JPH02269353A - フォトリソグラフィーによる半導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層ホトリソグラフィー集積回路プロセスに
関するものである。

〔従来技術とその問題点〕

集積回路（ＩＣ）のホトリソグラフィー技術においては
、ホトレジスト・プロセスの解像度の向上に著しい努力
が費やされている。なぜなら、より高い解像度によって
より多くの回路を単一のチップ上に配置させることを可
能とするからである。

これは回路密度（ｃｉｒｃｕｉｔ　ｄｅｎｓｉｔｙ）を
増加させ、その結果得られる集積回路の複雑さ（ｐｏｔ
ｅｎｔｉａｌ　ｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙ）が増し、速度も
増加する。このようなホトレジスト・プロセスでは、プ
ロセス中のウェーハヘホトレジストを回転塗布した（Ｓ
ｐｉｎｏｎｔｏ）後、投影マスク（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏ
ｎ　ｍａｓｋ）を通る光によってホトレジストの選択さ
れた領域を露光する。

投影マスクのパターンがこの光で露光されるホトレジス
トの領域を決定する。次に、ホトレジストを現像し、ウ
ェーハ上に接触マスク（ｃｏｎｔａｃｔ　ｍａｓｋ）を
形成させる。集積回路フィーチャー（ｆｅａｔ肛ｅＳ）
の品質は、多様の集積回路プロセス段階で使用されるホ
トレジスト接触マスクの品質から影響を強く受ける。従
って、この接触マスクにより投影マスクのパターンが精
密に複製されることが極めて重要となる。

光学的投影印刷（ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｊｅｃｔｉｏ
ｎ　ｐｒｉｎｔｉｎｇ）における従来の方法では、平坦
で低反射率の基板を使用する際、良好な線幅制御でホト
レジストの１μｌの線を解像することができる。しかし
、表面に凹凸を有する（ｗｉｔｈ　５ｕｒｆａｃｅ　ｔ
ｏｐｏｇｒａｐｈｙ。

表面トポグラフィ−）基板上のレジストを露光する場合
、光学的反射及びレジストの厚みの不均一性によって生
じるレジスト制御の問題がある。レジスト−基板界面（
ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）で反射した光は、入射光に対して
光の干渉を起こし、ホトレジスト内に望ましくない光強
度の変動が生じる。レジスト露光における望ましくない
変動は、このレジスト接触マスクより形成されたＩＣフ
ィーチャーを劣化させてしまう。

線幅制御に関する問題も基板トポグラフィ−から生じる
。ホトリソグラフィー露光システムの深度（ｄｅｐｔｈ
　ｏｆ　ｆｆｅｌｄ）が小さいため、フォトレジストフ
ィルムは薄膜で平坦なものでなければならない。しかし
、これらホトレジスト・プロセスの後半の段階では、こ
れより前のプロセス段階で形成されたフィーチャーのた
め平坦でない（ｎｏｎｐｌａｎａｒ）表面上にホトレジ
ストがデイポジットされる。

このような非平坦性（口ｏｎｐｌａｎａｒｉ　ｔｙ）に
より、レジスト層の厚さが変化し、深度に制限があるた
め、この層の結像の鮮明度もまた劣化する。

１９８２年１１月７日に発行された、「吸光性染料を利
用した多層ホトレジスト・プロセス」と題する米国特許
第４．３６２．８０９号には、これらの問題を２層プロ
セスによって解決している。この２層プロセスでは、下
側レジスト層は平坦な上側表面を形成するのに十分厚い
。この平坦化レジスト層（ｐｌａｎａｒｉｚｉＨｒｅｓ
ｉｓｔ　１ａｙｅｒ）は、また染料を含み、薄膜の上側
レジスト層中で光の干渉を起こす前に入射光を吸収する
ために用いられる。下側レジスト層による平坦化（ｐｌ
ａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）により、精密な上側レジスト
層の露光を可能とする。下側層内の染料は、さもなけれ
ば基板−下側レジスト層で光の反射を起こす干渉を除去
する。

