JPH02257100A - ヨハンソン型湾曲結晶の製作方法 - Google Patents
ヨハンソン型湾曲結晶の製作方法Info
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- JPH02257100A JPH02257100A JP1079474A JP7947489A JPH02257100A JP H02257100 A JPH02257100 A JP H02257100A JP 1079474 A JP1079474 A JP 1079474A JP 7947489 A JP7947489 A JP 7947489A JP H02257100 A JPH02257100 A JP H02257100A
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- crystals
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線リソグラフィーの分野でX線集光素子とし
て利用されるヨハンソン型湾曲結晶の製作方法に関する
。
て利用されるヨハンソン型湾曲結晶の製作方法に関する
。
X線分光用素子として長年用いられてきたヨハンソン型
湾曲結晶はX線リソグラフィーの分野でX線集光素子と
しての利用が考えられている(特開昭62−23002
1号公報参照)。
湾曲結晶はX線リソグラフィーの分野でX線集光素子と
しての利用が考えられている(特開昭62−23002
1号公報参照)。
ヨハンソン型湾曲結晶は、半径2R(Rはローランド円
の半径)の円筒状の結晶を半径Rの円筒面に湾曲させた
ものである。分光用結晶としては反射面が円筒面であっ
ても使用できるが1点光源から出たX線を1点に集光さ
せるためには9反射面はRの半径とは垂直な方向に、さ
らに2 R51n’θB(θBは使用波長におけるこの
結晶のブラッグ角)の半径を持つたる型曲面でなければ
ならない。
の半径)の円筒状の結晶を半径Rの円筒面に湾曲させた
ものである。分光用結晶としては反射面が円筒面であっ
ても使用できるが1点光源から出たX線を1点に集光さ
せるためには9反射面はRの半径とは垂直な方向に、さ
らに2 R51n’θB(θBは使用波長におけるこの
結晶のブラッグ角)の半径を持つたる型曲面でなければ
ならない。
従来のヨハンソン型湾曲結晶の製作手順の1例を第2図
に示す。まず、結晶CをヤトイAに張p付け、X線回折
装置で結晶面の傾きを調べながら表面と平行になるよう
に研磨する(a)。結晶clヤトイAからはずし、結晶
面の平行の出ている面(基準面)を別のヤトイBに張り
付ける(b)。結晶Cの表面が半径2Rの凸型円筒面に
なるように研磨する(C)。結晶CをヤトイBからはず
し9円筒表面を持ったヤトイDに張り付け、裏面も半径
2Rの凹型円筒面になるように研磨する(d)。さらに
後で湾曲させるときの便宜のため縦のみあるいは縦横の
いずれかの方向に表面に溝を入れる(−)。結晶Cをヤ
トイDからはずし、半径Rの円筒面あるいはたる型曲面
を持った張υ付は台Eの上に置き、押え板Fで押えつけ
湾曲させて接着する(f)。(g)はこのようにして製
作されたヨハンソン型湾曲結晶を示す。
に示す。まず、結晶CをヤトイAに張p付け、X線回折
装置で結晶面の傾きを調べながら表面と平行になるよう
に研磨する(a)。結晶clヤトイAからはずし、結晶
面の平行の出ている面(基準面)を別のヤトイBに張り
付ける(b)。結晶Cの表面が半径2Rの凸型円筒面に
なるように研磨する(C)。結晶CをヤトイBからはず
し9円筒表面を持ったヤトイDに張り付け、裏面も半径
2Rの凹型円筒面になるように研磨する(d)。さらに
後で湾曲させるときの便宜のため縦のみあるいは縦横の
いずれかの方向に表面に溝を入れる(−)。結晶Cをヤ
トイDからはずし、半径Rの円筒面あるいはたる型曲面
を持った張υ付は台Eの上に置き、押え板Fで押えつけ
湾曲させて接着する(f)。(g)はこのようにして製
作されたヨハンソン型湾曲結晶を示す。
従来のヨハンソン型湾曲結晶の製作工程において1円筒
板状に結晶を研磨加工する工程C65までは比較的容易
に進む。しかし1曲げ加工時(f)に結晶に割れが生じ
ることが多かった。結晶が小さいときや1曲げ半径が大
きい場合には表面に溝を切らなぐても割れずに曲げるこ
とができるが、大きい結晶や曲げ半径が小さい場合には
、湾曲させたとき表面に割れが生じる。この湾曲時の割
れは一次元的な円筒状の曲げのときよりも二次元的なた
る型の曲げのときによυ顕著となる。このような湾曲時
の割れを防ぐため9円筒状に曲げるときには縦のみの溝
・たる型に曲げるときには縦横の溝をあらかじめ結晶表
面に入れるが(0)、湾曲させる材料そのものが結晶自
身であるため、特にかたくてもろい結晶を曲げなければ
ならないとき、湾曲する底の部分で割れが生じることは
避けられなかった。
板状に結晶を研磨加工する工程C65までは比較的容易
に進む。しかし1曲げ加工時(f)に結晶に割れが生じ
ることが多かった。結晶が小さいときや1曲げ半径が大
きい場合には表面に溝を切らなぐても割れずに曲げるこ
とができるが、大きい結晶や曲げ半径が小さい場合には
、湾曲させたとき表面に割れが生じる。この湾曲時の割
れは一次元的な円筒状の曲げのときよりも二次元的なた
る型の曲げのときによυ顕著となる。このような湾曲時
の割れを防ぐため9円筒状に曲げるときには縦のみの溝
・たる型に曲げるときには縦横の溝をあらかじめ結晶表
