JPH02256311A - 電圧制御発振回路 - Google Patents

電圧制御発振回路

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JPH02256311A
JPH02256311A JP1234642A JP23464289A JPH02256311A JP H02256311 A JPH02256311 A JP H02256311A JP 1234642 A JP1234642 A JP 1234642A JP 23464289 A JP23464289 A JP 23464289A JP H02256311 A JPH02256311 A JP H02256311A
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JP
Japan
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circuit
fet
mos
current
voltage
Prior art date
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Application number
JP1234642A
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English (en)
Inventor
Kesatoshi Takeuchi
啓佐敏 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH02256311A publication Critical patent/JPH02256311A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明はPLL (フェイズ拳ロック・ループ)に用
いられる電圧制御発振回路に関する。
[従来の技術] PLLは位相比較器1.ローパスフィルタ、誤差増幅器
及び電圧制御発振器からなる一種の周波数帰還形回路で
あり、外部からの信号により任意の周波数を発生させる
回路である。そして、電圧制御発振器(以下vCO回路
という)はこのPLLには不可欠な回路要素である。
第4図はこのPLL回路に用いられる700回路、例え
ばナショナルセミコンダクタ社のMM74HC4046
(商標)に内蔵されている700回路の等価回路である
この等価回路はカレントミラー回路部(10)及び発振
部(20)から構成されている。カレントミラー回路部
(10)の端子(12)には、このカレントミラー回路
部(10)に周波数特性に見合った出力電流11を得る
ための抵抗(13)を接地間に設ける。また、発振部(
20)の端子(21)、  (22)には発振周波数を
規定するためのコンデンサ(23)を接続する。
このように抵抗(13)及びコンデンサ(23)を接続
した状態で、次に、700回路の入力端子(11)に周
波数を適宜変化させるための制御電圧Vdを印加する。
この制御電圧Vdの入力に対応した出力電流11がカレ
ントミラー回路部(10)から発振部(20)に制御電
流として供給され、発振部(20)はその制御電流に対
応した周波数で発振する。そして、その発振周波数の信
号は760回路の出力端子(24)から取り出される。
なお、第4図において、■、■、■、(Dはそれぞれ上
記製品の700回路のピン端子符号である。
[発明が解決しようとする課題] 第5図は第4図の700回路の周波数特性図である。図
示のように、コンデンサ(23)の容量及び抵抗(13
)の大きさに依存して発振周波数が変化するが、良くて
も数M Hzから数10MHzの1odB程度の周波数
可変領域であり、その可変周波数帯域が狭いという問題
点があった。更に、可変周波数帯域を広げるためには、
コンデンサ(23)及び抵抗(13)を切替える必要が
あり、そのための回路が必要であるという問題点があっ
た。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
のであり、簡単な回路を付加するだけで可変周波数帯域
を任意に広げることを可能にした700回路を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係るVCO発振回路は、カレントミラー回路
とその出力電流に基づいた発振周波数を出力する発振部
とを有するvCO発振回路において、カレントミラー回
路の入力端子に固定基準電圧回路を接続し、カレントミ
ラー回路の出力電流を規制する回路にMOS−FETの
ソースホロワ回路又はFETのソースホロア回路を設け
る。そして、これらのソースホロア回路に制御電圧を印
加して発振周波数を制御する。
また、この発明に係るvCO発振回路は、上記のソース
ホロア回路に代えて、バイポーラトランジスタのエミッ
タホロワ回路を設けて、このエミッタホロワ回路に制御
電圧を印加して発振周波数を制御する。
[作 用] この発明においては、MOS−FET又はFETのソー
スホロア回路が制御電圧により制御され、カレントミラ
ー回路の出力電流は制御電圧の大きさに応じて変化し、
更にその出力電流に基づいて発振部の発振周波数が変化
する。
また、トランジスタのエミッタホロワ回路においても同
様に制御電圧の大きさに応じて発振部の発振周波数が変
化する。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例に係る760回路の構成図
である。この回路は、ナショナルセミコンダクタ社製の
PLLであるMM74HC4046(商標)に組み込ま
れている760回路にこの発明を適用したものであり、
第4図と同一符号のものは同−又は相当部を示すものと
する。
まず、760回路の入力端子(11)には、抵抗(13
)及び(14)の接続点(15)が接続され、これらの
抵抗による分圧比で決まる固定基準電圧が印加される。
また、カレントミラー回路部(10)の出力電流11を
