JPH02267965A - 撮像素子 - Google Patents
撮像素子Info
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- JPH02267965A JPH02267965A JP1088763A JP8876389A JPH02267965A JP H02267965 A JPH02267965 A JP H02267965A JP 1088763 A JP1088763 A JP 1088763A JP 8876389 A JP8876389 A JP 8876389A JP H02267965 A JPH02267965 A JP H02267965A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 abstract description 7
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 abstract 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、撮像装置の光電変換部に用いられる撮像素
子に関するものである。
子に関するものである。
第2図は例えばレーザ研究、第14巻第2号。
1986年2月、P98−107に示された従来のイン
ターライン転送型CCD (Charge Coupl
edDevice ;電荷結合素子)撮像素子を示す平
面図である。図において、7は撮像素子、■は基板10
上に2次元に配置され撮像される目標物体からの信号光
を検出し電気信号に変換する光検出素子、2は光検出素
子1の出力信号の電荷を第1の方向に転送する電荷転送
セルが直線状に連結した第1のCCD、3は第1CCD
2の出力信号の電荷を第1の方向と直交する第2の方向
へ転送する直線状の第2のCCDである。なお、ここで
は第1のC0D2方向の光検出素子lの並びを列と呼び
、また第2のCCD3方向の並びを行と呼ぶことにする
。
ターライン転送型CCD (Charge Coupl
edDevice ;電荷結合素子)撮像素子を示す平
面図である。図において、7は撮像素子、■は基板10
上に2次元に配置され撮像される目標物体からの信号光
を検出し電気信号に変換する光検出素子、2は光検出素
子1の出力信号の電荷を第1の方向に転送する電荷転送
セルが直線状に連結した第1のCCD、3は第1CCD
2の出力信号の電荷を第1の方向と直交する第2の方向
へ転送する直線状の第2のCCDである。なお、ここで
は第1のC0D2方向の光検出素子lの並びを列と呼び
、また第2のCCD3方向の並びを行と呼ぶことにする
。
上記の如き撮像素子7と後述する機械的走査手段を組み
・合わせることによりTD I (Tjme Del
ay& Integration)モードによる撮像を
行うことができることが知られている。第3図は上記T
DIモードによるI静像を説明するための図であり、図
において4は目標物体11から放射又は反射された光(
以後、信号光と呼ぶ)、5は機械的走査手段である走査
鏡、6は集光光学系、7は集光光学系6の焦点面に設置
された上記撮像素子である。
・合わせることによりTD I (Tjme Del
ay& Integration)モードによる撮像を
行うことができることが知られている。第3図は上記T
DIモードによるI静像を説明するための図であり、図
において4は目標物体11から放射又は反射された光(
以後、信号光と呼ぶ)、5は機械的走査手段である走査
鏡、6は集光光学系、7は集光光学系6の焦点面に設置
された上記撮像素子である。
次に動作について説明する。
上記のような構成において、信号光4は走査鏡5で反射
された後、集光光学系6によってCCD撮像素子7上に
結像される。このとき走査鏡5を1軸回りに回転運動さ
せると目標物体11の像(以下目標像という)はCCD
↑CCD撮像素子7上する。CCD撮像素子7を第1の
CCD2の電荷転送の向きが目標像の移動の向きと合致
するように設置しておく。今、目標像がある列の第1行
の光検出素子1上に差しかかる状態を考える。光検出素
子1の発生電荷は上記目標像が光検出素子lの列方向1
ピッチ間を移動する間積分され、隣接する第1のCCD
2の第1行目の電荷転送セルに読み出される。次に目標
像が第2行目の光検出素子1に差しかかると、この光検
出素子1の発生電荷は同様に目標像が移動する間積分さ
れ第1のCCD2の第2行目の電荷転送セルに読み出さ
れる。このとき第1行目の上記電荷転送セルに読み出さ
れた電荷を第2行目の電荷転送セルに転送しておくこと
により、第1行目及び第2行目の光検出素子1の発生電
荷が電荷転送セル上で加算される。上記動作を連続して
行うことにより目標像がCCD撮像素子7上を移動する
間に行数分の光検出素子1の発生電荷が第1のCCD2
で加算される。なお、上記動作はTDIモードと呼ばれ
ている。
