JPH02267154A - セラミック超伝導体 - Google Patents
セラミック超伝導体Info
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- JPH02267154A JPH02267154A JP2038163A JP3816390A JPH02267154A JP H02267154 A JPH02267154 A JP H02267154A JP 2038163 A JP2038163 A JP 2038163A JP 3816390 A JP3816390 A JP 3816390A JP H02267154 A JPH02267154 A JP H02267154A
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920002274 Nalgene Polymers 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDFCIPNJCBUZJN-UHFFFAOYSA-N barium(2+) Chemical compound [Ba+2] XDFCIPNJCBUZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N barium;oxocopper Chemical compound [Ba].[Cu]=O FFWQPZCNBYQCBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、１，２．３超伝導体系統として知られるＲＥ
ＢＣＯセラミック超伝導体への貴金属の添加に関する。
ＢＣＯセラミック超伝導体への貴金属の添加に関する。
この系統の公称理論組成はＲＥＢａ ２ Ｃｕ ３Ｏ７
−Ｘであり、ここでＲＥは通常イツトリウムである。セ
ラミックハツチに貴金属、好ましくは銀を加えることに
よってセラミックの１、 ２． ３超伝導相の向上が達
成される。この貴金属は、セラミックの超伝導相から望
ましくない種を取り出すスキャベンジャ−として、およ
びセラミック構造の結晶質超伝導相中のバリウムの代用
として関与する。
−Ｘであり、ここでＲＥは通常イツトリウムである。セ
ラミックハツチに貴金属、好ましくは銀を加えることに
よってセラミックの１、 ２． ３超伝導相の向上が達
成される。この貴金属は、セラミックの超伝導相から望
ましくない種を取り出すスキャベンジャ−として、およ
びセラミック構造の結晶質超伝導相中のバリウムの代用
として関与する。
（従来技術）
種々のセラミック超伝導体に関する最初の興奮の波はこ
こ数ケ月でおさまった。多くの克服しなければならない
ハードルがあるというまぎれもない現実が超伝導技術の
世界におしよせできて、期待感を静めてしまったのであ
る。最初の希土類・バリウム・銅酸化物の発見につづい
てＢ５Ｃ０゜Ｂｉ Ｃａ Ｓｒ Ｃｕ Ｏ組成が知られ
るようになった。
こ数ケ月でおさまった。多くの克服しなければならない
ハードルがあるというまぎれもない現実が超伝導技術の
世界におしよせできて、期待感を静めてしまったのであ
る。最初の希土類・バリウム・銅酸化物の発見につづい
てＢ５Ｃ０゜Ｂｉ Ｃａ Ｓｒ Ｃｕ Ｏ組成が知られ
るようになった。
それらは、最良の組成が発見されるとう期待をもって種
々のセラミック組成の特性を最大限利用することが追求
されてきた。
々のセラミック組成の特性を最大限利用することが追求
されてきた。
最初の発見からこれまでになされた試みの大部分は、既
知の超伝導体を改良し模倣することを期待して、発明さ
れた超伝導体セラミック中の成分に類似した特性を有す
る周期表からのさまざまな種を代用することに向けられ
てきた。
知の超伝導体を改良し模倣することを期待して、発明さ
れた超伝導体セラミック中の成分に類似した特性を有す
る周期表からのさまざまな種を代用することに向けられ
てきた。
（発明の目的および構成）
本発明は、上記した今までの試みとは異なるものである
