JPH02281243A - 波長変換素子及びその製造方法 - Google Patents
波長変換素子及びその製造方法Info
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- JPH02281243A JPH02281243A JP10248689A JP10248689A JPH02281243A JP H02281243 A JPH02281243 A JP H02281243A JP 10248689 A JP10248689 A JP 10248689A JP 10248689 A JP10248689 A JP 10248689A JP H02281243 A JPH02281243 A JP H02281243A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は第２高調波光を発生する波長変換素子及び製造
方法に関する。
方法に関する。
（従来の技術）
非線形光学を利用した波長変換法、とくに第２高調波法
は、その簡便さと高効率性とにより、有力なレーザ光源
の短波長化手段として、例えば光デイスク記録の高密度
化用半導体レーザ励起青色光源の実現に向け、盛んに研
究開発がすすめられている。半導体レーザのように比較
的低出力の光源を用いて高効率に波長変換を行なうため
には、導波路構造により波長変換の相互作用長を長大化
し、かつ位相整合により波長変換を高効率化する構造の
素子が必要であるが、現状では同条件を両立させる素子
は実現していない。
は、その簡便さと高効率性とにより、有力なレーザ光源
の短波長化手段として、例えば光デイスク記録の高密度
化用半導体レーザ励起青色光源の実現に向け、盛んに研
究開発がすすめられている。半導体レーザのように比較
的低出力の光源を用いて高効率に波長変換を行なうため
には、導波路構造により波長変換の相互作用長を長大化
し、かつ位相整合により波長変換を高効率化する構造の
素子が必要であるが、現状では同条件を両立させる素子
は実現していない。
これは、導波路の構造が決まっても正確な導波モードの
解析が困難なうえに、導波路の極くわずかの構造的な変
化が、導波モードに大きな変化を生じて、いずれも導波
路全体の位相整合条件を満たすうえの設計上及びプロセ
ス上の障害となっているためである。また、さらには、
自然に存在する非線形光学材料を用いて位相整合条件を
満たせる場合でも基本波波長と入射方向及び偏光方向に
厳しい特定の条件が課せられるうえ、導波路構造を導入
すると、位相整合条件の補正が必要になるのに加え、基
板への非線形光学材料膜の成膜可能性等の導波路構造製
作のためのプロセス上の制約条件を生ずるため、一般に
は、バルク材料を導波路構造にして位相整合させること
は不可能に近い。
解析が困難なうえに、導波路の極くわずかの構造的な変
化が、導波モードに大きな変化を生じて、いずれも導波
路全体の位相整合条件を満たすうえの設計上及びプロセ
ス上の障害となっているためである。また、さらには、
自然に存在する非線形光学材料を用いて位相整合条件を
満たせる場合でも基本波波長と入射方向及び偏光方向に
厳しい特定の条件が課せられるうえ、導波路構造を導入
すると、位相整合条件の補正が必要になるのに加え、基
板への非線形光学材料膜の成膜可能性等の導波路構造製
作のためのプロセス上の制約条件を生ずるため、一般に
は、バルク材料を導波路構造にして位相整合させること
は不可能に近い。
（発明が解決しようとする課題）
以上の一般的背景をもとに、位相整合条件が自動的に満
たされるＬｉＮｂＯ３導波路からのチェレンコフ放射を
利用する第２高調波発生素子、即ち、第２高調波を導波
モードでなく放射モードとする素子が、谷下らにより例
えば昭和６３年レーザ学会学術講演会第８会年次大会予
稿集の講演番号１８ｐＩ３（４５頁〜４８頁、１９８８
）に報告されている。しかしながら、その場合の第２高
調波出力は集束性が悪く、実用的ではない。
たされるＬｉＮｂＯ３導波路からのチェレンコフ放射を
利用する第２高調波発生素子、即ち、第２高調波を導波
モードでなく放射モードとする素子が、谷下らにより例
