KR960008666Y1 - 공정챔버의 실링장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

공정챔버의 실링장치

제1도는 본 고안에 따른 공정챔버 실링장치의 개념도.

제2도는 제1도의 실링장치의 부분 상세도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 도아 2 : 지지 플랜지

3 : 내측 플랜지 4 : 챔버 플랜지

5 : 너트 6,11 : 볼트

7 : 챔버, 8,9,10 : 0링

본 고안은 반도체 소자를 제조하는 공정챔버로 도아를 사용하여 대기와 차단 시키는 공정챔버의 실링장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정에서 사용되는 반도체 장비는 웨이퍼가 들어가 가공될 수 있도록 석영으로 만들어진 긴 공정챔버를 가지고 있어 이 공정챔버서 중착 및 식각등의 공저잉 이루어지게 된다.

상기 웨이퍼를 가공하게 되는 공정챔버는 웨이퍼에 오염물의 발생을 최소화하기 위하여 챔버내를 고진공으로 유지하며, 공정이 진행되는 동안 게속하여 챔버내를 대기와 차단시키게 된다.

도아의 운동을 관장하는 도아 어셈블리(assembly)와 공정챔버를 지지하는 어셉블 리가 다를 경우 도아의 중심선과 챔버의 중심선은 공정챔버를 도아로 닫을 때 일치시켜야 한다.

그리고, 도아와 공정챔버는 완전한 대기 차단을 위하여 동일 축선 상에서 실링을 하게 된다.

그러나, 도아 어셈블리와 챔버 어셈블리를 각각 다로 구성한 후 조립과정에서 두 어셈블리의 중심선을 일치시키기란 지극히 어렵다. 뿐만 아니라 챔버 자체가 석영이어서 파괴의 위험도 다분하다.

게다가 석영 챔버의 치수 및 형성 정확도는 가공의 한계로 부정확하여 편심하중으로 인한 파괴도 우려된다.

따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 고안은 공정챔버와 대기를 효과적으로 차단하고, 플랜지의 정확한 센터라인을 맏추어 공정챔버에 무리한 힘이 가해지는 것을 방지하여 장치의 수명을 연장할 수 있는 공정챔버의 실링장치를 제공 하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 반도체 소자를 제조하는 공정챔버, 상기 공정챔버를 대기와 차단하기 위하여 형성된 챔버 도아, 상기 공정챔버와 도아를 실링하기 위한 공정챔버의 실링장치에 있어서, 상기 도아에 의해 밀페되어지는 상기 공정챔버의 가장자리와의 일직선상에서 상기 챔버 둘레를 둘러쌓으면서 형성되되 제1 0링으로 챔버벽을 밀봉하는 챔버 플랜지 ; 상기 침버 플랜지와 일체로 연결되어 형성되며, 도아 및 수직면의 챔버벽이 접촉하는 부위에 제2, 제2 0링을 갖되 도아의 밀착으로 인하여 상기 챔버 플랜지의 0링에 힘을 가해도록 형성된 내측 플랜지; 및 상기 내측 플랜지의 외부를 감싸도록 형성되되 상기 챔버 플랜지와의 연결부위에 갭(gap)을 갖고 연결되어 상기 챔버 플랜지와의 연결부위를 조절할 수 있도록 구성된지지 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 한다.

]이하, 첨부된 도면 제1도 및 제2도를 참조하여 본 고안에 따른 이실시예를 상세히 살펴보면, 도면에서 1은도아, 2는 지지플랜지, 3은 내측 플랜지, 4는 챔버 플랜지, 5는 너트, 6,11은 볼트, 7은 챔버, 8,9,10은 0링, 12는 갭을 각각 나타낸다.

먼저, 제1도를 살펴보면, 공정챔버(7)와 도아(1)를 실링 하기 위하여 두 개의 플랜지(3,4)와 지지 플랜지(2)를 구성하여 도아(1)로 밀폐되어 챔버(7)내를 대기와 차단하게 된다. 그리고 이때 상기 플랜지(2,3,4), 공정챔버(7), 도아(1)의 각각의 접촉부위에는 0링(8,9,10)을 형성하여 밀봉을 하게 된다.

이어서, 상기 제1도에 도시된 밀폐장치의 부분 상세도인 제2도를 통하여 필수 구성 요소와 이들의 연결 상태를 상세히 살펴본다.