。ここで行う原子種の操作は、単に１つの希土類を他の
希土類に代える、または１つのアルカリ土類を他のアル
カリ土類に代えるためのものではない。本発明は、１，
２．３セラミツク超伝導体中のアルカリ土類金属の代わ
りに貴金属、特に銀を代用し、その組成に新規な特性を
与えることを教示するものである。従来技術の試みは、
理屈か示す通りに、銅の代わりに銀を代用することに向
けられた（“Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ａｇ／Ｃｕ ５ｕ
ｂｓｔｉｎｔｉｏｎ ｉｎ ＹＢａ ２ Ｃｕ
３ ０了 ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ
、Ｍａｔ、Ｒｅｓ、Ｂｕｌｌ、２２巻、１５８１−
１５８８ページ、 １９８７年参照）。
。ここで行う原子種の操作は、単に１つの希土類を他の
希土類に代える、または１つのアルカリ土類を他のアル
カリ土類に代えるためのものではない。本発明は、１，
２．３セラミツク超伝導体中のアルカリ土類金属の代わ
りに貴金属、特に銀を代用し、その組成に新規な特性を
与えることを教示するものである。従来技術の試みは、
理屈か示す通りに、銅の代わりに銀を代用することに向
けられた（“Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ Ａｇ／Ｃｕ ５ｕ
ｂｓｔｉｎｔｉｏｎ ｉｎ ＹＢａ ２ Ｃｕ
３ ０了 ５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ
、Ｍａｔ、Ｒｅｓ、Ｂｕｌｌ、２２巻、１５８１−
１５８８ページ、 １９８７年参照）。
バリウムの代わりに貴金属を代用することは同様の理屈
の線上にはない。と言うのは、これら２つの種が異なっ
ているからである。
の線上にはない。と言うのは、これら２つの種が異なっ
ているからである。
本発明は、貴金属イオンがボディ中に存在すると１．２
．３セラミック超伝導体に新たな利点を付与し、貴金属
イオンが後に１． ２． ３セラミツク超伝導相に取り
込まれた際にはさらなる利点を付与することを開示して
いる。
．３セラミック超伝導体に新たな利点を付与し、貴金属
イオンが後に１． ２． ３セラミツク超伝導相に取り
込まれた際にはさらなる利点を付与することを開示して
いる。
本発明の実施に当り、貴金属イオンは、公称理論組成Ｒ
Ｅ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ７−ｘのセラミック超伝導体
に、バリウム中の貴金属の溶解限度を過えて混合される
。例えば、好ましい種、銀イオンは多機能性を有し、超
伝導相中でバリウムを代替し、フラックスおよび稠密助
剤（ａｉｄｓ ｄｅｎｓＨｉｃａＨｏｎ）として作用し
、アニオンのスキャベンジャ−として作用してコンパニ
オン非超伝導相に取り込まれる。スキャベンジャ−の役
割において、銀は固体結晶相の純度を高めることによっ
て超伝導相を向上させる。
Ｅ Ｂａ ２ Ｃｕ ３Ｏ７−ｘのセラミック超伝導体
に、バリウム中の貴金属の溶解限度を過えて混合される
。例えば、好ましい種、銀イオンは多機能性を有し、超
伝導相中でバリウムを代替し、フラックスおよび稠密助
剤（ａｉｄｓ ｄｅｎｓＨｉｃａＨｏｎ）として作用し
、アニオンのスキャベンジャ−として作用してコンパニ
オン非超伝導相に取り込まれる。スキャベンジャ−の役
割において、銀は固体結晶相の純度を高めることによっ
て超伝導相を向上させる。
本発明は、公称理論式ＲＥ Ｎ Ｍ 、 Ｋ ＊ Ｂ
ａ ２−ＩＣｕ３Ｏ７−ｘ （ここでＲＥは希土類金属
種、ＮＭは貴金属、２が０より大きく１．２までの数、
Ｋはカリウムまたはルビジウムなどのアルカリ、ｋは０
．２までの数、そしてＸは２．４までの数）からなる１
、、２．３セラミック超伝導体を開示している。
ａ ２−ＩＣｕ３Ｏ７−ｘ （ここでＲＥは希土類金属
種、ＮＭは貴金属、２が０より大きく１．２までの数、
Ｋはカリウムまたはルビジウムなどのアルカリ、ｋは０