えば昭和６３年レーザ学会学術講演会第８会年次大会予
稿集の講演番号１８ｐＩ３（４５頁〜４８頁、１９８８
）に報告されている。しかしながら、その場合の第２高
調波出力は集束性が悪く、実用的ではない。
一方、人工的な周期構造を利用して位相整合条件を疑似
的に満たして、位相整合条件下に準じた第２高調波出力
を得る方法が、擬位相整合法として早くからＢｌｏｅｍ
ｂｅｒｇｅｎ（ブレンベルゲン）らにより提案され、知
られている。これは、コヒーレンス長の２倍ごとに第２
高調波発生の分極を反転して第２高調波の位相を、ずら
し、実効的に非線形材料内で発生した第２高調波が位相
を揃えて加算的に寄与する手法であり、一般的には極め
て有力な方法といえる。この方法に基づいて最近、Ｌｉ
ＮｂＯ３へのイオン照射による分極反転効果を利用した
、位相整合した導波路構造の第２高調波発生素子が太田
による特開平１−８２０２２号公報（特願昭６２−２４
１３１９号公報）に提案されている。しかしながらこの
ような素子が実現しても、現状では適用可能材料がＬｉ
ＮｂＯ３に限定され、光損傷や変換効率に限界があるこ
と、ＬｉＮｂＯ３の特定の方位の単結晶を用いるため将
来の励起用基本波光源である半導体レーザとの一体的集
積化が困難なこと、などの問題点がある。
的に満たして、位相整合条件下に準じた第２高調波出力
を得る方法が、擬位相整合法として早くからＢｌｏｅｍ
ｂｅｒｇｅｎ（ブレンベルゲン）らにより提案され、知
られている。これは、コヒーレンス長の２倍ごとに第２
高調波発生の分極を反転して第２高調波の位相を、ずら
し、実効的に非線形材料内で発生した第２高調波が位相
を揃えて加算的に寄与する手法であり、一般的には極め
て有力な方法といえる。この方法に基づいて最近、Ｌｉ
ＮｂＯ３へのイオン照射による分極反転効果を利用した
、位相整合した導波路構造の第２高調波発生素子が太田
による特開平１−８２０２２号公報（特願昭６２−２４
１３１９号公報）に提案されている。しかしながらこの
ような素子が実現しても、現状では適用可能材料がＬｉ
ＮｂＯ３に限定され、光損傷や変換効率に限界があるこ
と、ＬｉＮｂＯ３の特定の方位の単結晶を用いるため将
来の励起用基本波光源である半導体レーザとの一体的集
積化が困難なこと、などの問題点がある。
本発明の目的は、擬位相整合可能な第２高調波発生素子
を構成する材料選択の自由度を大幅に増大し、半導体レ
ーザと集積可能な小形高効率な第２高調波発生のための
波長変換素子、及び同素子を位相整合するための製造方
法を提供することにある。
を構成する材料選択の自由度を大幅に増大し、半導体レ
ーザと集積可能な小形高効率な第２高調波発生のための
波長変換素子、及び同素子を位相整合するための製造方
法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は以下からなる。
本発明の波長変換素子は、直流電界の印加により電子的
配向分極を生ずる有機膜に形成した直線状の光導波路に
該導波方向と直交する方向に直流電界を印加する電極を
、該導波方向に沿って周期的に設け、該直流電界を該電
極に印加する手段を備え、該電極の幅及び周期を、該光
導波路内を伝搬する基本波によりそれぞれの該直流電界
印加部分で生じた導波モードの第２高調波光が互いに位
相を揃えて該導波路内で加算的に強め合う位相整合条件
に設定したことを特徴とする。
配向分極を生ずる有機膜に形成した直線状の光導波路に
該導波方向と直交する方向に直流電界を印加する電極を
、該導波方向に沿って周期的に設け、該直流電界を該電
極に印加する手段を備え、該電極の幅及び周期を、該光
導波路内を伝搬する基本波によりそれぞれの該直流電界
印加部分で生じた導波モードの第２高調波光が互いに位
相を揃えて該導波路内で加算的に強め合う位相整合条件
に設定したことを特徴とする。
さらにこの素子において、該電極の幅もしくは周期を、
前記位相整合条件を満たす数値の前後で、該導波方向に
沿って単調に変化させると良い。
前記位相整合条件を満たす数値の前後で、該導波方向に
沿って単調に変化させると良い。
または、有機膜に複数の直線状の光導波路を、その導波
