JPH02293678A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
- Publication number
- JPH02293678A JPH02293678A JP1116324A JP11632489A JPH02293678A JP H02293678 A JPH02293678 A JP H02293678A JP 1116324 A JP1116324 A JP 1116324A JP 11632489 A JP11632489 A JP 11632489A JP H02293678 A JPH02293678 A JP H02293678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- circuit
- input
- signal
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に内部に存在するク
リティカルバス部の測定テスト回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a measurement test circuit for a critical bus section existing therein.
従来、この種の半導体集積回路(以下ICとする)のク
リティカルパス部の測定は、直接行なうことは出来ず、
ICを専用試験装置に接続し、ICの入力端子にデータ
を与えて動作させ、このICの出力端子から出力される
信号を検査し、電源電圧や動作スピード等を変化させ、
IC自体の動作限界の測定を行っていた。Conventionally, it has not been possible to directly measure the critical path portion of this type of semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC).
Connect the IC to a dedicated test equipment, apply data to the input terminal of the IC to operate it, inspect the signal output from the output terminal of this IC, change the power supply voltage, operating speed, etc.
The operating limits of the IC itself were measured.
前述した従来の測定方法では、現在のICの大型チップ
によるチップ内部の容量及び抵抗値の増大や、動作スピ
ードの高スピード化、プラスティックパッケージ等の組
立によるスピード特性の劣化などの要因等によシ、出来
上ったICの動作スピードの限界部分の解析等に時間を
要する。The conventional measurement method described above is difficult to overcome due to factors such as increased capacitance and resistance inside the chip due to the large size of current IC chips, increased operating speed, and deterioration of speed characteristics due to assembly of plastic packages, etc. It takes time to analyze the limits of the operating speed of the completed IC.
この為、高スピードのICを短期間に開発するのは非常
に難しいという欠点がある。For this reason, it has the disadvantage that it is extremely difficult to develop high-speed ICs in a short period of time.
本発明の目的は、前記欠点が解決され、評価、解決が簡
単にしかも短時間に行えるようにした半導体集積回路を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit in which the above-mentioned drawbacks can be solved and evaluation and resolution can be easily and quickly carried out.
本発明の半導体集積回路の構成は、テスト信号を入力す
るテスト端子と、クリティカルバス部のロジック信号と
前記ロジック信号に競合する複数のクロック信号とを入
力とするマルチプレクサ回路と、前記マルチプレクサ回
路で指定された一対のロジック信号,クロック信号を出
力する入出力端子とを備えたことを特徴とする。The configuration of the semiconductor integrated circuit of the present invention includes a test terminal to which a test signal is input, a multiplexer circuit to which a logic signal of a critical bus section and a plurality of clock signals competing with the logic signal are input, and a designation made by the multiplexer circuit. The device is characterized by having an input/output terminal that outputs a pair of logic signals and a clock signal.
次に図面を参照しながら本発明を説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の半導体集積回路の一部を示
すブロック図、第2図は本発明の一実施例の半導体集積
回路の他部を示すブロック図である。第1図の矢印30
乃至35は、第2図の矢印30乃至35に各々接続され
、第1図と第2図とを合わせて、本発明の一実施例の半
導体集積回路のブロック図となる。第1図、第2図Kお
いて、本実施例の半導体集積回路は、入力信号端子Tと
、データバス22が入力される制御回路21と、デコー
ダ回路1と、クリティカルパス回路2, 3. 4と、
マルチプレクサ20と、トランスファーゲ−ト55乃至
63と、インバータゲート6,7乃至11とを含み、構
成される。ここで、入力端子Tはテスト端子であり、デ
ータバス22はIC内のデータバスであシ、回路21は
データバス22のデータをマルチプレクサ20に入力す
る為の制御回路であり、マルチプレクサ20はデコーダ
回路1とNch }ランス7アゲート55乃至60と
で構成され、クリティカルバス回路2, 3. 4
はIC各部に複数存在し、入出力端子A, Bはデータ
バス22で指定されたクリティカルパスの情報であるロ
ジック信号と、前記ロジック信号と競合するクロック信
号とを出力する為の端子である。FIG. 1 is a block diagram showing a part of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the invention, and FIG. 2 is a block diagram showing other parts of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the invention. Arrow 30 in Figure 1
35 are respectively connected to arrows 30 to 35 in FIG. 2, and FIG. 1 and FIG. 2 together form a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention. 1 and 2K, the semiconductor integrated circuit of this embodiment includes an input signal terminal T, a control circuit 21 to which a data bus 22 is input, a decoder circuit 1, and critical path circuits 2, 3. 4 and
It is configured to include a multiplexer 20, transfer gates 55 to 63, and inverter gates 6, 7 to 11. Here, the input terminal T is a test terminal, the data bus 22 is a data bus within the IC, the circuit 21 is a control circuit for inputting data on the data bus 22 to the multiplexer 20, and the multiplexer 20 is a decoder. The critical bus circuits 2, 3 are composed of circuit 1 and Nch} lance 7 agates 55 to 60. 4
A plurality of input/output terminals A and B exist in each part of the IC, and input/output terminals A and B are terminals for outputting a logic signal that is information on the critical path specified by the data bus 22 and a clock signal that competes with the logic signal.
