JPH02257777A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

Info

Publication number
JPH02257777A
JPH02257777A JP1292532A JP29253289A JPH02257777A JP H02257777 A JPH02257777 A JP H02257777A JP 1292532 A JP1292532 A JP 1292532A JP 29253289 A JP29253289 A JP 29253289A JP H02257777 A JPH02257777 A JP H02257777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
signal
voltage
level
detection circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1292532A
Other languages
English (en)
Inventor
Oh-Yeon Park
朴 五 然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electron Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electron Devices Co Ltd filed Critical Samsung Electron Devices Co Ltd
Publication of JPH02257777A publication Critical patent/JPH02257777A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/75Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing optical camera components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、撮像装置、特に固体撮像素子を利用した撮
像装置に関する。
〔従来の技術〕
携帯用ビデオカメラや電子式スチールカメラ又は画像入
力装置の撮像素子に使用されている固体撮像素子は従来
の撮像管に比べて小さく、軽いため、これを利用した機
器の小型軽量化が可能であるので、漸次その応用範囲が
拡大している。
このような固体↑造像素子の一つとして、電荷結合デバ
イス(Charge Coupled Device;
  以下CCDと略称する)の光電変換機能と信号電荷
蓄積及び信号電荷伝送機能を利用したCCD型固体撮像
素子が広く使用さているが、その概略的な構成を第1図
に示した。
この撮像素子(1)は、いわゆるインクライン(1nl
terline)方式のCCD型固体撮像素子であるが
、基板(1)上に半導体集積技術でそれぞれ形成された
、入射光(2)を信号電荷に変換させる光電変換素子(
11)と、この信号電荷を垂直伝送部(13)に伝送さ
せる伝送ゲー1−(1,2)と、図示されていない水平
伝送部に信号電荷を伝送させる垂直伝送部(13)を備
えている。
一方、入射光(2)が桁外れに大きい場合、光電変化素
子(11)から蓄積された信号電荷が隣接チャネル垂直
伝送部(13)に流れ、溢れ出て発生する、いわゆるブ
ルーミング(blooming)現象を防止するために
、各チャネル間にはオーバーフロートドレイン(14)
が形成されており、基板(10)は深いウェル領域(1
0b)と浅いウェル領域(10a)から形成されている
が、浅いウェル領域(10a)はチャネルスト−パーの
役割をするようになり、スミアリング(smearin
g)現象を防止するようになる。未説明符号(15)は
伝送電極、また符号(16)はドレイン電極である。
ここで、光電変換素子(11)と、浅いウェル領域(1
0a)及びその下部の基板(10)は一種のMO3I−
ランジスタを形成するようになるが、入射光が桁外れに
強い場合には、パンチトルー (punch−thro
ugh)現象を発生させる過度な電流をバイパスさせる
ことにより、ブルーミング現象を抑制する役割をするよ
うになる。ところが、このような従来の技術の撮像素子
では基板(10)に印加される基板電圧(vb)が特定
の電圧で固定されているため、広い範囲の入射光に対し
てブルーミングを抑制するのが不可能となる問題があっ
た。
このため、従来の方法では別な絞る器具を利用して調節
された光量の入射光を撮像素子に供給する方式が主に使
用されたが、上に述べた撮像素子(1)を利用した従来
の撮像装置、特にビデオカメラの一例を第2図に示す。
このカメラは、入射光(2)をフォーカシング及び分光
させるレンズ、及びプリズム又は鏡、フィルター等から
構成される光学系(3)と、この光学系(3)によって
制御された光を受光してこれを電子的な出力信号に変換
し、図示されていない撮像回路に印加させる撮像素子−
例えば、第1図に図示されたのと同じCCD型固体撮像
素子(1)−と、図示されていないが、この撮像素子(
1)を所定の周期で駆動させるための駆動パルス発生回
路とを備えて構成される。
ここで、CCD等の固体撮像素子は入射光の光量に敏怒
であるので、光量が不足している場合には、感度、即ち
結局のところ解像度が不充分であり、光量が過多な場合
には、前述のブルーミング(blooming)現象等
が発生し、画質を劣化させるようになるので、撮像素子
に入射する入射光の光量を適切に調節する必要があるこ
とは、前述の通りである。
従って、従来の撮像装置は第2図に示したように撮像素
子(1)から印加される出力信号の一部を信号レベル検
出器(4)が受は取り、そのレベルを検出し、絞り調節
(autoiris)回路(6)はこの出力信号の平均
レベルが常に一定になるようにモータ又はソレノイド等
から成る絞り駆動部(7)を制御し、この絞り駆動部(
7)が絞り器具(8)を駆動させることにより撮像素子
(1)に入射される入射光の光量を調節するように構成
された。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような従来の撮像装置の光量調節手段は、機械式の
絞り調節器具を使用するように構成されたので、その構
成が複雑であり、製造コストが高く、小型軽量化が難し
い問題点があった。また、被写体が速い速度で移動する
場合に、その応答速度が遅い問題点があるが、特にその
被写体の光度が非常に高いか、低い場合には、その識別
が殆ど不可能であった。
また、この機械式の光量調節手段はその消費電力が大き
いので、通常電池を電源とする携帯用ビデオカメラや電
子式スチールカメラの動作可能時間を制限させる一つの
原因となった。
