JPH0225489B2 - - Google Patents
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- JPH0225489B2 JPH0225489B2 JP57177791A JP17779182A JPH0225489B2 JP H0225489 B2 JPH0225489 B2 JP H0225489B2 JP 57177791 A JP57177791 A JP 57177791A JP 17779182 A JP17779182 A JP 17779182A JP H0225489 B2 JPH0225489 B2 JP H0225489B2
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- diffraction grating
- scanning
- grating
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
本発明は半導体レーザーを用いたレーザービー
ム走査装置に関する。半導体レーザーはHe−Ne
レーザーに比し装置がコンパクトに出来また変調
が容易である等の利点があり、これを用いたレー
ザービーム走査装置が既に提案されている。 レーザービームで走査を行うには回転鏡とか振
動鏡を用いる方法もあるが、レーザー光の場合、
その単色性が秀れているので、回折格子を回転さ
せて走査を行うことができる。回折格子を用いる
走査方式は光学系が比較的単純に構成できる上、
回折格子をホログラフイツクな方法で製作し、そ
の複製を量産することで、品質の揃つた走査品位
の優れた走査装置を安価に生産できる利点があ
る。しかし半導体レーザーの場合、レーザーの発
振波長はレーザー媒質と共振器の長さで決まり、
環境温度及びレーザー自体が発生する熱によつて
発振波長が変化し、更に第１図に示すように基準
波長に対して約0.6nｍおきに波長の異る発振を行
う可能性があつて、発振状態が基準波長から突然
何段かずれた波長の発振状態に移つたり（第１図
Ｂの状態）、２種以上の波長において発振したり
（第１図Ｃの状態）することがあり、何時どのよ
うなモードで発振するか判らず、電気的に発振状
態を一定にコントロールすることも困難である。
回折格子による光の回折角は波長によつて異るか
ら、上述したように半導体レーザーを用いた光ビ
ーム走査装置で走査方式として回折格子を用いる
方式を採用しようとすると発振波長の不安定さに
よつて走査状態が変動するという問題が生じる。 この波長変動についてさらに具体的構成をもと
に説明するに、第２図に示すレーザービーム走査
装置は、半導体レーザー１コリメーターレンズ２
シリンドリカルレンズ３スフエリカルレンズ４回
転回折格子円板GS、シリンドリカルミラー６を
光路に沿つて順次配置し、回転回折格子円板GS
を回転させることよりレーザービームをスキヤン
させるものである。シリンドリカルミラー６は格
子円板GSの回転による円弧状の走査を感光ドラ
ム７上での直線状の走査軌跡Ｙに補正する。 回転回折格子円板GSは、第３図に示すように、
円周方向に等分された12個の扇形セグメントｇか
らなり各セグメントｇは中心の格子線が半径方向
と一致するように回折格子が刻まれている。 回転回折格子円板GSに入射するビームは、ｘ
−ｚ平面内にのみパワーをもつシリンドリカルレ
ンズ３とスフエリカルレンズ４とによつてＺ方向
に、また、スフエリカルレンズ４によつてｙ方向
に集光され格子円板GSの半径方向に延びる線分
となる。 このように集光するのは有効走査幅を広げる上
で意味がある。これを第４図を用いて説明する
に、光源である半導体レーザーからのビームはビ
ームの広がりが方向によつて異なるためにコリメ
ートしたビームの断面形状は橢円となる。この橢
円ビームB1を集光せずに回折格子に入射させる
と（第４図Ａ）、ビームが２つのセグメントにま
たがつて入射する場合が生じ、この場合ビームは
感光ドラム面上で２つの点となる。それ故、走査
に有効なのはビームが１つのセグメントにのみ入
射している間だけである。即ち、１つのセグメン
