JPH02253543A - プラズマ源 - Google Patents

プラズマ源

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JPH02253543A
JPH02253543A JP7359889A JP7359889A JPH02253543A JP H02253543 A JPH02253543 A JP H02253543A JP 7359889 A JP7359889 A JP 7359889A JP 7359889 A JP7359889 A JP 7359889A JP H02253543 A JPH02253543 A JP H02253543A
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JP
Japan
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plasma
container
magnetic field
diffusion
microwave
Prior art date
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Pending
Application number
JP7359889A
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English (en)
Inventor
Yasunori Ando
靖典 安東
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば、プラズマを用いてエツチング、膜
形成等を行うプラズマ処理装置、あるいはプラズマ中か
らイオンビームを引き出すイオン源等に用いられるプラ
ズマ源に関する。
〔従来の技術〕
第4図(A)は、従来のプラズマ源を用いたプラズマ処
理装置を示す縦断面図である。
このプラズマ源2は、マイクロ波12に対して共振器構
造を持つプラズマ発生容器4と、その外周部に設けられ
た筒状の磁気コイル6と、誘電体窓8と、導波管IOと
を備えている。磁気コイル6は、同図(B)に示すよう
に、誘電体窓近傍で最大値でかつ電子サイクロトロン共
鳴(ECR)磁界強度(2,45GHzに対して875
ガウス)より若干大きく、しかもプラズマ取出し方向に
向かって減少するいわゆる発散磁界を形成する。
φはその磁力線の一例を示す。
そして、導波管10によって導かれたマイクロ波12を
、誘電体窓8を通してプラズマ発生容器4内に導入し、
そこで同容器4内に導入されたガスを放電分解してプラ
ズマ14を発生させるようにしている。
更にこの例では、上記プラズマ源2のプラズマ14を発
散磁界を用いて処理室容器18内に輸送し、それによっ
て同容器18内の試料20にエツチング等の処理を施す
ようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記プラズマ源2においては次のような問題
がある。
■ プラズマ発生容器4は、共振器構造を採るためその
寸法(特に内径寸法)がマイクロ波12の波長で決り、
大型化が困難である。そのため、プラズマ14の大面積
化が困難である。
■ プラズマ14を大面積化するためにプラズマ発生容
器4を大型化すると、磁気コイル6が大型化し、その発
熱量も増大し、かつ必要な電源容量も大きくなってコス
ト高となる。
■ 発散磁界によるプラズマ14の取出しのために、プ
ラズマ密度の均一性が悪い(即ち中央部はど極端に大き
くなる)、また、プラズマ14の流れ方向が磁界の発散
に依存するため、プラズマ14の入射角度が試料20上
の位置によって異なる。これは特にエツチングでは問題
が大きい。
■ 誘電体窓8近傍のプラズマ14によるマイクロ波1
2の吸収が大きいため、プラズマ14による誘電体窓8
の加熱が著しく、それによって誘電体窓8が破損する場
合もある。
■ プラズマ14に吸収されなかったマイクロ波12が
プラズマ発生容器4から漏れ出て試料20を加熱する場
合もある。
そこでこの発明は、これらの点を改善したプラズマ源を
提供することを主たる目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明のプラズマ源は、マイクロ波を用いてプラズマ
を発生させるものであって、プラズマ取出し口およびそ
れにほぼ直交する面にマイクロ波導入口を有し、かつマ
イクロ波の進行方向に対して少なくともλ/2(λはマ
イクロ波の波長)の大きさを有するプラズマ発生容器と
、このプラズマ発生容器内にマイクロ波の電界成分とほ
ぼ直交する方向に電子サイクロトロン共鳴のための磁界
を発生させる第1の磁石と、プラズマ発生容器のプラズ
マ取出し口に接続されかつその接続部から離れる方向に
向かって拡がったプラズマ拡散容器と、このプラズマ拡
散容器の内壁面に沿った磁界を発生させる第2の磁石と
を備えることを特徴とする。
〔作用〕
プラズマ発生容器およびプラズマ拡散容器内を真空排気
し、かつプラズマ発生容器内にガスおよびマイクロ波を
導入すると、電子サイクロトロン共鳴によって当該プラ
ズマ発生容器内にプラズマが発生する。そしてこのプラ
ズマは、拡散によってプラズマ拡散容器内へ拡がる。
プラズマ拡散容器内では、プラズマは自由に運動するこ
とができるのでプラズマ密度の均一化が行われる。しか
もプラズマ拡散容器は拡がった構造をしているので大面
積のプラズマが得られる。