１９８７年１１月ｌＯ日に発行された、［ホトリソグラ
フィー・プロセスの光化学的な解像度を向上させる方法
ｊと題する米国特許第４．７０５．７２９号においては
、上記の２層レジスト・プロセスの代わりに、その上側
に漂白可能な染料（ｂｌｅａｃｈａｂｌｅ　ｄｙｅ）を
含む薄層を形成する、厚膜の平坦化レジスト層を用いた
プロセスである。投影マスクを介してこの層上に入射し
た光がこの層の選択された部分を漂白し、よって下側レ
ジスト層の露光に用いる接触マスクが形成される。上側
層が光漂白すると同時にこの光漂白プロセスの影響を実
質的に受けずに下側のホトレジスト層が形成される。こ
の接触マスクを通して下側層が露光される間、上側層の
それ以上の漂白を防止する。

上述のプロセスの一実施例では、光強度が相反レベル（
ｒｅｃｉｐｏｒｏｃｉｔｙ　１ｅｖｅｌ）と呼ばれるし
きい値レベル以上の場合のみ、上側層を高速度で漂白す
る。このレベル以下では、反応量は光の量（即ち、光強
度と露光時間の積）の関数となる。相反しきい値以上と
なると漂白の速度がよりはやくなり、強度の関数が単調
に（ｍｏｎｏｔｏｎｉｃａｌｌｙ）増加する。

したがって、漂白プロセスの間、強度は高く、光の総量
（ｔｏｔａｌ　ｄｏｓｅ　ｏｆ　ｌｉｇｈｔ）は、下側
レジスト層を多く露光することなしに上側層を漂白する
ように選択される。そして、下側層を接触マスクを通し
て、このしきい値レベルより小さい、均一な光の強度で
露光し、よって、漂白可能層がそれ以上漂白することを
実質的に回避する。

第２の実施例では、上側層は周囲大気中に酸素が存在す
る場合にのみ漂白される。したがって、この接触マスク
を通してレジスト層が露光される間は、接触マスクの表
面から酸素を排除する。

しかしながら、薄膜の漂白可能層に使用される材料は、
最適化条件からかなり離れたものであった。第１の実施
例では、薄膜の漂白可能層は約２０重量Ｘのアクリジン
を含むポリメタクリル酸メチル（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙ
ｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、　ＰＭＡＡ）である。

この選択は２つの欠点があった。漂白が生じる強度のし
きい値は極めて大きく、この光強度を供給するには、エ
キシｖ−レーザ（ｅｘｃｉｍｅｒ　１ａｓｅｒ）が必要
となる。このような露光システムは、従来の他のシステ
ムよりかなり高価で、この高い光強度は光学系に損傷を
きたし、更に頻繁に交換しなければならなかった。

第２実施例では、漂白可能な層を形成するためにポリマ
ー中にアントラセン誘導体が用いられる。

ここでは、低強度の光が用いられているのでエキシマ・
レーザを必要としない。しかし、はとんどのポリマー（
これは、染料を溶解させる媒体として存在しなければな
らない）では、酸素をあまり透過させない。したがって
、フィルム中に十分な量の酸素を拡散させるため、極め
て長い露光時間が要求され、さもなければ、有害な相反
欠陥（ｄｅｔｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｃｉｐｒｏｃｉｔ
ｙ　ｆａｔｌｕｒｅ）が生じてしまう。

例えば、ポリメタクリル酸エチル（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙ
ｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）　）やポリスチレン等は
、良好なフィルム形成ポリマーで、通常市販されている
ものである。これらにはアントラセンを大量に＜１５−
４０重量Ｘ）溶解させることが可能である。が、それら
を漂白可能染料を保持するマトリックスとして用いる場
合、約１０から２０秒の露光時間が必要である。これは
、約１．５秒あるいはそれ以下の露光時間、好ましくは
約０．５秒以下の露光時間が要求されるスルーブツトの
高い製造装置（ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ｐｌａｎ
ｔ）には遅すぎる。

〔発明の目的〕

本願発明の目的は、上述の問題点を解決し、安価で相反
欠陥を生じないフォトリソグラフィーによる半導体の製
造方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の好適な一実施例では、２層プロセスにおいて露
光時間を高スループツトの製造装置に使用するのに十分
短くすることが実現できる物質が提供される。ポリメタ
クリル酸エチルおよびポリスチレンよりもはるかに高い
酸素透過率を有するポリマーである。例えば、ポリジメ
チルシロキサンはポリメタクリル酸エチルのものより約
６００倍大きい６１５　ｂａｒｒｅｒｓの酸素透過率を
有し、レジスト層の上側の漂白可能層を用いて基板上に
接触マスクを形成するプロセスには十分に適している。