方向が前記有機膜面内で互いに少しずつ異なるように設
け、前記電極は前記有機膜面に沿って前記光導波路のひ
とつと直角に直線状に設けても良い。
方向が前記有機膜面内で互いに少しずつ異なるように設
け、前記電極は前記有機膜面に沿って前記光導波路のひ
とつと直角に直線状に設けても良い。
前記波長変換素子を製造する方法として、前記電極に印
加する電圧と、前記電子的配向を生ぜしめる加熱状態の
温度と時間とを適当に選ぶ工程を行うことにより、前記
第２高調波発生効率を極大化することができる。
加する電圧と、前記電子的配向を生ぜしめる加熱状態の
温度と時間とを適当に選ぶ工程を行うことにより、前記
第２高調波発生効率を極大化することができる。
（作用）
前述のＢｌｏｅｍｂｅｒｇｅｎ（ブレンベルゲン）等に
よる擬位相整合の概念のポイントは、コヒーレンス長の
２倍ごとに等間隔に、同一結晶を第２高調波分極が反対
方向になるように多数ならべて、各コヒーレンス長ごと
に発生した第２高調波を同位相にして励起基本波の伝搬
方向に加算できるようにした点にある。
よる擬位相整合の概念のポイントは、コヒーレンス長の
２倍ごとに等間隔に、同一結晶を第２高調波分極が反対
方向になるように多数ならべて、各コヒーレンス長ごと
に発生した第２高調波を同位相にして励起基本波の伝搬
方向に加算できるようにした点にある。
本発明では、この概念を拡張し、第２高調波発生材料を
コヒーレンス長の長さ、次いで適当な屈折率の位相補償
材料を適当な長さ設け、基本波と第２高調波の間にコヒ
ーレンス長の第２高調波発生材料伝搬後に生じた位相差
をなくす。さらに、この複合領域を１ユニツトとして、
これを多数ユニット、基本波の伝搬方向に重ねる構造を
採ることにより、原理的に、全ての第２高調波発生材料
が利用可能になり、材料選択の自由度を大幅に拡大でき
る。
コヒーレンス長の長さ、次いで適当な屈折率の位相補償
材料を適当な長さ設け、基本波と第２高調波の間にコヒ
ーレンス長の第２高調波発生材料伝搬後に生じた位相差
をなくす。さらに、この複合領域を１ユニツトとして、
これを多数ユニット、基本波の伝搬方向に重ねる構造を
採ることにより、原理的に、全ての第２高調波発生材料
が利用可能になり、材料選択の自由度を大幅に拡大でき
る。
具体的には、第２高調波発生材料の長さをｌ５Ｈ１同材
料の基本波の屈折率をｎｃ′）ｓＨ１第２高調波の屈折
率をｎ２°ＳＨＩ位相補償材料の長さをｌｐｈ、同材料
の基本波の屈折率をｎ０ｐｈ、同第２高調波の屈折率を
ｎｅｗ とする。第２高調波発生材料のコヒーレンス
ｈ 長１０は１ｃ＝Ａ／２ΔｎｓＨ％但し、λは基本波の真
空中の波長（＝２．Ｃ／ω）、ΔｎｓＨ＝ Ｉｎ”’Ｂ
Ｈ−ｎ”ＳＨＩである。従って、 １ｃ＝ｎｃ／ｗｌｎ”３Ｈ−ｎ２°ＳＨＩ
（１）ＩＳＨをこのｌｃに等しくおけば、この材料
内でマクロには位相整合がとれていなくても得られる最
大の第２高調波出力が得られる。次に位相補償材料の長
さｌｐｈは、ｌｓＨ＋ｌｐｈの１ユニツト長で、基本波
と第２高調波の間で位相整合がとれる以下の条件で決め
ればよい。
料の基本波の屈折率をｎｃ′）ｓＨ１第２高調波の屈折
率をｎ２°ＳＨＩ位相補償材料の長さをｌｐｈ、同材料
の基本波の屈折率をｎ０ｐｈ、同第２高調波の屈折率を
ｎｅｗ とする。第２高調波発生材料のコヒーレンス
ｈ 長１０は１ｃ＝Ａ／２ΔｎｓＨ％但し、λは基本波の真
空中の波長（＝２．Ｃ／ω）、ΔｎｓＨ＝ Ｉｎ”’Ｂ
Ｈ−ｎ”ＳＨＩである。従って、 １ｃ＝ｎｃ／ｗｌｎ”３Ｈ−ｎ２°ＳＨＩ
（１）ＩＳＨをこのｌｃに等しくおけば、この材料
内でマクロには位相整合がとれていなくても得られる最
大の第２高調波出力が得られる。次に位相補償材料の長
さｌｐｈは、ｌｓＨ＋ｌｐｈの１ユニツト長で、基本波
と第２高調波の間で位相整合がとれる以下の条件で決め
ればよい。
ただし、ｍは整数である。
（２）式の条件により、位相補償材料の領域は第２高調
波発生に寄与しないものの、どんな第２高調波発生材料
による位相不整合も、必ず補償できる。導波路構造で本
発明の趣旨を成立させるには、上記の屈折率を、それぞ
れの波長の伝搬モードについての導波路の等側屈折率に
置きかえればよい。
