JPH02254784A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、活性層とクラッド層との間に、両層の中間の
屈折率を有する光ガイド層が積層された半導体レーザ素
子に関する。

（従来の技術） 半導体レーザ素子から発せられるレーザ光は、光ディス
クへの情報の書き込み用および消去用光源として利用さ
れている。このような光ディスク等の書き込み用および
消去用光源として使用される半導体レーザ素子では、端
面から出射されるレーザ光の出力は３０ｍＷ以上の高出
力が要求される。

このように、端面から高出力でレーザ光が出射されるこ
とを要求される半導体レーザ素子では、内部および端面
での高い光密度に起因する光学的損傷、高注入電流によ
るジュール熱やその他の熱的要因、ストライプ状導波路
における偏在した電流注入や電界分布に基づいた熱的歪
もしくは幾何学的結晶構造に基づく結晶歪、等が単独に
作用することにより、あるいは相互に作用することによ
り、安定した光出力が得られず、信頼性が低下するとい
う問題がある。安定した高光出力の半導体レーザ素子を
実現させるためには、半導体レーザ素子から発振される
レーザビームのビーム放射角、非点隔差等の光学的特性
を損なうことな（、上記各劣化要因をできるだけ緩和す
ることが必要である。

活性層に注入される電流に起因する発熱を低減させるに
は、発振閾値電流密度を低下させることが有効である。

ダブルへテロ構造の半導体レーザ素子における発振闇値
電流密度（Ｊ　ｔｈ）は、よく知られているように、次
式で表される。

１ｔｈ＝ｌｏ−ｃｉ／η ＋　ｄ　　Ｃａ　：＋　　（Ｉｎ（１／Ｒ＋Ｒ２）／２
Ｌｌ　　）　／　ｙ７　ｒβ・・・　（１〉 但し、ｄ：活性層厚、 η：微分効率、 ｒ：閉じ込め係数、 α１：内部損失、 Ｌ：共振器長、 Ｒ，、Ｒ２：端面係数、 ＪＯ１β：定数。

該（１）式から明らかなように、各パラメータを変更す
ることにより発振闇値電流Ｊｔｈを低減させることがで
きる。共振器長りを長くすることにより発振閾値電流密
度Ｊｔｈを低減させて、安定した高光出力を得ることに
より信頼性を同上させた半導体レーザ素子の一例を第４
図（ａ）に示す。

この半導体レーザ素子は、内部ストライブ構造であるＶ
　Ｓ　Ｉ　Ｓ　（Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄ　　５ｕｂｓ
ｔｒａｔｅ　　ＩｎｎｅｒＳｔｒｉｐｅ）型レーザであ
り、ｐ型ＧａＡｓ基板７１を有し、該ｐ型ＧａＡＳ基板
７１にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７２が積層されている
。該電流狭窄層７２の中央部には、断面Ｖ字状であって
、その下端部が基板７１に達しているストライブ溝７２
ａが形成されている。そして、該電流狭窄層７２上およ
びストライブ溝？２ａ内にｐ型ＧａＡＩＡＳクラッド層
７３がその上面が平坦になるように積層されており、該
クラッド層７３上にｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層７４、ｎ型
ＧａＡＩＡＳクラッド層７５、ｎ型ＧａＡｓキャップ層
７６が順次積層されている。そして、ｐ型ＧａＡｓ基板
７１にｐ（ｌｌｌｉｌ極７７、ｎ型ＧａＡｓキャップ層
７６にｎ側電極７８がそれぞれ配設されている。

このような構造の半導体レーザ素子における共振器長（
Ｌ）が３７５μｍと２５０μｍの場合の農大光出力（Ｃ
ＯＤ出力）と遠視野像半値角（活性層厚に相当）との関
係を、第４図（ｂ）に示す。共振器長が３７５μｍの場
合には、共振器長が２５０μｍの場合に比べて明かにＣ
ＯＤ出力が増加しており、前記（１）式から明かなよう
に閾値電流密度が低減されることにより、共振器端面の
発熱が抑制され、ＣＯＤ出力が向上していることがわか
る。

また、該半導体レーザ素子において、７８０ｎｏ＋の発
振波長により、５０°Ｃ，４０ａ＋Ｗの定出力でエージ
ング試験した場合には、共振器長が３７５μｍの素子は
、共振器長が２５０μｍの素子よりも安定に動作し、１
０００時間までの故障数は共振器長２５０μｍの素子の
１／４以下に改善された。共振器長をさらに長くすれば
、閾値電流密度は一層低減されるが、闇値電流（Ｉ　ｔ
ｈ）が増加するため、必要以上に長くしないことが好ま
しい。