반도체 소자를 제조하는 공정챔버(7)를 대기와 차단하여 오염물질의 챔버낸부로의 유입을 방지하기 위하여 상기 챔버 도아(1)와 상기 공정챔버(7)와의 실링장치를 필요로 한다.

도아(1)르 챔버(7)와 실링하기 위하여, 상기 도아(1)에 의해 밀폐되어지는 공정챔버(7)의 일직선상에서 가장자리 둘레를 둘러쌓는 챔버 플랜지(4)르 형성하고 챔버(7)와 상기 챔버 플랜지(4)와의 접촉면에는 0링(9)을 형성한다.

그리고, 수직한 챔버(7)벽에 접하는 0링(10) 및 도아(1)와 접하는 부위에 0링(8)을 갖고 상기 챔버 플랜지(4)와 일체로 연결되어 형성되는 내측 플랜지(3)를 형성하는데, 도아(1)의 밀착으로 인하여 상기 챔버 플랜지(4)의 0링(9)에 힘을 가해도록 형성한다.

또한, 상기 내측 플랜지(3)는 도아(1)와 접하는 부위에서 0링(9)을 형성하여 대개와 차단을 이루게 된다.

더욱이, 상기 플랜지(3,4)를 지지하는 지지 플랜지(2)를 형성하여 이들 실링장치의 어셈블리를 지지하도록 한다.

이렇게 형성된 지지 플랜지(2)는 상기 플랜지(4)와 연결되어 지지하도록 구성되는데, 상기 플랜지(3)의 센터라인을 정확히 맞추기 위해서는 챔버 플랜지(4)와 지지 플랜지(2)의 연결부위에 약간의 갭(gap)(9)을 두고 볼트(6)와 너트(12)로 연결한다.

석영으로 이루어진 챔버(7)는 석영물질의 특성상 정확한 가공을 이루는데 있어서, 한계점을 가지고 있기 때문에 상기 갭(12)을 두어 이 갭(12)을 통하여 상기 지지 플랜지(2)의 정확한 센터라인을 맞추게 된다.

따라서 상기 지지 플랜지(2)에 형성된 정확한 센터라인은 이 지지 플랜지(2)의 원형 공간 사이에 위치하게 되는 플랜지(3)의 정확한 센터라인에서의 위치를 갖도록 안내하는 역할도 동시에 수행하게 된다.

상기와 같이 이루어지는 본 고안은 플랜지의 정확한 센터라인을 맞추어 도아에 힘을 가함으로써 석영챔버의 일부분에 무리한 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼 가공이 이루어지는 챔버내부와 대기와의 완전한 실링을 이우어 반도체 소자의 제조공정상의 신리도를 증진 시킬 수 잇는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반도데 소자를 제조 하는 공정챔버(7), 상기 공정챔버(7)를 대기와 차단하기 위하여 형성된 침버 도아(1), 상기 공정챔버(7)와 도아(1)를 실링하기 위한 공정챔버의 실링장치에 있어서, 상기 도아(1)에 의해 밀폐되어지는 상기 공정챔버(7)의 가장자리와의 일직선상에서 상기 챔버(7) 둘레를 둘러쌓으면서 형성되되 제1 0링(9)으로 챔버(7)벽을 밀봉하는 챔버 플랜지(4); 상기 챔버 플랜지(4)와 일체로 연결되어 형성되며, 도아(1) 및 수직면의 챔버(7)벽이 접촉하느 부위에 제2,제3 0링(8,10)을 갖되 도아(1)의 밀착으로 인하여 상기 챔버 플랜지(4)의 0링(9)에 힘을 가해도록 형성된 내측 플랜지(3) ; 및 상기 내측 플랜지(3)의 외부를 감싸도록 형성되되 상기 챔버 플랜지(4)와의 연결부위에 갭(gap)(12)을 갖고 연결되어 상기 챔버 플랜지(4)의 연결부위를 조절할 수 있도록 구성된 지지 플랜지(2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버의 실링장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 갭(12)을 두고 연결되는 지지 플랜지(2)와 챔버 플랜지(4)와의 연결 장치는 볼트(6)와 너트(12)인 것을 특징으로 하는 공정챔버의 실링장치.