このような従来の撮像装置の問題点に鑑み、この発明の
目的は構造が大変簡単で、応答速度が早く、消費電力が
大変小さい光量調節手段を備えた撮像装置を提供するこ
とにある。
〔課題を解決するための手段] 上記の課題は、この発明により、入射光を光学的に制御
する光学系と、この光学系を通じて入射された光を信号
電荷に変換させて出力する撮像素子と、この撮像素子の
出力信号のレベルを検出する信号レベル検出回路を備え
た撮像装置であって、上記信号レベル検出回路から検出
された撮像素子の出力信号のレベルに応じてこれに対応
する基板電圧を上記撮像素子に供給する電圧変換制御回
路が更に備えて構成される損保装置によって解決されて
いる。
〔実施例〕
以下、この発明により構成された撮像装置の好まし一実
施例を示す添付図を参照して、この発明の詳細な説明す
る。
第3図に示したこの発明によって構成された撮像装置は
、例えばビデオカメラであって、入射光(2)を撮像素
子(1)に対してフォーカシングし、必要によりフィル
タリング及び分光させる光学系(3)と、この光学系(
3)により制御された光を受けて信号電荷に変化させ、
この出力信号を図示していない撮像回路に印加させる撮
像素子(1)と、↑石像素子(1)の出力信号の一部の
印加を受けてこのレベルを検出して、これに該当する電
圧を出力する信号レベル検出回路(4)と、この信号レ
ベル検出回路(4)から供給された電圧レベルに応じて
、これに対応する電圧を出力して撮像素子(1)の基板
(10)に印加される基板電圧(vb)を制御する電圧
変換制御回路(5)を備えて構成される。
ここで、光学系(3)はフォーカシング用のレンズ群と
分光用のプリズム又は鏡やフィルタリング用のフィルタ
ー等を適切に結合させて構成するのが好ましい。
撮像素子(1)は固体撮像素子であって、例えば第1図
を参照して説明したような、通常のCCD型固体撮像素
子であるのが好ましく、図示されているものはインター
ライン(interline)型やフレーム型等どんな
形式のものであっても、この発明の構成には差し支えな
い。
第3図に図示されていないが、この撮像素子(1)に配
列された伝送電極(15)とドレイン電極(16)に伝
送パルスとドレインパルス等を印加させる駆動パルス発
生回路及びその周辺回路が備えられるのが好ましい。
信号レベル検出回路(4)は、撮像素子(1)の出力信
号の一部の印加を受けて、これを増幅及び必要により変
換させ、そのレベルに対応する直流電圧を出力させる形
式のものであり、電圧変換制御回路(5)はこの信号レ
ベル検出信号(4)の出力電圧に応じて撮像素子(1)
の基板(10)に適切な基板電圧(vb)を供給するも
のであって、例えば増幅器等のような回路である。
このような構成を有するこの発明によって形成された撮
像装置の動作を詳細に説明する。
先ず、第3図において、 入射光(2)は、光学系(2)によって制御され、撮像
素子(1)に入射し、撮像素子(1)から信号電荷に変
換され図示していない撮像回路と信号レベル検出回路(
4)に出力される。信号レベル検出回路(4)は撮像素
子(1)の出力信号を適切に増幅及び/又は必要により
変換させて、そのレベルに対応する直流電圧を電圧変換
制御a回路(5)に印加させる。電圧変換制御回路(5
)は信号レベル検出回路(4)から印加された入力電圧
に応じて、これに対応する電圧を撮像素子(1)の基板
に基板電圧(vb)で供給するようになる。
これを第1図を参照して更に詳しく説明すれば、光電変
換素子(11)は浅いウェル領域(10a)と、その下
部の基板(10)はMOS)ランジスタとして機能する
が、基板電圧(vb)は浅いウェル領域(10a)と基
板(10)間にバイアスされたバイアス電圧の役割をす
るようになる。
従って、撮像素子(1)の信号電荷出力レベルに応じて
この基板電圧(vb)を変化させるということは、上に
述べたMOS)ランジスタからパンチトルー(punc
h−through)現象が発生する臨界レベル(th
reshold 1evel)を変化させるようになる
のである。
例えば、撮像素子(1)に入力される入射光量が多い場
合には、その出力レベル及び信号レベル検出回路(4)
の出力レベルが高いレベルになるであろうし、これによ
って電圧変換制御回路(5)は高いレベルの基板電圧(
vb)を供給することにより、上に述べたMOS)ラン
ジスタにパンチトルーが発生する臨界レベルを低くする
ようにする。これに従って、パンチトルー電流が増加し
て光電変換素子(11)から伝送ゲート(12)を通じ
て伝送される信号電荷の量が減少する。
反対に、入射した光量が少ない場合には、上に述べた作
動と逆に作動することにより、パンチトルー電流が減少
し、伝送される信号電荷の量が増加する。
このような作動によって伝送される信号電荷は、常に一
定レベルを維持するようになり、これに従って別途の光
量調節手段が不必要になる。
このように、この発明により構成された撮像装置は、別
途の機械的絞り調節器具を使用しないので、その構造が
簡単で製作が容易であり、小型軽量化が可能で、応答速
度が速いので、認識度も優れており、消費電力も従来の
ものに比べて無視することができる程の小さい種々の利
点があるので、特に携帯用ビデオ装置として適切な撮像
装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、撮像素子、特にインターライン型CCD撮像素
子の構成を示す概略横断面図。 第2図、従来の撮像装置の構成を示すブロック図。 第3図、この発明による撮像装置の構成を示すブロック
図。 図中参照符号: 1・・・撮像素子、 2・・・入射光、 3・・・光学系、 4・・・信号レベル検出回路、 5・・・電圧変換制御回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、入射光を光学的に制御する光学系と、この光学系を
    通じて入射された光を信号電荷に変化させ、出力する撮
    像素子と、この撮像素子の出力信号のレベルを検出する
    信号レベル検出回路を備える撮像装置において、 上記信号レベル検出回路で検出された撮像素子の出力信
    号のレベルに応じて、これに対応する基板電圧を上記撮
    像素子に供給する電圧変換制御回路が更に備えて構成さ
    れることを特徴とする撮像装置。
JP1292532A 1988-11-17 1989-11-13 撮像装置 Pending JPH02257777A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880015136A KR920000579B1 (ko) 1988-11-17 1988-11-17 고체촬상장치
KR88-15136 1988-11-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02257777A true JPH02257777A (ja) 1990-10-18

