JPH02288092A - 薄膜発光素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜発光素子およびその製造方法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 6
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- -1 poly(methylphenylsilylene) Polymers 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N POPOP Chemical compound C=1N=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2OC(=CN=2)C=2C=CC=CC=2)OC=1C1=CC=CC=C1 MASVCBBIUQRUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000006355 carbonyl methylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
素子およびその製造方法に関するものである。
富な材料数と分子レベルの合成技術で、安価な大面積フ
ィルム状フルカラー表示素子を実現するものとして注目
を集めている。例えばアントラセンやペリレン等の縮合
多環芳香族系を原料としてLB法や真空蒸着法等で薄膜
化した直流駆動の有機薄膜発光素子が製造され、その発
光特性が研究されている。
機薄膜発光素子が報告され、強い関心を集めている(ア
プライド・フィジックス・レターズ、51巻、913ペ
ージ、 1987年参照)。報告によれば、第2図に示
すように、強い蛍光を発する金属キレート化合物を有機
蛍光体薄膜層24に、アミン系材料を正孔伝導性有機物
の有機正孔注入層23に使用して明るい緑色発光を得た
ことが開示されており、6〜7の直流印加で数100
Cd/mの輝度が得られている。また、最大発光効率は
1.51m/Wと、実用レベルに近い性能を持っている
。
層23が2層積層した構造を有している新しい有機薄膜
発光素子は、最大発光輝度が1000Cd/m以上の明
るい緑色発光を示す。しかしながら、多色発光する有機
薄膜発光素子については、新しい有機蛍光体薄膜の開発
(ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス、27巻、1269頁、 1988年参照)や
、別の有機色素の添加(第4回国際エレクトロルミネセ
ンス・ワークショップ予稿集、124ページ、 198
8年参照)などが試みられているものの、青色発光を始
めとする緑色以外の発光は、輝度レベル、発光効率など
の点て満足できるレベルにない。
印加時間とともに素子の電圧−発光特性の高電圧側移動
が顕著であり、低電圧駆動では発光輝度の低下をもたら
していた。これは、有機薄膜発光素子を構成する有R薄
膜の電気特性の変動が大きいことが原因の1つであった
。また、発光輝度の低下を補うために駆動電圧を増加さ
せると、電力損(ジュール熱)も増大し、その結果、発
光輝度の劣化速度が更に加速されるという悪循環も観察
された。
めになされたもので、発光色の多様化とともに、素子発
光効率を更に向上させ、かつ劣化速度を低下させること
が可能な薄膜発光素子およびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
、少なくとも1層以上の発光層を挟持してなる薄膜発光
素子において、少なくとも1つの発光層が、金属酸化物
または金属硫化物中に少なくとも1種の蛍光性有機分子
を分散させたものであることを特徴とする薄膜発光素子
であり、またその製造方法は、少なくとも一方が透明で
ある一対の電極間に、少なくとも1層以上の発光層を挟
持してなる薄膜発光素子の製造方法において、少なくと
も1つの発光層が、金属アルコキシド、金属アセチルア
セトネートおよび金属カルボキシレートのうちの少なく
とも1種からなる溶液と蛍光性有機分子の少なくとも1
種からなる溶液を混合し、該混合液を基材上に塗布・成
膜することにより形成されたものであることを特徴とす
る。
あるいは発光中心を選択あるいは合成できるという特徴
がある。しかし、従来の発光素子のように、真空蒸着で
製造する場合、高真空下で適当な蒸気圧をもつ有機材料
は、現時点では多くない。特に、有機材料の蒸気圧を高
くすると、その材料のもつ蛍光量子効率が著しく低下す
ることがよく観察された。蛍光量子効率の高い有機分子
を使用するほど有機薄膜発光素子の発光効率が高くなる
が、従来蒸着で成膜でき、かつこのような条件を満たす
有機材料は少ない。適当な蒸気圧をもつ有機材料で、か
つ高い蛍光量子効率を有するという条件を満足する材料
を得ることは、素子の多色化・高効率化に最も重要であ
るが、きわめて困難であった。
定した電気的特性を示す有機材料も現時点では多くない
。
の高い分子を分散させた薄膜発光素子の開発研究を行っ
た結果、金属酸化物または金属硫化物中に少なくとも1
種の蛍光性有機分子を分散させた蛍光層が良好な結果を
有することを見い出した。
アセチルアセトネートあるいは金属カルボキシレートの
少なくとも1種からなる溶液と、少なくとも1種以上の
蛍光性有機分子からなる)d液を混合し、これを塗布し
て成膜する、いわゆるゾル−ゲル法によって金属酸化物
よりなる有機蛍光体分子添加の発光層を製造することが
できる。
行えば金属硫化物よりなる発光層が得られる。
は、有機蛍光分子の基底および励起レベルが材料のバン
ドギャップ内であることである。
、成膜プロセス温度は250℃以下でなければならない
。上記の材料より1昇られる金属酸化物あるいは硫化物
はこのような条件を満たすことができる。
・デバイス化に不可欠な発光層のレジスト工程が可能で
ある。
発光の多色化を図ることが容易にできるようになる。即
ら、従来、素子は真空蒸着法で製造していたが、この方
法では成膜困難であった、アントラセン、ピレン等、蛍
光の強い有機物の添加が可能となり、この結果、強い青
色発光素子も実現できる。更に本発明では、例えばアル
