JPH02285408A - 基準電圧を発生する回路 - Google Patents
基準電圧を発生する回路Info
- Publication number
- JPH02285408A JPH02285408A JP2082902A JP8290290A JPH02285408A JP H02285408 A JPH02285408 A JP H02285408A JP 2082902 A JP2082902 A JP 2082902A JP 8290290 A JP8290290 A JP 8290290A JP H02285408 A JPH02285408 A JP H02285408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- circuit
- voltage
- current
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- WYROLENTHWJFLR-ACLDMZEESA-N queuine Chemical compound C1=2C(=O)NC(N)=NC=2NC=C1CN[C@H]1C=C[C@H](O)[C@@H]1O WYROLENTHWJFLR-ACLDMZEESA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は集積回路にII達し、詳細には安定した基準電
圧を提供する方法と装置に関する。
圧を提供する方法と装置に関する。
多くの集積回路では、その動作に安定した基準電圧が必
要とされる。例えば、電圧基準はデータ取得システム、
電圧調整器及び測定装置で使用されている。この様な8
1積回路では二種類の電圧基準、即ちバンドギャップ電
圧基準及び埋込みツェナー基準が一般的に使用される。
要とされる。例えば、電圧基準はデータ取得システム、
電圧調整器及び測定装置で使用されている。この様な8
1積回路では二種類の電圧基準、即ちバンドギャップ電
圧基準及び埋込みツェナー基準が一般的に使用される。
バンドギャップ基準電圧には、埋込みツェナー基準と比
べて幾つかの利点がある。バンドギャップ電圧基準は埋
込みツェナー基準よりも低い供給電圧で動作でき、また
電力の消散も少ない。更に、バンドギャップ電圧基準の
長期間の安定は、埋込みツェナー基準のそれにまさる。
べて幾つかの利点がある。バンドギャップ電圧基準は埋
込みツェナー基準よりも低い供給電圧で動作でき、また
電力の消散も少ない。更に、バンドギャップ電圧基準の
長期間の安定は、埋込みツェナー基準のそれにまさる。
あいにく埋込みツェナー基準よりも、バンドギャップ電
圧基準の出力電圧は温度に依存している。
圧基準の出力電圧は温度に依存している。
この要因は、集積回路が広範囲の温度にさらされる場合
、例えば野外で使用される場合、tliになる。バンド
ギャップ電圧基準と埋込みツェナー基準の両方が、ある
程度温度に依存する出力電圧を提供することに留意され
たい。
、例えば野外で使用される場合、tliになる。バンド
ギャップ電圧基準と埋込みツェナー基準の両方が、ある
程度温度に依存する出力電圧を提供することに留意され
たい。
従って、広い温度範囲に渡って安定した出力電圧を提供
する基準電圧源を提供覆る必要が、本産業分野で生じて
いる。
する基準電圧源を提供覆る必要が、本産業分野で生じて
いる。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明によると、安定した基準電圧を発生する回路が提
供され、従来の基準電圧回路に携わる問題が著しく取除
かれる。
供され、従来の基準電圧回路に携わる問題が著しく取除
かれる。
本発明の基Q=電圧回路は、バンドギャップ電圧基準ま
たはツェナー基準のような、公知の温度範囲、例えばT
oとT1の間で、比較的に安定した電圧を提供すること
が知られている電圧発生器を含む。調整回路は、T1よ
り高い温度かTOより低い温度、または両極端の温度に
おいて、電圧の不正確さを補正する。
たはツェナー基準のような、公知の温度範囲、例えばT
oとT1の間で、比較的に安定した電圧を提供すること
が知られている電圧発生器を含む。調整回路は、T1よ
り高い温度かTOより低い温度、または両極端の温度に
おいて、電圧の不正確さを補正する。
本発明の第一の実施例では、回路は周囲の湿度に反応す
る第一の電圧を発生ずる1、第一の電圧に反応して電流
が発生し、安定した基I?i電11を維持するよう出力
ノードにおいて電圧に影響を及ぼす。
る第一の電圧を発生ずる1、第一の電圧に反応して電流
が発生し、安定した基I?i電11を維持するよう出力
ノードにおいて電圧に影響を及ぼす。
本発明の第二の実施例では、基準出力電圧が部分的に、
−個または複数の負荷装置に渡る温度依存電圧により決
定される。温度依存電圧は、周囲の温度を検出するのに
用いられ、そして温度がTo及びT1内の温度範囲を越
えると分かれば、出力電圧は適宜に調整される。
−個または複数の負荷装置に渡る温度依存電圧により決
定される。温度依存電圧は、周囲の温度を検出するのに
用いられ、そして温度がTo及びT1内の温度範囲を越
えると分かれば、出力電圧は適宜に調整される。
本発明には従来の技術に比べて幾つかの利点がある。第
一に安定した出力基準電圧が、広い温度範囲に渡っ、て
維持され得る。第二に補正回路は確かな温度補正を行う
のに、比較的に少ない構成要素しか必要としない。
一に安定した出力基準電圧が、広い温度範囲に渡っ、て
維持され得る。第二に補正回路は確かな温度補正を行う
のに、比較的に少ない構成要素しか必要としない。
本発明とその利点をより一層理解するために、図面と共
に以下の詳細な説明を参照されたい。
に以下の詳細な説明を参照されたい。
実施例
本発明の好ましい実施例は、第1図乃至第4図を参照し
て良く理解されよう。図面において対応する部分には、
同一の参照番号が用いられる。
て良く理解されよう。図面において対応する部分には、
同一の参照番号が用いられる。
第1図は従来のバンドギャップ電圧基準回路の略図であ
る。回路10は、NPNトランジスタ18のコレクタ1
4とベース16に接続された3A準電流源12を含む。
る。回路10は、NPNトランジスタ18のコレクタ1
4とベース16に接続された3A準電流源12を含む。
NPNトランジスタのエミッタ20は、抵抗器R1の一
端に接続される。抵抗器R1の他方の端は接地に接続さ
れる。電圧基準■r8fがベース16と接地の間に提供
される。
端に接続される。抵抗器R1の他方の端は接地に接続さ
れる。電圧基準■r8fがベース16と接地の間に提供
される。
電流源は■ptat/Roと同等な電流を提供する。
vptatは絶対温度に比例する電圧である。基準電圧
V、。fは、トランジスタ18のベース・エミッタ電圧
vboと、R1を介する電流により発生される電圧を合
わせたものに匹敵する。従って、V =V +V
*(R1/Ro)となる。
V、。fは、トランジスタ18のベース・エミッタ電圧
vboと、R1を介する電流により発生される電圧を合
わせたものに匹敵する。従って、V =V +V
*(R1/Ro)となる。
ref be ptat
R1とROに適切な値を選択ηることにより、ベース・
エミッタ電圧V の温度依存は、[く1に渡e る電圧降下で補償され得る。
エミッタ電圧V の温度依存は、[く1に渡e る電圧降下で補償され得る。
第1図の回路が適度な温度の範囲C比較的に安定した電
圧を提供り゛る間、二次効果により、非常に低い温度と
非常に高い温度で電圧降下が生じる。
圧を提供り゛る間、二次効果により、非常に低い温度と
非常に高い温度で電圧降下が生じる。
結果として第1図の回路は、集積回路が広範囲の温度に
さらされる場合不適切になる。
さらされる場合不適切になる。
第2図は本発明の略図である。、湾曲補正バンドギャッ
プ回路22は、雄準電流源部24、バンドギャップ回路
部26、及び湾曲補正回路28を含む。
プ回路22は、雄準電流源部24、バンドギャップ回路
部26、及び湾曲補正回路28を含む。
基準回路部24は、温度に対して比較的に一定な電流I
を発生する。基準回路部24は、ptat ’ ptat=Vptat/ROとなるように設片1さ
れ、ここでRoは電流源30に含まれる抵抗器である。
