JPH02280328A - ウエハ、マスクなどの洗浄方法 - Google Patents
ウエハ、マスクなどの洗浄方法Info
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- JPH02280328A JPH02280328A JP10009789A JP10009789A JPH02280328A JP H02280328 A JPH02280328 A JP H02280328A JP 10009789 A JP10009789 A JP 10009789A JP 10009789 A JP10009789 A JP 10009789A JP H02280328 A JPH02280328 A JP H02280328A
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- mask
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェハ、マスクなどの洗浄方法、より詳しくは
半導体製造プロセスにおけるウェハやマスクなどの洗浄
方法に関する。
半導体製造プロセスにおけるウェハやマスクなどの洗浄
方法に関する。
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
ウェハ、マスクなどの洗浄方法、より詳しくは半導体製
造プロセスにおけるウェハやマスクなどの洗浄方法に関
し、 過硫酸の交換サイクルを延ばしてより多くのウェハやマ
スクなどを洗浄出来、コストの低減とより高い洗浄効果
を達成できるウェハ、マスクなど〔従来の技術〕 近年の半導体製造プロセスにおけるウェハやマスクなど
の洗浄技術の役割は増大する一方であると同時に、コス
ト的にも多量の薬品を消費する洗浄工程の見直しが重要
課題になっている。特に、ウェハのサイズが例えば８イ
ンチ、またマスクのサイズが７〜９インチ程度に大型化
すると同時に、洗浄のための消費薬品もそれに比例して
増大する。
造プロセスにおけるウェハやマスクなどの洗浄方法に関
し、 過硫酸の交換サイクルを延ばしてより多くのウェハやマ
スクなどを洗浄出来、コストの低減とより高い洗浄効果
を達成できるウェハ、マスクなど〔従来の技術〕 近年の半導体製造プロセスにおけるウェハやマスクなど
の洗浄技術の役割は増大する一方であると同時に、コス
ト的にも多量の薬品を消費する洗浄工程の見直しが重要
課題になっている。特に、ウェハのサイズが例えば８イ
ンチ、またマスクのサイズが７〜９インチ程度に大型化
すると同時に、洗浄のための消費薬品もそれに比例して
増大する。
このため、洗浄薬品の寿命を延ばすと共に、より効果的
な洗浄技術の開発が必要である。
な洗浄技術の開発が必要である。
従来のウェハやマスクなどの洗浄においては、例えば、
９６％程度の濃硫酸（］１□５０４）と３０％程度の過
酸化水素水（Ｈ２０□）をそれぞれ重量比で４０：１の
割合で混合した過硫酸と呼ばれる薬液を使用している。
９６％程度の濃硫酸（］１□５０４）と３０％程度の過
酸化水素水（Ｈ２０□）をそれぞれ重量比で４０：１の
割合で混合した過硫酸と呼ばれる薬液を使用している。
この薬液は１４０″Ｃ程に加熱して使用し、過酸化水素
水が分解して出来る酸素の酸化力やこのとき生成される
カロ酸（）ｌｚｓＯｓ）によって炭素などを含むレジス
トや他の有機物を効果的に分解することを利用するもの
である。
水が分解して出来る酸素の酸化力やこのとき生成される
カロ酸（）ｌｚｓＯｓ）によって炭素などを含むレジス
トや他の有機物を効果的に分解することを利用するもの
である。
〔発明が解決しようとする課題］
ところが、この薬液は寿命が短く、調合後１〜２時間で
洗浄効果が下がることが知られている。
洗浄効果が下がることが知られている。
従って、連続で洗浄作業を進める場合には、１〜２時間
毎に薬液の交換が必要となり、コスト的に高くなる傾向
が生じていた。また、従来の薬液を１４０″Ｃ程に加熱
した洗浄では、マスクの場合にはその上に形成されたク
ロムパターンが溶解し易くなり、パターンの細りゃ破損
が生じ微細パターン形成上問題になることがあった。特
に、レチクルの場合には、レチクルはステップ・アンド
・リピート法によって同一基板上に連続して投影される
