JPH02271614A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02271614A JPH02271614A JP9422289A JP9422289A JPH02271614A JP H02271614 A JPH02271614 A JP H02271614A JP 9422289 A JP9422289 A JP 9422289A JP 9422289 A JP9422289 A JP 9422289A JP H02271614 A JPH02271614 A JP H02271614A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔）既 要］
基板上に形成された窒化膜をエンチングする工程を含む
半導体装置の製造方法に関し、シリコン酸化膜に対して
選択化を高くしてシリコン窒化膜をエツチングすること
を目的とし、シリコン酸化膜の上に形成したシリコン窒
化膜に、三フン化窒素と臭化水素を含んだエツチングガ
スを励起してなるプラズマを接触させて、上記シリコン
窒化膜をエンチングする工程を含み構成する。
半導体装置の製造方法に関し、シリコン酸化膜に対して
選択化を高くしてシリコン窒化膜をエツチングすること
を目的とし、シリコン酸化膜の上に形成したシリコン窒
化膜に、三フン化窒素と臭化水素を含んだエツチングガ
スを励起してなるプラズマを接触させて、上記シリコン
窒化膜をエンチングする工程を含み構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、シリコン酸化膜の上方に形成された窒化膜をエツチン
グする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
、シリコン酸化膜の上方に形成された窒化膜をエツチン
グする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体基板にイオンを打込む場合や、選択酸化法により
素子分離領域膜を形成する場合に、シリコン窒化膜をマ
スクに使用することがある。
素子分離領域膜を形成する場合に、シリコン窒化膜をマ
スクに使用することがある。
例えば第５図に示すように、タングステンよりなるゲー
ト電極５０両脇のシリコン基板５１に填イオンを打込む
場合には、ゲート１掻５０の上に形成したシリコン窒化
膜（Ｓ１３Ｎ４膜）５２をマスクにしてイオン打込みを
行い、この後に三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスを使用して
シリコン窒化膜５２を除去するようにしている。
ト電極５０両脇のシリコン基板５１に填イオンを打込む
場合には、ゲート１掻５０の上に形成したシリコン窒化
膜（Ｓ１３Ｎ４膜）５２をマスクにしてイオン打込みを
行い、この後に三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスを使用して
シリコン窒化膜５２を除去するようにしている。
また、選択酸化により素子分離層を形成する場合には、
５ｉＪａ膜をマスクに使用するが、この５ｉ３Ｎｇ １
′Ｉ９をパターニングする方法としては、第６図に例示
するように、三フッ化窒素ガスを使用した反応性イオン
エツチングにより、シリコン基板６０の上に形成した５
ｉｓＮａ膜６１のうちのレジストマスク６２から露出し
た部分をエツチングするようにしている。
５ｉＪａ膜をマスクに使用するが、この５ｉ３Ｎｇ １
′Ｉ９をパターニングする方法としては、第６図に例示
するように、三フッ化窒素ガスを使用した反応性イオン
エツチングにより、シリコン基板６０の上に形成した５
ｉｓＮａ膜６１のうちのレジストマスク６２から露出し
た部分をエツチングするようにしている。
しかし、三フフ化窒素ガスによってシ５ｉＪａ ｎ５２
をエツチングする場合には、シリコン基板５１の表面に
形成した５ｉＯ１膜５３に対するエツチング選択比が３
程度と低いため、第５図（ｂ）に示すように、ゲート電
極５０の両脇の５ｉＯＪ２５３及びシリコン基板５１表
面までも同時にエツチングされてしまい、その上に形成
するソース電極やドレイン電極との接触状態を悪くして
しまうといった問題がある。
をエツチングする場合には、シリコン基板５１の表面に
形成した５ｉＯ１膜５３に対するエツチング選択比が３
程度と低いため、第５図（ｂ）に示すように、ゲート電
極５０の両脇の５ｉＯＪ２５３及びシリコン基板５１表
面までも同時にエツチングされてしまい、その上に形成
するソース電極やドレイン電極との接触状態を悪くして
しまうといった問題がある。
また、素子分離層の形成に使用する５ｉｘＮａ ＩＩＩ
をパターニングする場合にも、シリコン基板６１表面の
ＳｉＯ□膜６３膜対３るエツチング選択比が低いため、
第６図（ｂ）に示すように、シリコン基板６１表面に一
旦形成されたＳｉＯ□膜６３膜対３チングしてしまうと
いった不都合がある。
をパターニングする場合にも、シリコン基板６１表面の
ＳｉＯ□膜６３膜対３るエツチング選択比が低いため、
第６図（ｂ）に示すように、シリコン基板６１表面に一