トの占める角度をα、橢円状ビームがセグメント
の端に接したときのビーム中心とセグメントの端
との間の角度をδとすると、走査に有効な角度は
α−2δとなる。これを上述の如くレンズ３，４に
よつて線状ビームＢ２に集光すると（第４図Ｂ）、
実質的に前記δを零にすることができ有効走査幅
を広げることができる。 しかしながら上述の装置は前記したように発振
波長が変動すると走査点のずれを生じてしまう。
走査点のずれは、Ｚ方向についてはシリンドリカ
ルミラー６によつて補正されているので、ｙ方向
についてのみ表われる。 一般的に回折について入射角oと射出角と
の関係は Sin−Sino＝mpλ／ｄ ……(1) で表わされる。ここで、λは波長、ｄは格子定
数、mpは回折光の次数（mp＝ｏ、±１、±２……）
である。 上式を用いて前記装置にあらわれる感光ドラム
上の有効走査幅端部でのｙ方向のずれ△ｙを波長
変動量△λ、射出角変動量△θとともに表−１に
示す。ここで、格子定数ｄ＝1.4×10-3mm入射角
o＝O゜、半導体レーザーの基準波長λ＝780nｍ
であり、回折光は１次光を用い、△θ、△ｙは下
式より算出されたものである。 △θ＝Sin-1（λ＋△λ／ｄ）−Sin-1（λ／ｄ）……
(2) △ｙ＝ltan△θ×Sinα／２ ……(3) 尚、ｌは格子円板から感光ドラム上の有効走査
幅端部までの距離、αは格子円板の１つのセグメ
ントの回転角でｌ＝1000mm、α＝30゜で計算され
る。
ム走査装置に関する。半導体レーザーはHe−Ne
レーザーに比し装置がコンパクトに出来また変調
が容易である等の利点があり、これを用いたレー
ザービーム走査装置が既に提案されている。 レーザービームで走査を行うには回転鏡とか振
動鏡を用いる方法もあるが、レーザー光の場合、
その単色性が秀れているので、回折格子を回転さ
せて走査を行うことができる。回折格子を用いる
走査方式は光学系が比較的単純に構成できる上、
回折格子をホログラフイツクな方法で製作し、そ
の複製を量産することで、品質の揃つた走査品位
の優れた走査装置を安価に生産できる利点があ
る。しかし半導体レーザーの場合、レーザーの発
振波長はレーザー媒質と共振器の長さで決まり、
環境温度及びレーザー自体が発生する熱によつて
発振波長が変化し、更に第１図に示すように基準
波長に対して約0.6nｍおきに波長の異る発振を行
う可能性があつて、発振状態が基準波長から突然
何段かずれた波長の発振状態に移つたり（第１図
Ｂの状態）、２種以上の波長において発振したり
（第１図Ｃの状態）することがあり、何時どのよ
うなモードで発振するか判らず、電気的に発振状
態を一定にコントロールすることも困難である。
回折格子による光の回折角は波長によつて異るか
ら、上述したように半導体レーザーを用いた光ビ
ーム走査装置で走査方式として回折格子を用いる
方式を採用しようとすると発振波長の不安定さに
よつて走査状態が変動するという問題が生じる。 この波長変動についてさらに具体的構成をもと
に説明するに、第２図に示すレーザービーム走査
装置は、半導体レーザー１コリメーターレンズ２
シリンドリカルレンズ３スフエリカルレンズ４回
転回折格子円板GS、シリンドリカルミラー６を
光路に沿つて順次配置し、回転回折格子円板GS
を回転させることよりレーザービームをスキヤン
させるものである。シリンドリカルミラー６は格
子円板GSの回転による円弧状の走査を感光ドラ
ム７上での直線状の走査軌跡Ｙに補正する。 回転回折格子円板GSは、第３図に示すように、
円周方向に等分された12個の扇形セグメントｇか
らなり各セグメントｇは中心の格子線が半径方向
と一致するように回折格子が刻まれている。 回転回折格子円板GSに入射するビームは、ｘ
−ｚ平面内にのみパワーをもつシリンドリカルレ
ンズ３とスフエリカルレンズ４とによつてＺ方向
に、また、スフエリカルレンズ４によつてｙ方向
に集光され格子円板GSの半径方向に延びる線分
となる。 このように集光するのは有効走査幅を広げる上
で意味がある。これを第４図を用いて説明する
に、光源である半導体レーザーからのビームはビ
ームの広がりが方向によつて異なるためにコリメ