．２までの数、そしてＸは２．４までの数）からなる１
、、２．３セラミック超伝導体を開示している。
希土類線は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｃ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ。
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、およびＹｂ、そしてそ
れらの組合せおよびそれら間の組合せから成る群より選
択される。貴金属は、Ａｇ、Ａｕおよびそれらの組合せ
から成る群より選択される。
れらの組合せおよびそれら間の組合せから成る群より選
択される。貴金属は、Ａｇ、Ａｕおよびそれらの組合せ
から成る群より選択される。
ＲＥＮＭＫＢａ Ｃｕ ３Ｏ７−、における［ＲＥコ＋
［ＮＭ］ ＋［Ｋ］ ＋ ［Ｂａコの［Ｃｕ ］に対す
る割合の比は、Ａ／Ｂ灰チタン石（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔ
ｅ）構造として知られるもののなかにあって、約１．０
または実質的に１．０である。また、Ｂａ成分中におけ
る前記１．．２．３セラミック超伝導体の銀の溶解度は
約０．０３の比になっている。
［ＮＭ］ ＋［Ｋ］ ＋ ［Ｂａコの［Ｃｕ ］に対す
る割合の比は、Ａ／Ｂ灰チタン石（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔ
ｅ）構造として知られるもののなかにあって、約１．０
または実質的に１．０である。また、Ｂａ成分中におけ
る前記１．．２．３セラミック超伝導体の銀の溶解度は
約０．０３の比になっている。
ここに開示した１、 ２． ３超伝導体の製造方法は
、バリウムに代わる銀（最も好ましい場合）の代替に向
いている。超伝導体のバッチを酸化銀と混合する。この
バッチを加熱すると、酸化銀が一部、金属銀に還元され
る。そのうえ、自由銀イオンが生じる。移動性のある銀
イオンが形成過程の超伝導相内で相互作用し、金属銀が
非起転導体相と相互作用することが考えられる。さらに
、加熱が、過剰の銀存在下で銀／銀イオンの酸化還元対
の平衡を刺激すると考えられる。よって、どちらも、バ
ッチ組成との有利な相互作用に利用できる。
、バリウムに代わる銀（最も好ましい場合）の代替に向
いている。超伝導体のバッチを酸化銀と混合する。この
バッチを加熱すると、酸化銀が一部、金属銀に還元され
る。そのうえ、自由銀イオンが生じる。移動性のある銀
イオンが形成過程の超伝導相内で相互作用し、金属銀が
非起転導体相と相互作用することが考えられる。さらに
、加熱が、過剰の銀存在下で銀／銀イオンの酸化還元対
の平衡を刺激すると考えられる。よって、どちらも、バ
ッチ組成との有利な相互作用に利用できる。
過剰の銀とは、銀の量が、Ａｇ／Ｂａの比か約０．０３
であるバリウム中の銀の溶解度限度を超えている状態を
言う。
であるバリウム中の銀の溶解度限度を超えている状態を
言う。
約９０Ｋから９５Ｋまでの開始転移温度が観察される。
好ましい実施態様中の超伝導性は、６７にで９０容量％
も見られた。
も見られた。
（実 施 例）
本発明を以下の実施例に基づいて更に詳細に説明する。
以下の実施例０−４２のボディを調製するに当り、下記
の手順を用いた。セラミック業界の者にとって、同様の
有用性を持ったボディを調製するために、ここに述べる
手順は変更できることが理解されよう。
の手順を用いた。セラミック業界の者にとって、同様の
有用性を持ったボディを調製するために、ここに述べる
手順は変更できることが理解されよう。
実施例１において（実施例０−２５の例示として示す）
、４．５９のＹ２０３ （Ａｐａｃｈｅ Ｐｏｗｄｅ
ｒ Ｃｏ。
、４．５９のＹ２０３ （Ａｐａｃｈｅ Ｐｏｗｄｅ
ｒ Ｃｏ。
製’Ｉ 、１．４９のＡｇ ２０ （ＥＭ ５ｃｉｅｎ
ｃｅ製） 、１３．４９のＢａ Ｃ０３（ＦＭＣＣｏｒ
ｐｏｒａｔｉｏｎ製）、および９．５ｇのＣｕ Ｏ（Ｃ