旦形成されたＳｉＯ□膜６３膜対３チングしてしまうと
いった不都合がある。
もとより、六フフ化硫黄（ＳＦりのガスを使用して５ｉ
ｓＮ４膜５２．６２を除去する方法もあるが、エツチン
グレートが低くて量産性に適さないといったきらいがあ
る。
ｓＮ４膜５２．６２を除去する方法もあるが、エツチン
グレートが低くて量産性に適さないといったきらいがあ
る。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、シリコン酸化膜に対する選択比、及びエンチングレ
ートを高くしてシリコン窒化膜をエツチングすることが
できる半導体装置の製造方法を掃供することを目的とす
る。
て、シリコン酸化膜に対する選択比、及びエンチングレ
ートを高くしてシリコン窒化膜をエツチングすることが
できる半導体装置の製造方法を掃供することを目的とす
る。
上記した課題は、シリコン酸化膜２の上に形成したシリ
コン窒化膜４に、三フッ化窒素と臭化水素を含んだエツ
チングガスを励起してなるプラズマを接触させて、上記
シリコン窒化膜４をエツチングする工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
コン窒化膜４に、三フッ化窒素と臭化水素を含んだエツ
チングガスを励起してなるプラズマを接触させて、上記
シリコン窒化膜４をエツチングする工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法により解決する。
本発明によれば、三フフ化窒素（ＮＦ、 ）及び臭化水
素（ＩＩＢｒ）を含むガスを励起してブッズマ化して基
板ｌ上の５ｉｓＮａ膜４と接触させ、化学反応によるエ
ツチングとイオン衝突によるエツチングを行う。
素（ＩＩＢｒ）を含むガスを励起してブッズマ化して基
板ｌ上の５ｉｓＮａ膜４と接触させ、化学反応によるエ
ツチングとイオン衝突によるエツチングを行う。
この場合、例えばＮＦ、ガスの供給量を一定流量に保持
しながら、ＨＢｒガス供給量とエツチングレートの関係
、及び、エンチング選択比とｔｌＢｒガス供給量との関
係を調査すると、第３図に示すようになり、１１Ｂ「ガ
スを供給しない条件下ではエツチングレート及び選択比
が低くなるのに対し、ＨＢｒ供給量を供給すると、エツ
チングレートと選択比が高くなることが確かめられた。
しながら、ＨＢｒガス供給量とエツチングレートの関係
、及び、エンチング選択比とｔｌＢｒガス供給量との関
係を調査すると、第３図に示すようになり、１１Ｂ「ガ
スを供給しない条件下ではエツチングレート及び選択比
が低くなるのに対し、ＨＢｒ供給量を供給すると、エツ
チングレートと選択比が高くなることが確かめられた。
したがって、最適のエツチング選択比となるように１１
Ｂ「のａｍを変えてＳｉ３Ｎ４膜４をエツチングすると
、５ｉＪａ膜４の下の５ｉＯｚｌｌＪ２はエツチングさ
れずに残存することになり、基板１表面を良好な状態に
保持することが可能になる。
Ｂ「のａｍを変えてＳｉ３Ｎ４膜４をエツチングすると
、５ｉＪａ膜４の下の５ｉＯｚｌｌＪ２はエツチングさ
れずに残存することになり、基板１表面を良好な状態に
保持することが可能になる。
（実施例〕
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明によりゲート電極を形成する工程を示
す断面図であって、図中符号ｌは、シリコンよりなる半
導体基板で、その表面に設けられたＩ”Ｋす１５０人の
ＳｉＯ□膜２の上には、スパンタリング法によるタング
ステン膜３と、気相成長法によるシリコン窒化（ＳｉＪ
ｎ） Ｅ！４がタングステン２０００人、５ｉＪａｌＯ
ＯＯ人程度の厚さに形成されている。
す断面図であって、図中符号ｌは、シリコンよりなる半
導体基板で、その表面に設けられたＩ”Ｋす１５０人の
ＳｉＯ□膜２の上には、スパンタリング法によるタング
ステン膜３と、気相成長法によるシリコン窒化（ＳｉＪ
ｎ） Ｅ！４がタングステン２０００人、５ｉＪａｌＯ
ＯＯ人程度の厚さに形成されている。
まず、第１図（ａ）に示すように、５ｉＪａ膜４の上に
レジスト膜５を塗布し、これを露光、現像処理してパタ
ーン化し、ゲート電極を形成する領域だけにレジスト膜
５を残存させ、これをレジストマスクとする（第１図（
ｂ））。
レジスト膜５を塗布し、これを露光、現像処理してパタ
ーン化し、ゲート電極を形成する領域だけにレジスト膜
５を残存させ、これをレジストマスクとする（第１図（
ｂ））。
この後に、ＣＦ、にＣｌＩＦ５を加えたエツチングガス
を使用し、反応性イオンエツチング法により５ｉＪ４膜
４及びタングステン膜３をエツチングする。そして、パ
ターン化されたタングステン膜３をゲ−ト電極６に用い
る（第１図（ｃ））、この場合、半導体基板１上の５ｉ
Ｏ１膜２も僅かにエツチングされて８０人程度の厚さに
減少することになる。
を使用し、反応性イオンエツチング法により５ｉＪ４膜
４及びタングステン膜３をエツチングする。そして、パ
ターン化されたタングステン膜３をゲ−ト電極６に用い
る（第１図（ｃ））、この場合、半導体基板１上の５ｉ
Ｏ１膜２も僅かにエツチングされて８０人程度の厚さに
