JPH0225050A - 半導体圧力のセンサの特性測定方法 - Google Patents
半導体圧力のセンサの特性測定方法Info
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- JPH0225050A JPH0225050A JP17417688A JP17417688A JPH0225050A JP H0225050 A JPH0225050 A JP H0225050A JP 17417688 A JP17417688 A JP 17417688A JP 17417688 A JP17417688 A JP 17417688A JP H0225050 A JPH0225050 A JP H0225050A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は計測器、血圧計、クリーナおよび自動車等の
各分野において幅広く利用されている半導体圧力センサ
の特性測定方法に関する。
各分野において幅広く利用されている半導体圧力センサ
の特性測定方法に関する。
「従来の技術」
半導体圧力センサの特性評価項目の中にスパンおよび直
線性がある。以下これらについて簡単に説明する。
線性がある。以下これらについて簡単に説明する。
まず、スパンとは、第４図に示すように、半導体圧力セ
ンサに圧力を印加しない時にこのセンサの構造に起因し
て発生する出力電圧Ｖ。と定格圧力Ｐ■ａＸを印加した
時にこのセンサに発生する出力電圧Ｖ ｗａｘとの差（
Ｖｍａｘ−Ｖｏ）をいう。
ンサに圧力を印加しない時にこのセンサの構造に起因し
て発生する出力電圧Ｖ。と定格圧力Ｐ■ａＸを印加した
時にこのセンサに発生する出力電圧Ｖ ｗａｘとの差（
Ｖｍａｘ−Ｖｏ）をいう。
また、直線性とは、半導体圧力センサに第５図に示すよ
うな各圧力Ｐａ５ＰｂおよびＰｃを印加した時にこのセ
ンサに発生する各出力電圧Ｖａ、ＶｂおよびＶｃを用い
て次式より求められる値をいう。
うな各圧力Ｐａ５ＰｂおよびＰｃを印加した時にこのセ
ンサに発生する各出力電圧Ｖａ、ＶｂおよびＶｃを用い
て次式より求められる値をいう。
ｎ−［（Ｖｂ−（Ｖａ−Ｖｃ）／２１／（Ｖａ−Ｖｃ）
］・１００［％］・・・■ そして、これらの特性評価項目の測定は、このセンサを
各層およびダイアフラム等が形成されたシリコンウェハ
よりチップとしてグイシングして最終段階まで組み立て
た後に行なわれていた。
］・１００［％］・・・■ そして、これらの特性評価項目の測定は、このセンサを
各層およびダイアフラム等が形成されたシリコンウェハ
よりチップとしてグイシングして最終段階まで組み立て
た後に行なわれていた。
「発明が解決しようとする課題」
ところで、上述の従来の半導体圧力センサの特性測定方
法においては、半導体圧力センサを製品として出荷でき
る段階まで組み立てた後にスパンおよび直線性等の特性
評価項目を測定していたので、各製品を一つ一つ測定器
にセットして規定圧力を加えた上で各特性項目を測定し
なければならず、作業工数が多いという問題があった。
法においては、半導体圧力センサを製品として出荷でき
る段階まで組み立てた後にスパンおよび直線性等の特性
評価項目を測定していたので、各製品を一つ一つ測定器
にセットして規定圧力を加えた上で各特性項目を測定し
なければならず、作業工数が多いという問題があった。
しかも、この測定の結果不良品となった製品は廃棄しな
ければならず、組み立て加工費等が無駄になるという問
題もあった。
ければならず、組み立て加工費等が無駄になるという問
題もあった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたしので、作業
工数を大幅に削・減でき、また、組み立て加工費等を低
減することができる半導体圧力センサの特性測定方法を
提供することを目的としている。
工数を大幅に削・減でき、また、組み立て加工費等を低
減することができる半導体圧力センサの特性測定方法を
提供することを目的としている。
「課題を解決するための手段」
この発明は、半導体圧力センサとしての製造工程がダイ
シング前まで終了したシリコンウェハを、シリコンウェ
ハ上に形成されたセンサチップと一対一に対応し、かつ
センサチップに圧力を印加するために吸引チューブと連
通している孔が設けられたウェハ固定用チャッキングス