面に入れるが(0)、湾曲させる材料そのものが結晶自
身であるため、特にかたくてもろい結晶を曲げなければ
ならないとき、湾曲する底の部分で割れが生じることは
避けられなかった。
本発明は・ヨハンソン型湾曲結晶のうち、特にX線集光
素子として用いられるたる型湾曲面を持った湾曲結晶の
曲げ加工時に割れを起こさない加工方法を提供すること
を目的さする。
素子として用いられるたる型湾曲面を持った湾曲結晶の
曲げ加工時に割れを起こさない加工方法を提供すること
を目的さする。
上記目的を達成するために1本発明の加工方法において
は1曲げ加工時に使う円筒板結晶として・結晶よυも高
弾性の材料でできた円筒薄板に縦横に入れた溝で完全に
分断された円筒板結晶を張り付けた一体品、あるいは弾
性円筒薄板に円筒板結晶を張り付けた上で結晶が完全に
分断される深さまで縦横に溝を切った一体品を使う。
は1曲げ加工時に使う円筒板結晶として・結晶よυも高
弾性の材料でできた円筒薄板に縦横に入れた溝で完全に
分断された円筒板結晶を張り付けた一体品、あるいは弾
性円筒薄板に円筒板結晶を張り付けた上で結晶が完全に
分断される深さまで縦横に溝を切った一体品を使う。
上記の加工方法によれば、X線反射素子の結晶と実際に
湾曲する部分の基材が全く別物なので。
湾曲する部分の基材が全く別物なので。
高弾性の基材を選ぶことにより、たる型曲面でも割れず
に湾曲させることができる。
に湾曲させることができる。
本発明によるヨハンソン型湾曲結晶の!lI!作方法の
一実施例を第1図全参照して説明する。
一実施例を第1図全参照して説明する。
(a) (b)は従来例(第2図)と同じ結晶面の面出
しのための表面研磨の工程である。次例1面の出た結晶
に縦横に溝を入れる(C)。さらに、半径2Rの凸型円
筒面に研磨する(d)。結晶とは別に凹型円筒ヤトイD
の表面にアルミ、ステンレス等の結晶より高弾性の金属
製の円筒薄板G(1次基板)′に張り付けたものを用い
(e)、結晶Ci1次基板基板張り付けた後・ヤl〜イ
Bをはずし、さらに結晶Cの表面を半径2Rの凹型円筒
面忙研磨する(f)。1次基板Gと結晶Cの一体品ケヤ
トイDからはずし。
しのための表面研磨の工程である。次例1面の出た結晶
に縦横に溝を入れる(C)。さらに、半径2Rの凸型円
筒面に研磨する(d)。結晶とは別に凹型円筒ヤトイD
の表面にアルミ、ステンレス等の結晶より高弾性の金属
製の円筒薄板G(1次基板)′に張り付けたものを用い
(e)、結晶Ci1次基板基板張り付けた後・ヤl〜イ
Bをはずし、さらに結晶Cの表面を半径2Rの凹型円筒
面忙研磨する(f)。1次基板Gと結晶Cの一体品ケヤ
トイDからはずし。
押え板Fでたる型曲面を持つ2次基板Eに押えっけ、湾
曲させて接着する(g)。(hlはこのようにして製作
されたX線集光用ヨハンソン型湾曲結晶である。
曲させて接着する(g)。(hlはこのようにして製作
されたX線集光用ヨハンソン型湾曲結晶である。
この例では溝を切った結晶を1次基板に張り付けたが、
1次基板に結晶を張り付けた後に溝を切ってもかまわな
い。また、1次基板は金属としたが結晶より弾性のある
材料であれは金属にかぎらない。
1次基板に結晶を張り付けた後に溝を切ってもかまわな
い。また、1次基板は金属としたが結晶より弾性のある
材料であれは金属にかぎらない。
本発明は以上説明した製作方法であるので、ヨハンソン
型湾曲結晶の湾曲加工時におケる結晶の割れがなくなっ
た。本発明は1円筒溝曲、たる型湾曲のいずれにも有効
であるが、X線集光素子としてを望なたる型湾曲結晶の
湾曲加工には特に有効である。
型湾曲結晶の湾曲加工時におケる結晶の割れがなくなっ
た。本発明は1円筒溝曲、たる型湾曲のいずれにも有効
であるが、X線集光素子としてを望なたる型湾曲結晶の
湾曲加工には特に有効である。
結晶の表面のみに溝倉入れていた従来法とは違い、どん
なにもろい結晶を選んでも割れることはない。また1曲
げ半径の小さい湾曲結晶や面積の大きな湾曲結晶も作れ
るようになった。この結果。
なにもろい結晶を選んでも割れることはない。また1曲
げ半径の小さい湾曲結晶や面積の大きな湾曲結晶も作れ
るようになった。この結果。
焦点距離が短く露光面積も広く、かつ集光強度の強いX
線集光用ヨハンソン型湾曲結晶が製作可能となった。
線集光用ヨハンソン型湾曲結晶が製作可能となった。
第1図は本発明によるヨハンソン型湾曲結晶の製作工程
を説明する図、第2図は従来のヨハンソン型湾曲結晶の
製作工程を説明する図である。 A 、 B−・・平型ヤトイ C・・・結晶 D・・・凹型円筒ヤトイ E・・・凸型の円筒面あるいはたる型曲面を持つ張り付
は台(2次基板) F−・・Eに対応する凸型の押え板 G・・・円筒薄板の1次基板 し;・”;1’:jTf (C) (d) げ)
を説明する図、第2図は従来のヨハンソン型湾曲結晶の
製作工程を説明する図である。 A 、 B−・・平型ヤトイ C・・・結晶 D・・・凹型円筒ヤトイ E・・・凸型の円筒面あるいはたる型曲面を持つ張り付
は台(2次基板) F−・・Eに対応する凸型の押え板 G・・・円筒薄板の1次基板 し;・”;1’:jTf (C) (d) げ)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の曲率を持つた円筒板状結晶をたる型曲面を持つ基
板に沿って張ク付けたヨハンソン型湾曲結晶において、 (1)結晶より高弾性の材料で円筒板状1次基板を作り
、 (2)縦横に入れた溝で完全に分断された円筒板状結晶
を前記1次基板に張り付けた一体品、あるいは円筒板状