Family

ID=19279345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1292532A Pending JPH02257777A (ja) 1988-11-17 1989-11-13 撮像装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH02257777A (ja)
KR (1) KR920000579B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450365B1 (ko) * 2001-08-01 2004-09-30 산요덴키가부시키가이샤 화상 신호 처리 장치
KR100455870B1 (ko) * 2001-07-27 2004-11-06 산요덴키가부시키가이샤 촬상 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102302195B1 (ko) * 2019-11-15 2021-09-13 강원대학교산학협력단 플렉서블 이온 센서 및 이의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6062281A (ja) * 1983-09-14 1985-04-10 Sony Corp 固体撮像装置
JPS62224963A (ja) * 1986-03-27 1987-10-02 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6062281A (ja) * 1983-09-14 1985-04-10 Sony Corp 固体撮像装置
JPS62224963A (ja) * 1986-03-27 1987-10-02 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455870B1 (ko) * 2001-07-27 2004-11-06 산요덴키가부시키가이샤 촬상 장치
KR100450365B1 (ko) * 2001-08-01 2004-09-30 산요덴키가부시키가이샤 화상 신호 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR920000579B1 (ko) 1992-01-16
KR900008847A (ko) 1990-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7394492B2 (en) Solid state image pickup device, method of driving solid state image pickup device, and camera using the solid state image pickup device
US9064983B2 (en) Solid-state imaging device and electronic equipment
US7692713B2 (en) Solid state image pickup device and camera utilizing a maximum value signal corresponding to a predetermined carrier-accumulation end level
US7466003B2 (en) Solid state image pickup device, camera, and driving method of solid state image pickup device
JP5247007B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
US7381936B2 (en) Self-calibrating anti-blooming circuit for CMOS image sensor having a spillover protection performance in response to a spillover condition
US7205523B2 (en) Solid state image pickup device, method of manufacturing the same, and camera
US8462252B2 (en) Solid state imaging device, driving method for solid state imaging device, imaging apparatus, and image input apparatus
US20080122962A1 (en) Image sensors with output noise reduction mechanisms
JPH0399589A (ja) 固体カメラ
US9749566B2 (en) Imaging device and electronic device
US4866292A (en) Solid-state imaging system with an electronic auto-stop (iris) responsive to an output potential of imaging signal
US6486460B1 (en) Solid-state image sensing device and method of driving the same
JPH06189204A (ja) 固体撮像装置
JPH02257777A (ja) 撮像装置
JP5627728B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
US4975778A (en) Image pick-up apparatus including voltage controlled automatic iris control
JPH01103378A (ja) 固体撮像素子の露出制御回路
US8098315B2 (en) Solid state imaging apparatus, solid state imaging device driving method and camera
JPH11150256A (ja) 光電変換素子及び光電変換装置
JP2884195B2 (ja) 固体撮像装置
JPH04262678A (ja) 固体撮像装置
JPS6293975A (ja) 撮像装置
JPH0322768A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH0115225B2 (ja)