ｅｒａｍｉｃ Ｃｏ１ｏｒ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｇｏ、製）を５００ ｄナルゲン ボトル（ｎａｌｇｅ
ｎｅ ｂｏｔｔｌｅ）中で混合した。約１６時間、これ
らの粉末をミル粉砕した。粉砕されたスラリーを８０℃
のオーブンで乾燥した。この乾燥バッチを、空気中にお
いて、８７５°Ｃで１０時間焼成した。表１の実施例〇
−２５について、同様の手順でバッチ取りした。表１の
組成は重量％で示されている。
ｃｅ製） 、１３．４９のＢａ Ｃ０３（ＦＭＣＣｏｒ
ｐｏｒａｔｉｏｎ製）、および９．５ｇのＣｕ Ｏ（Ｃ
ｅｒａｍｉｃ Ｃｏ１ｏｒ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｇｏ、製）を５００ ｄナルゲン ボトル（ｎａｌｇｅ
ｎｅ ｂｏｔｔｌｅ）中で混合した。約１６時間、これ
らの粉末をミル粉砕した。粉砕されたスラリーを８０℃
のオーブンで乾燥した。この乾燥バッチを、空気中にお
いて、８７５°Ｃで１０時間焼成した。表１の実施例〇
−２５について、同様の手順でバッチ取りした。表１の
組成は重量％で示されている。
表
Ｙ／Ａｇ／Ｂａ／Ｃｕ
１１０／２／３
１．０１０．３／１．７／３
１．０１０．５／１．５／３
１ 、０／１ 、０／１ 、０／３
０．９０１０．０３／２．０７／３
０．７８０１０．０６９／２．１５１／３０．９０１０
．０６／２．０４／３ ０．７８０７０．１３Ｂ／２．０８４／３０．９Ｂ１０
．０４８／１．９９２／３０．９０１０．１２／１．９
８／３ ０．６［１０１０，４０８／１．．９３２／３Ｏ．９９
１０．０３／１．９８／３ ０．９８１０．ＯＢ／１．９６／３ ０．９６１０．１２／１．９２／３ １．０５８１０．０６４／１．８７８／３１、、１］４
１０．１２７／１．．７５９／３１．１１０．０３／１
．８７／３ １．２１０．０８／Ｌ、７４／３ ０．９５１０．０５／２．００／３ ０．９１０．１／２．０／３ ０．７８１０．２２／２．００／３ ０．６６／ＤＪ４／２．００／３ １．０１０．００７／２．０／２．９９３１．０１０．
０１４／２．０／２．９８６１．０１０．３／１．０／
２．７ １ 、０／ｌ 、 ５／２．０／１ 、５１５．１３ １５．８４ １６．００ １６．９ｇ １３．５１ １１．６０ １３．５５ １１．６９ １４．５４ １３．６４ １０．０５ １５．０１ ］、４．８９ １４．６５ １６．２２ １７．３２ １Ｂ、８９ １８．７ ４Ｊ７ １３．６１ １２．０２ ９．９７ １５．１３ １５．１２ １４．９２ １４．１１ Ａｇ２０ ４．８１ ８．２１ １７．４３ ０．４６ １．０５ ０．４３ ２．０９ ０．７５ １．８７ ６．３７ ０．４７ ０．９４ １．８８ １．０１ ２．０３ ０．４７ ０．９６ ０．７８ １．５６ １．５８ ５．２７ ０．１１ ０．２２ ４．５９ ２１．７０ ａＣＯ３ ５２，８９ ４［ｉ、４ｇ ４１．９［ｉ ２９、［１９ ５４，３１ ５５，９２ ５３，６９ ５４，５Ｂ ５２．７２ ５４．３２ ５１．４０ ５２．４８ ５２．０Ｂ ５１．２１ ５０．３５ ４７．８０ ５０．１９ ４７．４０ ５２．８Ｂ ５２．８７ ５３．８５ ５２．８２ ５２．８７ ５２．８５ ５２．１３ ４９．２９ ｕＯ ３１，９８ ３３，０Ｂ ３３．８２ ３５．９０ ８Ｊ、、７２ ３１．４３ ３１．８３ ３１．８Ｇ ３２．００ ３２．０４ ３２．１７ ３７．０５ ３２．１２ ３２．２６ ３２．４２ ３２．８［ｉ ３２．４５ ３２．９４ ３１．９７ １９Ｇ ３１．９３ ３１．８９ ３１．８１ ２８．３６ １４．９１ 表３に示す実施例２Ｂ−４２を上記手順の変型によって
調製した。これらの実施例において、１，２３超伝導体
のバッチ材料を混合し、焼成した。焼成温度は８７５°
Ｃまでの範囲であり、１０時間までの焼成時間を用いた
。焼成後、硬化されたバッチを約−３２５メツシユにく
だいた。その後、ある未焼成成分を特定の焼成バッチ材
料に混合した。表２はこのバッチ材料の組成を重量％で