しかし、ジメチルアントラセンやジフェニルアントラセ
ン等のアントラセン誘導体は、ポリジメチルシロキサン
にごくわずかしか溶けず、室温で固体のポリマーとして
十分高い分子量を有することは難しい。

相反しきい値以上になると（第５図およびダイ６図参照
）、漂白速度が低下するので漂白可能層のパラメータと
入射光の強さを漂白過程の間、入射光の強さを相反しき
い値■、以下となるように選択しなければならない。し
たがって、高い相反しきい値を有することは有益である
。このしきい値はほぼ次の関係で成立する。

Ｉｃ　＝　　［ｕｏ”　Ｄ″ｆ　　（μ）　）　／Ｉ”
Ｒ、、、、（１）ここで、 ｆ（μ）二　μ／　［１−ｅ−”−μｅ−“〕、Ｒ＝（
ＡｌｌｏＴ　］　／　（：（１−ＴＯ）Ｔｏ　”Ｅ　）
。

Ａｏはアントラセン誘導体の初期濃度、Ｔは漂白可能相
の透過率、Ｅは単位面積当たりの入射光のエネルギー、
Ｔｏは初期温度、Ｄ　ａ漂白可能相内の酸素拡散率、ｌ
は漂白可能相の厚み、μ。は漂白可能相内の酸素の初期
濃度、μは初期ベースｅの光学濃度（ｆｎｉｔｉａｌ　
ｂａｓｅ　ｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｎｓｉｔｙ）であ
る。

Ｔ及びＥの数値は、漂白反応が開始した付近で測定する
。この式は、標準速な光漂白理論（ｓｔａｎｄａｒｄ　
ｐｈｏｌｏｂｌｅａｃｈｌｎｇ　ｔｈｅｒｏｙ）より誘
導することができる。（１９８６年のＩＥＥＥ　Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ、Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌｅｔｔ、ＥＤＬＬ、　Ｄ
ｐ、３８３−３８６参照）ｈ（１）式により、！をちい
さくするか（より薄いフィルム）あるいはｐ＝ｕ、”　
Ｄの数値、即ち、漂白可能相の酸素透過率を増加させる
ことによって臨界強度を大きくすることができる。レジ
スト層の接触マスクとして十分機能する漂白可能層の不
透明度を保持するため、染料の濃度へ〇を十分増加させ
る場合のみ、フィルムをより薄くすることができる。米
国特許第４．７０５．４２９号と上述の論文（ＩＥＥＥ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ｌ１ｅｖｌｃｅ　Ｌｅｔｔ、　ｕＬ
ＬｉＬ３８３−３８６（１９８６））に示されているよ
うに、接触マスクとして働く漂白可能層のホトリソグラ
フィー性能は積Ａ０°°！に比例する光学濃度の関数と
なる。このため、漂白可能染料のマトリクスとして作用
する適切なポリマーの選択は酸素透過率が高く、染料に
対する溶解度が十分に高いことが望まれる。高い酸素透
過率は、シロキシ基を有する部分を多く含むポリマーを
用いて実現することが見出されている。このポリマーに
おける染料に対する比較的高い溶解度は、ポリマーに適
切な有機成分を要求することによって達成され、対象の
有機染料が十分に溶解する媒質を提供することなる。