を発生する。基準回路部24は、ptat ’ ptat=Vptat/ROとなるように設片1さ
れ、ここでRoは電流源30に含まれる抵抗器である。
V とRは共に温度に依存し、nいに相殺すptat
O る傾向にあり、結果として比較的に温度に依存しない1
になる。
O る傾向にあり、結果として比較的に温度に依存しない1
になる。
ptat
■ はトランジスタ32と34を介してミラtat
−(111irror)され、湾曲補正回路28に電流
’ ptatを提供する。
’ ptatを提供する。
湾曲補正回路28は、高温補償(補正)回路36と低温
補償(補正)回路38を含む。高温補償回路36は、そ
のベースが抵抗器R3とPNPトランジスタ34のコレ
クタに接続される、NPNトランジスタ40を含む。ト
ランジスタ40のコレクタは、バンドギャップ回路26
のノード41に接続される。トランジスタ40のエミッ
タは、抵抗器Rに接続される。抵抗器R3とR4の反対
側は、NPNトランジスタ42のコレクタへ接続される
。NPNトランジスタ42のエミッタは、回路共通部へ
接続される。トランジスタ42のベースは、そのコレク
タと、N P N +−ランジスタ44及び46のベー
スに接続される。低湿補償回路38は抵抗器R−5とR
6を含み、それらの一端はそれぞれバンドギャップ回路
26の出力ノード48に接続される。抵抗器R5の反対
側の端は、PNPトランジスタ50のエミッタに接続さ
れる。
補償(補正)回路38を含む。高温補償回路36は、そ
のベースが抵抗器R3とPNPトランジスタ34のコレ
クタに接続される、NPNトランジスタ40を含む。ト
ランジスタ40のコレクタは、バンドギャップ回路26
のノード41に接続される。トランジスタ40のエミッ
タは、抵抗器Rに接続される。抵抗器R3とR4の反対
側は、NPNトランジスタ42のコレクタへ接続される
。NPNトランジスタ42のエミッタは、回路共通部へ
接続される。トランジスタ42のベースは、そのコレク
タと、N P N +−ランジスタ44及び46のベー
スに接続される。低湿補償回路38は抵抗器R−5とR
6を含み、それらの一端はそれぞれバンドギャップ回路
26の出力ノード48に接続される。抵抗器R5の反対
側の端は、PNPトランジスタ50のエミッタに接続さ
れる。
抵抗器R6の反対側の端は、1−ランジスタ46のコレ
クタ、トランジスタ50のベース、及びトランジスタ5
2のベースに接続される。トランジスタ44と46のエ
ミッタは回路共通部に接続される。トランジスタ44の
コレクタは、トランジスタ50のコレクタとトランジス
タ52のエミッタに接続される。トランジスタ52のコ
レクタは、バンドギャップ回路26のノード53に接続
される。
クタ、トランジスタ50のベース、及びトランジスタ5
2のベースに接続される。トランジスタ44と46のエ
ミッタは回路共通部に接続される。トランジスタ44の
コレクタは、トランジスタ50のコレクタとトランジス
タ52のエミッタに接続される。トランジスタ52のコ
レクタは、バンドギャップ回路26のノード53に接続
される。
バンドギャップ回路26は、PNPトランジスタ54a
−bを含む電流ミラーを含み、イれらのエミッタはそれ
ぞれトランジスタ34のコレクタに接続される。1ヘラ
ンジスタ54a−bのベースは、トランジスタ54aの
コレクタに接続される。
−bを含む電流ミラーを含み、イれらのエミッタはそれ
ぞれトランジスタ34のコレクタに接続される。1ヘラ
ンジスタ54a−bのベースは、トランジスタ54aの
コレクタに接続される。
トランジスタ54a−bのコレクタは、それぞれNPN
トランジスタ55と56のコレクタに接続される。トラ
ンジスタ55と56のエミッタは、NPNトランジスタ
58のコレクタに接続される。
トランジスタ55と56のコレクタに接続される。トラ
ンジスタ55と56のエミッタは、NPNトランジスタ
58のコレクタに接続される。
トランジスタ58のエミッタは、抵抗器R7を介して回
路共通部へ接続される。トランジスタ58のベースは、
トランジスタ60のベースとコレクタに接続される。ト
ランジスタ54a−bのエミッタは、NPNトランジス
タ62のベースにも接続される。トランジスタ62のコ
レクタはV。0に接続され、またトランジスタ62のエ
ミッタはノード48に接続される。ノード48と53の
間には、抵抗器RLTが接続される。ノード53と41
の間には、抵抗器RHTが接続される。またノード41
には、NPNトランジスタのコレクタとベースも接続さ
れる。トランジスタ64のエミッタは、NPNl−ラン
ジスタロ6のコレクタとベースに接続される。トランジ
スタ66のエミッタは抵抗器Rに接続される。抵抗器R
8の他方の端は、トランジスタ56のベースに接続され
ているノード68に接続される。l・ランジスタ55の
ベースはノード70に接続される。抵抗器R9〕はノー
ド68と70の間に接続される。またノード70には、
NPNトランジスタ72のコレクタとベースも接続され
る。トランジスタ72のエミッタは、NPNトランジス
タ74のコレクタとベースに接続される。抵抗器Rは、
l・ランジスタ74のエミッタを回路共通部に接続する
。中間利得スデージロ路76は、トランジスタ62のベ
ースに接続されたエミッタと、トランジスタ54bのコ
レクタに接続されたベースと、NPNトランジスタ80
のベースに接続されたコレクタを有するPNPトランジ
スタ78を含む。4レバシタ82は、トランジスタ78
のベースと:ルクタの間に接続される。トランジスタ8
0のコレクタは、トランジスタ78のエミッタに接続さ
れる。抵抗器84は、トランジスタ80のベースとエミ
ッタの間に接続される。トランジスタ80のエミッタは
回路共通部に接続される。
路共通部へ接続される。トランジスタ58のベースは、
トランジスタ60のベースとコレクタに接続される。ト
ランジスタ54a−bのエミッタは、NPNトランジス
タ62のベースにも接続される。トランジスタ62のコ
レクタはV。0に接続され、またトランジスタ62のエ
ミッタはノード48に接続される。ノード48と53の
間には、抵抗器RLTが接続される。ノード53と41
の間には、抵抗器RHTが接続される。またノード41
には、NPNトランジスタのコレクタとベースも接続さ
れる。トランジスタ64のエミッタは、NPNl−ラン
ジスタロ6のコレクタとベースに接続される。トランジ
スタ66のエミッタは抵抗器Rに接続される。抵抗器R
8の他方の端は、トランジスタ56のベースに接続され
ているノード68に接続される。l・ランジスタ55の
ベースはノード70に接続される。抵抗器R9〕はノー
ド68と70の間に接続される。またノード70には、
NPNトランジスタ72のコレクタとベースも接続され
る。トランジスタ72のエミッタは、NPNトランジス
タ74のコレクタとベースに接続される。抵抗器Rは、
l・ランジスタ74のエミッタを回路共通部に接続する
。中間利得スデージロ路76は、トランジスタ62のベ
ースに接続されたエミッタと、トランジスタ54bのコ
レクタに接続されたベースと、NPNトランジスタ80
のベースに接続されたコレクタを有するPNPトランジ
スタ78を含む。4レバシタ82は、トランジスタ78
のベースと:ルクタの間に接続される。トランジスタ8
0のコレクタは、トランジスタ78のエミッタに接続さ
れる。抵抗器84は、トランジスタ80のベースとエミ
ッタの間に接続される。トランジスタ80のエミッタは
回路共通部に接続される。
明白なことに、抵抗器Ro、R3,及びR6は同じ材料
から形成され、よってこれらのmho係数はほと/υど
同一である。従ってR6を介する電圧はvptatに比
例し、これは温度に依存する。
から形成され、よってこれらのmho係数はほと/υど
同一である。従ってR6を介する電圧はvptatに比
例し、これは温度に依存する。
動作において回路26は、出力型I[が比較的に一定で
あるToとT1の間の温度範囲で、第1図に示されるよ
うな一般的なバンドギャップ回路と同様に動作する。こ
の温度範囲では1〜ランジスタ54a−bは、トランジ
スタ55と56に同等の電流を流させる。トランジスタ
55と56は第2図に5:1と示されるような、特定な
エミッタ領域率を有する。従って、電圧ΔV、。がトラ
ンジスタ55と56のベース間で発生する。トランジス