減少することになる。
この後で、レジスト膜５を溶剤により除去してから、Ｓ
ｉ３Ｎ４膜４をマスクに使用して、例えば１２０ｋｅＶ
の加速エネルギーで燐（Ｐ）イオンを上方から打込み、
ゲート電極６雨脇の半導体基板１表面にイオン打込層７
を形成する（第１図（ｄ））。
ｉ３Ｎ４膜４をマスクに使用して、例えば１２０ｋｅＶ
の加速エネルギーで燐（Ｐ）イオンを上方から打込み、
ゲート電極６雨脇の半導体基板１表面にイオン打込層７
を形成する（第１図（ｄ））。
ここで、５ｉＪ４膜４をマスクとして使用したのは、ゲ
ート電極６を構成するタングステンが燐イオンにより化
学変化を起こすのを防止するためである。
ート電極６を構成するタングステンが燐イオンにより化
学変化を起こすのを防止するためである。
次に、第２図に示すように、反応性イオンエツチング装
置２０の反応室２１内に設けた対向電極のうちの一方の
電極２２上に半導体基板ｌを載置し、その反対側の電極
２３に取り付けられたシャワー仮２４を通して、三フッ
化窒素（ＮＦＳ ）及び臭化水素（ＨＢｒ）を含むエツ
チングガスを対向電極２２．２３間に供給する（第１図
（ｅ））。そして、高周波電源２５により電極２３に高
周波電圧を印加して、ＮＦ、及びＨＢｒをプラズマ化さ
せ半導体基板ｌ上の５ｉ３Ｎｎ膜４をエツチングする（
第１図Ｄ））。
置２０の反応室２１内に設けた対向電極のうちの一方の
電極２２上に半導体基板ｌを載置し、その反対側の電極
２３に取り付けられたシャワー仮２４を通して、三フッ
化窒素（ＮＦＳ ）及び臭化水素（ＨＢｒ）を含むエツ
チングガスを対向電極２２．２３間に供給する（第１図
（ｅ））。そして、高周波電源２５により電極２３に高
周波電圧を印加して、ＮＦ、及びＨＢｒをプラズマ化さ
せ半導体基板ｌ上の５ｉ３Ｎｎ膜４をエツチングする（
第１図Ｄ））。
この場合、例えばＮＦ、ガスの供給量を３００ＳＣ側の
流量に保持しながら、ｌｌＢｒガス供給量とエツチング
レートの関係、及び、５ｉ（ｈ膜２に対するエツチング
選択比とＩＩＢ、ｒガス供給量との関係を調査すると、
第３図に示すようになり、ＨＢｒガス供給量をゼロにし
た条件下ではエツチングレート及び選択比が低くなるの
に対し、１ＩＢｒ供給量をｌ０３ＣＣ？Ｉとすると、エ
ツチングレートが１０００人、選択比が１０となりいず
れの値も高くなることが実験的に確かめられた。
流量に保持しながら、ｌｌＢｒガス供給量とエツチング
レートの関係、及び、５ｉ（ｈ膜２に対するエツチング
選択比とＩＩＢ、ｒガス供給量との関係を調査すると、
第３図に示すようになり、ＨＢｒガス供給量をゼロにし
た条件下ではエツチングレート及び選択比が低くなるの
に対し、１ＩＢｒ供給量をｌ０３ＣＣ？Ｉとすると、エ
ツチングレートが１０００人、選択比が１０となりいず
れの値も高くなることが実験的に確かめられた。
したがって、最適のエツチング選択比となるようにＨ１
’ｌｒの流量を変えて５ｉｆｆＮ、膜４をエツチングす
ると、半導体基板１表面のＳｉＯ□膜２はエツチングさ
れずに残存することになり、半導体基板１表面を良好な
状態に保持することが可能になる。
’ｌｒの流量を変えて５ｉｆｆＮ、膜４をエツチングす
ると、半導体基板１表面のＳｉＯ□膜２はエツチングさ
れずに残存することになり、半導体基板１表面を良好な
状態に保持することが可能になる。
なお、上記した実測値は、電極２３に接続した電源２５
のパワー密度を０．４ Ｗ／ｃｒ１、反応室２１内の圧
力を０．２ Ｔｏｒｒにして得られた結果であり、これ
らを変化させて５ｉｚＮ４膜４のエツチングレートや選
択比を変えることも可能である。
のパワー密度を０．４ Ｗ／ｃｒ１、反応室２１内の圧
力を０．２ Ｔｏｒｒにして得られた結果であり、これ
らを変化させて５ｉｚＮ４膜４のエツチングレートや選
択比を変えることも可能である。
上記した実施例では、ゲート電極６上のシリコン窒化膜
４を除去する場合について説明したが、第４図に示すよ
うに、半導体基板４０上の５ｉＪａ膜４１をパターニン
グする場合にも、ＮＦ、に１ＩＢｒを加えた反応ガスを
プラズマ化してエツチングすることができ、５ｉＪ４膜
４１と半導体基板４０との間の５ｉＯ１膜４２をエツチ
ングしにくくすることができる。
４を除去する場合について説明したが、第４図に示すよ
うに、半導体基板４０上の５ｉＪａ膜４１をパターニン
グする場合にも、ＮＦ、に１ＩＢｒを加えた反応ガスを
プラズマ化してエツチングすることができ、５ｉＪ４膜
４１と半導体基板４０との間の５ｉＯ１膜４２をエツチ
ングしにくくすることができる。
なお、第４図中符号４３はレジスト膜を示している。
〔発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、三フッ化水素と臭化
水素を含むエチングガス、をプラズマ化してシリコン窒
化膜をエツチングすれば、シリコン酸化膜に対するエツ
チング選択比を向上するとともに、エチングレートを高
くすることが実験的に確かめられ、その下方に形成した
シリコン酸化膜を保護したり、半導体基板表面を良好な
状態に保持することができる。
水素を含むエチングガス、をプラズマ化してシリコン窒
化膜をエツチングすれば、シリコン酸化膜に対するエツ