示している。
．０６／２．０４／３ ０．７８０７０．１３Ｂ／２．０８４／３０．９Ｂ１０
．０４８／１．９９２／３０．９０１０．１２／１．９
８／３ ０．６［１０１０，４０８／１．．９３２／３Ｏ．９９
１０．０３／１．９８／３ ０．９８１０．ＯＢ／１．９６／３ ０．９６１０．１２／１．９２／３ １．０５８１０．０６４／１．８７８／３１、、１］４
１０．１２７／１．．７５９／３１．１１０．０３／１
．８７／３ １．２１０．０８／Ｌ、７４／３ ０．９５１０．０５／２．００／３ ０．９１０．１／２．０／３ ０．７８１０．２２／２．００／３ ０．６６／ＤＪ４／２．００／３ １．０１０．００７／２．０／２．９９３１．０１０．
０１４／２．０／２．９８６１．０１０．３／１．０／
２．７ １ 、０／ｌ 、 ５／２．０／１ 、５１５．１３ １５．８４ １６．００ １６．９ｇ １３．５１ １１．６０ １３．５５ １１．６９ １４．５４ １３．６４ １０．０５ １５．０１ ］、４．８９ １４．６５ １６．２２ １７．３２ １Ｂ、８９ １８．７ ４Ｊ７ １３．６１ １２．０２ ９．９７ １５．１３ １５．１２ １４．９２ １４．１１ Ａｇ２０ ４．８１ ８．２１ １７．４３ ０．４６ １．０５ ０．４３ ２．０９ ０．７５ １．８７ ６．３７ ０．４７ ０．９４ １．８８ １．０１ ２．０３ ０．４７ ０．９６ ０．７８ １．５６ １．５８ ５．２７ ０．１１ ０．２２ ４．５９ ２１．７０ ａＣＯ３ ５２，８９ ４［ｉ、４ｇ ４１．９［ｉ ２９、［１９ ５４，３１ ５５，９２ ５３，６９ ５４，５Ｂ ５２．７２ ５４．３２ ５１．４０ ５２．４８ ５２．０Ｂ ５１．２１ ５０．３５ ４７．８０ ５０．１９ ４７．４０ ５２．８Ｂ ５２．８７ ５３．８５ ５２．８２ ５２．８７ ５２．８５ ５２．１３ ４９．２９ ｕＯ ３１，９８ ３３，０Ｂ ３３．８２ ３５．９０ ８Ｊ、、７２ ３１．４３ ３１．８３ ３１．８Ｇ ３２．００ ３２．０４ ３２．１７ ３７．０５ ３２．１２ ３２．２６ ３２．４２ ３２．８［ｉ ３２．４５ ３２．９４ ３１．９７ １９Ｇ ３１．９３ ３１．８９ ３１．８１ ２８．３６ １４．９１ 表３に示す実施例２Ｂ−４２を上記手順の変型によって
調製した。これらの実施例において、１，２３超伝導体
のバッチ材料を混合し、焼成した。焼成温度は８７５°
Ｃまでの範囲であり、１０時間までの焼成時間を用いた
。焼成後、硬化されたバッチを約−３２５メツシユにく
だいた。その後、ある未焼成成分を特定の焼成バッチ材
料に混合した。表２はこのバッチ材料の組成を重量％で
示している。
表３は、実施例２Ｂ−４２の組成を重量％て示している
。表３はまた、代用に用いるルビジウムおよびカリウム
などのアルカリイオンの例を示している。
。表３はまた、代用に用いるルビジウムおよびカリウム
などのアルカリイオンの例を示している。
これらはまた、超伝導することがわかった。
表 ２
ａＣＯ３
５２，８４
８２，３２
５９，９８
５１，６１
５１）［８
八ｇ２０
１．８５
ｕ０
３１．９５
３７．６８
３８．１７
３２．８５
３２．７５
バッチ Ｙ２０３
Ｂ−１１５，１２
Ｂ−２０
Ｂ−３Ｏ
Ｂ−４１５，５４
Ｂ−５Ｊ８．３９
実施例 Ｙ／Ａｇ／Ｂａ／Ｃｕ
ｏｏ Ｉ１０／２／３
２０ １．０１０．０２／１．９８／３２７ １．
０１０．０６／１．９４／３２８ １．０１０．１／
１．９／３ 化学式 ％式％ ［３８ ］ 表４は、いくつかの実施例における観察された超伝導性
の容量％を示している。この容量％は焼結温度および組
成の関数として変化した。実施例４７−５０は、試料中
（７）／＜リウムをＬａｚ（ＣＯ３）３て代替した、理
論式におけるＬａの数値がそれぞれ０．０２．０．０［
ｉ、 ０．１０および０．０２の試料である。
０１０．０６／１．９４／３２８ １．０１０．１／
１．９／３ 化学式 ％式％ ［３８ ］ 表４は、いくつかの実施例における観察された超伝導性
の容量％を示している。この容量％は焼結温度および組