波発生に寄与しないものの、どんな第２高調波発生材料
による位相不整合も、必ず補償できる。導波路構造で本
発明の趣旨を成立させるには、上記の屈折率を、それぞ
れの波長の伝搬モードについての導波路の等側屈折率に
置きかえればよい。
具体的な材料選択においては、当技術の動向から、半導
体レーザ材料との集積化可能な半導体材料や、非晶質材
料が望ましい。この中で、有機材料は、非線形光学係数
が無機材料に比べて非常に大きいものが多い、材料選択
の自由度が大きい、非晶質材料も利用可能といった秀れ
た特徴がある。ただし光学的に等方な材料では、反転対
称性を欠き、第２高調波発生ができない。そこで本発明
では、最近光スイツチ材料として注目されている電界誘
起の配向性を示す有機材料を利用する。このような材料
は例えば、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅｒａｃｈＳｏｃ
ｉｅｔｙ（マテリアル・リサーチ・ソサイエティ）の１
９８７Ｆａｌｌ Ｍｅａｔｉｎｇ（フォール・ミーティ
ング）のＳｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
Ｖｏｌｕｍｅ１０９におけるＲ９ＤｅＭａｒｔｉｎｏ（
アール・デマルチイノ）氏のｐ、６５−ｐ７６記載の論
文や、同じ＜ Ｊ、 １． Ｔｈａｃｋａｒａ（ジエイ
・アイ・サラカラ）氏のｐ、１９−ｐ２７記載の論文に
詳しく記述されており、加熱と直流電界印加により分子
配向を生じ、□電子系の分子種により大きな電気光学効
果と屈折率の上昇を生じたことが述べられている。本発
明では、この配向現象により期待できる反転非対称性に
着目し、本材料を第２高調波発生材料に利用する。生じ
た電界方向の正の一軸性複屈折をΔｎＥとする。
体レーザ材料との集積化可能な半導体材料や、非晶質材
料が望ましい。この中で、有機材料は、非線形光学係数
が無機材料に比べて非常に大きいものが多い、材料選択
の自由度が大きい、非晶質材料も利用可能といった秀れ
た特徴がある。ただし光学的に等方な材料では、反転対
称性を欠き、第２高調波発生ができない。そこで本発明
では、最近光スイツチ材料として注目されている電界誘
起の配向性を示す有機材料を利用する。このような材料
は例えば、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅｒａｃｈＳｏｃ
ｉｅｔｙ（マテリアル・リサーチ・ソサイエティ）の１
９８７Ｆａｌｌ Ｍｅａｔｉｎｇ（フォール・ミーティ
ング）のＳｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
Ｖｏｌｕｍｅ１０９におけるＲ９ＤｅＭａｒｔｉｎｏ（
アール・デマルチイノ）氏のｐ、６５−ｐ７６記載の論
文や、同じ＜ Ｊ、 １． Ｔｈａｃｋａｒａ（ジエイ
・アイ・サラカラ）氏のｐ、１９−ｐ２７記載の論文に
詳しく記述されており、加熱と直流電界印加により分子
配向を生じ、□電子系の分子種により大きな電気光学効
果と屈折率の上昇を生じたことが述べられている。本発
明では、この配向現象により期待できる反転非対称性に
着目し、本材料を第２高調波発生材料に利用する。生じ
た電界方向の正の一軸性複屈折をΔｎＥとする。
この材料を用いると、第２高調波発生素子で最も重要な
位相整合条件を、上述の電界印加時の配向条件の選択、
具体的には印加電界強度、加熱温度及び加熱時間の選択
により、ΔｎＢの大きさの違いを通じて制御可能になる
。また、同様の位相整合条件の制御は、光の伝播方向に
沿って、前述の拡張した擬位相整合用ユニットの長さを
単調に変化させることにより可能になり、その場合、素
子内の位相整合したユニットの部分で自動的に第２高調
波が発生し、素子設計の所要精度を緩和することができ
る。
位相整合条件を、上述の電界印加時の配向条件の選択、
具体的には印加電界強度、加熱温度及び加熱時間の選択
により、ΔｎＢの大きさの違いを通じて制御可能になる
。また、同様の位相整合条件の制御は、光の伝播方向に
沿って、前述の拡張した擬位相整合用ユニットの長さを
単調に変化させることにより可能になり、その場合、素
