JPH0228813B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は連続自動赤外レーザー分光分折法を用
いて常温加硫性シリコーン材料のプロセス流れを
分析して流れ中の架橋剤の含量を測定する方法お
よび装置に関する。

常温加硫性（RTV）材料は、代表的にはシラ
ノール終端線状ジオルガノポリシロキサンポリマ
ー、１種以上の架橋剤、触媒および充填剤または
他の任意成分よりなるシリコーンゴム組成物であ
る。例えばアセトキシ系のワンパツケージ、即ち
１成分常温加硫性材料の場合、主架橋剤はメチル
トリアセトキシシランである。架橋剤の量は最終
生成物の特性に直接影響する、即ち硬化速度およ
び硬化生成物の粘度が架橋剤含量に依存するの
で、常温加硫性組成物中の架橋剤の相対濃度を知
ることが望ましい。

この種の組成物は無水状態で製造および貯蔵さ
れ、大気水分の存在下で硬化してシリコーンエラ
ストマーになる。これらの生成物は各種の目的
に、例えば現場製造ガスケツトとして用いられ、
種々のシーラント用途に広く使用されている。シ
リコーンゴム組成物は大抵の支持体に対して接着
性が極めてよく、オゾン、紫外線および苛酷な天
候条件に対する優れた抵抗力を呈する。これらの
組成物は多くの用途に望ましい引張強さおよび引
張弾性率を有するばかりでなく、−51℃（−60〓）
のような極めて低温から149℃（300〓）以上のよ
うな極めて高温まで有効な性能を発揮する。１成
分常温加硫性組成物のもう一つの利点として、こ
れらの組成物は予め混合する必要なく作業現場で
直接使用できる。

常温加硫性シリコーンは完全に混合するのが困
難な比較的粘稠な材料である。代表的なRTVシ
リコーンは製造中の粘度が未硬化状態で約75000
センチポアズから約600000センチポアズ以上まで
に達する。従つて、ばらつきのない最終生成物を
得るためには架橋剤の濃度を容易に測定すること
が重要である。

従来当業界で採用されている分析方法および装
置は幾つかの欠点をもつている。例えば、架橋剤
濃度を標準的実験用滴定技術によつて測定するこ
とができるが、かゝる滴定技術は本来的に非連続
であり、通常熟練技術者が行う必要がある。

前述したメチルトリアセトキシシラン架橋剤
は、滴定により同定できるカルボニル基を含む。
しかし、滴定技術では所定サンプル中の他のカル
ボニル含有種すべても測定され、これに対して本
発明は所定サンプル中の活性または有効架橋剤の
含量を選択的に測定する方法および装置を提供す
る。架橋剤の有効量は、副反応が生じ得るので全
量より少なくできる。例えばメチルトリアセトキ
シシラン架橋剤として用いる場合、酢酸が架橋反
応の揮発性副生成物であり、特に条件が完全に無
水ではないときにある量の酢酸が製造中に形成さ
れ得る。本発明の方法は、酢酸のような妨害物質
の存在を無視して、プロセス流れ中の特定成分の
含量、例えば触媒の有効量を選択的に測定するこ
とができる。

メチルトリアセトキシシラン架橋剤のカルボニ
ル基は特定の周波数で赤外線を強く吸収する。レ
ーザー吸収分光計を用いる赤外分光分析法の１例
が本出願人に譲渡されたノーブル（Noble）の米
国特許第3856406号（1974年12月24日公告）に開
示されており、ここでは未知のガスサンプルを空
気汚染モニター技術で分析している。クレウザー
（Kreuzer）の米国特許第3987304号（1976年10月
18日）には、気体流れ、例えば保持時間クロマト
グラフイ装置の流出流れの赤外レーザー吸収分光
分析が開示されている。この装置では光学音響的
検出手段を用いるが、常温加硫性材料プロセス流
れの分析については何の教示もない。

従来からレーザーを赤外吸収分光分析に利用し
ているが、通常はかゝる技術になじみ易い材料を
分析している。本発明以前には、常温加硫性シリ
コーン組成物を連続的に分析することは、この組
成物に固有の特性が原因で不可能であつた。