成の関数として変化した。実施例４７−５０は、試料中
（７）／＜リウムをＬａｚ（ＣＯ３）３て代替した、理
論式におけるＬａの数値がそれぞれ０．０２．０．０［
ｉ、 ０．１０および０．０２の試料である。
実施例５０においては、Ｌａに加え、Ａｇも、理論式に
おける数値が０．０２まで代用されている。
おける数値が０．０２まで代用されている。
種々に混合された実施例の焼結は、下記の手順で行った
。バッチをアルミナボートに入れ、それを酸素または空
気の連続流れを用いるのに適合されたチューブ炉に入れ
た。試料を、毎時３Ｏ０’Ｃの割合で約８５０℃まで加
熱した。試料をこの温度で２時間保持した。次に試料を
、毎時３Ｏ０’Ｃの割合で約８７０°〜９５０℃の範囲
まで加熱した。試料をこの温度範囲で１２時間保持した
。次に試料を、毎時１００℃の割合で５００℃まで冷却
した。試料をこの温度で４時間保持した。次に資料を、
毎時的１００℃の割合で室温まで冷却した。
。バッチをアルミナボートに入れ、それを酸素または空
気の連続流れを用いるのに適合されたチューブ炉に入れ
た。試料を、毎時３Ｏ０’Ｃの割合で約８５０℃まで加
熱した。試料をこの温度で２時間保持した。次に試料を
、毎時３Ｏ０’Ｃの割合で約８７０°〜９５０℃の範囲
まで加熱した。試料をこの温度範囲で１２時間保持した
。次に試料を、毎時１００℃の割合で５００℃まで冷却
した。試料をこの温度で４時間保持した。次に資料を、
毎時的１００℃の割合で室温まで冷却した。
実施例のいくつかに対するＸ線回折分析の結果を表５に
示す。分析された試料のほとんどは１２．３超伝導体の
主要州を示した。
示す。分析された試料のほとんどは１２．３超伝導体の
主要州を示した。
表
ＢａＣｕ ０２
（ｅｏｏ）
磁気メーモントヒステリシス曲線を、約６５〜６７Ｋに
おいて、磁気旧を用いて作製した。超伝導体の百分率を
、完全超伝導体に対しては１００％のマイスナー効果と
仮定し、ヒステリシス曲線の最初のスロープから計算し
た。試料の磁性開始温度を、約１００〜１５０Ｋから［
ｉ７にへの試料の冷却中における温度の関数として磁気
モーメント依存度を記録することにより、測定した。第
１，２および３図は、これらの測定のための代表的ヒス
テリシス曲線を示している。
おいて、磁気旧を用いて作製した。超伝導体の百分率を
、完全超伝導体に対しては１００％のマイスナー効果と
仮定し、ヒステリシス曲線の最初のスロープから計算し
た。試料の磁性開始温度を、約１００〜１５０Ｋから［
ｉ７にへの試料の冷却中における温度の関数として磁気
モーメント依存度を記録することにより、測定した。第
１，２および３図は、これらの測定のための代表的ヒス
テリシス曲線を示している。
温度に対する抵抗率の測定を行うに当り、４点プローブ
抵抗率法（ｆ’ｏｕｒ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ ｒｅ
ｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｍｅｔｂｏｄ）を用いた。金スト
リップを試料に蒸着させた。銅ワイカーと銀エポキシを
電気的に接触させた。一定電流の電源を用いた。試料の
抵抗率は、２つの内側電圧リードを横切る電圧降下を測
定することによって決定した。温度調節器を備えた流れ
低温槽が温度チャンバーを約４．２〜３Ｏ０Ｋにモニタ
ーした。第５図は、上記方法によって測定した温度に対
する抵抗率の代表的曲線を示している。
抵抗率法（ｆ’ｏｕｒ ｐｏｉｎｔ ｐｒｏｂｅ ｒｅ
ｓｉｓｔｉｖｉｔｙ ｍｅｔｂｏｄ）を用いた。金スト
リップを試料に蒸着させた。銅ワイカーと銀エポキシを
電気的に接触させた。一定電流の電源を用いた。試料の
抵抗率は、２つの内側電圧リードを横切る電圧降下を測
定することによって決定した。温度調節器を備えた流れ
低温槽が温度チャンバーを約４．２〜３Ｏ０Ｋにモニタ
ーした。第５図は、上記方法によって測定した温度に対
する抵抗率の代表的曲線を示している。
第６図は、本発明におけるいくつかの試料を代表する、