おいての実施例〕 第１図及び第２図に酸素透過性を備えるシロキシ基を含
む２種のポリマー構造を示す。これらは、漂白可能層／
レジスト２層の接触マスクのプロセスに有効な溶解度を
もつ有機漂白可能染料（ｏｒｇａｎｉｃ　ｂｌｅａｃｈ
ａｂｌｅ　ｄｙｅｓ）のマトリックスを提供する有機分
子を有する。このプロセスによれば（第４図参照）、基
板４１上にレジスト層４２を形成し、その上に漂白可能
層（ｂｌｅａｃｈａｂｌｅ　１ａｙｅｒ）４３を形成す
る。レジスト層４２は、十分な厚さを有することが好ま
しく、これよりその上に漂白可能層４３が形成する平坦
な上側表面４４を生成する。この平坦化（ｐｌａｎａｒ
ｉｚｉｎｇ）　　レジスト層４２には、また、漂白可能
層を漂白するために用いられる光４５を吸収する染料が
含まれる必要がある。これより、この光が基板４１の上
側表面４６で反射することを防ぎ、そして漂白可能層に
漂白されるパターンの鮮鋭度（ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）を
妨げること（ｉｎｔｅｒｆｅｒｉｎｇ）を防ぐ。このパ
ターンは、光源から投影マスク４８を通って投射する光
４５に漂白可能層を露光することによって形成される。

漂白可能層４３の漂白が行われている間、光４５の強さ
（ｔｎｔｅｎｓｉｔｙ）は相反しきい値より以下となる
。

典型的に、漂白可能相４３は漂白可能染料を含むマトリ
ックス・ポリマーよりなる。ポリマーを用いることは、
漂白可能層４３をレジスト層４２上に回転塗布できるこ
とより有益である。第１図に示される、第１の種の化合
物は、Ｒ−シルセキスキオキサンポリマー（ｐｏｌｙ（
Ｒ−ｓｉｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）ｓよりなる。図示す
るように、これらの化合物はシロキシ・バックボーン（
ｓｉｌｏｘｙ　ｂａｃｋｂｏｎｅ）を有するマトリック
ス・ポリマーで構成されている。シロキシ・バックボー
ンのサイドに結合する官能基Ｒは、同一である必要はな
いが、アルキル基（例えば、メチル、エチル等）及び／
またはアリル基（例えば、フェニル等）が好ましい。こ
れらの側鎖官能基は有機マトリックス界面となり、漂白
可能有機染料に対する高い溶解性をこのマトリックス・
ポリマーにもたらす。シロキシ・バックボーンはこのポ
リマーに高い酸素透過性を与える。これらポリマーはポ
リメタクリル酸エチルより約５から１０倍の高い酸素透
過性を有する。ポリフェニルシリセスキオキサン（ｐｏ
ｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ））
はスピン・キャスト層（ｓｐｉｎ−ｃａｓｔ　１ａｙｅ
ｒ）中のジフェニルアンドランセン（ｄｉｐｈｅｎｙｌ
ａｎｔｈｒａｎｃｅｎｅ）を約２２重量Ｘまで結合（ｉ
ｎｃｏｒｐｏｒａｔｅ）することができ、酸素透過性は
ポリメタクリル酸エチルを有する同様な層より約１０倍
高い。これら２種の化合物についての相反欠陥曲線（ｒ
ｅｃｉｐｒｏｃｌｔｙ　ｆａｉｌｕｒｅ　ｃｕｒｖｅ）
を第５図と第６図にそれぞれ示す。

光学濃度が約２．７（リソグラフィー用途に必要な最小
値）のベース１０を備える漂白可能層を用いて、開口数
０．４２のレンズと波長４３８　ｎｍの光を備える投映
カメラで高い正確度（ｆｉｄｅｌｔｙ）で０．５ミクロ
ンのフィーチャーを印刷する。パターン転写（ｐａｔｔ
ｅｒｎ　ｔｒａｎｓｆｅｒ）のための波長２６０ｎｍの
光を用いて露光時間は約１．５秒である。よって、製造
目的には適切である。メチルシルセスキオキサン（ｍｅ
ｔｈｙｌｓｌ　１ｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅｓ）とフェニ
ルシルセスキオキサンの両方を用いた他の漂白可能層も
同様な特性を有する。

第２図に示す第２の種の化合物は、ポリマーのｍ／ｍ＋
ｎフラクションがポリメタクリル酸メチル−ｇポリジメ
チルシロキサン（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃ
ｒｌａｔｅ）−ｇ−ｐｏｌｙ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌ
ｏｘａｎｅ）ｓ）　　と残りのｎ／ｍ＋ｎフラクション
がジメチルシロキサン基がグラフトされるメタクリル酸
メチル基から構成される。