今、テスト端子Tが低電位(以下@L″とする)のとき
、Nch}ランスファゲート62.64は、非導通で、
Nch}ランス7アゲート61.63は導通の為、端子
A, Bは通常のICの出力バッファとして使用され
る。また、制御回路21のNch トランスフ1ゲー
ト65乃至67もOFF状態で、データバス22はマル
チプレクサ20には入力されない。テスト端子Tが高電
位(以下@H″ とする)のとき、テスト状態となシ、
N chトランスファゲート62.64 は導通とな
る。また制御回路21のNch トランスファゲート
がON状態となる為、データバス22のデータがマルチ
プレクサ20に入力される。データバス22のデータは
、デコーダ回路1に入力される。このデコーダ回路1は
、選択された出力が′″H”で、他の出力が1L″とな
る。仮りに、デコーダ回路1の出力aが”H”で他の出
力が1L″Kなったとすると、クリティカルパス回路2
のロジック信号の出力であるナンドゲート101の出力
をインバータゲート6で受け直しNch トランスフ
ァゲ−ト55.62 を通って、入出力端子Aよシ出
力する。また同様に、クリティカルパス回路2のロジッ
ク信号と競合するクロックドインバータゲート107の
ゲート信号をインバータ7で受け直し、Nch }ラ
ンスファゲート56.64 を通って、入出力端子B
よシ出力する。以上の端子A, Bの信号を測定する
ことによ夛、クリティカルパス回路2の評価を行うこと
が出来る。同様にデータバス22のデータを変更するこ
とによシ、クリテイカルバス回路3,4の回路の評価を
行うことが出来る。Now, when the test terminal T is at a low potential (hereinafter referred to as @L''), the Nch} transfer gates 62 and 64 are non-conductive,
Nch} lance 7 agate 61.63 is conductive, so terminals A and B are used as normal IC output buffers. Further, the Nch transfer 1 gates 65 to 67 of the control circuit 21 are also in an OFF state, and the data bus 22 is not input to the multiplexer 20. When the test terminal T is at a high potential (hereinafter referred to as @H''), it is not in the test state.
The Nch transfer gates 62 and 64 become conductive. Further, since the Nch transfer gate of the control circuit 21 is turned on, data on the data bus 22 is input to the multiplexer 20. Data on the data bus 22 is input to the decoder circuit 1. In this decoder circuit 1, the selected output is ``H'' and the other outputs are 1L''. Suppose that the output a of the decoder circuit 1 is ``H'' and the other outputs are 1L''K. , critical path circuit 2
The output of the NAND gate 101, which is the output of the logic signal, is received again by the inverter gate 6, passes through the Nch transfer gates 55 and 62, and is outputted to the input/output terminal A. Similarly, the gate signal of the clocked inverter gate 107 that competes with the logic signal of the critical path circuit 2 is received again by the inverter 7, passes through the Nch transfer gate 56, 64, and is sent to the input/output terminal B.
Output. By measuring the signals at terminals A and B, the critical path circuit 2 can be evaluated. Similarly, by changing the data on the data bus 22, the critical bus circuits 3 and 4 can be evaluated.
本実施例は、好価じたいクリティカルバス部の情報を直
接端子より出力することにより、スピード限界部分の評
価,解析が専用試験装置を使用して簡単にしかも短時間
に解析できる。In this embodiment, by outputting the information of the critical bus section directly from the terminal, the speed limit section can be easily evaluated and analyzed using a dedicated test device in a short time.