タ55と56のベースは抵抗器R9を渡して接続されて
いるので、電流は抵抗9!AR9を介して八V、。/
Rgと同等になる。従って、ノード48と接地の間の出
力電圧は以下のように示され得る。
あるToとT1の間の温度範囲で、第1図に示されるよ
うな一般的なバンドギャップ回路と同様に動作する。こ
の温度範囲では1〜ランジスタ54a−bは、トランジ
スタ55と56に同等の電流を流させる。トランジスタ
55と56は第2図に5:1と示されるような、特定な
エミッタ領域率を有する。従って、電圧ΔV、。がトラ
ンジスタ55と56のベース間で発生する。トランジス
タ55と56のベースは抵抗器R9を渡して接続されて
いるので、電流は抵抗9!AR9を介して八V、。/
Rgと同等になる。従って、ノード48と接地の間の出
力電圧は以下のように示され得る。
/R)Δvbe
voUl−4vbe+ (Rtot 9ここでは、
4V、。=トランジスタ64.66.72.74の結合
ベース・エミッタ電圧 R−4< +R+R+R十R tot LT 1−tl” 8
9 10Δvb8= k T/a I n 5
である。
ベース・エミッタ電圧 R−4< +R+R+R十R tot LT 1−tl” 8
9 10Δvb8= k T/a I n 5
である。
利得ステージ回路76は、トランジスタ56をわずかに
負荷することにより、トランジスタ54a−bに同等な
電流を維持するよう動作する。
負荷することにより、トランジスタ54a−bに同等な
電流を維持するよう動作する。
T1より高い温度において、高温補償回路36は付能さ
れる。湿度が上昇するにつれ、R3に渡る電圧降下が同
様に増加する。R3に渡る電圧が所定の電圧に達すると
き、トランジスタ40はターン・オンし始め、よって抵
抗器RとRL HHT に更に電流を導く。従って高温補償回路36は、より高
い温度において、出力電圧を増加させる動きをする。m
度が上昇するに連れ、i・ランジスタ40は出力電圧を
更に増加するためもつと電流を導く。抵抗器R4は湿度
の−L昇に連れて、トランジスタ40を介する電流を徐
々に変化させるよう提供されている。
れる。湿度が上昇するにつれ、R3に渡る電圧降下が同
様に増加する。R3に渡る電圧が所定の電圧に達すると
き、トランジスタ40はターン・オンし始め、よって抵
抗器RとRL HHT に更に電流を導く。従って高温補償回路36は、より高
い温度において、出力電圧を増加させる動きをする。m
度が上昇するに連れ、i・ランジスタ40は出力電圧を
更に増加するためもつと電流を導く。抵抗器R4は湿度
の−L昇に連れて、トランジスタ40を介する電流を徐
々に変化させるよう提供されている。
同様に低温補償回路38は、Toより低い温度において
出力電圧を上げる。]・トランジスタ4と46は、トラ
ンジスタ42を介する[Eをミラーする。従ってトラン
ジスタ44と46は、’ ptatと同等な電流を導く
。低い4度では、抵抗器R6に渡る電圧は低くなるであ
ろう。抵抗器R6は値を持ち、よってToより低い一度
では、P N P l−ランジスタ50はターン・オン
しないであろう。
出力電圧を上げる。]・トランジスタ4と46は、トラ
ンジスタ42を介する[Eをミラーする。従ってトラン
ジスタ44と46は、’ ptatと同等な電流を導く
。低い4度では、抵抗器R6に渡る電圧は低くなるであ
ろう。抵抗器R6は値を持ち、よってToより低い一度
では、P N P l−ランジスタ50はターン・オン
しないであろう。
従ってトランジスタ44に導かれる電流は、トランジス
タ52を介して導かれなければならない。
タ52を介して導かれなければならない。
トランジスタ52のコレクタがノード53に接続されて
いるので、抵抗器Rを介して更に電圧T が引かれ、よって出力゛電圧V が増加する。
いるので、抵抗器Rを介して更に電圧T が引かれ、よって出力゛電圧V が増加する。
ut
温度が上昇するに連れて、抵抗器R6に渡る電圧が上昇
し、PNPトランジスタ50を導電させる。
し、PNPトランジスタ50を導電させる。
トランジスタ50が導電するとき、トランジスタ52を
介する電流は減少し、Rに渡る電流降T 下を減少させる。
介する電流は減少し、Rに渡る電流降T 下を減少させる。
湾曲補正回路が出力電圧を影響する温度は、抵抗器Rと
共に、抵抗器R及びR3を3m整する0に とにより変えられ得る。従って湾曲補正回路28は、い
かなる二つの温度においても湾曲補正を提供するよう動
作できる。更に、高温補償回路36と低温補償回路38
に類似する他の回路を、湾曲補正を更に提供するのに用
いてもよい。
共に、抵抗器R及びR3を3m整する0に とにより変えられ得る。従って湾曲補正回路28は、い
かなる二つの温度においても湾曲補正を提供するよう動
作できる。更に、高温補償回路36と低温補償回路38
に類似する他の回路を、湾曲補正を更に提供するのに用
いてもよい。
第3図は本発明の第二の実施例を示し、ここでは高湿補
正回路は、分離した基準電流部24を必要とせずに、バ
ンドギャップ電圧回路により駆01される。バンドギャ
ップ回路26は第3図に示されるようにほとんど同じで
ある。しかしながら高温補償回路36は、そのベースが
トランジスタ74のエミッタに接続されているトランジ
スタ86を含む。トランジスタ86のコレクタはノード
53に接続され、]・トランジスタ6のエミッタは抵抗
器Rを介して回路共通部に接続される。木発明の本実施
例では、PA温補償回路36しか示されていないので、
Rは示されていないことにLT 留意されたい。しかしながら第3図の実施例に、第2図
に示されるような低温補償回路を提供Jることは可能で
あろう。
正回路は、分離した基準電流部24を必要とせずに、バ
ンドギャップ電圧回路により駆01される。バンドギャ
ップ回路26は第3図に示されるようにほとんど同じで
ある。しかしながら高温補償回路36は、そのベースが
トランジスタ74のエミッタに接続されているトランジ
スタ86を含む。トランジスタ86のコレクタはノード
53に接続され、]・トランジスタ6のエミッタは抵抗
器Rを介して回路共通部に接続される。木発明の本実施
例では、PA温補償回路36しか示されていないので、
Rは示されていないことにLT 留意されたい。しかしながら第3図の実施例に、第2図
に示されるような低温補償回路を提供Jることは可能で
あろう。
前述したように特定のm a T 1において、出力電
圧V はトランジスタ64.66.72及ut び74のダイオード降下のため減少し、その減少は抵抗
器R8,R9及びRloに渡る電圧が増加するよりも速
いであろう。抵抗器R1,:渡る電圧は、温度が増加す
るに連れ増加するであろう。
圧V はトランジスタ64.66.72及ut び74のダイオード降下のため減少し、その減少は抵抗
器R8,R9及びRloに渡る電圧が増加するよりも速
いであろう。抵抗器R1,:渡る電圧は、温度が増加す
るに連れ増加するであろう。
Rloには値が提供されても良く、よって温度T1にお
いてトランジスタ86は付箋される。トランジスタ86
が付箋されるとぎ、電流が更にRHTを介して専かれ、
よって出ツノ電圧が増加する。抵抗器Rは、トランジス
タ86を望ましい温度で付箋させるように調整されても
良い。抵抗P!R11はトランジスタ86を介する電流
を、温度により徐々に増加させるように提供される。
いてトランジスタ86は付箋される。トランジスタ86
が付箋されるとぎ、電流が更にRHTを介して専かれ、
よって出ツノ電圧が増加する。抵抗器Rは、トランジス
タ86を望ましい温度で付箋させるように調整されても
良い。抵抗P!R11はトランジスタ86を介する電流
を、温度により徐々に増加させるように提供される。
第4図は、高温湾曲補正を有する第3図のバンドギャッ
プ回路22の出力電圧を示すグラフである。図示される
ように出力電圧は、華氏−40度から華氏120度まで
の温度範囲では、10ミリボルト以内と比較的に安定し
ている。
プ回路22の出力電圧を示すグラフである。図示される
ように出力電圧は、華氏−40度から華氏120度まで
の温度範囲では、10ミリボルト以内と比較的に安定し
ている。
本発明には、補償が更に高温と低温で付箋され、広い温
度範囲に渡ってより一定な基準電圧を提供するという技
術的な利点がある。補償が更に提供される渇麿は、−個