この常温加硫性組成物の分析を妨害する１因子
はこの材料の粘度が高いことである。この材料は
粘着性でもあり、このことも均一なばらつきのな
いサンプルを得ることを難しくしている。常温加
硫性組成物にこのような性質があるので、組成物
を異なる溶剤で希釈しない限り、標準赤外分析法
に必要な均一な薄いサンプルを連続的に得ること
はほとんど不可能である。

従つて、常温加硫性材料プロセス流れを材料が
製造されかつ流れ内を移動している速度にほゞ一
致する速度で連続的に分析するためには、前記材
料の比較的厚いサンプルを使用する必要がある。
厚いサンプルは上述した流速に関連する問題を解
決するものの、赤外分光分析に関連する新たな問
題を生じる。具体的に説明すると、常温加硫性材
料の厚いサンプルは分析に有効な周波数で赤外線
に対して比較的不透明である。つまり、赤外線の
大部分が材料に吸収され、サンプルを通過して分
析目的に使える残量は極く僅かである。

通常の減衰全反射レーザー分光計を用いて上述
した常温加硫性材料の特徴的不透明性を解決する
ことが提起されているが、かゝる解決法は連続分
析という条件を満足させることができない。約１
ミリワツトの強さの赤外線の白熱放射源またはレ
ーザーを使用する赤外分光分析の標準方法もこの
ような条件を満たせない。通常、赤外分光分析は
赤外に対して比較的透明なガスまたは液体の材料
を分析するのに用いる。このような用途では、赤
外線のほとんどがサンプルを通過し、極く小部分
だけがサンプルに吸収される。吸収された少量を
検出し分析することができる。しかし、常温加硫
性材料の場合、全赤外線の98％以上がサンプルに
吸収される。この点を鑑みて、本発明では考慮中
のプロセス流れ中の成分の特徴的吸収を測定する
ために高強度レーザーおよび高感度検出手段を用
いる。

本発明はプロセス流れを連続分析する方法およ
び装置、特にプロセス流れ中の特定成分の濃度を
測定する方法および装置を提供する。常温加硫性
（RTV）シリコーン組成物を製造するために、数
種の出発材料をプロセツサに導入する。かゝる出
発材料は、シラノール終端ジオルガノポリシロキ
サンポリマーを主成分として、架橋剤、例えばメ
チルトリアセトキシシランを全重量の約２〜５％
の量で、そして触媒を少量、例えばジブチル錫ジ
ラウレートを通常全重量の１％以下の量で含有す
る最終生成物に望まれる特性に応じて他の添加剤
および充填剤を任意に使用できる。かゝる充填剤
としてはシリカ、酸化チタン、滑石、マイカまた
は酸化亜鉛などがある。

シリコーン組成物を製造している際に、プロセ
ス流れの材料の近似粘度を測定して、プロセス流
れ材料がサンプルセルの赤外透過窓間を効率よく
流れ得るようにする。

次にプロセス流れのどの成分を監視すべきかを
決める。架橋剤がメチルトリアセトキシシランで
ある場合、この化合物が特定周波数で赤外線を吸
収するカルボニル基を含むことが知られている。
適当な吸収周波数を選択し、調整可能レーザーの
ような赤外放射源を用いてこの選択周波数で作動
させる。次に選択周波数でのレーザーの作動強さ
を赤外不透明問題を最小限に抑えるように選択す
る。この選択は材料の赤外不透明性を左右する２
つの要因、即ちサンプルの厚さおよび選択周波数
での材料の特徴的赤外吸収を考慮して行う。

従来の赤外分析分光で分析できるプロセス流れ
の成分はどれでも本発明により分析することがで
きる。前述したように、均一なばらつきのない最
終生成物を得るためには、常温加硫性シリコーン
組成物の架橋剤含量を測定するのが有効である。
常温加硫性シリコーン組成物は前述したもの以外
の架橋剤を含有し得る。このような架橋剤はアル
コキシ官能性、アシルオキシ官能性、アミン官能
性、アミド官能性およびケトキシイミノ官能性シ
ランおよびシロキサンよりなるシランおよびシロ
キサン類である。特徴的赤外吸収周波数を適当に
選択することにより本発明の方法でこれらの架橋
剤を分析することができる。