（発明が解決使用とする課題） このように、共振器長を大きくすれば、発振闇値電流Ｊ
ｔｈの低減により半導体レーザ素子の信頼性は向上する
。また、前記（１）式から明らかなように、例えば、端
面反射率（Ｒ２およびＲ２）を増加させることにより、
閾値電流密度を低下させることができるが、高出力半導
体レーザ素子では、レーザ先取り出し側端面の反射率Ｒ
２は、通常１０％以下に設定されるため、それ以上の反
射率にすれば閾値電流密度は低減されるものの、内部光
密度が増加するため、信頼性は低下してしまう。

さらに、前記（１）式から、発振閾値電流密度（Ｊｔｈ
）は、活性層の厚さｄと閉じ込め係数ｒとの比ｄ／ｒの
関数であるため、活性層の厚さｄを厚くすることにより
、閾値電流密度を低減させることも可能である。箪５図
に、活性層の厚さｄと、活性層の厚さと閉じ込め係数ｒ
との比ｄ／ｒとの間の関係を示す。ｄ／ｒは、ｄが増加
することにより漸減するため、閾値電流密度Ｊｔｈも活
性層の厚さが増加することにより漸次減少する。しかし
、活性層を厚くすると、垂直方向の電界分布が活性層内
に集中するため、最大光出力が低下したり、活性層から
のしみ出し光を利用して横モードを安定化する構造の半
導体レーザ素子では、しみ出し光の減少に基づく横モー
ドが不安定になる等の問題が生じる。

発振閾値電流密度の低減に有効な半導体レーザ素子の他
の例を、第６図に示す。該半導体１／−ザ素子は、いわ
ゆるＳ　ＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ　Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅ
ｎｔＨｅｔｅｒｏｓｔ、ｒｕｃｔｕｒｅ）構造であり、
ｐ型ＧａＡｓ基板６０に、ｐ型Ａ１４，５Ｇａｇ、５Ａ
Ｓクラッド層６１、ｐ型ＡｌＢ、４Ｇａ＠、ＢＡｓＡｓ
イガ４１層１５２型Ａｌａ、　Ｈ３Ｇａｌ　、　＠７Ａ
Ｓ活性層６３、ｎ型ＡＩＢ、　４Ｇａ＠、　ＢＡｓ光ガ
イド層６４、ｎ型ＡＩＢ、５Ｇａ６，５Ａｓクラッド層
６５、ｎ型ＧａＡｓキャップ層６６が順次積層されてい
る。このような構造の半導体レーザ素子は、ｒＨＥＴＥ
ＲＯｓＴＲｌｌｃＴＵＲＥ　ＬＡＳＥＲＳ　ＰＡＲＴ　
ＡＪ　　（Ｈ，Ｃ、Ｃａ５ｅｙ　Ｊｒ、とＭ、Ｂ、Ｐａ
ｎ１ｓｈの共著）の８２ページに解説されているように
、通常のＤＨ盟半導体レーザ素子に比べて、閉じ込め係
数ｒが大きく、発振閾値電流密度を低減させることがで
き、活性層自体は、閉じ込め係数ｒが同じであるＤＨ型
半導体レーザ素子に比べて薄（することができる。しか
しながら、該ＳＣＨ型半導体レーザ素子は、垂直方向遠
視野像が大きくなるために出射ビームの真円率が低下し
、該光ビームを光デイスク用光源として直接使用するこ
とができない。

本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、その
目的は、出射ビームの真円率を損なうことなく、長期に
わたって高光出力にて安定した動作し得るため、光デイ
スク装置に好適に用いられる半導体レーザ素子を提供す
ることにある。

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体レーザ素子は、活性層とクラッド層との
間に両層の屈折率の中間の屈折率を有する光ガイド層が
積層されており、該活性層にストライブ状の発振領域が
形成された半導体レーザ素子であって、前記光ガイド層
の厚さが、共振器の少なくとも一方の端面近傍部におい
て薄く、共振器の該端面近傍部を除く中央部分において
厚くなっており、そのことにより上記目的が達成される
。

（実施例） 以下に本発明を実施例について説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施例の半導体
レーザ素子を示し、箪１図（ａ）は該半導体レーザ素子
における下地基板の斜視図である。