または複数の抵抗器の1ffl e調整覆ることで変え
られ得る。本発明の回路ぐは、補償を行うためのハード
ウェアの追加は最小限で流む。
度範囲に渡ってより一定な基準電圧を提供するという技
術的な利点がある。補償が更に提供される渇麿は、−個
または複数の抵抗器の1ffl e調整覆ることで変え
られ得る。本発明の回路ぐは、補償を行うためのハード
ウェアの追加は最小限で流む。
本発明の詳細な説明されてきたが、特許請求の範囲によ
り定められる本発明の範囲から逸れることなく様々な変
更、代用、修正が可能である。
り定められる本発明の範囲から逸れることなく様々な変
更、代用、修正が可能である。
以上の説明に関連して更に以下の項を開示りる。
(1) 公知の温度範囲内で比較的に安定した出力電
圧を提供する電圧発生器を含み、前記発生器iよ(1)
第一と第二の不整合バイポーラ・トランジスタを含み、
前記第一と第二のバイポーラ・i・ランジスタのエミッ
タは互いに結合され、また(ii)前記第一と第二のバ
イポーラ・トランジスタのベースの間に接続される第一
の抵抗器を含み、また(iii)前記第一の抵抗器と直
列で前記第一の電流を流す第二の抵抗器を含み、前記発
生器はIyI配第−の抵抗器で決定された電流から前記
比較的に安定した出力電圧を提供し、また、 安定した出力電圧を維持するために、所定の編廉に反応
する前記出力電圧を調整する回路を含み、前記回路は前
記第二の抵抗器を介して、前記第一の抵抗器に並列に、
前記公知の温i範囲外の温度に対して、電流を提供する
ことを含む、広い温度範囲に渡って安定した基準電圧を
発生ずる回路。
圧を提供する電圧発生器を含み、前記発生器iよ(1)
第一と第二の不整合バイポーラ・トランジスタを含み、
前記第一と第二のバイポーラ・i・ランジスタのエミッ
タは互いに結合され、また(ii)前記第一と第二のバ
イポーラ・トランジスタのベースの間に接続される第一
の抵抗器を含み、また(iii)前記第一の抵抗器と直
列で前記第一の電流を流す第二の抵抗器を含み、前記発
生器はIyI配第−の抵抗器で決定された電流から前記
比較的に安定した出力電圧を提供し、また、 安定した出力電圧を維持するために、所定の編廉に反応
する前記出力電圧を調整する回路を含み、前記回路は前
記第二の抵抗器を介して、前記第一の抵抗器に並列に、
前記公知の温i範囲外の温度に対して、電流を提供する
ことを含む、広い温度範囲に渡って安定した基準電圧を
発生ずる回路。
(2) (1)項に記載した回路において、前記電圧
発生器はバンドギャップ基準を含む。
発生器はバンドギャップ基準を含む。
(3) (1)項に記載した回路において、前記調整
回路は、温度依存電圧を発生する回路と、前記温度依存
電圧に反応する電流を発生する回路を含む。
回路は、温度依存電圧を発生する回路と、前記温度依存
電圧に反応する電流を発生する回路を含む。
(4) (31項に記載した回路において、電圧を発
生する前記回路は抵抗3を含む。
生する前記回路は抵抗3を含む。
(5) (3)項に記載した回路において、電流を発
生ずる前記回路はトランジスタを含む。
生ずる前記回路はトランジスタを含む。
(6) (1)項に記載した回路において、前記電圧
発生器は、中に電流が流れる一個または複数の抵抗器を
含む。
発生器は、中に電流が流れる一個または複数の抵抗器を
含む。
(7) (6)項に記載した回路において、前記調整
回路は一個または複数の前記抵抗器を介する電流を調整
する回路を含み、よって抵抗器に渡る電圧は変えられる
。
回路は一個または複数の前記抵抗器を介する電流を調整
する回路を含み、よって抵抗器に渡る電圧は変えられる
。
(8) (1)項に記載した回路において、前記調整
回路は、第一の温度に反応する出力電圧を調整する第一
の調整回路と、第二の温度に反応する出力電圧を調整す
る第二の調整回路を含む。
回路は、第一の温度に反応する出力電圧を調整する第一
の調整回路と、第二の温度に反応する出力電圧を調整す
る第二の調整回路を含む。
(9) ベースが第一の抵抗器で接続されたエミッタ
結合不整合バイポーラ・トランジスタの使用により、公
知の温度範囲で、比較的に安定した出力電圧を発生する
段階を含み、前記比較的に安定した出力電圧は、前記第
一の抵抗器を介Jる第一の’rlf流により定められ、 所定の温度を検出する段階を含み、また、第二の抵抗器
を介して第二の電流を導くことにより、安定した電圧基
準を提供するために、前記温度検出に反応して前記出力
電圧を調整する段階を含み、前記第二の抵抗器は前記第
一の抵抗器と直列にあり、前記第二の抵抗器は前記第一
の11を流すことを含む、安定した出力′fi圧基準を
発生する方法。
結合不整合バイポーラ・トランジスタの使用により、公
知の温度範囲で、比較的に安定した出力電圧を発生する
段階を含み、前記比較的に安定した出力電圧は、前記第
一の抵抗器を介Jる第一の’rlf流により定められ、 所定の温度を検出する段階を含み、また、第二の抵抗器
を介して第二の電流を導くことにより、安定した電圧基
準を提供するために、前記温度検出に反応して前記出力
電圧を調整する段階を含み、前記第二の抵抗器は前記第
一の抵抗器と直列にあり、前記第二の抵抗器は前記第一
の11を流すことを含む、安定した出力′fi圧基準を
発生する方法。
Ho) (9)項に記載した方法において、前記検出
段階は、温度依存電圧を発生し、また所定の電圧レベル
を検出することを含む。
段階は、温度依存電圧を発生し、また所定の電圧レベル
を検出することを含む。
(11) (10)項に記載した方法において、前記
調整段階は、前記所定の電圧レベルの検出に反応して、
トランジスタを付能する段階を含む。
調整段階は、前記所定の電圧レベルの検出に反応して、
トランジスタを付能する段階を含む。
(12) (11)項に記載した方法において、比較
的に安定した出力電圧を発生する前記段階は、−個また
は複数の抵抗器を介して電流を導く段階を含む。
的に安定した出力電圧を発生する前記段階は、−個また
は複数の抵抗器を介して電流を導く段階を含む。
(13) (121項に記載した方法において、航記
調整段階は更に、−個または複数の前記抵抗器を介する
電流の量を調整する段階を含む。
調整段階は更に、−個または複数の前記抵抗器を介する
電流の量を調整する段階を含む。
(14)電圧基準回路(26)は広い温度範囲に渡って
、安定した出力基準電圧を提供する。^渇湾曲補正回路
く36)は第一の所定の温度で付能され、出力電圧を適
宜調整する。低温湾曲補正回路(38)は、第二の所定
の一度より低い4度で付能され、同様に出力電圧に彩管
を及ぼす。好ましい実施例、高及び低湾曲補正回路(3
6,38)は、バンドギャップ回路(26)または他の
基準回路の、−個または複数の抵抗器を介する電流を変
えるよう動作できる。
、安定した出力基準電圧を提供する。^渇湾曲補正回路
く36)は第一の所定の温度で付能され、出力電圧を適
宜調整する。低温湾曲補正回路(38)は、第二の所定
の一度より低い4度で付能され、同様に出力電圧に彩管
を及ぼす。好ましい実施例、高及び低湾曲補正回路(3
6,38)は、バンドギャップ回路(26)または他の
基準回路の、−個または複数の抵抗器を介する電流を変
えるよう動作できる。
第1図は、従来の技術のバンドギャップ電圧基李の略図
である。 第2図は、広い温度範囲に渡って非線形栢を補償するた
めの回路を利用する、本発明のバンドギVツブ基準回路
を示す図。 第3図は本発明の第二の実施例を示す図。 第4図は本発明のバンドギャップ?(j Lt基へもの
出力を示すグラフ図である。 主な符号の説明 22:湾曲補正バンドギャップ回路 24:基準電流源部 26:バンドギャップ回路部 28:湾曲補正回路 36:高温補1!(補正)回路 38:低温補償(補正)回路 76:中間利得ステージ回路
である。 第2図は、広い温度範囲に渡って非線形栢を補償するた
めの回路を利用する、本発明のバンドギVツブ基準回路
を示す図。 第3図は本発明の第二の実施例を示す図。 第4図は本発明のバンドギャップ?(j Lt基へもの
出力を示すグラフ図である。 主な符号の説明 22:湾曲補正バンドギャップ回路 24:基準電流源部 26:バンドギャップ回路部 28:湾曲補正回路 36:高温補1!(補正)回路 38:低温補償(補正)回路 76:中間利得ステージ回路