次に図面を参照しながら本発明の実施例を説明
する。

第１図は本発明に従つて常温加硫性（RTV）
シリコーン組成物または同様の重合性材料を製造
する方法および装置を示す。適当な出発材料１
２、例えばジオルガノポリシロキサンポリマーを
槽１３に入れる。同様に別の出発材料、即ち架橋
剤１４を最初槽１５に入れる。本発明を適用する
のが特に適当なタイプのワンパツケージ式のアセ
トキシ常温加硫性材料の場合、架橋剤としてはメ
チルトリアセトキシシランが適当である。

常温加硫性材料および他のエラストマー組成物
は数種の他成分、例えば触媒または充填剤も含有
し、かゝる例として充填剤１６を槽１７に入れ
る。出発材料１２，１４および１６をそれぞれ導
管２１，２２および２３を経てプロセツサ１１に
送給し、ここで出発材料を混合して２７で示され
る最終生成物を製造し、最終生成物２７をプロセ
ツサ１１から太径導管２８よりなる流れ床に送
る。出発材料それぞれがプロセツサ１１に進入す
る流量を弁１８，１９および２０のような制御手
段で調節する。

調節手段１８，１９および２０は熟練者が手動
操作するか、または周知の閉ループ制御手段２９
によつて自動的に操作することができる。槽１
３，１５および１７内の出発材料を秤り２４，２
５および２６に関連させて配置して、オペレータ
がプロセツサ１１への出発材料の流量を概略調節
できるようにする。プロセツサ１１を連続運転
し、常温加硫性最終生成物２７を導管２８を経て
容器３０に運ぶ。

最終生成物２７中の出発材料１２，１４および
１６の相対濃度を秤り２４，２５および２６の単
なる読み取り値で与えられる精度以上の精度まで
知ることが望ましい。例えば本発明の好適例で
は、常温加硫性最終生成物２７中のメチルトリア
セトキシシランまたは他の架橋剤１４の濃度を±
0.1％の精度で知ることができる。この結果、常
温加流性最終生成物の硬化速度および粘度のよう
な特性を予測することができる。本発明によれば
架橋剤含量を連続的に監視してばらつきのない最
終生成物を確実に得ることができる。

本発明の図示例においては連続監視をバイパス
サンプリング手段３３を用いることによつて行
う。バイパスサンプリング手段３３により導管２
８内の流れ床から最終生成物２７のプロセス流れ
の一部３５を分流し、この分流部分をサンプル検
出領域に運ぶ。

プロセス流れのバイパス部分のすべてを分析目
的に供するわけではない。具体的には、分流部分
３５を大部分３７と小部分３８とに分割し、小部
分３８のみを連続的に分析する一方、大部分３７
をサンプルセル３９を含む装置により実質的に影
響されない流量で主流れに戻す。ポンプ３４を設
けて分析すべきサンプルの流量を調節する。

小流れ部分３８はサンプルセル３９に入り、１
対の向い合う平行な赤外透過窓間を連続的に流れ
てサンプルセルを通過する。サンプルセル３９の
断面図である第２図から明らかなように、小流れ
部分３８は窓４０および４２間の紙面から連続的
に流れ出る。

大流れ部分３７は同様にサンプルセル３９に流
入するが、小流れ部分３８と較べてサンプルセル
構造による影響を実質的に受けない。大流れ部分
３７を所望に応じて導管４１を経て主流れに戻
す。

サンプルセル３９が本発明の目的にかなつた機
能をなし、常温加硫性材料サンプルがセルを連続
的に効率よく流れるようにするために、窓４０お
よび４２間の距離を窓間を流れるサンプルの粘度
に従つて適切に調節しなければならない。一例を
示すと、製造中に未硬化状態で25℃で約300000セ
ンチポアズの粘度を有するメチルトリアセトキシ
シラン架橋剤含有常温加硫性材料を分析する場
合、サンプルが窓間を効率よく流れ得るようにす
るためには窓間隔を約0.056cm（0.022インチ）と
するのが最適である。相対的により粘稠な常温加
硫性材料サンプルの場合には、相対的に粘稠でな
いサンプルの場合より窓間隔を大きくしなければ
ならない。問題としている重合性組成物が特に粘
稠ではないような本発明の実施例においては、赤
外透過窓４０および４２を約0.025cm（0.010イン
チ）互に離す。著しく粘稠なサンプルの場合、窓
間隔を約0.076cm（0.030インチ）のように大きく
することができる。比較的粘稠な常温加硫性材料
サンプルを分析する好適例においては、窓間隔を
約0.046〜0.061cm（0.018〜0.024インチ）とする。
赤外放射源５０を適切に配置して赤外線ビーム５
１を赤外透過窓４０および４２およびこの間を流
れる小流れ部分３８を通り抜けるように方向付け
る。ビーム５１の赤外線のほとんどは小流れ部分
３８に吸収されるが、吸収されなかつた残量はビ
ーム５２で示されるように検出手段５３に向う。

