JPH0228525A - 薄膜熱電対 - Google Patents
薄膜熱電対Info
- Publication number
- JPH0228525A JPH0228525A JP63179663A JP17966388A JPH0228525A JP H0228525 A JPH0228525 A JP H0228525A JP 63179663 A JP63179663 A JP 63179663A JP 17966388 A JP17966388 A JP 17966388A JP H0228525 A JPH0228525 A JP H0228525A
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- JP
- Japan
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- thin film
- thermocouple
- substrate
- thin films
- end sides
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、測温用の薄膜熱電対に関する。
(従来の技術とその課題)
従来の熱電対は、一般に2種類の熱電対構成材料より成
る線材を接合した構造となっているので、ガラス基板、
セラミックス基板等の測温が必要な時、接合部を基板に
密着させることが困難であった。
る線材を接合した構造となっているので、ガラス基板、
セラミックス基板等の測温が必要な時、接合部を基板に
密着させることが困難であった。
この為、エポキシ接着剤等を用いて接合部を基板に密着
させることがおこなわれたが、熱伝導が悪く1、測温の
応答性が悪かった。また、真空槽中での使用ではエポキ
シ接着剤等が加熱されることによりガスが発生するので
、使用できなかった。
させることがおこなわれたが、熱伝導が悪く1、測温の
応答性が悪かった。また、真空槽中での使用ではエポキ
シ接着剤等が加熱されることによりガスが発生するので
、使用できなかった。
勿論、半田付は等により熱電対の接合部を基板に密着す
ることは、高温で溶けるので、できないものである。
ることは、高温で溶けるので、できないものである。
(発明の目的)
本発明は」二記課題を解決すべくなされたもので、ガラ
ス基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部を基
板に密着させることのできる薄膜熱電対を提供すること
を目的とするものである。
ス基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部を基
板に密着させることのできる薄膜熱電対を提供すること
を目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
上記課題を解捜するための本発明の薄膜熱電対は、ガラ
ス、セラミックス等の基板」二に、2種類の熱電対構成
材料の線状薄膜が対をなして形成され、且つ一端同志が
重合されて接合部が形成され、各線状薄膜の他端に導電
8膜が重合されて端子部が形成されて成るものである。
ス、セラミックス等の基板」二に、2種類の熱電対構成
材料の線状薄膜が対をなして形成され、且つ一端同志が
重合されて接合部が形成され、各線状薄膜の他端に導電
8膜が重合されて端子部が形成されて成るものである。
(作用)
本発明の薄膜熱電対は上記の如く構成されているので、
ガラス基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部
を基板に密着させることができ、従って熱伝導が良く、
測温の応答性が早いものである。
ガラス基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部
を基板に密着させることができ、従って熱伝導が良く、
測温の応答性が早いものである。
(実施例)
本発明の薄膜熱電対の一実施例を図によって説明すると
、縦2インチ、横2インチ、厚さl/40インチのアル
ミナ基板I上にスパッタリング法によりPtとP t
−Rh 13wt%の熱電対構成材料の厚さ0.5μm
、幅100μm、長さ1.5インチで、夫々一端部が対
向するように長さ各インチ屈曲した線状薄膜2.3が1
インチの間隔を存して平行に対をなして形成され、且つ
一端同志が重合されて縦100μm、横100μm、厚
さ1μmの熱起電力を得る為の接合部4が形成され、各
線状薄膜2.3の他端に縦llllm1横1mm、厚さ
2μmのCuの薄膜が重合されて端子部5が形成されて
いる。
、縦2インチ、横2インチ、厚さl/40インチのアル
ミナ基板I上にスパッタリング法によりPtとP t
−Rh 13wt%の熱電対構成材料の厚さ0.5μm
、幅100μm、長さ1.5インチで、夫々一端部が対
向するように長さ各インチ屈曲した線状薄膜2.3が1
インチの間隔を存して平行に対をなして形成され、且つ
一端同志が重合されて縦100μm、横100μm、厚
さ1μmの熱起電力を得る為の接合部4が形成され、各
線状薄膜2.3の他端に縦llllm1横1mm、厚さ
2μmのCuの薄膜が重合されて端子部5が形成されて
いる。
このように構成された薄膜熱電対6を、pt薄膜電極の
石英ガラス基板を測温する為に、その石英ガラス基板上
に重ねた処、接合部4を密着させることができ、従って
熱伝導が良好で、測温の応答性が早かった。
石英ガラス基板を測温する為に、その石英ガラス基板上
に重ねた処、接合部4を密着させることができ、従って
熱伝導が良好で、測温の応答性が早かった。
尚、上記実施例では、熱電対構成材料としてPtとPt
−Rhを用いたが、本発明はこれに限るものではなく、
クロメル・アルメル、銅・コンスタンタンなどいかなる
熱電対材料から成るものでもよいものである。
−Rhを用いたが、本発明はこれに限るものではなく、
クロメル・アルメル、銅・コンスタンタンなどいかなる
熱電対材料から成るものでもよいものである。
また上記実施例では基板上に熱電対構成材料の線状薄膜
をスパッタリングによって形成したが本発明はこれに限
るものではなく、印刷法、エツチング法等によってもよ
いものである。
をスパッタリングによって形成したが本発明はこれに限
るものではなく、印刷法、エツチング法等によってもよ
いものである。
さらに必要に応じて熱電対構成材料から成る線状薄膜を
Aj!203、ZrO□等からなる保護膜でコーティン
グしてもよいものである。
Aj!203、ZrO□等からなる保護膜でコーティン
グしてもよいものである。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明の薄膜熱電対は、ガラス
基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部を基板
に密着できるので、熱伝導が良く、測温の応答性が早い
ものである。また本発明の薄膜熱電対は、そのまま基板
に搭載することが可能であり、熱電対構成薄膜を超微細
化することも可能で、薄膜熱電対そのものを軽量、小型
化することも可能である。
基板、セラミックス基板等を測温する際、接合部を基板
に密着できるので、熱伝導が良く、測温の応答性が早い
ものである。また本発明の薄膜熱電対は、そのまま基板
に搭載することが可能であり、熱電対構成薄膜を超微細
化することも可能で、薄膜熱電対そのものを軽量、小型
化することも可能である。
図は本発明の薄膜熱電対の一実施例を示す斜視図である
。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ミ:::ネμ¥IE、ゆ
。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ミ:::ネμ¥IE、ゆ
Claims (1)
- 1、ガラス、セラミックス等の基板上に、2種類の熱電
対構成材料の線状薄膜が対をなして形成され、且つ一端
同志が重合されて接合部が形成され、各線状薄膜の他端
に導電薄膜が重合されて端子部が形成されて成る薄膜熱
電対。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179663A JPH0228525A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜熱電対 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179663A JPH0228525A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜熱電対 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228525A true JPH0228525A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16069702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63179663A Pending JPH0228525A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 薄膜熱電対 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228525A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5053165A (en) * | 1989-07-26 | 1991-10-01 | Hoya Optics, Inc. | Glass of improved thermal shock resistance for high average power solid state laser system |
CN115011915A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种冗余薄膜热电偶的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS451086Y1 (ja) * | 1966-02-02 | 1970-01-19 | ||
JPS59228139A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-21 | Unitika Ltd | 薄膜温度測定素子 |
JPS62139339A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-23 | Nec Corp | 測温ウエハ |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179663A patent/JPH0228525A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS451086Y1 (ja) * | 1966-02-02 | 1970-01-19 | ||
JPS59228139A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-21 | Unitika Ltd | 薄膜温度測定素子 |
JPS62139339A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-23 | Nec Corp | 測温ウエハ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5053165A (en) * | 1989-07-26 | 1991-10-01 | Hoya Optics, Inc. | Glass of improved thermal shock resistance for high average power solid state laser system |
CN115011915A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种冗余薄膜热电偶的制备方法 |
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