のでそのパターンは正確に形成されなければならず、そ
の上のクロムパターンの溶解を防止することは極めて大
切である。
毎に薬液の交換が必要となり、コスト的に高くなる傾向
が生じていた。また、従来の薬液を１４０″Ｃ程に加熱
した洗浄では、マスクの場合にはその上に形成されたク
ロムパターンが溶解し易くなり、パターンの細りゃ破損
が生じ微細パターン形成上問題になることがあった。特
に、レチクルの場合には、レチクルはステップ・アンド
・リピート法によって同一基板上に連続して投影される
のでそのパターンは正確に形成されなければならず、そ
の上のクロムパターンの溶解を防止することは極めて大
切である。
そこで本発明は、過硫酸の交換サイクルを延ばして、よ
す多（のウェハやマスクなどを洗浄することができ、コ
ストの低減とより高い洗浄効果を達成できるウェハ、マ
スクなどの洗浄方法を提供することを目的とする。
す多（のウェハやマスクなどを洗浄することができ、コ
ストの低減とより高い洗浄効果を達成できるウェハ、マ
スクなどの洗浄方法を提供することを目的とする。
上記課題は、ウェハまたはマスクを過硫酸薬液の薬液槽
中において洗浄する際に、前記薬液槽中に表面に粗面部
分を形成した石英ガラス板を配置して洗浄することを特
徴とするウェハ、マスクなどの洗浄方法によって達成さ
れる。
中において洗浄する際に、前記薬液槽中に表面に粗面部
分を形成した石英ガラス板を配置して洗浄することを特
徴とするウェハ、マスクなどの洗浄方法によって達成さ
れる。
本発明では、第１図（ａ）に示すように洗浄中において
は、粗面部分、すなわちスリガラス部１６を形成した石
英ガラス板１５を薬液中に埋没させると、石英ガラスの
スリガラス部１６の表面には細かい凹凸が形成され、表
面の凸のとがった部分で過酸化水素水は刺激を受けて酸
素をより多く発生するため、従来例よりもも洗浄効果が
高くなる。また第１図（ｂ）に示すように洗浄をしてい
ないときには石英ガラス板１５を抜き取ると、酸素の発
泡が抑えるられて薬液の寿命が延びる。石英ガラス板１
５の面積を被洗浄バスケット１３のサイズに合わせてお
けば、不必要な発泡を抑えてより寿命が延びる。さらに
、薬液の温度を１００’Ｃ程度と従来より低（したこと
で薬液の寿命が延びるだけでなく、マスクのクロムパタ
ーンの細りゃ破壊が防止されるのである。
は、粗面部分、すなわちスリガラス部１６を形成した石
英ガラス板１５を薬液中に埋没させると、石英ガラスの
スリガラス部１６の表面には細かい凹凸が形成され、表
面の凸のとがった部分で過酸化水素水は刺激を受けて酸
素をより多く発生するため、従来例よりもも洗浄効果が
高くなる。また第１図（ｂ）に示すように洗浄をしてい
ないときには石英ガラス板１５を抜き取ると、酸素の発
泡が抑えるられて薬液の寿命が延びる。石英ガラス板１
５の面積を被洗浄バスケット１３のサイズに合わせてお
けば、不必要な発泡を抑えてより寿命が延びる。さらに
、薬液の温度を１００’Ｃ程度と従来より低（したこと
で薬液の寿命が延びるだけでなく、マスクのクロムパタ
ーンの細りゃ破壊が防止されるのである。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図（ａ）及び（′ｂ）は本発明実施例の低温過硫酸
洗浄方法を示す図、第２図は第１図の石英スリガラスの
平面図である。
洗浄方法を示す図、第２図は第１図の石英スリガラスの
平面図である。
これらの図に示すように、石英などの材質から成る薬液
槽ｌｌ内には、従来と同様の洗浄薬液である過硫酸薬液
１２が収容され、この中にマスク洗浄バスケット１３に
載せられたマスク１４が沈められている。そして、薬液
槽ｌｌ内の底には、石英ガラス板１５が配置されている
。この石英ガラス板１５は、マスク洗浄パスケラ目３の
サイズに合わせて形成されており、その表面は例えばａ
ｔｏｏ番程度の粗さにしたスリガラス部（第２図におい
て斜線部分）１６が形成されている。過硫酸薬液１２の
温度は、従来の洗浄方法の１４０°Ｃよりも低い１００
”Ｃ程度に設定した。
槽ｌｌ内には、従来と同様の洗浄薬液である過硫酸薬液
１２が収容され、この中にマスク洗浄バスケット１３に
載せられたマスク１４が沈められている。そして、薬液
槽ｌｌ内の底には、石英ガラス板１５が配置されている
。この石英ガラス板１５は、マスク洗浄パスケラ目３の