ートしたビームの断面形状は橢円となる。この橢
円ビームB1を集光せずに回折格子に入射させる
と（第４図Ａ）、ビームが２つのセグメントにま
たがつて入射する場合が生じ、この場合ビームは
感光ドラム面上で２つの点となる。それ故、走査
に有効なのはビームが１つのセグメントにのみ入
射している間だけである。即ち、１つのセグメン
トの占める角度をα、橢円状ビームがセグメント
の端に接したときのビーム中心とセグメントの端
との間の角度をδとすると、走査に有効な角度は
α−2δとなる。これを上述の如くレンズ３，４に
よつて線状ビームＢ２に集光すると（第４図Ｂ）、
実質的に前記δを零にすることができ有効走査幅
を広げることができる。 しかしながら上述の装置は前記したように発振
波長が変動すると走査点のずれを生じてしまう。
走査点のずれは、Ｚ方向についてはシリンドリカ
ルミラー６によつて補正されているので、ｙ方向
についてのみ表われる。 一般的に回折について入射角oと射出角と
の関係は Sin−Sino＝mpλ／ｄ ……(1) で表わされる。ここで、λは波長、ｄは格子定
数、mpは回折光の次数（mp＝ｏ、±１、±２……）
である。 上式を用いて前記装置にあらわれる感光ドラム
上の有効走査幅端部でのｙ方向のずれ△ｙを波長
変動量△λ、射出角変動量△θとともに表−１に
示す。ここで、格子定数ｄ＝1.4×10-3mm入射角
o＝O゜、半導体レーザーの基準波長λ＝780nｍ
であり、回折光は１次光を用い、△θ、△ｙは下
式より算出されたものである。 △θ＝Sin-1（λ＋△λ／ｄ）−Sin-1（λ／ｄ）……
(2) △ｙ＝ltan△θ×Sinα／２ ……(3) 尚、ｌは格子円板から感光ドラム上の有効走査
幅端部までの距離、αは格子円板の１つのセグメ
ントの回転角でｌ＝1000mm、α＝30゜で計算され
る。
【表】
前記レーザービーム走査装置においては感光ド
ラム上でのビームのスポツト径は約0.1mmである。
従つて表−１からも明らかな様に波長が0.6nｍず
れただけでもスポツト１つ分ずれることになり良
好な画像形成ができない。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、半導体レーザーを用いた回折格子方式のレ
ーザービーム走査装置で波長依存性を解消するこ
とを目的とする。 まず、本発明の原理について第５図を用いて説
明する。第５図において、GSは第３図に示した
回転回折格子円板であり、本発明は、この回転格
子円板GSの光源側に固定回折格子Ｇを設け、両
格子GSとＧとの間にレンズＬを介在させて両格
子がレンズＬに関して互いに共役の位置にあるよ
うにした。 固定回折格子Ｇの格子定数をd1、入射角をio、
射出角をｉ半導体レーザーの基準波長をλとした
とき、この固定回折格子Ｇの−１次回折光は式(1)
より次式で表される。尚、入射角io射出角ｉは共
に入射・射出点のまわりに時計廻りを正・反時計
廻りを負にとつている。即ち射出角は−ｉであ
る。 Sin ｉ＋Sin io＝λ／d1 ……(4) また、回転回折格子円板GSの格子定数をd2、
入射角をθo射出角をθとしたとき、この回転格
子円板GSの−１次回折光は式(4)と同様に次の様
になる。 Sinθ＋Sinθo＝λ／d2 ……(5) 第５図を参照して、発振波長がλからλ＋△λ
に変化したとき固定回折格子Ｇの入射角ioは変化
せず射出角はｉからｉ＋△ｉに変化し、このビー
ムがレンズＬにより格子Ｈ板GS上の発振波長が
λのときの入射点に入射する、即ち入射角はθo
からθo＋△θoに変化するが格子円板GSからの射
出角θは変化しないとする。 式(4)を変数ｉとλについて微分すると、 di／dλ＝１／d1cos ｉ ……(6) また、式(5)を変数θoとλについて微分すると、 dθo／dλ＝１／d2cosθo ……(7) 第５図においてレンズＬと固定回折格子Ｇとの
距離をａレンズＬと回転格子円板GSとの距離を
ｂ、レンズＬの倍率をｍとすれば近軸領域では ｍ＝ａ／ｂ＝△θo／△ｉ＝dθo／dλ／di／d
λ この式に上式(6)(7)を代入すると、 ｍ＝d1cos ｉ／d2cosθo ……(8) となる。即ち、この(8)式を満足するように構成す