得るために端子(12)にM OS −F E T (
1B)のドレイン側を接続し、M OS −F E T
 (1B)のソース側と接地間をソース抵抗(17)で
接続したソースフロワ回路を構成する。そして、MOS
−FET (16)のゲート側にゲート抵抗(18)を
接続し電圧制御端子(19)に制御電圧Vtを印加する
以上のように構成された760回路において、電圧制御
端子(19)に制御電圧vlを印加すると、M OS 
−F E T (1B)はそのゲートに印加された制御
電圧Vtに応じてドレイン電流を流し、端子(12)か
ら見ると制御電圧v1に応じたインピーダンスを有する
回路が形成される。そして、このインピーダンスの大き
さに応じて、カレントミラー回路部(10)の出力電流
■1も変化する。この出力電流■1が発振部(20)に
制御電流として供給されると、発振部(20)はその制
御電流に対応した発振周波数で発振する。そして、その
発振周波数の信号が出力端子(24)から取り出される
第2図は上記の760回路のV−F特性図である。図か
ら明らかなように、従来得られることのなかった広範囲
な周波数可変帯域、例えば数Hzから数10M HZの
100dB以上の周波数信号が電圧制御のみで得られて
いる。
第3A図は第1図のM OS −F E T (1B)
の代わりにF E T (lea)を用いてFETのソ
ースフロワ回路を構成した場合の例を示す回路図であり
、第3B図はM OS −F E T (1B)の代わ
りにバイポーラトランジスタ(1eb)を用いてバイポ
ーラトランジスタによるエミッタフロワ回路を構成した
例を示す回路図である。これらのいずれの場合も、第1
図の実施例と同様な効果が得られる。
また、この発明は上記の製品に係るvCO回路以外に製
品にも適用できることはいうまでもなく、更に、IC化
された従来製品だけでなく、ディスクリート部品によっ
て構成された700回路にも適用できる。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、MOS−FET若しく
はFETのソースフロア回路又はバイポーラトランジス
タによるエミッタフロワ回路をカレントミラー回路の出
力電流を規制する回路部分に設けて、ソースフロワ回路
又はエミッタフロワ回路を制御して発振部の発振周波数
を制御するようにしたので、広範囲な可変周波数帯域が
得られる。また、従来のIC化された700回路にこの
発明を適用する場合にも、外付は部品も非常に少ない構
成で済み、今後多量に用いられるマルチ発振器、PLL
等の高性能化に伴って多大な力を発揮することとなるの
は必至である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る700回路の回路構
成図、第2図はそのV−F特性図、第3A図及び第3B
図はそれぞれこの他の実施例に係るvCO回路の要部を
示す回路構成図である。 第4図は従来のvCO回路の回路構成図、第5図はその
C−F特性図である。 (lO)・・・カレントミラー回路部、(16)・・・
M OS −F E T、 (lea)−F E T、
 (16b)−バイポーラトランジスタ、(20)・・
・発振部。 代理人 弁理士 佐 々 木 宗、冶 第2図 ○:カレントミラーロ許ト@V 6 :MOS−FET 20 チ賢屯艮即 第 図 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)カレントミラー回路とその出力電流に基づいた発
    振周波数を出力する発振部とを有するVCO発振回路に
    おいて、カレントミラー回路の入力端子に固定基準電圧
    回路を接続し、カレントミラー回路の出力電流を規制す
    る回路にMOS−FETによるソースホロワ回路を設け
    、このソースホロワ回路に制御電圧を印加するようにし
    たことを特徴とする電圧制御発振回路。
  2. (2)MOS−FETの代わりにFETを用いて、FE
    Tによるソースホロワ回路を設けたことを特徴とする請
    求項1記載の電圧制御発振回路。
  3. (3)MOS−FETの代わりにバイポーラトランジス
    タを用いて、バイポーラトランジスタによるエミッタホ
    ロワ回路を設けたことを特徴とする請求項1記載の電圧
    制御発振回路。
JP1234642A 1988-10-13 1989-09-12 電圧制御発振回路 Pending JPH02256311A (ja)

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JP25782488 1988-10-13
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6396201B1 (en) 1997-08-19 2002-05-28 Miyota Co., Ltd. Piezoelectric vibrator
US7898211B2 (en) 2007-09-05 2011-03-01 Seiko Epson Corporation Driving circuit for motor and device equipped with driving circuit
US7996692B2 (en) 2007-09-03 2011-08-09 Seiko Epson Corporation Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

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US8344684B2 (en) 2007-09-05 2013-01-01 Seiko Epson Corporation Driving circuit for motor and device equipped with driving circuit

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