該下地基板は、リッジｌｌａが配設されたｐ型ＧａＡｓ
基板１工を有する。該ｐ型ＧａＡｓ基板１１には、ｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１２が積層されている。該電流狭窄
層１２は、共振器の各端面近傍部では、基板１１のりッ
ジ１１ａと同様のりッジ１２ａを形成すべく全体に均一
な厚さで薄く積層されており、共振器の各端面近傍部を
除く中央部では、全体の上面が各端面近傍部のりフジ１
２ａ上面と面一になっており、従って、基板１１におけ
るリッジｌｌａの各側方では、厚くなっている。該電流
狭窄層１２の幅方向中央部には、底部が基板１１に達す
るストライブ状のチャネル１２ｂが、例えばエツチング
により形成されている。

該下地基板におけるｎ型ＧａＡｓ１１ｉ流狭窄層１２上
および該ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１２に形成されたスト
ライブ状のチャネル１２ｂ内には、第１図（ｂ）〜（（
１）に示すように、ｐ型ＡＩＬ５Ｇａ６　、５Ａｓクラ
ッド層１３が、共振器中央部におけるチャネル１２ｂ内
では０．２μＩの厚さとなるようにエピタキシャル成長
により積層されている。該ｐ型ＡＩＢＢ、５Ｇａ＠、５
Ａｓクラッド層１３には、共振器中央部において０．１
μｌの厚さとなるように積層されたｐ型Ａ１ｇ　、　４
０ａｇ　、　ＢＡｓＡｓイガ４１層１４振器中央部にお
いて０．０５μｍの厚さとなるように積層されたｐ型Ａ
１ｇ、　（３Ｇａ＠、＠７Ａｓ７Ａｓ活性、共振器中央
部においてＯ３１μｍの厚さになるように積層されたｎ
型Ａ１ｇ、４Ｇａ＠、６Ａｓ光ガイド層１６、共振器中
央部において１．０μｍの厚さになるように積層された
ｎ型Ａ１ｇ、６Ｇ！＠、５ＡＳクラフト１７、全体に３
．０μｍの厚さになるように積層されたｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層１８が、順次、例えば、エピタキシャル成長に
より配設されている。そして、このようなダブルへテロ
接合型レーザ光発振用多層結晶構造におけるｐ型ＧａＡ
ｓ基板１１およびｎ型ＧａＡｓキャップ層１８にそれぞ
れ電極１０および１９が配設され、本実施例の半導体レ
ーザ素子が構成されている。

該半導体レーザ素子は、共振器各端面近傍部を除く中央
部では、電流狭窄層１２がチャネル１２ｂ以外の部分が
平坦であるために、該電流狭窄層１２およびチャネル１
２ｂ内に積層されたクラッド層１３の上面は平坦になり
、第１図（ｂ）に示すように、該光クラッド層１３上に
順次積層された光ガイド層１４、活性層１５、光ガイド
層１６は均一な厚さになる。また、ｐ型ＡＩＢ、５Ｇａ
＠、５Ａｓクラッド層１３とｐ型Ａｌｌ１１．ｌ３Ｇａ
＠　、６７Ａｓ活性層１５との間のｐ型ＡＩＢ、４Ｇａ
＠、ＢＡｓＡｓイガ４１層１４けるＡｔ混晶比（０，４
）は、クラッド層ｌ３のＡｌ混晶比（Ｏ，Ｓ）、および
活性層１５のＡｔ混晶比（０，１３）の間の値になって
おり、従って、該光ガイド層１４の屈折率は、クラッド
層１３の屈折率と活性層１５の屈折率との中間の値にな
っている。その結果、該半導体レーザ素子は、共振器中
央部では°、活性層１５と両クラッド層１３および１７
との間に、それぞれ両者の中間の屈折率を有する光ガイ
ド層１４および１６が、それぞれ均一な厚さで積層され
たＳＣＨ構造となっている。

これに対し、共振器各端面近傍部では、下地基板におけ
る電流狭窄層１２のリッジ１２ａ上に積層されるｐ型ク
ラッド層１３およびｐ型光ガイド層１４は、それぞれの
結晶が、エピタキシャル成長に際して、該リッジ１２ａ
の傾斜面に沿って流動するために、薄層化される。特に
、光ガイド層１４は、共振器中央部において０．１μｍ
という非常に薄い厚さとなるように下地基板全体に積層
されるために、各リッジ１２ａ上では、非常に薄層化さ
れ、実質的な厚さを有さず、従って、ｐ型クラッド層１
３とｎ型クラッド層１６との間に、ｐ型活性層１５およ
びｎ型光ガイド層１６が挾まれたＬ　ＯＣ（Ｌａｒｇｅ
　０ｐｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔ、ｙ）構造となる。