赤外放射源５０を問題としているサンプルと適
合するように選択する。前述したように、小流れ
部分３８が通常の常温加硫性材料サンプルより粘
稠でない場合、つまりサンプルを希釈した場合な
どには、比較的薄いサンプルを使用でき、即ち赤
外透過窓４０および４２の間隔を小さくでき、そ
れでもサンプル（小流れ部分３８）は窓間を効率
よく流れる。このような場合、赤外放射源５０は
約１ミリワツトの強さで作動する標準レーザーま
たは白熱電球とすることができる。しかし、粘度
問題により比較的厚いサンプルの必要性が高まる
につれて、厚い常温加硫性材料サンプルは必然的
に薄いサンプルより赤外線に対して一層不透明で
あるので、一層強力なレーザーを赤外放射源５０
として使用することも必要になる。常温加硫性材
料をそのメチルトリアセトキシシラン含量につい
て分析する本発明の実施例においては、10ミリワ
ツト以上の強さで作動するレーザーを用いる。強
さは普通の作動では約１〜30ミリワツトの範囲で
変えることができる。赤外放射源５０の強さを選
択する前に、２つの因子、即ち窓４０および４２
間を流れるサンプル３８の相対厚さ（常温加硫性
材料流れの粘度に依存する）および予め選定した
周波数における分析すべき材料の赤外線に対する
特徴的不透明度を測定する必要がある。

常温加硫性材料は、従来赤外分析に供されてき
た他の材料と較べて赤外線に対して比較的不透明
である。赤外線吸収分光分析に有効な周波数で、
常温加硫性材料サンプルは全赤外線の98％以上を
吸収し、極く僅かな残部が検出および分析に利用
できるだけであることに注意する必要がある。従
つて本発明の好適な作動モードにおいては、赤外
放射源５０として約１ミリワツトから約30ミリワ
ツトまで調節できる強さでコヒレントな赤外線ビ
ーム５１を生成するレーザーを使用する。

メチルトリアセトキシシラン架橋剤１４は既知
波長で赤外線を強く吸収する幾つかの基を有す
る。例えば、メチルトリアセトキシシランは周波
数約1750cm^-1で赤外線を極めて強く吸収すること
が知られている。しかし、本発明においては、オ
フバンド中心周波数で分析を行うのが好ましい。
オフバンド中心周波数は分析すべき材料について
特徴的赤外線吸収を呈するが、材料が比較的不透
明でなく、従つて分析が容易な周波数である。
かゝる周波数は特定の架橋剤メチルトリアセトキ
シシランの場合1775および1800cm^-1の間にある。
しかし、いろいろな周波数の赤外線を使用でき、
かゝる周波数を分析すべき材料の特徴的吸収周波
数に一致するように選択する。

例えば、「アルコキシ」RTV材料として知られ
る他の官能系の常温加硫性材料においては、架橋
剤１４は上例で用いたアセトキシ架橋剤とは区別
されるアルコキシ化合物である。アルコキシ化合
物は、本発明の赤外分光分析技術により効果的に
分析、監視および制御できる官能基を有する。実
際、多くのタイプの常温加硫性組成物を同様のや
り方で製造中に分析することができる。サンプル
窓を調節できるようにプロセス流れの粘度に関し
て予備測定を行なつた後、分析すべき材料に適当
な吸収周波数を選択する。他のタイプの常温加硫
性材料に含まれる架橋剤も赤外分光分析技術で分
析できる官能基を有する。官能基それぞれは特徴
的な赤外線吸収周波数を有し、本発明の方法およ
び装置はこれらの周波数で行うように調整するこ
とができる。他の常温加硫性材料用架橋剤の例に
は、アルコキシ官能性、アシルオキシ官能性、ア
ミン官能性、アミド官能性およびケトキシイミノ
官能性シランおよびシロキサンがある。