Claims (2)
- (1)公知の温度範囲内で比較的に安定した出力電圧を
提供する電圧発生器を含み、前記発生器は(i)第一と
第二の不整合バイポーラ・トランジスタを含み、前記第
一と第二のバイポーラ・トランジスタのエミッタは互い
に結合され、また(ii)前記第一と第二のバイポーラ
・トランジスタのベースの間に接続される第一の抵抗器
を含み、また(iii)前記第一の抵抗器と直列で前記
第一の電流を流す第二の抵抗器を含み、前記発生器は前
記第一の抵抗器で決定された電流から前記比較的に安定
した出力電圧を提供し、また、 安定した出力電圧を維持するために、所定の温度に反応
する前記出力電圧を調整する回路を含み、前記回路は前
記第二の抵抗器を介して、前記第一の抵抗器に並列に、
前記公知の温度範囲外の温度に対して、電流を提供する
ことを含む、広い温度範囲に渡つて安定した基準電圧を
発生する回路。 - (2)ベースが第一の抵抗器で接続されたエミッタ結合
不整合バイポーラ・トランジスタの使用により、公知の
温度範囲で、比較的に安定した出力電圧を発生する段階
を含み、前記比較的に安定した出力電圧は、前記第一の
抵抗器を介する第一の電流により定められ、 所定の温度を検出する段階を含み、また、 第二の抵抗器を介して第二の電流を導くことにより、安
定した電圧基準を提供するために、前記温度検出に反応
して前記出力電圧を調整する段階を含み、前記第二の抵
抗器は前記第一の抵抗器と直列にあり、前記第二の抵抗
器は前記第一の電流を流すことを含む、安定した出力電
圧基準を発生する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/330,660 US4939442A (en) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Bandgap voltage reference and method with further temperature correction |
US330660 | 1994-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02285408A true JPH02285408A (ja) | 1990-11-22 |
JP2854919B2 JP2854919B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=23290743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2082902A Expired - Fee Related JP2854919B2 (ja) | 1989-03-30 | 1990-03-29 | 基準電圧を発生する回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4939442A (ja) |
JP (1) | JP2854919B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002202824A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2019007924A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
WO2019150744A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社デンソー | 補正電流出力回路及び補正機能付き基準電圧回路 |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1227488B (it) * | 1988-11-23 | 1991-04-12 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito di riferimento di tensione ad andamento in temperatura linearizzato. |
DE4005756A1 (de) * | 1989-04-01 | 1990-10-04 | Bosch Gmbh Robert | Praezisions-referenzspannungsquelle |
US5339018A (en) * | 1989-06-30 | 1994-08-16 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit monitor for storage battery voltage and temperature |
DE69212889T2 (de) * | 1991-05-17 | 1997-02-20 | Rohm Co Ltd | Konstantspannungsschaltkreis |
EP0610430B1 (en) * | 1991-10-30 | 1999-03-10 | Harris Corporation | Analog-to-digital converter and method of fabrication |
US5382916A (en) * | 1991-10-30 | 1995-01-17 | Harris Corporation | Differential voltage follower |
US5241261A (en) * | 1992-02-26 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Thermally dependent self-modifying voltage source |
US5352973A (en) * | 1993-01-13 | 1994-10-04 | Analog Devices, Inc. | Temperature compensation bandgap voltage reference and method |
US5391980A (en) * | 1993-06-16 | 1995-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Second order low temperature coefficient bandgap voltage supply |
US5349286A (en) * | 1993-06-18 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits |
US5523660A (en) * | 1993-07-06 | 1996-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Motor control circuit and motor drive system using the same |
EP0640904B1 (en) * | 1993-08-30 | 2000-10-11 | Motorola, Inc. | Curvature correction circuit for a voltage reference |
US5684394A (en) * | 1994-06-28 | 1997-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Beta helper for voltage and current reference circuits |
US5530395A (en) * | 1995-04-03 | 1996-06-25 | Etron Technology Inc. | Supply voltage level control using reference voltage generator and comparator circuits |
US5856742A (en) * | 1995-06-30 | 1999-01-05 | Harris Corporation | Temperature insensitive bandgap voltage generator tracking power supply variations |