れば、波長変動が生じても回転格子円板GSから
の射出角θは変動せず感光ドラム上でのスポツト
のずれは生じない。 また、レンズＬの集点距離をｆ、両格子間距離
をＤとすれば、 ｍ＝ａ／ｂ、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆより、 Ｄ＝ａ＋ｂ＝（ｍ＋１）2／ｍｆ この式を微分すると、 dD／dm＝m2−１／m2ｆ 従つて、両格子間距離ＤはdD／dm＝０ 即ち
ｍ＝±１のとき最小になる。言いかえれば、レン
ズＬに対して固定回折格子Ｇと回転格子円板GS
とを等倍関係に配置すれば装置自体をコンパクト
に構成することができる。 また、回折格子の入射角と回折角の関係につい
ては、回折角をηとすると式(4)よりη＝ｉ＋ioで
あるから、 Sin（η−io）＋Sin io＝λ／d1 この式よりdη／dioをとると、 dη／dio＝−2Sinη／２Sinη−2io／２／cos（η−i
o） これよりη＝2io、即ちｉ＝ioのとき回折角η
の変動は最小になる。従つて、固定回折格子Ｇ及
び回転回折格子円板GSをこのように設定すれば
設定誤差による影響が少なく、各格子の設定精度
をゆるやかにすることができる。 以上の原理説明は便宜上−１次回折光について
おこなつたが、１次回折光及び他の高次回折光に
ついても同様に説明することができる。 次に本発明の実施例を説明する。第６図は本発
明の一実施例の斜視図、第７図Ａは同じく平面
図、第７図Ｂは同じく側面図である。１は半導体
レーザー、２はコリメータレンズ、３はシリンド
リカルレンズ、４はスフエリカルレンズ、Ｇは固
定回折格子、Ｌはシリンドリカルレンズ、GSは
回転回折格子円板、６はシリンドリカルミラー、
７は感光ドラムである。 半導体レーザー１からのレーザービームはコリ
メータレンズ２でコリメートされ、シリンドリカ
ルレンズ３及びスフエリカルレンズ４で格子Ｇ上
に線状に集光される。この格子Ｇ上の像はレンズ
Ｌによつて格子円板GS上に投影される。シリン
ドリカルレンズＬは第７図Ａに示すように水平面
内ではパワーを持たずに第７図Ｂに示すように垂
直面内で集光力をもつており、前述の説明のよう
に半導体レーザーの発振波長が変動しても格子円
板GSからの射出角が常に一定になるようにビー
ムを集光する。格子円板GSを発したビームは格
子円板GSの回転により、シリンドリカルミラー
６を介して感光ドラム７を走査する。このときシ
リンドリカルミラー６が格子円板GSによる円弧
状の走査を感光ドラム７上での直線状の走査軌跡
Ｙに補正することは前述の通りである。 第１実施例 上述の装置を用い、両格子の格子定数をd1＝d2
＝1.4×10-3mm基準発振波長λ＝780nｍとし、各
格子への入射角と射出角が等しいように、即ちio
＝ｉ、θo＝θととると、この場合式(4)(5)(8)より
等倍関係の配置となる。この際の感光ドラム上の
有効走査幅端部での誤差△ｙを求めると下表−２
の通りである。尚△ｙの算出は式(3)による。
ラム上でのビームのスポツト径は約0.1mmである。
従つて表−１からも明らかな様に波長が0.6nｍず
れただけでもスポツト１つ分ずれることになり良
好な画像形成ができない。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、半導体レーザーを用いた回折格子方式のレ
ーザービーム走査装置で波長依存性を解消するこ
とを目的とする。 まず、本発明の原理について第５図を用いて説
明する。第５図において、GSは第３図に示した
回転回折格子円板であり、本発明は、この回転格
子円板GSの光源側に固定回折格子Ｇを設け、両
格子GSとＧとの間にレンズＬを介在させて両格
子がレンズＬに関して互いに共役の位置にあるよ
うにした。 固定回折格子Ｇの格子定数をd1、入射角をio、
射出角をｉ半導体レーザーの基準波長をλとした
とき、この固定回折格子Ｇの−１次回折光は式(1)
より次式で表される。尚、入射角io射出角ｉは共
に入射・射出点のまわりに時計廻りを正・反時計
廻りを負にとつている。即ち射出角は−ｉであ