このようにして製造される半導体レーザ素子は、共振器
中央部において、各クラッド層１３および１７と活性層
１５との間には、各クラッド層１３および１７の屈折率
と該活性層１５の屈折率との中間の屈折率を有する均一
な厚さの一対の光ガイド層１４および１６が積層された
ＳＣＨ構造になっているため、該活性層１５における光
閉じ込め係数が上昇し、発振閾値電流密度を有効に低減
させることができる。

その結果、レーザ先発ｗｉｉ流により生じるジュール熱
の発生を抑制することができるとともに、自然放出光の
発生を抑制し得て該自然放出光による発熱も抑制し得る
。

これに対し、共振器各端面近傍部においては、クラッド
層１３と活性層１５との間に積層された状態の光ガイド
層１４は、レーザ光発振領域であるチャネル１２ｂ上で
層厚がきわめて薄くなって、実質的にＬＯＧ構造になっ
ているため、各端面からの出射ビームの垂直方向の広が
り角度が、ＳＣＨ構造の半導体レーザ素子よりも狭（さ
れ、ビームの真円率の低下が防止される。しかも、共振
器各端面近傍部では、実質的にＬＯＧ構造であるために
、電界分布を、活性層１５よりも該活性層１５上に積層
された光ガイド層１６側に偏在させることができ、通常
、劣化が著しい共振器各端面近傍部において、活性層１
５内の光密度を低減することができる。

本実施例において、共振器長が３７５μ園となるように
男開し、該共振器の各端面から２０μｍの長さの端面近
傍部と、３３５μｍの長さの中央部とを有する第１図に
示す半導体レーザ素子を形成した。該半導体レーザ素子
の発振閾値電流は３０ｍＡと低かった。また、遠視野像
の半値角は、水平方向１０度、垂直方向３０度と、従来
の半導体レーザ素子と略等しくなっており、少なくとも
２００ｍＷまでは、安定な横モードを示した。また、一
方の端面に反射率５％のコーティングを施し、他方の端
面に反射率９５％の非対称コーティングを施したところ
、最高出力（ＣＯＤ　Ｌ／へ／Ｌ、）　ｉ！３００ｍＷ
と、従来のＤＨ型半導体レーザ素子の１．５倍であった
。５０℃、４０ｎ＋Ｗでのエージングでは、長期にわた
ってほとんど無劣化であり、安定した動作が得られた。

本発明の第２実施例の半導体レーザ素子を第２図＜ａ＞
〜（ｂ）に示す。第２図（ａ）は、本実施例の半導体レ
ーザ素子における下地基板の斜視図であり、本実施例で
は、１）ＬＧａＡｓ基板２１の共振器各端面近傍部に相
当する部分における幅方向中央を挟んで、断面台形状を
したそれぞれ一対の凹部２１ａが、エツチングにより形
成されている。該基板２１には、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層２２が積層されている。該電流狭窄層２２は、上面が
平坦になるように成長された後に、基板２１における各
凹部２１ａ内に基板２１に達しない凹部２２ａがそれぞ
れ形成されている。

該電流狭窄層２２の幅方向中央部には、底部が基板２．
１に達する断面Ｖ字状をしたストライブ状チャネル２２
ｂが、共振器の全域にわたって形成されている。

このような下地基板上には、ｐ型Ａ１ｇ、６Ｇａ６．５
ＡＳクラッド層２３が積層されている。該クラッド層２
３は、共振器中央部においてチャネル２２ｂ以外の電流
狭窄層２２上に０．２μｍの厚さに積層されるように、
エピタキシャル成長される。該クラッド層２３上には、
ｐ型ＡＩＢ、、Ｇａｇ、ＢＡｓ光ガイド層２４が、共振
器中央部において０．１μｍの厚さになるように積層さ
れており、該光ガイド層２４に、ｐ型Ａｌ（５１３Ｇａ
＠、＠７Ａｓ活性層２５が共振器中央部でＯ，ＯＳμ園
の厚さに、ｎ型ＡＩＢ、４Ｇａ３．６Ａｓ光ガイド層２
６が共振器中央部において０．１μｍの厚さに、ｎ型Ａ
１６，５Ｇａ＠、５Ａｓクラッド層２７が共振器中央部
において１．０μｍの厚さに、ｎ型ＧａＡｓキャップ層
２８が共振器中央部で３．０μｍの厚さに、順次、エピ
タキシャル成長により積層されている。そして、基板２
１および手中ツブ層２８に電極２０および２９が配設さ
れている。