結晶を前記1次基板に張り付けた後、縦横に溝を入れて
結晶のみ完全に分断した一体品を作り、 (3)たる型曲面を持つ2次基板に沿つて前記一体品を
張り付けて成る ことを特徴とするヨハンソン型湾曲結晶の製作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079474A JPH02257100A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ヨハンソン型湾曲結晶の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1079474A JPH02257100A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ヨハンソン型湾曲結晶の製作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02257100A true JPH02257100A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=13690888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1079474A Pending JPH02257100A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | ヨハンソン型湾曲結晶の製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02257100A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0590308A2 (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-06 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
JP2005534921A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | X線を方向付けるための光学デバイス及びその方法 |
WO2019175281A1 (fr) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Alpyx | Dispositif optique pour rayons x |
JPWO2020203975A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51140778A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Shimadzu Corp | Spectroscopic curved crystalline structure and its manufacturing metho d |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP1079474A patent/JPH02257100A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51140778A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Shimadzu Corp | Spectroscopic curved crystalline structure and its manufacturing metho d |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0590308A2 (en) * | 1992-09-29 | 1994-04-06 | Physical Electronics, Inc. | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
EP0590308A3 (en) * | 1992-09-29 | 1995-12-13 | Perkin Elmer Corp | Scanning and hig resoloution x-ray photo electron spectroscopy and imaging |
JP2005534921A (ja) * | 2002-08-02 | 2005-11-17 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | X線を方向付けるための光学デバイス及びその方法 |
WO2019175281A1 (fr) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | Alpyx | Dispositif optique pour rayons x |
FR3079035A1 (fr) * | 2018-03-14 | 2019-09-20 | Alpyx | Dispositif optique pour rayons x |
JPWO2020203975A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 |
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