る。 Sin ｉ＋Sin io＝λ／d1 ……(4) また、回転回折格子円板GSの格子定数をd2、
入射角をθo射出角をθとしたとき、この回転格
子円板GSの−１次回折光は式(4)と同様に次の様
になる。 Sinθ＋Sinθo＝λ／d2 ……(5) 第５図を参照して、発振波長がλからλ＋△λ
に変化したとき固定回折格子Ｇの入射角ioは変化
せず射出角はｉからｉ＋△ｉに変化し、このビー
ムがレンズＬにより格子Ｈ板GS上の発振波長が
λのときの入射点に入射する、即ち入射角はθo
からθo＋△θoに変化するが格子円板GSからの射
出角θは変化しないとする。 式(4)を変数ｉとλについて微分すると、 di／dλ＝１／d1cos ｉ ……(6) また、式(5)を変数θoとλについて微分すると、 dθo／dλ＝１／d2cosθo ……(7) 第５図においてレンズＬと固定回折格子Ｇとの
距離をａレンズＬと回転格子円板GSとの距離を
ｂ、レンズＬの倍率をｍとすれば近軸領域では ｍ＝ａ／ｂ＝△θo／△ｉ＝dθo／dλ／di／d
λ この式に上式(6)(7)を代入すると、 ｍ＝d1cos ｉ／d2cosθo ……(8) となる。即ち、この(8)式を満足するように構成す
れば、波長変動が生じても回転格子円板GSから
の射出角θは変動せず感光ドラム上でのスポツト
のずれは生じない。 また、レンズＬの集点距離をｆ、両格子間距離
をＤとすれば、 ｍ＝ａ／ｂ、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆより、 Ｄ＝ａ＋ｂ＝（ｍ＋１）2／ｍｆ この式を微分すると、 dD／dm＝m2−１／m2ｆ 従つて、両格子間距離ＤはdD／dm＝０ 即ち
ｍ＝±１のとき最小になる。言いかえれば、レン
ズＬに対して固定回折格子Ｇと回転格子円板GS
とを等倍関係に配置すれば装置自体をコンパクト
に構成することができる。 また、回折格子の入射角と回折角の関係につい
ては、回折角をηとすると式(4)よりη＝ｉ＋ioで
あるから、 Sin（η−io）＋Sin io＝λ／d1 この式よりdη／dioをとると、 dη／dio＝−2Sinη／２Sinη−2io／２／cos（η−i
o） これよりη＝2io、即ちｉ＝ioのとき回折角η
の変動は最小になる。従つて、固定回折格子Ｇ及
び回転回折格子円板GSをこのように設定すれば
設定誤差による影響が少なく、各格子の設定精度
をゆるやかにすることができる。 以上の原理説明は便宜上−１次回折光について
おこなつたが、１次回折光及び他の高次回折光に
ついても同様に説明することができる。 次に本発明の実施例を説明する。第６図は本発
明の一実施例の斜視図、第７図Ａは同じく平面
図、第７図Ｂは同じく側面図である。１は半導体
レーザー、２はコリメータレンズ、３はシリンド
リカルレンズ、４はスフエリカルレンズ、Ｇは固
定回折格子、Ｌはシリンドリカルレンズ、GSは
回転回折格子円板、６はシリンドリカルミラー、
７は感光ドラムである。 半導体レーザー１からのレーザービームはコリ
メータレンズ２でコリメートされ、シリンドリカ
ルレンズ３及びスフエリカルレンズ４で格子Ｇ上
に線状に集光される。この格子Ｇ上の像はレンズ
Ｌによつて格子円板GS上に投影される。シリン
ドリカルレンズＬは第７図Ａに示すように水平面
内ではパワーを持たずに第７図Ｂに示すように垂
直面内で集光力をもつており、前述の説明のよう
に半導体レーザーの発振波長が変動しても格子円
板GSからの射出角が常に一定になるようにビー
ムを集光する。格子円板GSを発したビームは格
子円板GSの回転により、シリンドリカルミラー
６を介して感光ドラム７を走査する。このときシ
リンドリカルミラー６が格子円板GSによる円弧
状の走査を感光ドラム７上での直線状の走査軌跡
Ｙに補正することは前述の通りである。 第１実施例 上述の装置を用い、両格子の格子定数をd1＝d2
＝1.4×10-3mm基準発振波長λ＝780nｍとし、各
格子への入射角と射出角が等しいように、即ちio
＝ｉ、θo＝θととると、この場合式(4)(5)(8)より
等倍関係の配置となる。この際の感光ドラム上の