前述したように、コヒレントな赤外線のビーム
５１をサンプルセル３９の赤外透過窓４０および
４２および窓間を連続的に流れる小流れ部分３８
を通過するよう方向付ける。サンプルにより吸収
されない赤外線の量を検出手段５３で測定する。
検出手段５３はプロセス流れ２７および小流れ部
分３８に含まれる架橋剤１４の赤外官能基による
赤外吸収量を測定するのに十分な感度を有しさえ
すれば、任意の検出器とすることができる。本発
明の図示例では、検出器５３を熱電検出器として
いる。ほかに光検出器のような別の検出器を用い
ることもできる。検出された吸収量から標準分光
分析技術の適用により常温加硫性材料プロセス流
れ２７中の架橋剤の含量を決定する。ある時点で
のセル内の架橋剤の含量を表わすデータをプログ
ラマブルコンピユータ５５に送る。コンピユータ
５５はこのようなデータを種々の目的に解釈す
る。例えば本発明の１実施例においては、プログ
ラマブルコンピユータ５５は吸収および架橋剤含
量データの長期ストレージ６３に有効である。或
はまた、プログラマブルコンピユータ５５は、プ
ロセスオペレータがすぐに使用できるようにトレ
ンド記録計６２にかゝるデータを記録するのに有
効である。

プログラマブルコンピユータ５５は、プロセス
流れ２７中の架橋剤１４の含量が高過ぎるか低過
ぎるか（いずれもその結果として容器３０に入る
最終生成物２７にばらつきが生じる恐れがある）
を決める作用をなすことが最適である。高過ぎる
か低すぎるかいずれの状況でも、適当なカツプリ
ング手段５８および５９を設けて架橋剤含量に関
する情報を閉ループ制御システム２９に搬送す
る。このようにすれば、閉ループ制御システム２
９は各調節手段１８，１９および２０を自動的か
つ連続的に制御し、プロセツサ１１への材料１
２，１４および１６それぞれの流量を予め定めら
れた態様で制御する作用をなす。

そのほかに、赤外透過窓４０および４２間でサ
ンプルセル３９を通過する小流れ部分３８の流量
を連続的に監視する手段を設ける。小流れ部分３
８を導管４３により流れ検出器４４に送る。り流
れ検出器４４は例えば圧力トランジユーサとする
か、または本例に図示されているように小流れ部
分３８としてサンプルセル３９を経て導管４３か
ら受器３１に流れ込む常温加硫性生成物の量の漸
次増分を検出するのに有効な秤りとすることがで
きる。

プログラマブルコンピユータ５５は流れ検出器
４４からの質疑応答することができる。コンピユ
ータ５５は、小流れ部分３８のサンプルセル３９
への流れが止まつたことを流れ検出器４４が示し
たときにアラームまたは指示手段５６を作動させ
る作用をなす。同様にコンピユータ５５は、流れ
検出器４４が溢流状態を指示したときアラームま
たは指示手段５７を作動させる作用をなす。この
ような場合、プログラマブルコンピユータ５５は
系を遮断して損害を回避するように作用する。

実施例 シラノール終端ジメチルポリシロキサン、シリ
カ充填剤、ジブチル錫ジラウレート触媒およびメ
チルトリアセトキシシラン架橋剤を含有する常温
加硫性シリコーン組成物を本発明の方法により製
造し分析した。この常温加硫性組成物は、HBF
ブルツクフイールド粘度計を用いて温度25℃で測
定して約300000センチポアズの粘度を有した。約
0.056cm（0.022インチ）の窓間隔で材料がサンプ
ルセルを効率よく流通するのに十分な隙間である
ことを確かめた。周波数約1781cm^-1を選択した。
この周波数はプロセス流れ中のメチルトリアセト
キシシラン含量に関連するプロセス流れ中の官能
性カルボニル含量を同定するのに適当な赤外線吸
収周波数に一致する。レーザーを電力強さ約22ミ
リワツトで作動して、この特定周波数およびサン
プル厚さでの材料の特徴的赤外不透明度を上廻る
ようにした。６時間にわたつて他の出発材料の供
給速度を一定に維持した状態でプロセスへの架橋
剤の供給速度を変えながら特定時点での架橋剤含
量を測定した。レーザー分析器により連続流れサ
ンプルを６秒毎に分析した。最終生成物中のメチ
ルトリアセトキシシラン架橋剤含量が実験の全過
程にわたつて架橋剤の供給速度を減少させるにつ
れて約4.5±0.1％から約2.5±0.1％まで変化する
ことが測定された。