された後、集光光学系6によってCCD撮像素子7上に
結像される。このとき走査鏡5を1軸回りに回転運動さ
せると目標物体11の像(以下目標像という)はCCD
↑CCD撮像素子7上する。CCD撮像素子7を第1の
CCD2の電荷転送の向きが目標像の移動の向きと合致
するように設置しておく。今、目標像がある列の第1行
の光検出素子1上に差しかかる状態を考える。光検出素
子1の発生電荷は上記目標像が光検出素子lの列方向1
ピッチ間を移動する間積分され、隣接する第1のCCD
2の第1行目の電荷転送セルに読み出される。次に目標
像が第2行目の光検出素子1に差しかかると、この光検
出素子1の発生電荷は同様に目標像が移動する間積分さ
れ第1のCCD2の第2行目の電荷転送セルに読み出さ
れる。このとき第1行目の上記電荷転送セルに読み出さ
れた電荷を第2行目の電荷転送セルに転送しておくこと
により、第1行目及び第2行目の光検出素子1の発生電
荷が電荷転送セル上で加算される。上記動作を連続して
行うことにより目標像がCCD撮像素子7上を移動する
間に行数分の光検出素子1の発生電荷が第1のCCD2
で加算される。なお、上記動作はTDIモードと呼ばれ
ている。
行数(加算数)をn回とすると、光検出素子1の行数が
1の場合に比べ信号量はn倍に増す。
1の場合に比べ信号量はn倍に増す。
方雑音は、光検出素子1のショット雑音で支配されてい
る場合はV’W倍に増す。従って、n行分の光検出素子
lの出力を像の移動に周期させて遅延。
る場合はV’W倍に増す。従って、n行分の光検出素子
lの出力を像の移動に周期させて遅延。
加算することによりfl−倍S/Nを改善することがで
きる。なお、n行分加算された後の各列の第1のCCD
2の出力は、それぞれ第2のCCD 3の電荷転送セル
に入力され、読み出される。
きる。なお、n行分加算された後の各列の第1のCCD
2の出力は、それぞれ第2のCCD 3の電荷転送セル
に入力され、読み出される。
ところが、上記のような従来のインターライン転送型C
CD撮像素子ではTDI動作をさせると、光検出素子の
各列の間に直線状に第1のCCOが設置されているので
、目標像が第1のCCD上に結ばれた場合、これを検出
することはできないという問題点があった。
CD撮像素子ではTDI動作をさせると、光検出素子の
各列の間に直線状に第1のCCOが設置されているので
、目標像が第1のCCD上に結ばれた場合、これを検出
することはできないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、例えばTDIモードで動作をさせたとき目標
像の検出漏れが少ない撮像素子を得ることを目的とする
。
たもので、例えばTDIモードで動作をさせたとき目標
像の検出漏れが少ない撮像素子を得ることを目的とする
。
この発明に係る撮像素子は、基板10上において千鳥格
子状に2次元的に配置され↑静像される目標物体11か
らの信号光を検出し電気信号に変換する光検出素子8と
、この光検出素子8の対応する夕」間を縫うように配置
され両側の光検出素子8の出力信号の電荷を蓄積し転送
する電荷結合素子9とを備えたことを特徴とするもので
ある。
子状に2次元的に配置され↑静像される目標物体11か
らの信号光を検出し電気信号に変換する光検出素子8と
、この光検出素子8の対応する夕」間を縫うように配置
され両側の光検出素子8の出力信号の電荷を蓄積し転送
する電荷結合素子9とを備えたことを特徴とするもので
ある。
光検出素子8は撮像される目標物体11からの信号光を
検出し電気信号に変換する。電荷結合素子9は光検出素
子8の出力信号の電荷を蓄積し転送する。また、光検出
素子8は基板10上において千鳥格子状に2次元的に配
置され、電荷結合素子9は光検出素子8の対応する列間
を縫うように配置されているので、目標物体11からの
信号光は必ず光検出素子8を通り、4灸出される。
検出し電気信号に変換する。電荷結合素子9は光検出素
子8の出力信号の電荷を蓄積し転送する。また、光検出
素子8は基板10上において千鳥格子状に2次元的に配
置され、電荷結合素子9は光検出素子8の対応する列間
を縫うように配置されているので、目標物体11からの
信号光は必ず光検出素子8を通り、4灸出される。
第1図はこの発明の一実施例に係る撮像素子の平面図で
ある。図において、3は従来例と同様な第2のCCD、
8は基板10上において千鳥格子状に2次元的に配置さ
れ撮像される目標物体11(第3図参照)からの信号光
を検出し電気信号に変換する光検出素子、9は光検出素
子8の対応する列間を縫うように配置され両側の光検出
素子8の出力信号の電荷を蓄積し転送する第1のCCD
(電荷結合素子)である。奇数行及び偶数行の光検出素
子8はそれぞれ直線上の列を成しており、奇数行の光検
出素子8の各列の間を埋めるよう偶数行の光検出素子8
の各列が配置されている。
ある。図において、3は従来例と同様な第2のCCD、
8は基板10上において千鳥格子状に2次元的に配置さ