シロキサン含有量およびポリマーの分子量Ｍ、。

の変化を含むグラフト技術によって製造可能な、多様な
構造が存在する。加えて、ポリメタクリル酸エチルまた
は他のメタクリル酸（ｍｅｔｈａｃｒｙ！ａｔｅＳ）を
バックボーンに用いることも可能である。

これらの多様性は、プロセスの容易化と酸素透過特性に
おいて有利な点を与える。このような合成は例えば、１
９８７年、　ｖｏｌ、５６，８５２のｒＰｏｌｙｍｅｒ
ｉｃ　Ｍａｔ、　ｓｃｉ、　Ｅｎｇ、　ＪのＪ、　Ｅ、
　ＭａＧｒａｔｈによる論文等の文献でよく知られてい
る。これらのポリマーは、ポリメタクリル酸エチルより
も１０から４０倍の範囲の酸素透過性を示す。表１に３
０重量％のジフェニルアントラセンを溶解されるこの種
の化合物の５つの例を示す。

表Ｉ よって、Ｐ（０２）のファクタがポリフェニルシルセス
キオキサンのＰ（０□）より過剰であることから、相反
しきい値は、ポリフェニルシルセスキオキサンのものよ
り大きい。このファクタは、例えば、約１〜４である。

従って、これは、露光時間を１゜５秒から製造プロセス
に好適な約０．５秒へと短縮させる。

構造式（１）に示されるように、相反しきい値１゜を上
昇させる第２の方法は、漂白可能層内の染料濃度を増加
させることである。これは、光学濃度を一定に保持しな
がら、フィルムの厚さを減少させることを可能にする。

このため、染料はジフェニルアントラセンの場合よりも
ポリマー中でよく溶けることが必要である。１０．１０
°−置換の１．２−ジ−９アントリルエタン（１０，１
０°−５ｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ　１，２−ｄｉ（９−ａ
ｎｔｈｒｙｌ）ｅｔｈａｎｅｓ）は極めて優れた溶解性
を有することを見出した。例えば、１．２−ビス−１０
トリメチルシロキシ−９−アントリルエタン（１，２−
ｂｉｓ（１０−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘｙ）−９
−ａｎｔｈｒｙりｅｔｈａｎｅ）　（第３図参照）を３
０重量％のポリフェニルシルセキオキサン溶液として結
晶化が見られず、フィルムへ鋳込成形（ｅａｓｔ）　し
た。ところが、ポリフェニルシルセキオキサン中に溶解
した。２０重量％のジフェニルアントラセン溶液では、
核生成位置（ｎｕｃｌｅａｔｌｎｇｓｉｔｅｓ）を避け
るために厳重な予備措置をしなければ結晶が生成されて
しまう。ポリフェニルシルセキオキサンの均質なフィル
ムと結合する１、２−ビス−１０トリメチルシロキシ−
９−アントリルエタンの最大フラクションは、少なくと
も４０重量％となる。

よって、相反しきい値１．が漂白可能層の厚さＩの２乗
によって決まり、ｌは（光学濃度が一定のとき）染料濃
度と反比例することから、ジフェニルアントラセンに対
する露光時間は、（４０／２２）　”または約３．３倍
に向上する。これはジフェニルアントラセンを用いて得
る１、５秒の露光時間を０．５秒以下に短縮し、製造工
程の必要条件に適合する。

１、−ビス−１０−トリメチルシロキシ−９−アントリ
ルエタン（１，２−ｂｉｓ（１０−ｔｒｉｍｅｌｈｙｆ
ｓｉｌｏｘｙ）−９−ａｎｔｈｒｙｌ）ｅｔｈａｎｅ）
の漂白特性を第７図に示す。これは、ジフェニルアント
ラセンと同様なリソグラフィー特性を有することを示す
ものである。より優れた酸素透過率を得るため、このよ
うな染料を上述のグラフト共重合体と結合させることが
できる。代わりに、ポリマーを生成する官能基に染料を
結合させることも可能である。