本発明で使用するレーザー分析器は全カルボニ
ル吸収スペクトルのうち極く狭い部分に応答し、
共存する他のカルボニル種によりほとんどまたは
まつたく影響されないので、サンプルに含まれる
活性なまたは残存する使用可能な架橋剤を正確に
評価することができる。第２レーザーを装備する
ことが可能であり、この第２レーザーを例えばプ
ロセス流れ中の他の成分の吸収周波数に一致する
周波数に合わせることができる。従つて、２成分
以上の含量を同時に監視することができる。例え
ば、メチルトリアセトキシシラン架橋剤を用いる
系では、前述したように、少量の酢酸も揮発性副
生成物として存在する。２つのレーザーを用いれ
ば、双方のカルボニル種を測定することができ、
プログラマブルコンピユータにより相互作用を補
償することができる。

実際に、他の特徴的吸収周波数に合わせた追加
のレーザーを用いてこれらの固有周波数で赤外線
を吸収する官能基を有する種を測定することがで
きる。例えば、芳香族環が存在すると約1442cm^-1
に顕著な赤外吸収が現われる。従つて、レーザー
の一つを適当な吸収周波数で作動させれば、芳香
族環含有添加剤を監視することができる。

上述したところから明らかなように、本発明
は、常温加硫性材料の製造方法を制御する新規な
方法および装置、特に高強度レーザー吸収分光分
析法を用いて常温加硫性材料の成分の濃度を連続
的かつ自動的に分析する方法および装置を提供す
る。

