JPH02264428A - マイクロ波式プラズマエッチング装置 - Google Patents

マイクロ波式プラズマエッチング装置

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Publication number
JPH02264428A
JPH02264428A JP8595889A JP8595889A JPH02264428A JP H02264428 A JPH02264428 A JP H02264428A JP 8595889 A JP8595889 A JP 8595889A JP 8595889 A JP8595889 A JP 8595889A JP H02264428 A JPH02264428 A JP H02264428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flanges
waveguide
plasma etching
band
flange
Prior art date
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Pending
Application number
JP8595889A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyoshi Kajitani
梶谷 憲美
Yoshiyuki Mishima
由幸 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP8595889A priority Critical patent/JPH02264428A/ja
Publication of JPH02264428A publication Critical patent/JPH02264428A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波によるガスプラズマを利用して半導
体ウェハのエツチングを行なうマイクロ波式プラズマエ
ツチング装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のマイクロ波式プラズマエツチング装置は、第4図
および第5図に示すように構成されていた。
第4図は従来のマイクロ波式プラズマエツチング装置を
示す正面図、第5図は第4図中V−V線断面図である。
これらの図において、1は半導体ウェハ(図示せず)が
装着される処理室で、この処理室l上にはペルジャー2
が取付はボルト2aニよって取付けられている。3は前
記処理室1内にマイクロ波を導くための円錐導波管で、
この円錐導波管3はその内方に前記ペルジャー2を挿入
させた状態で処理室l上に取付はポル)3aによって取
付けられている。4は後述するマイクロ波発振装置から
出力されたマイクロ波を前記円錐導波管3に導くための
Eコーナー導波管で、このEコーナー導波管4の一端部
は前記円錐導波管3に連結され、かつ他端部はスタブ駆
動部5を有する電動スタブ6および整合器7を介してマ
イクロ波発振装置8に連結されている。また、前記円錐
導波管3.Eコーナー導波管4.電動スタブ6および整
合器7等の各部材の連結部分には互いに密接される一対
の方形状フランジ9が設けられ、各フランジ9を対接さ
せた状態で締付はボルト10により締付けることによっ
て各部材が連結されている。この締付はボルト10は導
波管内の気密を保つために複数本(この例では10本)
取付けられている。
このように構成されたマイクロ波式プラズマエツチング
装置においては、マイクロ波発振装置8から出力された
マイクロ波は整合器7.電動スタブ6、Eコーナー導波
管4および円錐導波管3を介して処理室1内に送り込ま
れる。また、このマイクロ波式プラズマエツチング装置
は長期にわたって使用されると処理室1内およびペルジ
ャー2が汚損されるため、これらが定期的に清掃されて
いる。この清掃時には、先ず、円錐導波管3を取付はポ
ル)3aを緩めて処理室1から取外すと共に、Eコーナ
ー導波管4と電動スタブ6との連結部分の締付はボルト
10を緩めて電動スタブ6からEコーナー導波管4を外
し、このEコーナー導波管4と前記円錐導波管3とを互
いに連結された状態で装置から取り外す。そして、上述
したように円錐導波管ジが取り除かれて露出されたペル
ジャー2を取外し、処理室1内およびペルジャー2の清
掃が行われる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに、このように構成された従来のマイクロ波式プ
ラズマエツチング装置においては、保守点検時、特に処
理室1およびペルジャー2を清掃するためにEコーナー
導波管4と円錐導波管3とを取外す際には、その都度締
付はボルト10を取外さなければならない。この締付は
ボルト10の数が多いために連結部分の脱着が煩雑で、
しかも、清掃後に復旧する際にはEコーナー導波管4の
連結部分は位置合わせを行ないながらボルト締めしなけ
ればならないため、作業時間が多くかかり過ぎ゛るとい
う問題があった。また、Eコーナー導波管4の連結部分
はフランジ9どうしの位置によって位置決めされていた
ため、位置決め精度は低いものであり、連結部分が位置
ずれを起こし易かった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係るマイクロ波式プラズマエツチング装置は、
前記導波管の連結部に、互いに密接される一対の連結用
円形フランジを設け、このフランジは、外周部の非対接
面側に外径方向へ向かうにつれ漸次厚みが薄くなる傾斜
面が設けられ、かう位置決め部材と嵌合される位置決め
穴が対接部分に複数設けられ、両フランジを位置決め部
材を介装させて対接させた状態で、前記傾斜面に対接さ
れフランジを半径方向中央部側へ押圧する環状挾圧部材
によって緊縛されるものである。
〔作 用〕
導波管の連結部に設けられた一対のフランジを環状挾圧
部材で緊縛させることによって導波管が連結され、両フ
ランジは対接される際に位置決め部材によって位置決め
される。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図ないし第3図によって
詳細に説明する。
第1図は本発明に係るマイクロ波式プラズマエツチング
装置を示す正面図、第2図は第1図中■−■線断面図、
第3図は第2図中m−m線断面図である。これらの図に
おいて前記第4図で説明したものと同一もしくは同等部
材については同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明
は省略する。
第1図ないし第3図において、11および12はEコー
ナー導波管4を電動スタブ6に連結するためのフランジ
で、このフランジ11はEコーナー導波管4の連結端部
に一体に設けられており、フランジ12は電動スタブ6
の連結端部に一体に設けられている。この両フランジ1
1.12は、全体が円盤状に形成され、その外周部の非
対接面側角部には外径方向へ向かうにつれ漸次厚みが薄
くなる傾斜面13が形成されている。また、前記両フラ
ンジ11.12の対接面14は、両フランジ11.12
を対接させた際に互いに密接されるように平坦に形成さ
れている。
15は前記両フランジ11.12を互いに位置決めする
ための位置決めピンで、この位置決めピン15はEコー