また、同容器の内壁面に沿った磁界が形成されているた
め、プラズマの損失が抑えられ、それによって高密度の
プラズマを保持することができる。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例に係るプラズマ源を用い
たプラズマ処理装置を示す縦断面図である。第2図は、
第1図の線1−1に沿う断面図である。
この実施例のプラズマ源22は、プラズマ発生容器24
およびプラズマ拡散容器34を備えている。
プラズマ発生容器24は、プラズマ拡散容器34に接続
されるプラズマ取出し口24aおよびそれにほぼ直交す
る面にマイクロ波導入口24bを有する。
マイクロ波導入口24bには、石英ガラス、セラミック
ス等から成る誘電体窓8を介して矩形の導波管10が接
続されており、この誘電体窓8を通してマイクロ波12
がプラズマ発生容器24内導入される。
プラズマ発生容器24は、マイクロ波12の進行方向の
距離りが少なくともλ/2(λはマイクロ波12の波長
)の大きさを有するものであり、好ましくはλ/2の整
数倍とする。そのようにすると、プラズマ発生容器24
内にマイクロ波12の定在波が立ち易く、初期プラズマ
を点火し易いからである。
プラズマ発生容器24内に導入するマイクロ波12は、
T E loモードのものが好ましい、第3図に当該モ
ードの電界Eの分布を模式的に示す、これは、TEl・
モードは基本モードであって一番使い易く、かつプラズ
マ発生容器24等の大きさも一番小型化することができ
るからである。もっとも、このモードに限定されるもの
ではなく、場合によってはTE、。モード等の他のモー
ドを用いても良い。
プラズマ発生容器24の外部には、第1の磁石としてこ
の例では磁気コイル26aおよび磁気回路構成用の鉄心
26bから成る電磁石26を設けており、これによって
プラズマ発生容器24内の中心付近で、電子サイクロト
ロン共鳴磁界強度(2,45GHzのマイクロ波12に
対して875ガウス)以上の直流磁界Mを発生させるよ
うにしている。しかもこの磁界Mと、導入されたマイク
ロ波12の電界Eとをほぼ直交させるようにしている。
プラズマ拡散容器34は、その一端がプラズマ発生容器
24のプラズマ取出し口24aに接続されており、かつ
その接続部から離れる方向に向かって錐体状に拡がった
形状をしている。この拡がり方は、図示例のように連続
的であっても良いし、あるいは段階的であっても良い。
このプラズマ拡散容器34の外周部には、第2の磁石と
してこの例では複数の永久磁石36を設けており、これ
によって同容器34の内壁面に沿った磁界Hを発生させ
るようにしている。この磁界Hは、例えば内壁面から5
〜30mm程度の位置で5〜20ガウス程度となるよう
にする。これはその程度で、プラズマ14中のイオンや
電子がうまく捕捉されるからである。
更にこの例では、上記のようなプラズマ源22のプラズ
マ拡散容器34の開口部に処理室容器18を接続して、
プラズマ処理装置を構成している。
処理室容器18内には、試料20を載せる試料台40が
設けられており、この試料台40には、その上に載せた
試料20にイオンビーム14を効率良く導くために、適
当な電位を与えるための電圧発生源を接続する。この電
圧発生源は、試料20が良導電性の場合は直流電源で良
いが、その他の場合は、図示のような交流電源44ある
いは直流に交流を重畳させた電源が好ましい、42はコ
ンデンサである。
動作例を説明すると、プラズマ発生容器24およびプラ
ズマ拡散容器34内を例えば104〜10−’T o 
r r程度の適当な圧力に真空排気した後、プラズマ発
生容器24内に、例えば図示例のように直接、またはプ
ラズマ拡散容器34側から、所要のガスを導入して例え
ば1O−4〜10−’T。
rr程度の範囲内で適当なガス圧に保持する。
そしてプラズマ発生容器24内に、電磁石26によって
上記のような磁界Mを発生させておいて、マイクロ波1
2を導入すると、電子サイクロトロン共鳴によってプラ
ズマ14が発生する。
プラズマ発生容器24内に発生したプラズマ14は、拡
散によってプラズマ取出し口24aを経てプラズマ拡散
容器34内へ拡がる。
プラズマ拡散容器34内では、永久磁石36の強さや配
置等によって壁面部以外で無磁界に近い状態にすること
ができる。従って、プラズマ拡散容器34の内部ではプ
ラズマ14は自由に運動することができる(熱運動的で
ある)ので、プラズマ密度の均一化が行われる。しかも
プラズマ拡散容器34は拡がった構造をしているので、
大面積のプラズマ14が得られる。
また、プラズマ拡散容器34の内壁面に沿った磁界Hが
形成されているため、プラズマ14中の荷電粒子の壁面
方向への運動が抑制され、その結果、壁面でのプラズマ
14の損失を減少させることができる。従って、高密度
のプラズマ14を保持することができる。
そしてこのようにして得られたプラズマ14を試料20
0表面へ輸送することによって、試料20に対してエツ
チング等の処理を施すことができる、そのとき試料20
に入射する荷電粒子のエネルギーは、試料台40および
試料2oに印加するバイアス電圧によって制御すること
ができる。
上記のようなプラズマ源22においては次のような効果
が得られる。
■ プラズマ14の発生部と拡散部とが別にあるので、
プラズマ14の大面積化が容易である。
■ プラズマ14の大面積化に対してプラズマ発生容器
24を大型化する必要が無いので、電磁石26も小型で