この新規な方法の結果得られる格別に均一な常
温加硫性生成物は、従来法で製造した生成物と比
較して顕著な一様性（ばらつきのないこと）を呈
し、性能の均一性を保証する。その上、均一な生
成物を連続的かつ自動的に製造することができる
ので、製造プロセスは従来行われているものより
一層効率よくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は常温加硫性シリコーン組成物の製造プ
ロセスを示す概略配置図および第２図は本発明に
用いるサンプルセルの断面図である。 １１……プロセツサ、１２，１４，１６……出
発材料、１３，１５，１７……槽、１８，１９，
２０……弁、２１，２２，２３……導管、２４，
２５，２６……秤り、２７……最終生成物、２８
……導管、２９……閉ループ制御手段、３０……
容器、３１……受器、３３……バイパス手段、３
４……ポンプ、３５……バイパス部分、３７……
大部分、３８……小部分、３９……サンプルセ
ル、４０，４２……赤外透過窓、４１，４３……
導管、４４……流れ検出器、５０……赤外線放射
源、５１……赤外線ビーム、５２……通過ビー
ム、５３……赤外線検出器、５５……プログラマ
ブルコンピユータ、５６……流れ停止アラーム、
５７……溢流アラーム、６２……トレンド記録
計、６３……データストレージ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 常温加硫性シリコーン組成物プロセス流れ中
   の１成分の濃度を測定する装置において、 (a) 前記プロセス流れの一部をサンプル検出領域
   にバイパスする手段、 (b) 前記プロセス流れのバイパス部分を第１部分
   と第２部分とに分割し、前記第１部分を前記サ
   ンプル検出領域からそらせる手段、 (c) 平行面内に延在する１対の向い合う赤外透過
   窓よりなり、前記窓間の間隔が前記流れの第２
   部分の相対粘度を考慮して調節できるサンプル
   セル、 (d) 前記流れの第２部分を前記窓間にて前記サン
   プルセルに通過させ、前記窓間隔によりここを
   流れるサンプル流れの厚さを限定する手段、 (e) 懸案の前記プロセス流れ中の成分の選択赤外
   吸収周波数に一致する所定の周波数に維持でき
   る赤外線のビームを、前記セルの窓およびここ
   を流れる前記プロセス流れの第２部分を通過す
   るように方向付けるレーザー、および (f) 前記所定周波数の赤外線のうち前記サンプル
   セル中で前記プロセス流れの第２部分により吸
   収された割合を連続的に検出する手段を具える
   装置。 ２ 前記向い合う赤外透過窓間の間隔が約0.025
   〜0.076cm（0.010〜0.030インチ）である特許請求
   の範囲第１項記載の装置。 ３ 前記レーザーが選択されたサンプル厚さおよ
   び前記選択周波数にて前記サンプルの特徴的赤外
   不透明度に打勝つのに十分な電力強さで作動する
   特許請求の範囲第１または２項記載の装置。 ４ 常温加硫性シリコーン組成物プロセス流れの
   架橋剤含量を監視する装置において、 (a) 前記流れの一部をサンプル検出領域に連続的
   にバイパスし、このバイパス部分を第１部分と
   第２部分とに分割し、前記第１部分を前記サン
   プル検出領域からそらす手段、 (b) 平行面内に延在する１対の向い合う赤外透過
   窓よりなり、前記窓間の間隔が前記プロセス流
   れとして流れる常温加硫性シリコーン組成物の
   相対粘度を考慮して調節できるサンプルセル、 (c) 前記第２部分を前記窓間にて前記サンプルセ
   ルに通過させる手段、 (d) 前記プロセス流れに含まれる架橋剤の選択赤
   外吸収周波数に一致する所定の周波数および前
   記流れの第２部分が前記窓間の間隔を満たして
   いるときに前記第２部分の特徴的赤外不透明度
   に打勝つのに十分な電力強さに維持できる赤外
   線のビームを、前記セルの窓およびここを流れ
   る常温加硫性組成物プロセス流れの第２部分を
   通過するように方向付けるレーザー、および (e) 前記所定周波数および十分な強さの赤外線の
   うち前記サンプルセル中の前記第２部分により
   吸収される赤外線の割合を連続的に検出する手
   段を具えるプロセス流れの架橋剤含量の監視装
   置。 ５ 前記赤外透過窓間の間隔が約0.046〜0.061cm
   （0.018〜0.024インチ）である特許請求の範囲第
   ４項記載の装置。 ６ 分析すべき成分がアルコキシ官能性、アシル
   オキシ官能性、アセトキシ官能性、アミン官能
   性、アミド官能性およびケトキシイミノ官能性シ
   ランおよびシロキサンよりなるシランおよびシロ
   キサン類から選択されるタイプの架橋官能性を呈
   する常温加硫性シリコーン組成物用架橋剤である
   特許請求の範囲第４項記載の装置。 ７ 前記プロセス流れの常温加硫性シリコーン組
   成物が25℃で約300000センチポアズの粘度を呈
   し、監視すべき成分がメチルトリアセトキシシラ
   ン架橋剤であり、向い合う赤外透過窓間の間隔が
   0.046〜0.061cm（0.018〜0.024インチ）であり、
   赤外線が約1775〜1800cm^-1の範囲内の周波数およ
   び10ミリワツト以上の電力強さに維持される特許
