JPH02265631A - 水素分離用合金膜 - Google Patents

水素分離用合金膜

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JPH02265631A
JPH02265631A JP8469389A JP8469389A JPH02265631A JP H02265631 A JPH02265631 A JP H02265631A JP 8469389 A JP8469389 A JP 8469389A JP 8469389 A JP8469389 A JP 8469389A JP H02265631 A JPH02265631 A JP H02265631A
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hydrogen
alloy
palladium
separation
vanadium
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JP8469389A
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Mutsumi Nishimura
睦 西村
Masao Komaki
古牧 政雄
Muneyuki Amano
天野 宗幸
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National Research Institute for Metals
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National Research Institute for Metals
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、高純度の水素を分離取得することのできる
水素分離用合金膜に関するものである。
(従来の技術とその課題) 近年、半導体産業、光ファイバー製造産業などの発展に
ともなって、その製造プロセスにおいて使用する高純度
水素の需要が高まっている。一般に、水素は天然ガス、
ナフサなどの化石燃料を原料として水蒸気改質法あるい
は部分酸化法などによって製造するか、あるいはその他
の石油精製プロセス、食塩電解等の副産物として、さら
には水電解によって製造されてきている。
しかしながら、これらの方法によって製造した水素ガス
中には、−酸化炭素、二酸化炭素、水蒸気および炭化水
素などの不純物が含有されているために、高純度な水素
を取得するためにはさらに水素を分離精製することが必
要になっている。
従来、このような水素の高純度化精製法としては、エタ
ノールアミン、苛性ソーダなどを用いる化学吸収法、水
、深冷メタノールなどを用いる物理吸収法、アルミナゲ
ル、モレキュラーシーブス、活性炭などを用いる吸着法
、液体窒素、液体空気などを用いる深冷分離法、ポリメ
チルシロキサン、ポリイミドなどを用いる高分子膜によ
る分離法、あるいはパラジウム合金膜を用いる拡散法な
どが知られている。しかしながら実際には、99.99
999%以上の高純度な水素を取得することのできる方
法としてはパラジウム合金膜を用いる拡散法しか実用化
されていないのが現状である。
このパラジウム合金膜としては、パラジウムに銀を20
〜30%添加した合金膜が代表的なものである。このよ
うにパラジウム合金膜による拡散法は、高純度水素を取
得する方法として現状において唯一の、かつ有用な方法
であるが、しかしながら解決すべき課題も残されている
のが実状である。すなわち、この合金は低温における水
素透過度が小さいため、水素の分離精製能率を上げるた
めには370℃以上の高温度で使用しなければならない
ということと、そのうえ極めて高価であるという問題が
ある。
この発明は、従来のパラジウム合金膜からなる水素分離
膜についての問題点を解消し、より低温域においても高
透過度で高純度の水素を分離することができ、しかも安
価で耐久性のある水素分離用合金膜を提供することを目
的としている。
(課題を解決するための手段) この発明は、前記課題を解決するものとして、モリブデ
ン10〜50原子%、残部バナジウムからなる合金膜の
表面にパラジウムまたはパラジウム合金を被覆してなる
ことを特徴とする水素分離用合金膜を提供する。
モリブデン10〜50原子%、残部バナジウムからなる
合金膜の表面にパラジウム、パラジウム合金を被覆する
手段としては、メツキ法、蒸着法、スパッタ法などの適
宜なものを採用することができる。また、この発明で使
用するパラジウム合金としては、パラジウム−銀合金(
銀20〜30原子%)、パラジウム−イツトリウム合金
(イツトリウム5〜10原子%)等が挙げられる。
もちろん、バナジウム−モリブデンからなる合金膜、さ
らにはパラジウムまたはパラジウム合金被覆膜について
は、不可避的な不純物元素を排除するものではない。
合金膜、被覆膜の膜厚についても、操作プロセス、コス
ト等を考慮して決めることができ、たとえば、V−Mo
liをIIm程度とした場合には、被覆層は1〜500
r+n程度とすることができる。
なお、水素分離用合金膜における水素透過度は合金中の
水素の拡散係数と水素の固溶度の積であられすことがで
き、バナジウムはパラジウムに比べて水素の拡散係数、
固溶度ともはるかに大きく、300℃以下におけるバナ
ジウムの水素透過度はパラジウムのそれに比べて一桁以