ミ・キノリツール錯体に対して10”3molのローダ
ミン6Gを混合した溶媒を添加して成膜した発光層を使
用して赤い発光を得ることができる。その添加量は、正
確に再現性よく、簡単に制御できる。
の断面図である。同図に示すように、ガラス基板1上に
ITO透明電極2を形成してからポリ(メチルフェニル
シリレン)約60重量%にN、N、N’、N’−テトラ
フェニル−4,4°−ジアミノヒフェニルを約40重量
%混合したポリシリレンからなる有機正孔注入層3を1
500人、トルエン溶媒を使用したデイツプコーティン
グ法で形成した。
4の比率で水−アルコール系の溶液で溶かした溶媒を作
る。この溶媒の中に有機蛍光体としてトリス(8−ハイ
ドロキシキノリン)アルミニウムを約40重量%混合し
、充分攪拌する。その後、ガラス基板をこの溶液に浸し
、ゆっくり引ぎ上げて発光層4を形成した。乾燥後の膜
厚は約800人であった。最後に、MCIとAgを10
:1で混合した合金の背面金属電極5を電子ビーム蒸着
法で1500人形成して薄膜発光素子が完成する。
8vの直流電圧の印加で300 cd /TItの緑色
の発光か得られた。従来の素子に比べ、発光輝度・効率
が2〜5倍改善されていることがわかる。この薄膜発光
素子を電流密度0.5 mA /cm2の状態でエージ
ング試験をしたところ、輝度半減時間は1000時間以
上であった。従来の素子では、100〜300時間であ
ったから、この素子の信頼性は大幅に改善されている。
低下した。
ミニウム有機蛍光体を用いたが、アントラセン、ピレン
、テトラセン、スチルベン、ペリレン、キノン、フェナ
ンスレン、ナフタレン誘導体等、他の有機物でも同様な
効果が認められた。
のローダミン、シアニン、ピラン、クマリン、フルオレ
ン、POPOP等、伯の蛍光の強い有機分子を更に添加
して、各種の発光色を得ることができる。透明電極はI
TO以外にZnO:AfやSnO2:sb、Auなどで
もよい。
製造する際に、トリス(8−ハイドロキシキノリン)ア
ルミニウムを添加して、実施例1における発光層4を成
膜しても、優れた薄膜発光素子を形成できた。表−1は
、成膜に使用した材料を示したものである。
0xを適当に混合し、これにアントラセン、ピレン。
スレン、ナフタレン誘導体等の有機分子を添加して成膜
してなる発光層4を使用しても優れた薄膜発光素子を得
ることができた。また、更に添加する有機分子としてク
マリンやフルオレンの誘導体等が使用できた。
かわりに亜鉛アセチルアセトネート(Zn(COCH2
COCH3)2 )を含む溶液を用いた以外は実施例1
と同様にして発光層4を成膜しても優れた薄膜発光素子
を形成することができた。
13cOO)2のような物質を使用して発光層4を形成
しても優れた薄膜発光素子を製造することができた。
ロシアニンを200人蒸着して有機正孔注入層3とする
。その後、このガラス基板を実施例3で用いた亜鉛アセ
チルアセトネート溶液に浸し、150’C,硫化水素(
H2S)雰囲気中で乾燥する。
光開始電斤の低下が認められた。また、発光輝度の向上
も認められた。このように、発光層4を乾燥させる過程
でH2Sを使用し、発光層を硫化しても優れた薄膜発光
素子が製造できた。
透明な発光層が金属アルコキシドあるいは金属アセチル
アセトネートあるいは金属カルボキシレートの中の少な
くとも1種からなる溶液と蛍光性有機分子からなる溶液
を混合し、塗布して成膜したことを特徴とした薄膜発光
素子の製造方法であり、素子を構成する材料そのものを
限定するものではない。
頼性が大幅に改善された多色発光の薄膜発光素子および
その製造方法が提供される。
、多色発光する薄膜発光素子が提供される。
有機分子(例えばアントラセン)の添加が可能となり、
素子発光効率が向上した。その結果、発光効率の低さに
起因する発熱や、熱による素子特性劣化の加速などを低
下させることが可能となった。
った。
薄膜発光素子とその製造方法を提供でき、その工業的価
値は高い。
の断面図、第2図は従来の有機簿膜発光素子の断面図で
ある。 1.21・・・ガラス基板 2,22・・・ITO透明電極 3.23・・・有機正孔注入層 4・・・発光層 5.25・・・背面型(へ 24・・・有機蛍光体簿膜層 代 理 人
Claims (2)
- (1)少なくとも一方が透明である一対の電極間に、少
なくとも1層以上の発光層を挟持してなる薄膜発光素子
において、少なくとも1つの発光層が、金属酸化物また
は金属硫化物中に少なくとも1種の蛍光性有機分子を分
散させたものであることを特徴とする薄膜発光素子。 - (2)少なくとも一方が透明である一対の電極間に、少
なくとも1層以上の発光層を挟持してなる薄膜発光素子
の製造方法において、少なくとも1つの発光層が、金属
アルコキシド、金属アセチルアセトネートおよび金属カ
ルボキシレートのうちの少なくとも1種からなる溶液と
蛍光性有機分子の少なくとも1種からなる溶液を混合し
、該混合液を基材上に塗布・成膜することにより形成さ
れたものであることを特徴とする薄膜発光素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1107201A JP2697120B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1107201A JP2697120B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288092A true JPH02288092A (ja) | 1990-11-28 |
JP2697120B2 JP2697120B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=14453047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1107201A Expired - Lifetime JP2697120B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697120B2 (ja) |
Cited By (15)
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