   請求の範囲第４項記載の装置。 ８ さらに、前記サンプルセルを流れるプロセス
   流れの第２部分の流量を監視する手段を具える特
   許請求の範囲第４、５、６または７項記載の装
   置。 ９ 常温加硫性シリコーン組成物の製造プロセス
   の連続分析および制御装置において、 (a) 数種の所定の出発材料を別々に収容する手
   段、 (b) 前記出発材料のプロセツサへの流れを調節す
   る手段、 (c) プロセス流れを前記プロセツサから容器に導
   びく導管、 (d) 前記プロセス流れのサンプルをサンプル検出
   領域に分流する手段、 (e) 平行面内に延在する１対の向い合う赤外透過
   窓よりなり、前記窓間の間隔が前記サンプル検
   出領域を流れる常温加硫性シリコーン組成物の
   相対粘度を考慮して調節できるサンプルセル、 (f) 前記サンプルに前記検出領域を通過するよう
   方向付けられた赤外線を照射する手段であつ
   て、前記赤外線が前記出発材料の１種の特徴的
   吸収周波数に一致する赤外吸収の周波数に調節
   され、赤外線の電力強さが選択サンプル厚さお
   よび選択周波数での前記サンプルの特徴的赤外
   不透明度に打勝つのに十分である赤外線照射手
   段、 (g) 前記サンプルにより吸収された赤外線を測定
   する検出器、 (h) 前記サンプル検出領域を通る前記サンプルの
   連続流れを検出し、前記領域における所定の流
   量からの偏差を指示する手段、および (i) 吸収データを解釈し、前記データを連続的に
   記憶し、トレンド記録計を作動させ、前記出発
   材料流れ調節手段を制御する作用をなすプログ
   ラマブル手段を具える装置。 １０ 分析および制御すべきプロセスが、アルコ
   キシ官能性、アシルオキシ官能性、アセトキシ官
   能性、アミン官能性、アミド官能性およびケトキ
   シイミノ官能性シランおよびシロキサンよりなる
   シランおよびシロキサン類から選択されるタイプ
   の架橋官能性を呈する常温加硫性シリコーンの製
   造プロセスである特許請求の範囲第９項記載の装
   置。 １１ 前記プロセス流れの常温加硫性シリコーン
   組成物が25℃で約300000センチポアズの粘度を呈
   し、監視すべき成分がメチルトリアセトキシシラ
   ン架橋剤であり、向い合う赤外透過窓間の間隔が
   0.046〜0.061cm（0.018〜0.024インチ）であり、
   赤外線が約1775〜1800cm^-1の周波数および10ミリ
   ワツト以上の電力強さに維持される特許請求の範
   囲第１０項記載の装置。 １２ 常温加硫性シリコーン組成物プロセス流れ
   中の１成分の濃度を測定するにあたり、 (a) 前記プロセス流れの一部をサンプル検出領域
   にバイパスし、 (b) 前記プロセス流れのバイパス部分を第１部分
   と第２部分とに分割し、前記第１部分を前記サ
   ンプル検出領域からそらせ、 (c) 前記流れの第２部分をサンプル領域に約
   0.025〜0.076cm（0.010〜0.030インチ）の連続
   厚さで流通させ、この際前記厚さを前記サンプ
   ル領域に流れる流れの相対粘度を考慮して調節
   し、 (d) 懸案の前記プロセス流れ中の成分の選択赤外
   吸収周波数に一致する所定の周波数に維持でき
   る赤外線のビームを、前記サンプル領域および
   ここを流れる前記プロセス流れの第２部分を通
   過するように方向付け、 (e) 前記所定周波数の赤外線のうち前記サンプル
   領域内で前記プロセス流れの第２部分により吸
   収された割合を連続的に検出する工程よりなる
   方法。 １３ 前記赤外線を前記周波数およびサンプル厚
   さにて前記サンプルの特徴的赤外不透明度に打勝
   つのに十分な電力強さに維持する特許請求の範囲
   第１２項記載の方法。 １４ 前記プロセス流れにおける考慮中の成分が
   メチルトリアセトキシシラン架橋剤であり、前記
   サンプルセルの赤外透過窓の間隔を前記プロセス
   流れの相対粘度を考慮して約0.046〜0.061cm
   （0.018〜0.024インチ）の範囲で調節し、前記赤
   外線をメチルトリアセトキシシランの選択赤外吸
   収周波数に一致する所定の周波数および前記サン
   プル厚さおよび選択吸収周波数で前記常温加硫性
   シリコーンプロセス流れの特徴的赤外不透明度に
   打勝つのに十分な電力強さに選択的に維持する特
   許請求の範囲第１３項記載の方法。 １５ 前記向い合う赤外透過窓の間隔を約0.046
   〜0.061cm（0.018〜0.024インチ）とし、前記赤外
   線を約1775〜1800cm^-1の周波数および10ミリワツ
   ト以上の電力強さに維持する特許請求の範囲第１
   ４項記載の方法。 １６ さらに前記サンプル流れの流量を監視する
   工程を含む特許請求の範囲第１５項記載の方法。 １７ 前記プロセス流れにおいて測定すべき濃度
   がアルコキシ官能性、アシルオキシ官能性、アセ
   トキシ官能性、アミン官能性、アミド官能性およ
   びケトキシイミノ官能性シランおよびシロキサン
   よりなるシランおよびシロキサン類から選択され
   るタイプの架橋官能性を呈する架橋剤成分の濃度
   である特許請求の範囲第１３項記載の方法。