ナー導波管4側のフランジ11に複数本立設されており
、フランジ連結時には、電動スタブ6側のフランジ12
に設けられた位置決め穴12a内に嵌合されるように構
成されている。16は前記両フランジ11.12を緊縛
するための環状挾圧部材としてのV型バンドで、このV
型バンド16は全体が略々C字状に形成されており、両
フランジ11.12の傾斜面13に対接される押圧面が
形成された押圧片16aと、この押圧片16aを支持す
る支持体16bと、ハンドル16cを有しかつ平面視略
々C字状に形成された前記押圧片16aおよび支持体1
6bの両端部を引っ張る締付は部材16dとからなり、
前記ハンドル16cを第3図中矢印に示すように揺動さ
せることによって、内径を狭めたり、拡げたりすること
ができるように構成されている。すなわち、両フランジ
11.12を対接させた状態で、前記押圧片16aの押
圧面を両フランジ11.12の傾斜面13に対接させて
このV型バンド16を前記両フランジ11゜12の外周
部に取付け、締付は部材16dのハンドル16cを第3
図中矢印向へ揺動させると、押圧片16aおよび支持体
16bが周方向へ引っ張られて内径が狭められ、この■
型バンド16によって両フランジ11.12が半径方向
へ押圧されることになる。この際、押圧片16aは傾斜
面13に沿って摺動され、この押圧片16aにより両フ
ランジ11.12が互いに近接する方向へ押圧されるこ
とになる。なお、前記V型バンド16を取外すには、ハ
ンドル16cを第3図中B方向へ揺動させることによっ
て行われる。
このように構成されたマイクロ波式プラズマエツチング
装置おいては、保守点検時にEコーナー導波管4を電動
スタブ6から取外すには、■型バンド16のハンドル1
6cを第3図中B方向へ揺動させてV型バンド16を緩
め、両フランジ11.12を引き離して行われる。また
、Eコーナー導波管4を電動スタブ6に連結するには、
フランジ11の位置決めピン15をフランジ12の位置
決め穴12a内に嵌合させた状態で両フランジ11.1
2を対接させ、この状態でV型バンド16を両フランジ
11.12の外周部に取付ける。そして、V型バンド1
6のハンドル16cを第3図中矢印へ揺動させて両フラ
ンジ11゜12を緊縛させることによって行われる。
したがって、Eコーナー導波管4の脱着を■型バンド1
6を使用して行なうことができ、両フランジ11.12
の位置決めも位置決めピン15をフランジ12の位置決
め穴12a内に嵌合することによって行なうことができ
るため、Eコーナー導波管4の脱着作業が簡略化される
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係るマイクロ波式プラズマ
エツチング装置は、導波管の連結部に、互いに密接され
る一対の連結用円形フランジを設け、このフランジは、
外周部の非対接面側に外径方向へ向かうにつれ漸次厚み
が薄くなる傾斜面が設けられ、かつ位置決め部材と嵌合
される位置決め穴が対接部分に複数設けられ、両フラン
ジを位置決め部材を介装させて対接させた状態で、前記
傾斜面に対接されフランジを半径方向中央部側へ押圧す
る環状挾圧部材によって緊縛されるため、両フランジを
環状挾圧部材で緊縛させることによって導波管が連結さ
れ、その連結部分の位置決めは両フランジが対接される
際に位置決め部材によって行われる。したがって、導波
管の脱着を環状挾圧部材を使用して行なうことができる
から脱着作業が簡略化され、しかも、導波管の連結部分
の位置決めも位置決め部材によって確実かつ容易に行な
うことができるから、作業時間を短縮することができる
と共に、位置決め精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るマイクロ波式プラズマエツチング
装置を示す正面図、第2図は第1図中■−n線断面図、
第3図は第2図中m−m線断面図、第4図は従来のマイ
クロ波式プラズマエツチング装置を示す正面図、第5図
は第4図中V−V線断面図である。 1・・・・処理室、3・・・・円錐導波管、4・00.
Eコーナー導波管、6・・・・電動スタブ、11.12
・・・・フランジ、12a・・・・位置決め穴、13・
・・・傾斜面、15:・・・位置決めピン、16・・・
・V型バンド、16a・・・・押圧片。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハが装着される処理室とマイクロ波発振装置
    とを接続する導波管が着脱自在に設けられたマイクロ波
    式プラズマエッチング装置おいて、前記導波管の連結部
    に、互いに密接される一対の連結用円形フランジを設け
    、このフランジは、外周部の非対接面側に外径方向へ向
    かうにつれ漸次厚みが薄くなる傾斜面が設けられ、かつ
    位置決め部材と嵌合される位置決め穴が対接部分に複数
    設けられ、両フランジを位置決め部材を介装させて対接
    させた状態で、前記傾斜面に対接されフランジを半径方
    向中央部側へ押圧する環状挾圧部材によって緊縛される
    ことを特徴とするマイクロ波式プラズマエッチング装置
JP8595889A 1989-04-05 1989-04-05 マイクロ波式プラズマエッチング装置 Pending JPH02264428A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8595889A JPH02264428A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 マイクロ波式プラズマエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8595889A JPH02264428A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 マイクロ波式プラズマエッチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02264428A true JPH02264428A (ja) 1990-10-29

Family

ID=13873256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8595889A Pending JPH02264428A (ja) 1989-04-05 1989-04-05 マイクロ波式プラズマエッチング装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH02264428A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017520015A (ja) * 2014-05-07 2017-07-20 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲット処理マシン用囲い

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017520015A (ja) * 2014-05-07 2017-07-20 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲット処理マシン用囲い

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