銀、バリウム、およびイツトリウムの三元用ダイアダラ
ムを示している。第６図における代用は、バリウムおよ
びイツトリウムを代替する銀が一定に保たれていること
を示している。マＩ・リックス内の組成範囲におけるバ
リウムの代替としての銀の挙動は、１．．２．３超伝導
相におけるこの代替現象の一般性を示している。
銀、バリウム、およびイツトリウムの三元用ダイアダラ
ムを示している。第６図における代用は、バリウムおよ
びイツトリウムを代替する銀が一定に保たれていること
を示している。マＩ・リックス内の組成範囲におけるバ
リウムの代替としての銀の挙動は、１．．２．３超伝導
相におけるこの代替現象の一般性を示している。
これらの組成は、Ａ／Ｂ比を、灰チタン石構造のカッブ
レー１・（ｃｕｐｒａｔｅｓ）に対して約１．０に保つ
ことによって調合した。鋼組成、つまりこの比のＢ部分
を、この比のＡ部分に対して一定に保った。
レー１・（ｃｕｐｒａｔｅｓ）に対して約１．０に保つ
ことによって調合した。鋼組成、つまりこの比のＢ部分
を、この比のＡ部分に対して一定に保った。
この比のＡ部分のみを、Ａ部分の合計へと加算するため
の部分成分中において調節した。この比において、Ａは
ＲＥ、ＢａおよびＮＭてあり、Ｂは銅である。アルカリ
イオンを代用する際、それらもまた、Ａ／Ｂ比のＡ部分
内で一部代用できる。
の部分成分中において調節した。この比において、Ａは
ＲＥ、ＢａおよびＮＭてあり、Ｂは銅である。アルカリ
イオンを代用する際、それらもまた、Ａ／Ｂ比のＡ部分
内で一部代用できる。
第１図は、本発明の実施例における、６５にでの、磁場
に対する磁化を示すグラフ、 第２図は、本発明のもう１つの実施例における、［ｉ５
にでの、磁場に対する磁化を示すグラフ、第３図は、本
発明のさらにもう１つの実施例における、６５にでの、
磁場に対する磁化を示すグラフ、 第４図は、第１図と同じ実施例における、一定の磁場の
もとての温度に対する磁化を示すグラフ、第５図は、第
１図と同じ実施例における、温度に対する抵抗率を示す
グラフ、そして 第６図は、バリウム、銀および希土類金属種の三元線図
を示す。 補正の対象 図 面 補正の内容 手書き図面を墨入れ図面に捕市する。 平成０２ 年０４ 月 日 （内容に変更なし） １゜ 事件の表示 添付書類 図 而 １通 平成０２年 特 許 願 第０３８，１６３ 号 ２゜ 発明の名称 セラミック超伝導体 ３゜ 補正をする者 事件との関係
に対する磁化を示すグラフ、 第２図は、本発明のもう１つの実施例における、［ｉ５
にでの、磁場に対する磁化を示すグラフ、第３図は、本
発明のさらにもう１つの実施例における、６５にでの、
磁場に対する磁化を示すグラフ、 第４図は、第１図と同じ実施例における、一定の磁場の
もとての温度に対する磁化を示すグラフ、第５図は、第
１図と同じ実施例における、温度に対する抵抗率を示す
グラフ、そして 第６図は、バリウム、銀および希土類金属種の三元線図
を示す。 補正の対象 図 面 補正の内容 手書き図面を墨入れ図面に捕市する。 平成０２ 年０４ 月 日 （内容に変更なし） １゜ 事件の表示 添付書類 図 而 １通 平成０２年 特 許 願 第０３８，１６３ 号 ２゜ 発明の名称 セラミック超伝導体 ３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）公称理論式ＲＥＮＭ＿２Ｋ＿ｋＢａ＿２＿−＿ｚＣ
ｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘから成る１，２，３セラミック超
伝導体であって、上記式中、ＲＥが希土類金属種、ＮＭ
が貴金属、ｚが０より大きく１．２までの数、Ｋがアル
カリイオン、ｋが０．２までの数、およびｘが２．４ま
での数であり、そして過剰貴金属が前記公称組成に加え
られていることを特徴とする１，２，３セラミック超伝
導体。 ２）公称理論式ＲＥＮＭＫＢａＣｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ
から成る１，２，３セラミック超伝導体であって、上記
式中、ＲＥが希土類金属種、ＮＭが貴金属、およびＫが
アルカリイオンであり、そして［Ｃｕ］に対する［ＲＥ
］＋［ＮＭ］＋［Ｂａ］＋［Ｋ］の比が約１．０である
ことを特徴とする１，２，３セラミック超伝導体。 ３）前記希土類金属種がＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｂ，
Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ，およびそ
れらの組合せおよびそれら間の組合せから成る群より選
択されることを特徴とする請求項１または２記載の１，
２，３セラミック超伝導体。 ４）公称理論式ＲＥＡｇ＿ｚＢａ＿２＿−＿ｚＣｕ＿３
Ｏ＿７＿−＿ｘから成る１，２，３超伝導体であって、
上記式中、ＲＥは希土類金属種、ｚは０より大きく１．
２までの数、およびｘは２．４までの数であり、そして
バリウム中の銀の溶解度が０．０３までの比に維持され
ることを特徴とする１，２，３セラミック超伝導体。 ５）超伝導性の容量％が０より大きく９０％までの範囲
であることを特徴とする請求項２記載の１，２，３セラ
ミック超伝導体。 ６）前記過剰貴金属が第２の非超伝導相内にあることを
特徴とする請求項１記載の１，２，３セラミック超伝導
体。 ７）前記過剰貴金属がスキャベンジャーであることを特
徴とする請求項１記載の１，２，３セラミック超伝導体
。 ８）前記貴金属が銀，金またはそれらの組合せであるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の１，２，３セラ
ミック超伝導体。 ９）前記アルカリイオンがカリウム，ルビジウムまたは
それらの組合せであることを特徴とする請求項１または
２記載の１，２，３セラミック超伝導体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US31532689A | 1989-02-24 | 1989-02-24 | |
| US315326 | 1989-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267154A true JPH02267154A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=23223895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2038163A Pending JPH02267154A (ja) | 1989-02-24 | 1990-02-19 | セラミック超伝導体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0384561A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02267154A (ja) |
| KR (1) | KR900013662A (ja) |
-
1990
- 1990-01-10 EP EP19900300280 patent/EP0384561A3/en not_active Withdrawn
- 1990-01-24 KR KR1019900000781A patent/KR900013662A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-02-19 JP JP2038163A patent/JPH02267154A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0384561A3 (en) | 1991-10-16 |
| KR900013662A (ko) | 1990-09-06 |
| EP0384561A2 (en) | 1990-08-29 |
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