を行なうピックアップ装置であり、矢印ム
の如くディスク１２の半径方向に移動可能に構成されて
いる。また、ディスク１２を間に挾んでピックアップ装
置２１の反対側にバイアス磁界供給装置３０が配設され
、セット状態のディスク１２の記録膜２２に対して所定
のギャップをあけて位置し得るように矢印Ｂの如く上下
動可能に支持されている。

前記バイアス磁界供給装置３０は、第２図に示すように
記録長に比して径の小さいセンターヨーク３１の周囲に
コイル３２が巻装されている。このコイル３２のディス
ク１２側の一端は開放され。

外周と他端はヨーク３３で囲まれている。このヨーク３
３は更に前記センターヨーク３２と結合されている。前
記センターヨーク３１の先端にはディスク１２の記録膜
２２と略対応する長さの先端ヨーク３４が一体的に設け
られ、かつこの先端ヨ一り３４の矢印入方向の内端近傍
に磁界分布調整穴３６が設けられている。以上に示す電
磁石３０ではセンターヨーク３１から先端ヨーク３４を
通って外部に出たあとヨーク３３に入りセンターヨーク
３１に戻る磁気回路を構成することになる。

ここで磁界調整穴３６の径を犬きくするとこの磁界調整
穴３６とこの近傍付近の先端ヨーク３４部分の磁束密度
が大きく低下することは容易に想像できる。従って磁界
調整穴３６の大きさと位置をどこに設けるかが本発明の
ポイントとなる。一方エッジ効果で問題となる量はディ
スク１２の磁束密度許容範囲や先端ヨーク３４と記録膜
２２とのギャップの変動量等により当然具なるので個々
の条件により決定していく必要がある。しかしながら先
端ヨーク３４に磁界調整穴３６を設けない状態で最大ギ
ャップ時に最小磁束密度が記録長全長にわたって確保で
きるようコイル電流を調整し。

この時の記録長方向の磁束密度の分布を測定（第６図参
照）すれば比較的容易に決定できる。同図において磁界
調整穴３６をＸ位置に設けると記録長両端で確保してい
た最低磁束密度が一層低下する可能性があり、Ｙ位置に
設けるとＹ位置での最低磁束密度が低下する可能性があ
る。（当然磁界調整穴３６の穴径にもよる）よって磁界
分布調整穴３６は比較的Ｘ位置に近い２位置付近をメト
に数種試作測定すれば容易に決定できる。またこの時の
磁界分布調整穴３６の穴径はエツジ効果をどれだけ低減
するかによって数種試作評価すれば決定できる。

なお第３図は本発明による試作品での具体的な効果を実
測したもので、コイル３２に流す電流は一定とするとき
の磁界分布調整穴３６の無い状態を破線で設けた状態を
実線で示す磁界分布である。

同図においてギヤノブ１．１ｆｆでの最低磁束密度２５
０ガウスは確保したままギャップ０．７３ｆｆでの最大
磁束密度を４０〜５０ガウス低減できている。

発明の効果 本発明のバイアス磁界供給装置によれば、以上のように
先端ヨークの記録長方向の両端近傍に磁界調整穴を設け
ることによってエツジ効果が低減できるので、ギャップ
が変動しても磁束密度分布をディスク許容範囲内におさ
えることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるバイアス磁界供給装
置とこれを備えた光磁気ディスク装置の要部の概略構成
図、第２図ａは第１図のバイアス磁界供給装置の断面図
、ｂは下面図、第３図は同作用説明図、第４図は従来の
バイアス磁界供給装置で筏は断面図、ｂは下面図、第６
図は同作用説明図である。 １２・・・・・ディスク、３０・・・・バイアス磁界供
給装置、３１・・・・・・センターヨーク、３２・°・
・・・コイル。 、　　３３・・・・・・ヨーク、３４・・・・・先端ヨ
ーク、３６・・・・・・磁界調整穴。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名第３
図 第　４　図 票　５　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光磁気ディスク装置におけるディスクの半径方向の記録
   領域に電磁石にてバイアス磁界を供給するバイアス磁界
   供給装置において、センターヨーク径を前記ディスクの
   記録領域の長さに比べて小さくし、前記センターヨーク
   の先端に記録領域に対応した長さの先端ヨークを設け、
   この先端ヨークの前記ディスクの半径方向の両端近傍に
   磁界調整穴を設けたことを特徴とするバイアス磁界供給
   装置。