US5760639A (en) * | 1996-03-04 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Voltage and current reference circuit with a low temperature coefficient |
US5629612A (en) * | 1996-03-12 | 1997-05-13 | Maxim Integrated Products, Inc. | Methods and apparatus for improving temperature drift of references |
US5686823A (en) * | 1996-08-07 | 1997-11-11 | National Semiconductor Corporation | Bandgap voltage reference circuit |
US5834926A (en) * | 1997-08-11 | 1998-11-10 | Motorola, Inc. | Bandgap reference circuit |
US6018265A (en) * | 1997-12-10 | 2000-01-25 | Lexar Media, Inc. | Internal CMOS reference generator and voltage regulator |
US6002243A (en) * | 1998-09-02 | 1999-12-14 | Texas Instruments Incorporated | MOS circuit stabilization of bipolar current mirror collector voltages |
US6157245A (en) * | 1999-03-29 | 2000-12-05 | Texas Instruments Incorporated | Exact curvature-correcting method for bandgap circuits |
US6060874A (en) * | 1999-07-22 | 2000-05-09 | Burr-Brown Corporation | Method of curvature compensation, offset compensation, and capacitance trimming of a switched capacitor band gap reference |
FR2801116B1 (fr) * | 1999-11-15 | 2002-01-25 | St Microelectronics Sa | Dispositif generateur de tension corrige a basse temperature |
US6657480B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-12-02 | Ixys Corporation | CMOS compatible band gap reference |
FR2814253B1 (fr) * | 2000-09-15 | 2002-11-15 | St Microelectronics Sa | Generateur de tension regulee pour circuit integre |
US6255807B1 (en) | 2000-10-18 | 2001-07-03 | Texas Instruments Tucson Corporation | Bandgap reference curvature compensation circuit |
US6404246B1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-11 | Lexa Media, Inc. | Precision clock synthesizer using RC oscillator and calibration circuit |
KR20030012753A (ko) * | 2001-08-04 | 2003-02-12 | 허일 | 셀프 스타트-업 전압 안정화 회로 |
US6642699B1 (en) | 2002-04-29 | 2003-11-04 | Ami Semiconductor, Inc. | Bandgap voltage reference using differential pairs to perform temperature curvature compensation |
US6791307B2 (en) * | 2002-10-04 | 2004-09-14 | Intersil Americas Inc. | Non-linear current generator for high-order temperature-compensated references |
US6828847B1 (en) | 2003-02-27 | 2004-12-07 | Analog Devices, Inc. | Bandgap voltage reference circuit and method for producing a temperature curvature corrected voltage reference |
US6856189B2 (en) * | 2003-05-29 | 2005-02-15 | Standard Microsystems Corporation | Delta Vgs curvature correction for bandgap reference voltage generation |
US7543253B2 (en) * | 2003-10-07 | 2009-06-02 | Analog Devices, Inc. | Method and apparatus for compensating for temperature drift in semiconductor processes and circuitry |
EP1522913A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-13 | STMicroelectronics Limited | Reference circuitry |
US7012416B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-03-14 | Analog Devices, Inc. | Bandgap voltage reference |
US7211993B2 (en) * | 2004-01-13 | 2007-05-01 | Analog Devices, Inc. | Low offset bandgap voltage reference |
US7248098B1 (en) * | 2004-03-24 | 2007-07-24 | National Semiconductor Corporation | Curvature corrected bandgap circuit |
US7193454B1 (en) | 2004-07-08 | 2007-03-20 | Analog Devices, Inc. | Method and a circuit for producing a PTAT voltage, and a method and a circuit for producing a bandgap voltage reference |
US7453252B1 (en) * | 2004-08-24 | 2008-11-18 | National Semiconductor Corporation | Circuit and method for reducing reference voltage drift in bandgap circuits |