れ撮像される目標物体11(第3図参照)からの信号光
を検出し電気信号に変換する光検出素子、9は光検出素
子8の対応する列間を縫うように配置され両側の光検出
素子8の出力信号の電荷を蓄積し転送する第1のCCD
(電荷結合素子)である。奇数行及び偶数行の光検出素
子8はそれぞれ直線上の列を成しており、奇数行の光検
出素子8の各列の間を埋めるよう偶数行の光検出素子8
の各列が配置されている。
次に動作について説明する。この実施例の撮像素子7は
前述した第3図に示すように設置される。
前述した第3図に示すように設置される。
第1のCCD9は隣接し対応する2本の光検出素子80
列の間を縫うように配置されており、1本の第1のCC
D9で両側の2列の光検出素子8の出力信号の電荷を前
述したTDIモードで読み出す。TDIモードの動作に
ついては従来技術で説明したので、ここでは省略する。
列の間を縫うように配置されており、1本の第1のCC
D9で両側の2列の光検出素子8の出力信号の電荷を前
述したTDIモードで読み出す。TDIモードの動作に
ついては従来技術で説明したので、ここでは省略する。
上記のように構成された撮像素子7においては、目標像
が例えば奇数行の光検出素子8の間の第1のCCDQ上
を移動しても偶数行では光検出素子8上を通過するので
、目標像を検出することができる。
が例えば奇数行の光検出素子8の間の第1のCCDQ上
を移動しても偶数行では光検出素子8上を通過するので
、目標像を検出することができる。
以上のように本発明によれば、千鳥格子状に2次元的に
配置された光検出素子と、この光検出素子の対応する列
間を縫うように配置された電荷結合素子とを備えて構成
したので、例えばTDIモードで動作させたとき、目標
物体からの信号光は必ず光検出素子を通り、したがって
目標像の検出漏れを防止できる効果が得られる。
配置された光検出素子と、この光検出素子の対応する列
間を縫うように配置された電荷結合素子とを備えて構成
したので、例えばTDIモードで動作させたとき、目標
物体からの信号光は必ず光検出素子を通り、したがって
目標像の検出漏れを防止できる効果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例に係る撮像素子の概略構成
を示す平面図、第2図は従来の撮像素子の概略構成を示
す平面図、第3図はTDIモードによる撮像を説明する
ための図である。 7・・・・・・撮像素子、8・・・・・・光検出素子、
9・・・・・・第1のCOD (電荷結合素子)、10
・・・・・・基板。 代理人 大君 増雄(ほか2名) 第1 回 情2図 10:基敬 第3回 補正の対象 図面。 補正の内容 (1)図面、 第1図を別紙のとおり補正する。 以 一ヒ 手 続 補 正 書(自発)
を示す平面図、第2図は従来の撮像素子の概略構成を示
す平面図、第3図はTDIモードによる撮像を説明する
ための図である。 7・・・・・・撮像素子、8・・・・・・光検出素子、
9・・・・・・第1のCOD (電荷結合素子)、10
・・・・・・基板。 代理人 大君 増雄(ほか2名) 第1 回 情2図 10:基敬 第3回 補正の対象 図面。 補正の内容 (1)図面、 第1図を別紙のとおり補正する。 以 一ヒ 手 続 補 正 書(自発)
Claims (1)
- 基板上において千鳥格子状に2次元的に配置され撮像さ
れる目標物体からの信号光を検出し電気信号に変換する
光検出素子と、この光検出素子の対応する列の間を縫う
ように配置され両側の光検出素子の出力信号の電荷を蓄
積し転送する電荷結合素子とを備えたことを特徴とする
撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1088763A JPH02267965A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1088763A JPH02267965A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02267965A true JPH02267965A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13951913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1088763A Pending JPH02267965A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02267965A (ja) |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1088763A patent/JPH02267965A/ja active Pending
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