テージ上に載せ、各センサチップに均等に圧力を印加す
る圧力コントローラを制御して、吸引チューブを介して
シリコンウェハをウェハ固定用チャッキングステージに
吸着固定し、センサチップに設けられたボンディングパ
ッドに対応したプローブが設けられたプローブ測定器を
用いて、ボンディングパッドにプローブを接触させて各
センサチップの特性を測定することを特徴としている。
シング前まで終了したシリコンウェハを、シリコンウェ
ハ上に形成されたセンサチップと一対一に対応し、かつ
センサチップに圧力を印加するために吸引チューブと連
通している孔が設けられたウェハ固定用チャッキングス
テージ上に載せ、各センサチップに均等に圧力を印加す
る圧力コントローラを制御して、吸引チューブを介して
シリコンウェハをウェハ固定用チャッキングステージに
吸着固定し、センサチップに設けられたボンディングパ
ッドに対応したプローブが設けられたプローブ測定器を
用いて、ボンディングパッドにプローブを接触させて各
センサチップの特性を測定することを特徴としている。
「作用」
この発明によれば、半導体圧力センサとしての製造工程
がダイシング前まで終了したシリコンウェハの段階にお
いて、このシリコンウェハ上に形成された各センサチッ
プのスパンおよび直線性等の各特性の評価をすることが
できる。
がダイシング前まで終了したシリコンウェハの段階にお
いて、このシリコンウェハ上に形成された各センサチッ
プのスパンおよび直線性等の各特性の評価をすることが
できる。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力セ
ンサの特性測定方法を適用した半導体圧力センサの特性
測定装置の構成を示すブロック図である。この図におい
て、１は半導体圧力センサとしての製造工程がダイシン
グ前まで終了したシリコンウェハであり、第２図に示す
ように、切り離し線２、切欠３がある。また、４はシリ
コンウェハｌＪ：に形成されたセンサチップである。
する。第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力セ
ンサの特性測定方法を適用した半導体圧力センサの特性
測定装置の構成を示すブロック図である。この図におい
て、１は半導体圧力センサとしての製造工程がダイシン
グ前まで終了したシリコンウェハであり、第２図に示す
ように、切り離し線２、切欠３がある。また、４はシリ
コンウェハｌＪ：に形成されたセンサチップである。
５は本発明者によって考案されたウェハ固定用チャッキ
ングステージ（実願昭６３−２４６０３号参照）であり
、第３図に示すように、第２図のシリコンウェハｌの切
り離し線２に対応してその表面に想像線６によって示す
仮想のます目が作られ、各ます月ごとに吸引用の孔７が
設けられている。
ングステージ（実願昭６３−２４６０３号参照）であり
、第３図に示すように、第２図のシリコンウェハｌの切
り離し線２に対応してその表面に想像線６によって示す
仮想のます目が作られ、各ます月ごとに吸引用の孔７が
設けられている。
この孔７は例えば四角ですべて同サイズである。
また、６孔７はすべて吸引チューブ８に連通している。
さらに、９は切欠であり、この切欠９にシリコンウェハ
ｌの切欠３を合わせる。１０はシリコンウェハｌの各セ
ンサチップ４上のボンディングパッドにプローブ１１を
接触させ、各センサチップ４の各特性を測定するプロー
ブ測定器、Ｉ２はシリコンウェハ１の各センサチップ４
に均等に圧力が印加されるように、シリコンウェハｉを
ウェハ固定用チャッキングステージ５に吸着固定する圧
力コントローラ、１３はプローブ測定器ｌＯの出力信号
を用いて各センサチップ４のスパンおよび直線性等の特
性評価項目を計算するパーソナルコンピュータである。
ｌの切欠３を合わせる。１０はシリコンウェハｌの各セ
ンサチップ４上のボンディングパッドにプローブ１１を
接触させ、各センサチップ４の各特性を測定するプロー
ブ測定器、Ｉ２はシリコンウェハ１の各センサチップ４
に均等に圧力が印加されるように、シリコンウェハｉを
ウェハ固定用チャッキングステージ５に吸着固定する圧
力コントローラ、１３はプローブ測定器ｌＯの出力信号
を用いて各センサチップ４のスパンおよび直線性等の特
性評価項目を計算するパーソナルコンピュータである。
このような構成において、まず、第２図に示すシリコン