有効走査幅端部での誤差△ｙを求めると下表−２
の通りである。尚△ｙの算出は式(3)による。
【表】
従つて、第１の実施例では、スポツトのずれは
完全に補正でき、またｍ＝１であるから装置をコ
ンパクトに構成できるとともに、各格子の入射角
と射出角が等しいように配置するため回折格子の
調整が簡単である。 第２実施例 d1＝d2＝1.4×10-3mm、λ＝780nｍ、io＝θo＝0゜
ととると式(8)よりｍ＝cosi＝0.830となる。この
場合の△ｙを第１実施例と同様にして求めると下
表−３の通りである。
完全に補正でき、またｍ＝１であるから装置をコ
ンパクトに構成できるとともに、各格子の入射角
と射出角が等しいように配置するため回折格子の
調整が簡単である。 第２実施例 d1＝d2＝1.4×10-3mm、λ＝780nｍ、io＝θo＝0゜
ととると式(8)よりｍ＝cosi＝0.830となる。この
場合の△ｙを第１実施例と同様にして求めると下
表−３の通りである。
【表】
従つて、第２実施例は｜Δλ｜＝12nｍでもスポ
ツト径（約100μ）の約１割程度しかずれないこ
とを示す。実際の変動はほとんど数ｎｍ以下であ
るので実質的にはほとんど画質に影響を与えな
い。またこの実施例では各格子にビームが直角に
入射するようにしたので他の光学部材との位置決
め調整が容易におこなえる。 第３実施例 d1＝2.0×10-3mm、d2＝1.4×10-3mm、io＝ｉ、
θo＝θとすると式(8)よりｍ＝1.46となる。この場
合の△ｙを同様にして求めると下表−４の通りで
ある。
ツト径（約100μ）の約１割程度しかずれないこ
とを示す。実際の変動はほとんど数ｎｍ以下であ
るので実質的にはほとんど画質に影響を与えな
い。またこの実施例では各格子にビームが直角に
入射するようにしたので他の光学部材との位置決
め調整が容易におこなえる。 第３実施例 d1＝2.0×10-3mm、d2＝1.4×10-3mm、io＝ｉ、
θo＝θとすると式(8)よりｍ＝1.46となる。この場
合の△ｙを同様にして求めると下表−４の通りで
ある。
【表】
従つて、第３実施例では、固定回折格子と回転
回折格子円板の格子定数が等しくなくても波長変
動によるずれが良好に補正できることを示す。こ
れは固定回折格子として市販されているもの使用
できることを意味し、装置のコストダウンをはか
ることができる。 本発明レーザービーム走査装置は上述したよう
な構成で、半導体レーザービーム発生装置を用い
ているからHe−Neレーザー装置のようなガスレ
ーザーに比しビーム発生装置がコンパクトにで
き、機構的に簡単で量産も容易な回折格子による
走査方式を用いながら、その波長依存性による半
導体レーザーの発振波長の不安定性の影響を消去
することに成功したので、安価で品質の優れたレ
ーザービーム走査装置を提供することができる。
回折格子円板の格子定数が等しくなくても波長変
動によるずれが良好に補正できることを示す。こ
れは固定回折格子として市販されているもの使用
できることを意味し、装置のコストダウンをはか
ることができる。 本発明レーザービーム走査装置は上述したよう
な構成で、半導体レーザービーム発生装置を用い
ているからHe−Neレーザー装置のようなガスレ
ーザーに比しビーム発生装置がコンパクトにで
き、機構的に簡単で量産も容易な回折格子による
走査方式を用いながら、その波長依存性による半
導体レーザーの発振波長の不安定性の影響を消去
することに成功したので、安価で品質の優れたレ
ーザービーム走査装置を提供することができる。
第１図は半導体レーザーの波長変動の態様を説
明する図、第２図は従来技術を示す斜視図、第３
図は格子円板の正面図、第４図はレーザービーム
を線状に集光することを説明する図、第５図は本
発明の原理を説明する図、第６図は本発明の一実
施例の斜視図、第７図Ａは同実施例の平面図、第
７図Ｂは同実施例の側面図である。 Ｇ……固定回折格子円板、GS……回転回折格
子円板（格子円板）、Ｌ……レンズ、１……半導
体レーザー、２……コリメータレンズ、３……シ
リンドリカルレンズ、４……スフエリカルレン
ズ、６……シリンドリカルミラー、７……感光ド
ラム。