以上説明したよりに、本発明は、テスト状態において端
子よりICチップ内各部のクリティカルバス部の情報を
出力することができ、この為スピードネック部分の評価
,解析が簡単にしかも短時間にできる効果がある。As explained above, the present invention has the advantage that it is possible to output information on critical bus sections of various parts within an IC chip from the terminals during a test state, and therefore evaluation and analysis of speed bottlenecks can be performed easily and in a short period of time. There is.
第1図は本発明の一実施例の半導体集積回路のブロック
図、第2図は本発明の一実施例の半導体集積回路の他部
のブロック図である。
1・・・・・・デコーダ回路、2, 3, 4 ・・
・・・・クリティカルパス回路、5,乃至11・・・・
・・インバータゲー},55,乃至67・・・・・・N
ch}ランスファゲート、101.乃至106 ・・・
・・・ナンドゲート、107・・・・・・クロックドイ
ンバータゲート、T・・・・・・テスト端子、22・・
・・・・データバス、21・・・・・・マルチフレクサ
の入力データを切換える制御回路、20・・・・・・マ
ルチプレクサ、A・・・・・・クリティカルパス部ロジ
ック信号出力端子、B・・・・・・クリティカルパス部
クロック信号出力端子、30,乃至35・・・・・・矢
印。
代理人 弁理士 内 原 晋
第
刺FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the invention, and FIG. 2 is a block diagram of other parts of the semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the invention. 1... Decoder circuit, 2, 3, 4...
...Critical path circuit, 5, to 11...
...Inverter game}, 55, to 67...N
ch}Transfergate, 101. ~106...
...NAND gate, 107...Clocked inverter gate, T...Test terminal, 22...
...Data bus, 21...Control circuit for switching input data of multi-flexor, 20...Multiplexer, A...Critical path section logic signal output terminal, B. ...Critical path section clock signal output terminals, 30, to 35...Arrows. Agent: Patent Attorney Susumu Uchihara
Claims (1)
スト信号を入力するテスト端子と、ロジック信号と前記
ロジック信号に各々競合する複数のクロック信号とを入
力とするマルチプレクサ回路と、前記マルチプレクサ回
路で指定された一対のロジック信号、クロック信号を出
力する端子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路
。a test terminal for inputting a test signal for controlling whether to enter a test state or an operating state; a multiplexer circuit receiving a logic signal and a plurality of clock signals each competing with the logic signal; A semiconductor integrated circuit comprising a specified pair of logic signals and a terminal that outputs a clock signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116324A JPH02293678A (en) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116324A JPH02293678A (en) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02293678A true JPH02293678A (en) | 1990-12-04 |
Family
ID=14684160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1116324A Pending JPH02293678A (en) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02293678A (en) |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1116324A patent/JPH02293678A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6446230B1 (en) | Mechanism for enabling compliance with the IEEE standard 1149.1 for boundary-scan designs and tests | |
US8736291B2 (en) | Methods for defect testing of externally accessible integrated circuit interconnects | |
EP0476871A1 (en) | Process monitor circuit and method | |
KR100190215B1 (en) | Semiconductor integrated circuit with a test circuit for input buffer threshold | |
US6477115B1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US5225774A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH0862294A (en) | Semiconductor device and testing method for the semiconductor device | |
US20050229067A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2778443B2 (en) | Optimization method of scan path test circuit | |
JPH02293678A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH10240560A (en) | Waveform signal processor | |
KR0157900B1 (en) | I/o device in semiconductor | |
JPS645461B2 (en) | ||
EP1625411B1 (en) | Test circuit for input-to-output speed measurement | |
JP3395773B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH10253717A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2972515B2 (en) | I / O buffer test circuit | |
KR100300242B1 (en) | Test mode matrix circuit for an embedded microprocessor core | |
JPH04213849A (en) | Semiconductor device and method of detecting initial failure thereof | |
JP2905566B2 (en) | MOS LSI power supply current measurement timing detection method | |
JP3104739B2 (en) | LSI tester used for LSI failure analysis | |
KR960005097B1 (en) | Inspection apparatus of semiconductor ic | |
JP2001267501A (en) | Semiconductor integrated circuit and testing method for input characteristics using the same | |
JPS60192343A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH02291164A (en) | Semiconductor integrated circuit device |