子内の位相整合したユニットの部分で自動的に第２高調
波が発生し、素子設計の所要精度を緩和することができ
る。
また、さらに、類似の狙いを実現するために、同一基板
上に伝搬方向を少しずつずらした放射状の多数の導波路
を形成し、その上に前述の有機材料を利用するための周
期的電極を、ひとつの導波路に直角に直線状に設けて、
その他の導波路にとって電極周期を少しずつ異ならせる
構造をとれば、多数の導波路から最適の位相整合条件の
第２高調波発生素子を選択することができる。
上に伝搬方向を少しずつずらした放射状の多数の導波路
を形成し、その上に前述の有機材料を利用するための周
期的電極を、ひとつの導波路に直角に直線状に設けて、
その他の導波路にとって電極周期を少しずつ異ならせる
構造をとれば、多数の導波路から最適の位相整合条件の
第２高調波発生素子を選択することができる。
（実施例）
以下、本発明を適用した方法及び素子の実施例を図面を
用いて詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例によ
る第２高調波発生素子の概観図である。基板１の上に金
属の電極２を形成し、その上に電界分極性有機ポリマー
３の層を形成する。基板１の材料は、とくに選択に制限
はなく、石英でも半導体基板でもよい。電界分極性有機
ポリマーとし゛ては 例えばＨｏｅｃｈｓｔ Ｃｅ１ａ
ｎｅｓｅ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
（ＨＣＲＣ）社（米国）で合成したＰＣ６ＳやＣ２２の
材料などの前述のＭＲ８’８７Ｆａｌｌ ｍｅｅｔｉｎ
ｇのＳｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇに現わ
れた材料を用いうる。これらの有機材料の屈折率は一般
に低く、約１．５の程度であるので、この層の上に石英
等の屈折率（１，３５〜１．４）の低い絶縁層４を形成
すれば、容易に平面導波路を形成できるが、本発明では
この絶縁層を形成する前に、エツチングにより凸部の導
波路を形成して励起光の集束光強度を増大させる。
用いて詳細に説明する。第１図は本発明の一実施例によ
る第２高調波発生素子の概観図である。基板１の上に金
属の電極２を形成し、その上に電界分極性有機ポリマー
３の層を形成する。基板１の材料は、とくに選択に制限
はなく、石英でも半導体基板でもよい。電界分極性有機
ポリマーとし゛ては 例えばＨｏｅｃｈｓｔ Ｃｅ１ａ
ｎｅｓｅ Ｒｅ５ｅａｒｃｈＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
（ＨＣＲＣ）社（米国）で合成したＰＣ６ＳやＣ２２の
材料などの前述のＭＲ８’８７Ｆａｌｌ ｍｅｅｔｉｎ
ｇのＳｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇに現わ
れた材料を用いうる。これらの有機材料の屈折率は一般
に低く、約１．５の程度であるので、この層の上に石英
等の屈折率（１，３５〜１．４）の低い絶縁層４を形成
すれば、容易に平面導波路を形成できるが、本発明では
この絶縁層を形成する前に、エツチングにより凸部の導
波路を形成して励起光の集束光強度を増大させる。
最後に本発明による拡張擬位相整合を実現するための周
期的な位相整合用電極５を形成する。その導波路方向の
幅が、作用原理の項で述べた第２高調波発生材料の長さ
ＩＳＨに等しく、その間隔は、位相補償材料の長さ１．
ｈに等しくすればよい。こうしてできた素子を約１００
°Ｃで数十分に亘り、位相整合電極５と電極２の間に１
００ｖ程度の直流電圧を印加して、電界分極性有機ポリ
マー３の位相整合用電極下の部分を配向させる。このと
き、配向させる加熱条件（温度、時間）や電界強度を調
整することにより、位相整合条件を制御して、調整でき
る。このことは、電界印加部の誘起複屈折のΔｎＥの大
小を調整することに相当する。
期的な位相整合用電極５を形成する。その導波路方向の
幅が、作用原理の項で述べた第２高調波発生材料の長さ
ＩＳＨに等しく、その間隔は、位相補償材料の長さ１．
ｈに等しくすればよい。こうしてできた素子を約１００