第３図に示す、ｌ、２−ビス−１Ｏ−トリメチルシロキ
シ−９−アントリルエタン化合物は公知の手法によって
調製される。（１９７９年、　ｖｏｌ、　４４．　ｐｐ
、　４２４７−４２５１のＯｒｇ、　Ｃｈｅａｉ、　　
に掲載のり、ベッカ、Ｄ、サンシェラ、Ａ、アービドソ
ンらによって記載された論文参照）トリメチルシロキシ
基の代わりに様々な置換基を使用することができる。例
えば、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、アセ
トキシ基、フエニル基、シクロヘキシル基、ブチル基お
よびその他の基がトリメチルシロキシ基の代わりに用い
られる。これらの基は、二量化を防止し、分光特性を所
望のようにシフトさせ、漂白の量子収率（ｑｕａｎｔｕ
ｍ　ｙｉｅｌｄ）を溶解特性と共に改善をすることがで
きる。二量化は望ましくないとされている。なぜならば
、漂白可能層４３内に生成した接触マスクを通してレジ
スト層４２が強い紫外線照射を受けると二量体が垂離す
る可能性があるからである。このような非漂白（ａｎｔ
ｉｂｌｅａｃｈｉｎｇ）はこの接触マスクの品質を劣化
させてしまう。

第８図は基板４１上に接触マスクを生成する製造過程の
各ステップを説明するものである。ステップ８１では、
レジスト層４２を基板４１の上部に形成させる。これは
、例えば、レジストを回転塗布させて形成させる。ステ
ップ８２では、レジスト層４２の上側表面上に漂白可能
層４４を形成させる。これは、例えば、漂白可能物質が
レジスト層上に回転塗布して、形成される。ステップ８
３では、この漂白可能層をパターン化された光で露光し
、この層中でこのパターンを複製する。これにより、接
触マスクが形成される。ステップ８４では、この接触マ
スクを通して基板に照射する光に対して、マスクを感知
させないようにする。これは、光の強さを漂白可能層の
相反しきい値以下に低下させるかまたはい（つかの実施
例においては漂白可能層から酸素を排除することによっ
て行うことができる。後者の方法は、漂白可能層に窒素
を吹きつけるかまたは基板を容器（ｃｏｎｔａｉｎｅｒ
）に密封し、酸素を選択的に排除可能とすることにより
、実施することができる。ステップ８５では、レジスト
層が接触マスクを通して露光され、このマスク・パター
ンをレジスト層に転写させる。

また、漂白可能染料が分散するポリマー・マトリックス
の生成に適した他の種の化合物として、シロキサン鎖が
付加したポリスチレン単位を有するポリマーおよびシロ
キサン鎖に結合したポリアミド単位を有するポリマーが
挙げられる。

（発明の効果〕 以上説明したように、本発明のプロセスでは、ホトリソ
グラフィー技術を用い、パターン転写する際に起こる望
ましくないさまざまな反射を回避するため、酸素透過率
が十分高い接触マスクを形成することができ、そして露
光時間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に用いる漂白可能染料のため
のマトリックス・ポリマーの化学構造を示す図。 第２図は他の実施例で用いる漂白可能染料のためのマト
リックス・ポリマーの化学構造を示す図。 第３図は他の実施例で用いる漂白可能染料のためのマト
リックス・ポリマーの化学構造を示す図。 第４図は本発明の一実施例により製造されたウェハの断
面図。 第５図および第６図は、第２図と第３図をそれぞれ含む
漂白可能染料の相反欠陥特性を示す図。 第７図は本発明の一実施例における漂白傾向を示す図。 第８図は本発明の一実施例の製造過程を説明する図。 ４１： 基板、 ４２ニレジスト層、 ４３： 漂白可能層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）次の（イ）から（ホ）から成るフォトリソグラフ
   ィーによる半導体の製造方法。 （イ）基板上にレジスト層を形成させ、 （ロ）前記レジスト層の表面にシロキシ基と有機官能基
   を含むポリマー・マトリックスに漂白可能染料を有する
   漂白可能層を形成させ、 （ハ）前記漂白可能層を予め選択されたパターンの光で
   露光して、前記漂白可能層を接触マスクへ変換させ、 （ニ）前記接触マスクを通して前記レジスト層を露光す
   るために用いられる光によって接触マスクを漂白しない
   ように不活性化し、 （ロ）前記レジスト層を通して前記接触マスクを露光す
   る。