本実施例においても、下地基板上に各層を積層する場合
には、共振器中央部では、第２図（ｂ）に示すように、
下地基板における電流狭窄層２２は平坦になっているた
め、該電流狭窄層２２に積層されるクラッド層２３の上
面は平坦になり、該クラッド層２３上に積層される光ガ
イド層２４および活性層２５は均一な厚さにそれぞれ積
層される。そして、各クラッド層２３および２７と活性
層２５との間には、それぞれ両者の屈折率の中間の屈折
率を有する光ガイド層２４および２６が設けられている
ため、共振器中央部には、前記実施例の半導体レーザ素
子と同様に、ＳＣＨ構造になっている。

これに対して、共振器各端面近傍部では、第２図（Ｃ）
に示すように、電流狭窄層２２に積層されるｐ型クラッ
ド層２３およびｐ型光ガイド層２４は、電流狭窄層にお
ける一対の各凹部２２ａ間では各凹部２２ａ内に結晶が
流動することにより薄層化される。

特に、ｐ型クラッド層２３上に積層されるｐ型光ガイド
層２４は、実質的に光ガイド層として機能しない程度ま
で薄層化される。これにより、共振器各端面近傍部では
、前記実施例と同様に、ＬＯＧ構造になる。

本実施例の半導体レーザ素子でも、閾値電流は３０ｍＡ
と低減することができ、遠視野像の半値角は水平方向で
１０度、垂直方向で３０度であり、槙モードも２００ｍ
Ｗまで安定していた。５０℃、４０ｍＷでのエージング
試験でも、２０００時間以上にわたって安定的に動作し
た。

本発明の第３実施例の半導体レーザ素子を第３図（ａ）
〜（ｃ）に示す。第３図（ａ）は本実施例における下地
基板の斜視図である。該下地基板は、ｐ型ＧａＡｓ基板
３１上にｎ型ＧａＡｓ１ｉ流狭窄層３２が厚さ０．８μ
漏に積層されている。該電流狭窄層３２の共振器各端面
近傍部では、幅方向中央部に断面７字状で底部が基板３
１に達するストライプ状チャネル３２ａが形成されてい
る。該チャネル３２ａの開口幅は、例えば４μｍとなっ
ている。該電流狭窄層３２の共振器中央部では、幅方向
中央部に基板３１に達する断面台形状のストライブ状チ
ャネル３２ｂが、共振器各端面近傍部におけるそれぞれ
のチャネル３２ａに連続するように形成されている。該
チャネル３２ｂの開口幅は、共振器各端面近傍部のチャ
ネル開口幅よりも広（、例えば、７μｍとされている。

該下地基板における電流狭窄層３２上には、前記各実施
例と同様の組成でなるｐ型Ａ１ｇ、５Ｇａ２，５Ａｓク
ラッド層３３、ｐ型Ａ１Ｂ１，４ＧａＢ、６Ａｓ光ガイ
ド層３４、ｐ型Ａ１Ｂ、１３ＧａＢ４７Ａｓ活性層３５
、ｎ型Ａｌ＠、４Ｇａ＠、６Ａｓ光ガイド層３６、ｎ型
ＡｌＢ１．６０ａ＠４ＡＳクラッド層３７、ｎ型ＧａＡ
ｓキャップ層３８が、順次、エピタキシャル成長により
積層されている。そして、基板３１およびキャップ層３
８に電極３Ｇおよび３９がそれぞれ配設されている。

本実施例では、下地基板上に各層を積層する際に、電流
狭窄層３２における共振器中央部に形成されたチャネル
３２ｂの開口幅が共振器各端面近傍部に形成されたチャ
ネル３２ａの開口幅よりも広くなっているために、共振
器中央部のチャネル３２ｂ内に積層されたクラッド層３
３は、東３図（ｂ）に示すように、その上面が凹状に窪
み、該クラッド層３３上に積層されるｐ型光ガイド層３
４は、該チャネル３２ｂ上では凹状に窪んだ部分内に流
動するため厚くなる。

これｔこ対し、共振器各端面近傍部では、チャネル３２
ａの開口幅が狭いために、該チャネル３２ａ内に積層さ
れるクラッド層３３は、第３図（Ｃ）に示すように、上
面が凹状に窪まず平坦になる。従って、該クラッド層３
３上に積層される光ガイド層３４は、チャネル３２ａの
上方域でも所定の厚さに積層される。