°Ｃで数十分に亘り、位相整合電極５と電極２の間に１
００ｖ程度の直流電圧を印加して、電界分極性有機ポリ
マー３の位相整合用電極下の部分を配向させる。このと
き、配向させる加熱条件（温度、時間）や電界強度を調
整することにより、位相整合条件を制御して、調整でき
る。このことは、電界印加部の誘起複屈折のΔｎＥの大
小を調整することに相当する。
同様の位相整合条件の調整には、電極の幅もしくは間隔
もしくは、その両方を、例えば設計値の０．１％から０
．５％程度に単調に変えて素子を形成すれば、素子内の
位相整合実現部分からの第２高調波を利用することがで
きる。この方式は、素子全体での位相整合を実現できな
い不利はあるものの、位相整合のむずかしさを回避する
ひとつの有力な方法となる。本発明の別の実施例の概念
図を第２図に示す。図において、位相整合用電極５は第
１の導波路６の方向に直角に形成しであるが、図を簡単
化するために、一部を除いて省略しである。この第１の
導波路６に隣接して、それと平行な位置からずらすこと
により少しずつ導波路方向を変えた第２の導波路７、第
３の導波路８、第４の導波路９、第５の導波路１０が形
成されている。これらの導波路のうち最も位相整合条件
のよい導波路を用いればよい。
もしくは、その両方を、例えば設計値の０．１％から０
．５％程度に単調に変えて素子を形成すれば、素子内の
位相整合実現部分からの第２高調波を利用することがで
きる。この方式は、素子全体での位相整合を実現できな
い不利はあるものの、位相整合のむずかしさを回避する
ひとつの有力な方法となる。本発明の別の実施例の概念
図を第２図に示す。図において、位相整合用電極５は第
１の導波路６の方向に直角に形成しであるが、図を簡単
化するために、一部を除いて省略しである。この第１の
導波路６に隣接して、それと平行な位置からずらすこと
により少しずつ導波路方向を変えた第２の導波路７、第
３の導波路８、第４の導波路９、第５の導波路１０が形
成されている。これらの導波路のうち最も位相整合条件
のよい導波路を用いればよい。
（発明の効果）
以上、本発明によれば、材料選択の自由度が大幅に拡大
した、半導体レーザと集積化可能な小形高効率な第２高
調波発生素子が得られる。
した、半導体レーザと集積化可能な小形高効率な第２高
調波発生素子が得られる。
第１図、第２図は本発明による第２高調波発生素子の実
施例の概念図であり、 １・・・基板、２・・・電極、 ３・・・電界分極性有機ポリマー、４・・・絶縁層、５
・・・位相整合用電極、６・・・第１の導波路、７・・
・第２の導波路、８・・・第３の導波路、９・・・第４
の導波路、１０・・第５の導波路を示す。
施例の概念図であり、 １・・・基板、２・・・電極、 ３・・・電界分極性有機ポリマー、４・・・絶縁層、５
・・・位相整合用電極、６・・・第１の導波路、７・・
・第２の導波路、８・・・第３の導波路、９・・・第４
の導波路、１０・・第５の導波路を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）直流電界の印加により電子的配向分極を生ずる有機
膜に形成した直線状の光導波路に該導波方向と直交する
方向に直流電界を印加する電極を、該導波方向に沿って
周期的に設け、該直流電界を該電極に印加するための手
段を備え、該電極の幅及び周期を、該光導波路内を伝搬
する基本波によりそれぞれの該直流電界印加部分で生じ
た導波モードの第２高調波光が互いに位相を揃えて該導
波路内で加算的に強め合う位相整合条件に設定したこと
を特徴とする波長変換素子。 ２）前記請求項１記載の波長変換素子において、該電極
の幅もしくは周期を、前記位相整合条件を満たす数値の
前後で、該導波方向に沿って単調に変化させたことを特
徴とする波長変換素子。 ３）前記有機膜に複数の直線状の光導波路を、その導波
方向が前記有機膜面内で互いに少しずつ異なるように設
け、前記電極は前記有機膜面に沿って前記光導波路のひ
とつと直角に直線状に設けたことを特徴とする前記請求
項１又は請求項２記載の波長変換素子。 ４）前記請求項１〜３に記載の波長変換素子において前
記電極に電圧を印加しつつ加熱することにより第２高調
波発生効率を極大化する工程を備えてなることを特徴と
する波長変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248689A JPH02281243A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 波長変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248689A JPH02281243A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 波長変換素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281243A true JPH02281243A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14328769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10248689A Pending JPH02281243A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 波長変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031689A (ko) * | 2001-10-15 | 2003-04-23 | 엘지전자 주식회사 | 광증폭기의 이득평탄화 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3935472A (en) * | 1975-03-14 | 1976-01-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thin film liquid waveguide optical converter |
| JPS6482022A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Nec Corp | Waveguide type wavelength converting element |
| JPH02199433A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-08-07 | Hoechst Celanese Corp | 周波数二倍化ポリマー導波装置 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10248689A patent/JPH02281243A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3935472A (en) * | 1975-03-14 | 1976-01-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thin film liquid waveguide optical converter |
| JPS6482022A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Nec Corp | Waveguide type wavelength converting element |
| JPH02199433A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-08-07 | Hoechst Celanese Corp | 周波数二倍化ポリマー導波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031689A (ko) * | 2001-10-15 | 2003-04-23 | 엘지전자 주식회사 | 광증폭기의 이득평탄화 장치 |
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