明する図、第２図は従来技術を示す斜視図、第３
図は格子円板の正面図、第４図はレーザービーム
を線状に集光することを説明する図、第５図は本
発明の原理を説明する図、第６図は本発明の一実
施例の斜視図、第７図Ａは同実施例の平面図、第
７図Ｂは同実施例の側面図である。 Ｇ……固定回折格子円板、GS……回転回折格
子円板（格子円板）、Ｌ……レンズ、１……半導
体レーザー、２……コリメータレンズ、３……シ
リンドリカルレンズ、４……スフエリカルレン
ズ、６……シリンドリカルミラー、７……感光ド
ラム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光源として半導体レーザービーム発生装置を
用い、走査用回折格子円板を回転させることによ
つて走査を行う構成で、上記走査用回折格子円板
より光源側に固定回折格子を配置し、同固定回折
格子の格子線方向と上記走査用回折格子円板上の
レーザービーム入射点における格子線の中心方向
とを平行ならしめ、上記両回折格子間に結像レン
ズ系を介在させて、固定回折格子上の光束入射点
の像が上記走査用回折格子円板上のレーザービー
ム入射点に形成されるようにすると共に、下記条
件を満足するように各部を配置したことを特徴と
するレーザービーム走査装置。 記 ｍ＝d1／d2 cos ｉ／cos θo ｍ：上記結像レンズ系の倍率 d2：走査用回折格子円板の回折格子の格子定数 d1：固定回折格子の格子定数 θo：走査用回折格子への光ビーム入射角 ｉ：固定回折格子からの光ビーム出射角
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177791A JPS5967514A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | レ−ザ−ビ−ム走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177791A JPS5967514A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | レ−ザ−ビ−ム走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967514A JPS5967514A (ja) | 1984-04-17 |
| JPH0225489B2 true JPH0225489B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=16037160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177791A Granted JPS5967514A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | レ−ザ−ビ−ム走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967514A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181523A (en) * | 1981-04-08 | 1982-11-09 | Xerox Corp | Optical type scanner |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP57177791A patent/JPS5967514A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181523A (en) * | 1981-04-08 | 1982-11-09 | Xerox Corp | Optical type scanner |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5967514A (ja) | 1984-04-17 |
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