上も大きい、しかもその差は低温はど大きい、しかしな
がら、バナジウムは低い水素圧で多量の水素を吸収し、
また200℃以下では水素化物を形成し水素脆性を起し
易い。さら、に酸化し易く、その表面に水素透過の障害
となる安定な酸化膜を形成するので、そのままでは水素
分離膜として使用できない。
そこでこの発明は、バナジウムにモリブデンを10〜5
0原子%の範囲で添加して合金膜とすると、バナジウム
の水素透過度を大きく減することなく、水素脆性が改善
され、水素分離用合金膜として使用でき、さらには、こ
の合金膜の表面にパラジウムあるいはパラジウム合金を
被覆すると、耐酸化性となると共に、200℃以上で使
用するとバナジウムおよびモリブデンがパラジウム皮膜
に拡散し、これにより硬化し水素脆化を起し難しくなる
との知見に基づいて完成されている。
以上のことから明らかなように、この発明におけるバナ
ジウム合金のモリブデン量が10原子%未満では水素脆
性を改善できず、またモリブデン量が50原子%を超え
ると合金中の水素の固溶度が小さくなり、水素透過度が
小さくなる。しかも高融点の成分であるモリブデン量が
多くなるため溶製が困難となる。このようなことから、
この発明においては、モリブデンの量を10〜50原子
%の範囲とする。
次にこの発明の実施例を示す。
(実施例1〜3) アルゴン中のアーク溶融法によりV−10原子%Mo合
金(実施例1)、V−20原子%MO合金(実施例2)
およびv−30原子%Mo合金(実施例3)を溶製し、
熱間圧延により、厚さ約1閣の膜とした。これらの膜の
表面に電解メツキ法により厚さ10n11のパラジウム
被覆を行った。
この各々についての水素透過度の温度依存性を示したも
のが第1図である0図中の曲線1はV−10原子%MO
合金(実施例1)、曲線2はV−20、原子%Mo(実
施例2)、を、曲線3はV−30原子%MO合金(実施
例3)を示している。
なお、曲線4は比較のためのパラジウムのみからなる膜
の場合を示したものである。この結果が示すように、実
施例1〜3の水素分離用合金膜の水素透過度(曲&!1
〜3)は、パラジウム膜のみの場合(曲線4)よりも大
きいことが分る。
また、■−20原子%MO合金(実施例2)について3
00℃以上で、1気圧の水素圧下で水素透過試験を行っ
たが、亀裂は発生しなかった。
(実施例4〜5) アルゴン中のアーク溶解法によりv−10原子%Mo合
金(実施例4)およびV−20原子%Mo合金(実施例
5)を溶製し、その水素圧カー組成等温曲線を測定した
。その結果を示したものが第2図である0図中の4a、
4b曲線は、各々、300℃におけるV−10原子%M
O合金(実施例4)の吸収曲線と放出曲線を示し、また
、曲線5a、5bは、■−20原子%MO合金(実施例
5)の吸収曲線と放出曲線を示している。いずれの水素
圧カー組成等温曲線においても一定の水素圧で急激に水
素濃度が増大する、いわゆるプラトーが認められないこ
とから、試験温度−圧力範囲において水素化物が形成さ
れないことがわかる。
すなわち、この合金は水素脆性を起しにくいことがわか
る。また、両合金とも水素吸収・放出曲線において大き
な違いが認められない、ヒステリシスが小さいことから
、水素吸収、放出過程において塑性変形が殆んど起らず
、水素透過を繰返しても性能が劣化しないことを示して
いる。
(発明の効果) 以上詳しく説明したように、この発明の合金膜は、水素
透過度がパラジウムのみからなる膜よりもはるかに大き
いため、水素分離を高効率で行うことができ、200℃
のような低温においても大きな水素透過度を示すことか
ら、水素分離を省エネルギーで行うことを可能とする。
また、水素化物を形成しないので水素脆性が起らず、水
素の吸収・放出過程において塑性変形が起らないので耐
久性に優れている。
さらに、合金皮膜表面にパラジウムまたはパラジウム合
金膜が被覆されているので炭素、オイルミストなどの付
着による水素分離性能の劣化は、200〜300℃で空
気を導入するベーキング処理により簡単に回復すること
ができるため高能率操業が可能である。
さらに、バナジウムはパラジウムの約1710、モリブ
デンは約1/300の価格であるので、既存のパラジウ
ム合金膜に比較してはるかに安価でもある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の実施例と比較例との水素透過度と
温度の関係を示した相関図である。第2図は、この発明
のV −M o合金の300℃における水素圧力と組成
等混線を示した相関図である。 第1 図 温度  10C 忰許出願人   科学技術庁金属材料技術研究所属中用
龍− 1000/T /に−1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)モリブデン10〜50原子%、残部バナジウムか
    らなる合金膜表面に、パラジウムまたはパラジウム合金
    を被覆してなることを特徴とする水素分離用合金膜。
JP8469389A 1989-04-05 1989-04-05 水素分離用合金膜 Granted JPH02265631A (ja)

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JPH0579367B2 JPH0579367B2 (ja) 1993-11-02

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