済み、従ってそのための電源の省力化、発熱量の低減お
よび低コスト化が可能である。
■ プラズマ拡散容器34内においてプラズマ14が拡
散によって均一化されるため、密度の均一なプラズマを
得ることができる。また、従来例のようにプラズマ14
の流れ方向が発散磁界に依存することがないので、プラ
ズマ14の入射角度が試料20上の位置によって異なる
という問題も起こらない。
■ 誘電体窓8をプラズマ発生容器24内におけるプラ
ズマ発生部から離して(後退させて)設置してもプラズ
マ発生に支障は無いので、それによってプラズマ14に
よる誘電体窓8の加熱を軽減させてその破損を防ぐこと
ができる。
■ マイクロ波12の進行方向がプラズマ14の取出し
方向でないため、マイクロ波12が漏れ出て試料20等
へ悪影響を与える度合は小さい。
■ プラズマ14の発生と取出しとが独立しているので
、プラズマ処理の最適化が容易に行える。
■ プラズマ拡散容器34の開口部にイオンビーム引出
し用の電極を設けて当該プラズマ源22をイオン源に使
用する場合、イオンビーム引出し方向とは逆向きに(即
ちプラズマ発生容器24側へ)電子が加速されるが、従
来例と違ってその方向に誘電体窓8が無いので、当該逆
行電子によって誘電体窓8が加熱破損される恐れが無い
尚、プラズマ発生容器24内に電子サイクロトロン共鳴
のための磁界を発生させる第1の磁石としては、上記の
ような電磁石26の代わりに、空心コイルを用いても良
いし、永久磁石を用いても良い。
また、プラズマ拡散容器34の内壁面に沿った磁界を発
生させる第2の磁石としては、上記のような永久磁石3
6を同容器34内に配置しても良いし、あるいは永久磁
石36の代わりに磁気コイルを用いても良い。
また、上記プラズマ発生容器24、プラズマ拡散容器3
4および処理室容器18は、必要に応じて冷却水等によ
って冷却するようにしても良い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、プラズマの発生部と拡
散部とを別に設けたので、プラズマ発生容器やそこの磁
石を大型化することなく、大面積でしかも均一性の良い
プラズマを容易に得ることができる。
また、従来例と違ってプラズマの取出しが発散磁界に依
存しないので、試料等に対するプラズマの入射角を一様
にすることができる。
また、誘電体窓をプラズマ発生容器の言わば側方に配置
しているので、プラズマによる、更にはイオン源に用い
た場合の逆行電子による当該誘電体窓の加熱が抑えられ
る。
また、マイクロ波の進行方向がプラズマの取出し方向で
ないため、マイクロ波が漏れ出て試料等へ悪影響を与え
る度合が小さい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係るプラズマ源を用い
たプラズマ処理装置を示す縦断面図である。第2図は、
第1図の線I−1に沿う断面図である。第3図は、第1
図の導波管の断面図である。 第4図(A)は従来のプラズマ源を用いたプラズマ処理
装置を示す縦断面図であり、同図(B)はその中心軸上
の磁束密度分布を示す図である。 8・・・誘電体窓、10・・・導波管、12・・・マイ
クロ波、14・・・プラズマ、22・・・実施例に係る
プラズマ源、24・・・プラズマ発生容器、24a・・
・プラズマ取出し口、24b・・・マイクロ波導入口、
26・・・電磁石(第1の磁石)、34・・・プラズマ
拡散容器、36・・・永久磁石(第2の磁石)。 第 図 第 図 第4図 (A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マイクロ波を用いてプラズマを発生させるもので
    あって、プラズマ取出し口およびそれにほぼ直交する面
    にマイクロ波導入口を有し、かつマイクロ波の進行方向
    に対して少なくともλ/2(λはマイクロ波の波長)の
    大きさを有するプラズマ発生容器と、このプラズマ発生
    容器内にマイクロ波の電界成分とほぼ直交する方向に電
    子サイクロトロン共鳴のための磁界を発生させる第1の
    磁石と、プラズマ発生容器のプラズマ取出し口に接続さ
    れかつその接続部から離れる方向に向かって拡がったプ
    ラズマ拡散容器と、このプラズマ拡散容器の内壁面に沿
    った磁界を発生させる第2の磁石とを備えることを特徴
    とするプラズマ源。
JP7359889A 1989-03-24 1989-03-24 プラズマ源 Pending JPH02253543A (ja)

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JP7359889A JPH02253543A (ja) 1989-03-24 1989-03-24 プラズマ源

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03215665A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Hitachi Ltd イオン源

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03215665A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Hitachi Ltd イオン源

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