サイズに合わせて形成されており、その表面は例えばａ
ｔｏｏ番程度の粗さにしたスリガラス部（第２図におい
て斜線部分）１６が形成されている。過硫酸薬液１２の
温度は、従来の洗浄方法の１４０°Ｃよりも低い１００
”Ｃ程度に設定した。
そして、第１図（ａ）に示すように洗浄中においては、
スリガラス部１６を形成した石英ガラス板１５を薬液中
に埋没させ、過硫酸薬液１２の温度を１００°Ｃ程度に
することで、スリガラス部１６の表面で過酸化水素水が
分解されて酸素気泡１７が発生し、この酸素気泡１７に
よりマスク１４に付着したレジストやその他の有機物が
酸化されて洗浄される。
スリガラス部１６を形成した石英ガラス板１５を薬液中
に埋没させ、過硫酸薬液１２の温度を１００°Ｃ程度に
することで、スリガラス部１６の表面で過酸化水素水が
分解されて酸素気泡１７が発生し、この酸素気泡１７に
よりマスク１４に付着したレジストやその他の有機物が
酸化されて洗浄される。
また、第１図（ｂ）に示すように洗浄をしていないとき
には、石英ガラス板１５を抜き取って酸素の発泡を抑え
ることにより、薬液の寿命を延ばすことができる。さら
に、石英ガラス板１５の面積をマスク洗浄バスケラ目３
のサイズに合わせているため、不必要な酸素の発泡を抑
えている。
には、石英ガラス板１５を抜き取って酸素の発泡を抑え
ることにより、薬液の寿命を延ばすことができる。さら
に、石英ガラス板１５の面積をマスク洗浄バスケラ目３
のサイズに合わせているため、不必要な酸素の発泡を抑
えている。
上記洗浄方法をマスク洗浄に使用した結果、今まで洗浄
数に関係なく１〜２時間おきに交換していた薬液を、洗
浄数で交換サイクルを管理できるようになった。本実施
例を５〜６インチのマスク洗浄に使用したところ、１日
につき６０バスケツトを洗浄するのに、従来の方法では
１日に５回の交換が必要であったが、本発明の方法では
１日に１回の交換で済むようになった。
数に関係なく１〜２時間おきに交換していた薬液を、洗
浄数で交換サイクルを管理できるようになった。本実施
例を５〜６インチのマスク洗浄に使用したところ、１日
につき６０バスケツトを洗浄するのに、従来の方法では
１日に５回の交換が必要であったが、本発明の方法では
１日に１回の交換で済むようになった。
また、従来の１４０°Ｃの洗浄では過硫酸薬液１２中に
クロムパターンが溶解（マスク４００枚洗浄するとクロ
ム膜厚が０．１ μｍで約１００ｃｍ”に相当するクロ
ム量が溶解）していたが、本発明の方法では、溶解が認
められず、そのことからパターンの破壊がなかったこと
が裏付けされた。このときの洗浄効果も従来の方法と差
は認められなかった。
クロムパターンが溶解（マスク４００枚洗浄するとクロ
ム膜厚が０．１ μｍで約１００ｃｍ”に相当するクロ
ム量が溶解）していたが、本発明の方法では、溶解が認
められず、そのことからパターンの破壊がなかったこと
が裏付けされた。このときの洗浄効果も従来の方法と差
は認められなかった。
なお、上記実施例では、マスク１４の洗浄を例として説
明したが、本発明の適用範囲はこれに限らず、その他の
洗浄を必要とするウェハなどにも適用される。
明したが、本発明の適用範囲はこれに限らず、その他の
洗浄を必要とするウェハなどにも適用される。
また、石英ガラス板１５に形成するスリガラス部１６は
、必要な領域のみ酸素の発泡に適した粗さに形成されて
いればよい。
、必要な領域のみ酸素の発泡に適した粗さに形成されて
いればよい。
以上説明した様に本発明によれば、薬液槽中に表面にス
リガラス部を形成した石英ガラス板を配置し、かつ前記
過硫酸薬液の温度を下げてウェハやマスクを洗浄するこ
とで、洗浄コストが軽減でき、かつマスク洗浄において
はクロムパターンの溶解や破壊を防止できる効果がある
。
リガラス部を形成した石英ガラス板を配置し、かつ前記
過硫酸薬液の温度を下げてウェハやマスクを洗浄するこ
とで、洗浄コストが軽減でき、かつマスク洗浄において
はクロムパターンの溶解や破壊を防止できる効果がある
。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明実施例の低温過硫酸洗
浄方法を示す図、 第２図は第１図の石英スリガラスの平面図である。 ’ｊｊ４ｂＬｈＮＪ’ｒｆＬ’２ １１２１４図中