US7812649B2 (en) * | 2004-12-17 | 2010-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Low power, power on reset circuit with accurate supply voltage detection |
US7420359B1 (en) * | 2006-03-17 | 2008-09-02 | Linear Technology Corporation | Bandgap curvature correction and post-package trim implemented therewith |
US7688054B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-03-30 | David Cave | Bandgap circuit with temperature correction |
US8102201B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-01-24 | Analog Devices, Inc. | Reference circuit and method for providing a reference |
US7576598B2 (en) * | 2006-09-25 | 2009-08-18 | Analog Devices, Inc. | Bandgap voltage reference and method for providing same |
US7714563B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-05-11 | Analog Devices, Inc. | Low noise voltage reference circuit |
US20080265860A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Analog Devices, Inc. | Low voltage bandgap reference source |
US7605578B2 (en) | 2007-07-23 | 2009-10-20 | Analog Devices, Inc. | Low noise bandgap voltage reference |
US7598799B2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-10-06 | Analog Devices, Inc. | Bandgap voltage reference circuit |
US7612606B2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-11-03 | Analog Devices, Inc. | Low voltage current and voltage generator |
US7880533B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-02-01 | Analog Devices, Inc. | Bandgap voltage reference circuit |
US7902912B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-03-08 | Analog Devices, Inc. | Bias current generator |
US7750728B2 (en) * | 2008-03-25 | 2010-07-06 | Analog Devices, Inc. | Reference voltage circuit |
DE102010007771B4 (de) * | 2010-02-12 | 2011-09-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen einer krümmungskompensierten Bandabstandsreferenzspannung |
US8922178B2 (en) * | 2010-10-15 | 2014-12-30 | Intel IP Corporation | Temperature dependent voltage regulator |
US8791683B1 (en) * | 2011-02-28 | 2014-07-29 | Linear Technology Corporation | Voltage-mode band-gap reference circuit with temperature drift and output voltage trims |
US20130234692A1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Medtronic, Inc. | Voltage supply and method with two references having differing accuracy and power consumption |
CN103558896A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-05 | 苏州贝克微电子有限公司 | 一种固定电压参考电路 |
US9864389B1 (en) | 2016-11-10 | 2018-01-09 | Analog Devices Global | Temperature compensated reference voltage circuit |
CN107272818B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-04-02 | 福建省福芯电子科技有限公司 | 一种高压带隙基准电路结构 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5323054A (en) * | 1976-08-16 | 1978-03-03 | Rca Corp | Standard voltage generator |
JPH0256010A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | 低電圧基準電源回路 |
JPH02178814A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 低電圧基準電源回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4325018A (en) * | 1980-08-14 | 1982-04-13 | Rca Corporation | Temperature-correction network with multiple corrections as for extrapolated band-gap voltage reference circuits |
US4525663A (en) * | 1982-08-03 | 1985-06-25 | Burr-Brown Corporation | Precision band-gap voltage reference circuit |
US4603291A (en) * | 1984-06-26 | 1986-07-29 | Linear Technology Corporation | Nonlinearity correction circuit for bandgap reference |
JPS6134617A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-18 | Fujitsu Ltd | 基準電圧発生回路 |
US4633165A (en) * | 1984-08-15 | 1986-12-30 | Precision Monolithics, Inc. | Temperature compensated voltage reference |