該光ガイド層３４は、共振器各端面近傍部では、例えば
、０．１０ａｍの厚さに積層されるが、共振器中央部に
おけるチャネル３２ｂの上方域では、０．１５μｍの厚
さとされる。

このように、本実施例の半導体レーザ素子でも、活性層
とクラッド層との間に積層された光ガイド層の厚さが共
振器各端面近傍部では共振器中央部よりも薄くなってい
るため、共振器長、共振器各端面近傍部および共振器中
央部が前記各実施例と同様の寸法とした場合には、発振
閾値電流は２７ｍＡと低減できた。また、共振器各端面
近傍部では、ＳＣＨ構造になっているため、遠視野像の
半値角は垂直方向で３５［と広くなった。また、最高出
力（ＣｏＤレベル）は、１５０ｖＷテあり、５０℃、４
０ｍＷ出のエージング試験においても、２０００時間以
上劣化が認められなかった。

（発明の効果） 本発明の半導体レーザ素子は、このように、活性層とク
ラッド層との間に、両層の屈折率の中間の屈折率を有す
る光ガイド層が配設されており、該光ガイド層が、共振
器中央部では厚くなっているため、光閉じ込め係数を増
加させて発振閾値電流を低減することができ、従って、
注入電流によるジュール熱の発生を抑制し得るとともに
、自然放出光の発生を抑制し得て該自然放出光による発
熱も抑制し得る。共振器の端面近傍部では光ガイド層が
薄くなっているため、該端面近傍部では、電界分布を活
性層よりも光ガイド層側に偏在させることができ、劣化
が最も激しい端面において活性層内の光密度を低減する
ことができ、端面劣化を抑制し得て高出力により長期間
安定的に動作し得る。さらに、出射ビームの垂直方向の
広がり角度を大きくすることができ、ビーム真円率の低
下が抑制される。

４、　　　　の　　　な言　口 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体レーザ素子の第
１実施例を示し、第１図（ａ）は、該半導体レーザ素子
の下地基板の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ
−Ｂ線における断面図、第１図（Ｃ）は第１図（ａ）の
Ｃ−Ｃ線における断面図、第１図（ｄ）は第１図（ａ）
のＤ−Ｄ線における断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本
発明の半導体レーザ素子の第２実施例を示し、第２図（
ａ）は、該半導体レーザ素子の下地基板の斜視図、東２
図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図、第
２図（Ｃ）は第２図（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図、
第３図（ａ）〜＜ｃ＞は本発明の半導体レーザ素子の第
３実施例を示し、第３図（ａ）は、該半導体レーザ素子
の下地基板の斜視図、ヌ３図（ｂ）は第３図（ａ）のＢ
−Ｂ線における断面図、箪３図（Ｃ）は第３図（ａ）の
Ｃ−Ｃ線における断面図、第４図（ａ）は従来の半導体
レーザ素子の斜視図、箪４図（ｂ）はその特性を示すグ
ラフ、第５図は半導体レーザ素子の活性層の厚さと光閉
じ込め係数との比と活性層の厚さとの関係を示すグラフ
、第６図は従来の半導体レーザ素子の他の例を示す構成
図である。

１１、２１．３１・ｐ型ＧａＡｓ基板、　１２．２２．
３２−・ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、　１２ｂ、２２ｂ、
　３２ｂ・・・チャネル、　１３．２３．３３・ｐ型Ａ
ｔ＠、６Ｇａ＠、＠Ａｓクラッド層、　！４，２４．３
４　・・・ｐ型Ａｌ＠、４Ｇａ＠、６Ａｓ光ガイド層、
１５．３５．４５−ｐ型Ｇａ１、ｌＩ？Ａ１１．１３Ａ
Ｓ活性層、１６．２６．３６−　ｎ型Ａ１１Ｉ、４Ｇａ
＠、ＢＡｓガイド層、１７．２７．３１・・・ｎ型Ａｔ
ｇ、５Ｇａ＠、５Ａｓクラッド層、１８．２８．３８＝
−ｎ型ＧａＡｓキャ、ブ層。

以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、活性層とクラッド層との間に両層の屈折率の中間の
   屈折率を有する光ガイド層が積層されており、該活性層
   にストライプ状の発振領域が形成された半導体レーザ素
   子であって、前記光ガイド層の厚さが、共振器の少なく
   とも一方の端面近傍部において薄く、共振器の該端面近
   傍部を除く中央部分において厚くなっている半導体レー
   ザ素子。