、 １１は薬液槽、 １２は過硫酸薬液、 １３はマスク洗浄バスケット、 １４はマスク、 １５は石英ガラス、 １６はスリガラス部、 １７は酸素気泡 を示す。 ４．６Ｆ＋ＪＥｉｌＺ、＋２ 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 本弁９月更方反ｆＦＩ １のイ氏し２過」元酸ン光、争
方法を示τ閏第１図
浄方法を示す図、 第２図は第１図の石英スリガラスの平面図である。 ’ｊｊ４ｂＬｈＮＪ’ｒｆＬ’２ １１２１４図中
、 １１は薬液槽、 １２は過硫酸薬液、 １３はマスク洗浄バスケット、 １４はマスク、 １５は石英ガラス、 １６はスリガラス部、 １７は酸素気泡 を示す。 ４．６Ｆ＋ＪＥｉｌＺ、＋２ 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 本弁９月更方反ｆＦＩ １のイ氏し２過」元酸ン光、争
方法を示τ閏第１図
Claims (1)
- ウエハまたはマスク（１４）を過硫酸薬液（１２）の薬
液槽（１１）中において洗浄する際に、前記薬液槽（１
１）中に表面に粗面部分（１６）を形成した石英ガラス
板（１５）を配置して洗浄することを特徴とするウェハ
、マスクなどの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10009789A JPH02280328A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | ウエハ、マスクなどの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10009789A JPH02280328A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | ウエハ、マスクなどの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280328A true JPH02280328A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14264898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10009789A Pending JPH02280328A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | ウエハ、マスクなどの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106423320A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-02-22 | 安徽理工大学 | 一种用于浸泡实验室玻璃器皿的酸缸 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583033B1 (ja) * | 1971-03-24 | 1983-01-19 | Amerikan Hoisuto Ando Deritsuk |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10009789A patent/JPH02280328A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583033B1 (ja) * | 1971-03-24 | 1983-01-19 | Amerikan Hoisuto Ando Deritsuk |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106423320A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-02-22 | 安徽理工大学 | 一种用于浸泡实验室玻璃器皿的酸缸 |
| CN106423320B (zh) * | 2016-11-10 | 2018-05-25 | 安徽理工大学 | 一种用于浸泡实验室玻璃器皿的酸缸 |
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