チング選択比を向上するとともに、エチングレートを高
くすることが実験的に確かめられ、その下方に形成した
シリコン酸化膜を保護したり、半導体基板表面を良好な
状態に保持することができる。
第１図は、本発明の第１の実施例を断面で示す工程図、
第２図は、本発明に使用する反応性イオンエツチング装
置の一例を示す構成図、 第３図は、臭化水素供給量に対するエンチングレート、
選択比の関係を示す特性図、 第４図は、本発明の第２の実施例を断面で示す工程図、 第５図は、第１の従来例を示す断面図、第６図は、第２
の従来例を示す断面図である。 （符号の説明） １．４０・・・半導体基板、 ２．４２・・・ＳｉＯ２膜、 ３・・・タングステン膜、 ４．４１・・・ＳｉＪ＊膜、 ５．４３・・・レジスト膜、 ２２．２３・・・電極、 ２５・・・高周波電源。 富士通株式会社
置の一例を示す構成図、 第３図は、臭化水素供給量に対するエンチングレート、
選択比の関係を示す特性図、 第４図は、本発明の第２の実施例を断面で示す工程図、 第５図は、第１の従来例を示す断面図、第６図は、第２
の従来例を示す断面図である。 （符号の説明） １．４０・・・半導体基板、 ２．４２・・・ＳｉＯ２膜、 ３・・・タングステン膜、 ４．４１・・・ＳｉＪ＊膜、 ５．４３・・・レジスト膜、 ２２．２３・・・電極、 ２５・・・高周波電源。 富士通株式会社
Claims (1)
- シリコン酸化膜の上に形成したシリコン窒化膜に、三フ
ッ化窒素と臭化水素を含んだエッチングガスを励起して
なるプラズマを接触させて、上記シリコン窒化膜をエッ
チングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9422289A JPH02271614A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9422289A JPH02271614A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271614A true JPH02271614A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14104290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9422289A Pending JPH02271614A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318668A (en) * | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
| WO1998056037A1 (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Applied Materials, Inc. | SELECTIVE PLASMA ETCHING OF SILICON NITRIDE IN PRESENCE OF SILICON OR SILICON OXIDES USING MIXTURE OF (NH3 OR SF6) AND HBr AND N¿2? |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399533A (ja) * | 1986-05-31 | 1988-04-30 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のドライエツチング方法及びドライエツチング装置 |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9422289A patent/JPH02271614A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399533A (ja) * | 1986-05-31 | 1988-04-30 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のドライエツチング方法及びドライエツチング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5318668A (en) * | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
| WO1998056037A1 (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | Applied Materials, Inc. | SELECTIVE PLASMA ETCHING OF SILICON NITRIDE IN PRESENCE OF SILICON OR SILICON OXIDES USING MIXTURE OF (NH3 OR SF6) AND HBr AND N¿2? |
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