SU1283729A1 (ru) * | 1985-07-10 | 1987-01-15 | Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина) | Стабилизатор посто нного напр жени |
US4668903A (en) * | 1985-08-15 | 1987-05-26 | Thaler Corporation | Apparatus and method for a temperature compensated reference voltage supply |
US4789819A (en) * | 1986-11-18 | 1988-12-06 | Linear Technology Corporation | Breakpoint compensation and thermal limit circuit |
GB8630980D0 (en) * | 1986-12-29 | 1987-02-04 | Motorola Inc | Bandgap reference circuit |
US4808908A (en) * | 1988-02-16 | 1989-02-28 | Analog Devices, Inc. | Curvature correction of bipolar bandgap references |
-
1989
- 1989-03-30 US US07/330,660 patent/US4939442A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2082902A patent/JP2854919B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5323054A (en) * | 1976-08-16 | 1978-03-03 | Rca Corp | Standard voltage generator |
JPH0256010A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | 低電圧基準電源回路 |
JPH02178814A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | 低電圧基準電源回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002202824A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP4513209B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-07-28 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2019007924A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
WO2019150744A1 (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社デンソー | 補正電流出力回路及び補正機能付き基準電圧回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2854919B2 (ja) | 1999-02-10 |
US4939442A (en) | 1990-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02285408A (ja) | 基準電圧を発生する回路 | |
US4352056A (en) | Solid-state voltage reference providing a regulated voltage having a high magnitude | |
US6016051A (en) | Bandgap reference voltage circuit with PTAT current source | |
JP3420536B2 (ja) | Cmosバンドギャップ電圧基準 | |
US7420359B1 (en) | Bandgap curvature correction and post-package trim implemented therewith | |
US6426669B1 (en) | Low voltage bandgap reference circuit | |
US6956727B1 (en) | High side current monitor with extended voltage range | |
US4808908A (en) | Curvature correction of bipolar bandgap references | |
US7170336B2 (en) | Low voltage bandgap reference (BGR) circuit | |
US8159206B2 (en) | Voltage reference circuit based on 3-transistor bandgap cell | |
US5619163A (en) | Bandgap voltage reference and method for providing same | |
US7619401B2 (en) | Bandgap reference circuit | |
EP0656575B1 (en) | Band-gap reference current source with compensation for saturating current spread of bipolar transistor | |
US6294902B1 (en) | Bandgap reference having power supply ripple rejection | |
CA1321816C (en) | Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit | |
US10416702B2 (en) | Bandgap reference circuit, corresponding device and method | |
US7161340B2 (en) | Method and apparatus for generating N-order compensated temperature independent reference voltage | |
US6137341A (en) | Temperature sensor to run from power supply, 0.9 to 12 volts | |
US6483372B1 (en) | Low temperature coefficient voltage output circuit and method | |
US5631551A (en) | Voltage reference with linear negative temperature variation | |
US20190129461A1 (en) | Bandgap reference circuitry | |
US6657480B2 (en) | CMOS compatible band gap reference | |
WO1997024650A1 (en) | Temperature stabilized constant fraction voltage controlled current source | |
US4160201A (en) | Voltage regulators | |
US11480989B2 (en) | High accuracy zener based voltage reference circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071120 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091120 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |