JPH0228355A - 冷却構造を備えた半導体システム装置 - Google Patents
冷却構造を備えた半導体システム装置Info
- Publication number
- JPH0228355A JPH0228355A JP17940488A JP17940488A JPH0228355A JP H0228355 A JPH0228355 A JP H0228355A JP 17940488 A JP17940488 A JP 17940488A JP 17940488 A JP17940488 A JP 17940488A JP H0228355 A JPH0228355 A JP H0228355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- cooling
- tunnel
- passage
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多数の半導体装置を用いて形成されたシステム
装置に組み込まれた半導体装置から発生する熱を効率よ
く外部に排出する冷却方法の改良に関する。
装置に組み込まれた半導体装置から発生する熱を効率よ
く外部に排出する冷却方法の改良に関する。
半導体装置、特に高集積化されたバイポーラIC,MO
S IC更にはGaAsを用いたIC等は、超高速で
動作させる為と高集積化の為に消費電力が大きく、その
発生する熱を半導体装置の外部に放熱する目的で、その
発熱部にヒートシンク(放熱器)が接続されて用いられ
るのが普通である。
S IC更にはGaAsを用いたIC等は、超高速で
動作させる為と高集積化の為に消費電力が大きく、その
発生する熱を半導体装置の外部に放熱する目的で、その
発熱部にヒートシンク(放熱器)が接続されて用いられ
るのが普通である。
第4図は、半導体装置に接続された従来のヒートシンク
の一例の断面図である。又、第3図は、第4図の半導体
装置を用いたLSIをシステム装置に実装した冷却構造
の透視図である。すなわち、半導体装置1は、Cu−W
合金、Mo等からなる金属基板22に固定された半導体
素子3とアルミナ基板4.外部リード5.金属キャップ
6、ヒートシンク7から構成されている。ヒートシンク
7は、AA製の放熱板がNiメツキとSnメツキされ半
導体装置1の放熱部に半田接続されている。
の一例の断面図である。又、第3図は、第4図の半導体
装置を用いたLSIをシステム装置に実装した冷却構造
の透視図である。すなわち、半導体装置1は、Cu−W
合金、Mo等からなる金属基板22に固定された半導体
素子3とアルミナ基板4.外部リード5.金属キャップ
6、ヒートシンク7から構成されている。ヒートシンク
7は、AA製の放熱板がNiメツキとSnメツキされ半
導体装置1の放熱部に半田接続されている。
半導体素子3の駆動により発生した熱は、半導体素子3
から主に熱伝導により金属基板2.ヒートシンク7に伝
えられる。そして表面積の大きな放熱フィン8より対流
又は輻射によって空気中に放熱される。第3図は多数の
半導体装置1をプリント板20に半田付けし、システム
装置として架内に実装した状態で放熱及び冷却を行う場
合について説明する図である。上述した従来構造のヒー
トシンクを備えた半導体装置1はプリント板20に多数
半田付けされ、又その他の部品も周囲に半田付けされて
いる。これらのプリント板20が多列、多段に架台のバ
ックボード25に接続されている。
から主に熱伝導により金属基板2.ヒートシンク7に伝
えられる。そして表面積の大きな放熱フィン8より対流
又は輻射によって空気中に放熱される。第3図は多数の
半導体装置1をプリント板20に半田付けし、システム
装置として架内に実装した状態で放熱及び冷却を行う場
合について説明する図である。上述した従来構造のヒー
トシンクを備えた半導体装置1はプリント板20に多数
半田付けされ、又その他の部品も周囲に半田付けされて
いる。これらのプリント板20が多列、多段に架台のバ
ックボード25に接続されている。
これらの部品が同時に動作すると、架内温度は架外が2
5〜30℃に空調されていたとしても50〜60℃位に
温度上昇する。そこで、その冷却方法として、送風ファ
ン21による強制空冷が一般的に用いられている。しか
しながら、発熱量が大きく高信頼性を要求されるシステ
ム装置としては、第3図に示すような冷却水22を用い
て熱交換器23と送風ファン21により冷風を発生させ
て架内温度を常温近くまで下げる役目をしている。この
様な強制空冷方式は、送風ファン21でつくり出す風速
により半導体装置1の表面の熱を対流により奪い熱抵抗
を下げる役目を持っている。
5〜30℃に空調されていたとしても50〜60℃位に
温度上昇する。そこで、その冷却方法として、送風ファ
ン21による強制空冷が一般的に用いられている。しか
しながら、発熱量が大きく高信頼性を要求されるシステ
ム装置としては、第3図に示すような冷却水22を用い
て熱交換器23と送風ファン21により冷風を発生させ
て架内温度を常温近くまで下げる役目をしている。この
様な強制空冷方式は、送風ファン21でつくり出す風速
により半導体装置1の表面の熱を対流により奪い熱抵抗
を下げる役目を持っている。
又、第5図は、従来から用いられている冷却方法で、前
述した空冷冷却方法よりも更に発熱量並びに発熱密度が
大きい場合に用いられる方法である。
述した空冷冷却方法よりも更に発熱量並びに発熱密度が
大きい場合に用いられる方法である。
プリント板20に実装された半導体装置1は、液冷プレ
ートに接触させ半導体装置lからの発熱を液冷プレート
24により熱交換させる。この液冷プレート24内には
冷却水がポンプにより冷却パイプ22内を循環させられ
ている。この冷却水は、液冷プレート表面に露結しない
ように露点以下に水温を下げることはできない。この冷
却方法の欠点として液冷プレートの水もれ、冷却水の冷
却設備等保守が非常に面倒でありコスト的にも相当割高
であった。
ートに接触させ半導体装置lからの発熱を液冷プレート
24により熱交換させる。この液冷プレート24内には
冷却水がポンプにより冷却パイプ22内を循環させられ
ている。この冷却水は、液冷プレート表面に露結しない
ように露点以下に水温を下げることはできない。この冷
却方法の欠点として液冷プレートの水もれ、冷却水の冷
却設備等保守が非常に面倒でありコスト的にも相当割高
であった。
上述した従来の空冷法は、冷却水の循環する熱交換器に
送風ファンにより風を送り冷風を作り出すと共に半導体
装置ならびヒートシンク上の熱を対流により奪い取る役
目をしている。しかしながら、この方法では、半導体装
置なちびヒートシンクに当る風速は、それほど大きな風
速とはならず熱抵抗も下がらない。又、従来の液冷法は
液冷プレート、配管、冷却水の冷却設備コスト保守、ラ
ンニングコスト等、空冷法に比較して高価であることが
欠点であった。
送風ファンにより風を送り冷風を作り出すと共に半導体
装置ならびヒートシンク上の熱を対流により奪い取る役
目をしている。しかしながら、この方法では、半導体装
置なちびヒートシンクに当る風速は、それほど大きな風
速とはならず熱抵抗も下がらない。又、従来の液冷法は
液冷プレート、配管、冷却水の冷却設備コスト保守、ラ
ンニングコスト等、空冷法に比較して高価であることが
欠点であった。
本発明によれば、空冷冷却方法において半導体装置冷却
する空気流通路を有している。空気流通路をプリント基
板全体を冷却する冷却ファンによって架内金体に空気を
送り込むようにすると低電力消費の半導体装置の冷却に
適し、一方この空気流通路を半導体装置の上をおおうよ
うにバイブを布設し、その一端から圧送又は吸引により
空気を流入して半導体装置を通過する流速を高めるよう
にすると高電力消費の半導体装置の冷却に適している。
する空気流通路を有している。空気流通路をプリント基
板全体を冷却する冷却ファンによって架内金体に空気を
送り込むようにすると低電力消費の半導体装置の冷却に
適し、一方この空気流通路を半導体装置の上をおおうよ
うにバイブを布設し、その一端から圧送又は吸引により
空気を流入して半導体装置を通過する流速を高めるよう
にすると高電力消費の半導体装置の冷却に適している。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例の斜視図である。
バックボード25に接続されたプリント板20は半導体
装置1やMSI並び5SI9が混在して取付けられてい
る。当然VLSIの半導体装置1は動作時の発熱量が太
きく0MO8でも5W程、BiPorでは10〜30W
の発熱するものがある。これらの各種半導体装置の上面
をおおうようにトンネル通路26を設ける。このトンネ
ル通路の一端に送風ファン21を設置し風を送る事によ
ってVLSI半導体装置あるいは比較的発熱の大きなM
SIに選択的に風速を高めて冷却することが可能である
。例えば、トンネル通路を用いない従来の冷却方法で1
m/seeの風速に対してトンネル通路を用いて選択的
にVLSI半導体装置冷却するならば風速は2〜3m/
seeにすることも可能であり、熱抵抗は無風に対して
1 m / seeの風速で1/2になることが確認さ
れている。
装置1やMSI並び5SI9が混在して取付けられてい
る。当然VLSIの半導体装置1は動作時の発熱量が太
きく0MO8でも5W程、BiPorでは10〜30W
の発熱するものがある。これらの各種半導体装置の上面
をおおうようにトンネル通路26を設ける。このトンネ
ル通路の一端に送風ファン21を設置し風を送る事によ
ってVLSI半導体装置あるいは比較的発熱の大きなM
SIに選択的に風速を高めて冷却することが可能である
。例えば、トンネル通路を用いない従来の冷却方法で1
m/seeの風速に対してトンネル通路を用いて選択的
にVLSI半導体装置冷却するならば風速は2〜3m/
seeにすることも可能であり、熱抵抗は無風に対して
1 m / seeの風速で1/2になることが確認さ
れている。
第2図は本発明の他の実施例の斜視図である。
システム装置内のバックボード25に接続されたプリン
ト板20をおおうように複数のトンネル通路26を設け
その上部が吸引ファン27により連結されている構造で
ある。この方法は、トンネル通路26内の空気抵抗が高
い場合に有効である。
ト板20をおおうように複数のトンネル通路26を設け
その上部が吸引ファン27により連結されている構造で
ある。この方法は、トンネル通路26内の空気抵抗が高
い場合に有効である。
プリント板20に接続された半導体装置1のヒートシン
ク7を通過する空気の流速は、第3図の従来冷却方法の
2〜3倍にすることが可能である。
ク7を通過する空気の流速は、第3図の従来冷却方法の
2〜3倍にすることが可能である。
これは、第3図の架内金体を1m/Sの風速で冷却する
とすれば、第2図の方法では架内のトンネル通路26の
流通断面を1/3の断面積にすることによって風速は約
3倍になるからである。従って本冷却方法は、冷却水、
熱交換器の設置の必要がないのでメンテナンスがフリー
となるが空気の流速を高める事が必要となるので空気の
ゴミが半導体装置等の部品に付着しやすいのでフィルタ
ーによるゴミの排除が必要である。
とすれば、第2図の方法では架内のトンネル通路26の
流通断面を1/3の断面積にすることによって風速は約
3倍になるからである。従って本冷却方法は、冷却水、
熱交換器の設置の必要がないのでメンテナンスがフリー
となるが空気の流速を高める事が必要となるので空気の
ゴミが半導体装置等の部品に付着しやすいのでフィルタ
ーによるゴミの排除が必要である。
以上説明したように、本発明によれば、システム装置内
の空気流通路をトンネル通路又はダクト等により縮小し
同じ送風又は吸引量により空気の流速を2〜3倍に高め
、システム装置内の空気流速を高消費電力の半導体装置
に当る様にしたものである。この方法によって半導体装
置における冷却効率を高め、架内温度上昇を抑えると共
に液冷冷却の様な冷凍機の様な付帯設備が不要で設備保
守が容易になり半導体装置及びシステム全体の長寿命化
と信頼性向上に大きな効果がある。
の空気流通路をトンネル通路又はダクト等により縮小し
同じ送風又は吸引量により空気の流速を2〜3倍に高め
、システム装置内の空気流速を高消費電力の半導体装置
に当る様にしたものである。この方法によって半導体装
置における冷却効率を高め、架内温度上昇を抑えると共
に液冷冷却の様な冷凍機の様な付帯設備が不要で設備保
守が容易になり半導体装置及びシステム全体の長寿命化
と信頼性向上に大きな効果がある。
第1図は本発明の一実施例による冷却構造を示す斜視図
、第2図は本発明の他の実施例による冷却構造を示す斜
視図、第3図乃至第5図はそれぞれ従来の冷却構造を示
す斜視図である。 1・・・・・・半導体装置、2・・・・・・金属基板、
3・・・・・・半導体素子、4・・・・・・アルミナ基
板、5・・・・・・外部リード、6・・・・・・金属キ
ャップ、7・・・・・・ヒートシンク、8・・・・・・
放熱フィン、9・・・・・・MSI、SSI、20・・
・・・プリント板、21・・・・・・送風ファン、22
・・・・・・冷却パイプ、23・・・・・・熱交換器、
24・・・・・・液冷プレート、25・・・・・・バッ
クボード、26・・・・・・トンネル通路、 27・・・・・・吸引ファン。
、第2図は本発明の他の実施例による冷却構造を示す斜
視図、第3図乃至第5図はそれぞれ従来の冷却構造を示
す斜視図である。 1・・・・・・半導体装置、2・・・・・・金属基板、
3・・・・・・半導体素子、4・・・・・・アルミナ基
板、5・・・・・・外部リード、6・・・・・・金属キ
ャップ、7・・・・・・ヒートシンク、8・・・・・・
放熱フィン、9・・・・・・MSI、SSI、20・・
・・・プリント板、21・・・・・・送風ファン、22
・・・・・・冷却パイプ、23・・・・・・熱交換器、
24・・・・・・液冷プレート、25・・・・・・バッ
クボード、26・・・・・・トンネル通路、 27・・・・・・吸引ファン。
Claims (1)
- 多数の半導体装置が取り付けられたプリント板を複数備
えた冷却構造を有する半導体システム装置内において、
前記プリント板に実装された前記半導体装置をパイプ状
又はトンネル状通路で覆い、該パイプ状又はトンネル状
通路の一端に送風ファンあるいは吸引ポンプにより送風
又は吸引を行う事によって強制冷却する事を特徴とする
冷却構造を備えた半導体システム装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17940488A JPH0228355A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 冷却構造を備えた半導体システム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17940488A JPH0228355A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 冷却構造を備えた半導体システム装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228355A true JPH0228355A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16065277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17940488A Pending JPH0228355A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 冷却構造を備えた半導体システム装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228355A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19506373A1 (de) * | 1994-02-24 | 1995-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | Kühleinrichtung für elektronische Teile |
US5597035A (en) * | 1995-08-18 | 1997-01-28 | Dell Usa, L.P. | For use with a heatsink a shroud having a varying cross-sectional area |
US5815371A (en) * | 1996-09-26 | 1998-09-29 | Dell U.S.A., L.P. | Multi-function heat dissipator |
US5828549A (en) * | 1996-10-08 | 1998-10-27 | Dell U.S.A., L.P. | Combination heat sink and air duct for cooling processors with a series air flow |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17940488A patent/JPH0228355A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19506373A1 (de) * | 1994-02-24 | 1995-08-31 | Mitsubishi Materials Corp | Kühleinrichtung für elektronische Teile |
US5597035A (en) * | 1995-08-18 | 1997-01-28 | Dell Usa, L.P. | For use with a heatsink a shroud having a varying cross-sectional area |
US5815371A (en) * | 1996-09-26 | 1998-09-29 | Dell U.S.A., L.P. | Multi-function heat dissipator |
US5828549A (en) * | 1996-10-08 | 1998-10-27 | Dell U.S.A., L.P. | Combination heat sink and air duct for cooling processors with a series air flow |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7345873B2 (en) | System and method for cooling electronic systems | |
US5828549A (en) | Combination heat sink and air duct for cooling processors with a series air flow | |
US7198094B2 (en) | Finned device for removing heat from an electronic component | |
JPH08186388A (ja) | 電子機器の冷却装置 | |
US4449164A (en) | Electronic module cooling system using parallel air streams | |
JP2894243B2 (ja) | 熱放散特性に優れたヒートシンク | |
US10874034B1 (en) | Pump driven liquid cooling module with tower fins | |
JPH05335454A (ja) | 電子機器の冷却装置 | |
JPH08288438A (ja) | 電子機器の冷却装置 | |
JP2833999B2 (ja) | Lsiの冷却モジュール | |
KR100939992B1 (ko) | 전기전자기기의 냉각장치 및 이를 장착한 전기전자기기 | |
JP2002280779A (ja) | 電子機器の冷却装置 | |
JPH0228355A (ja) | 冷却構造を備えた半導体システム装置 | |
JPH09307034A (ja) | 半導体素子の冷却構造 | |
JP2735306B2 (ja) | 基板冷却装置 | |
JP3077575B2 (ja) | ヒートシンク冷却装置 | |
JP2002343912A (ja) | デバイスの冷却方法 | |
CN212211802U (zh) | 一种具有新型散热结构的微波设备 | |
JP2001257494A (ja) | 電子機器 | |
JP2002026214A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
JPS63192256A (ja) | 集積回路の冷却構造 | |
JP2005064070A (ja) | 電子機器 | |
CN218385194U (zh) | 一种芯片封装散热机构 | |
JPH05102361A (ja) | 半導体装置の冷却構造 | |
CN217484805U (zh) | 机箱 |