ウェハｌの切欠３と第３図のウェハ固定用チャッキング
ステージ５の切欠９とを合わせて、シリコンウェハ１を
ウェハ固定用チャッキングステージ５上に載せる。これ
により、シリコンウェハｌの切り離し線２とウェハ固定
用チャッキングステージ５の想像線６とが一致するので
、６孔７と各センサチップ４とがそれぞれ一対一に対応
する。次に、プローブ測定器ＩＯを移動させ、プロ−ブ
１１を各センサチップ４のボンディングパッドに接触さ
せて圧力が印加されていない時の出力電圧■。をそれぞ
れ検出してコードを介してパーソナルコンピュータ１３
に伝送する。パーソナルコンピュータ１３においては、
伝送された各センサチップ４の出力電圧■。を内部のメ
モリに記憶する。次いで、圧力コントローラ１２を制御
して、シリコンウェハｌをウェハ固定用チャッキングス
テージ５に吸着固定し、各センサチップ４に答礼７を介
して定格圧力Ｐ ＋＊ａｘを印加する。そして、プロー
ブ測定器１０を移動させ、プローブＩｔを各センサデツ
プ４のボンディングパッドに接触させて定格圧力Ｐ ｗ
ａｘが印加されたときに発生する出力電圧Ｖ ｗａｘを
それぞれ検出してコードを介してパーソナルコンピュー
タ１３に伝送する。パーソナルコンピュータ１３におい
ては、伝送された各センサチップ４の出力電圧Ｖ ｍａ
ｘを内部のメモリに記憶し、この電圧Ｖ ｓａｗと先に
メモリに記憶された各センサチップ４の電圧■。を用い
て各センサチップ４のスパンを計算して内部のメモリに
記憶する。
ウェハｌの切欠３と第３図のウェハ固定用チャッキング
ステージ５の切欠９とを合わせて、シリコンウェハ１を
ウェハ固定用チャッキングステージ５上に載せる。これ
により、シリコンウェハｌの切り離し線２とウェハ固定
用チャッキングステージ５の想像線６とが一致するので
、６孔７と各センサチップ４とがそれぞれ一対一に対応
する。次に、プローブ測定器ＩＯを移動させ、プロ−ブ
１１を各センサチップ４のボンディングパッドに接触さ
せて圧力が印加されていない時の出力電圧■。をそれぞ
れ検出してコードを介してパーソナルコンピュータ１３
に伝送する。パーソナルコンピュータ１３においては、
伝送された各センサチップ４の出力電圧■。を内部のメ
モリに記憶する。次いで、圧力コントローラ１２を制御
して、シリコンウェハｌをウェハ固定用チャッキングス
テージ５に吸着固定し、各センサチップ４に答礼７を介
して定格圧力Ｐ ＋＊ａｘを印加する。そして、プロー
ブ測定器１０を移動させ、プローブＩｔを各センサデツ
プ４のボンディングパッドに接触させて定格圧力Ｐ ｗ
ａｘが印加されたときに発生する出力電圧Ｖ ｗａｘを
それぞれ検出してコードを介してパーソナルコンピュー
タ１３に伝送する。パーソナルコンピュータ１３におい
ては、伝送された各センサチップ４の出力電圧Ｖ ｍａ
ｘを内部のメモリに記憶し、この電圧Ｖ ｓａｗと先に
メモリに記憶された各センサチップ４の電圧■。を用い
て各センサチップ４のスパンを計算して内部のメモリに
記憶する。
次に、圧力コントローラ！２を制御して、シリコンウェ
ハｌをウェハ固定用チャッキングステージ５に吸着固定
し、各センサチップ４に答礼７を介して圧力Ｐａを印加
する。そして、プローブ測定Ｂｔｏを移動させ、プロー
ブ１１を各センサチップ４のボンディングパッドに接触
させて圧力Ｐａが印加されたときに発生する出力電圧Ｖ
ａをそれぞれ検出してコードを介してパーソナルコンピ
ュータ１３に伝送する。パーソナルコンピュータ１３に
おいては、伝送された各センサチップ４の出力電圧Ｖａ
を内部のメモリに記憶する。同様に、各センサチップ４
に圧力ｐｂおよびＰｃが印加されたときに発生する出力
電圧ｖｂおよびＶｃをプローブ測定器１０を用いて検出
してコードを介してパーソナルコンピュータ１３に伝送
する。パーソナルコンピュータ１３においては、伝送さ
れた各センサチップ４の出力電圧ｖｂおよびＶｃを内部
のメモリに記憶し、これらの電圧ｖｂおよびＶｃと先に
メモリに記憶された各センサチップ４の電圧■ａを用い
て上述の０式により各センサチップ４の直線性を計算し
、内部のメモリに記憶する。
ハｌをウェハ固定用チャッキングステージ５に吸着固定
し、各センサチップ４に答礼７を介して圧力Ｐａを印加
する。そして、プローブ測定Ｂｔｏを移動させ、プロー
ブ１１を各センサチップ４のボンディングパッドに接触
させて圧力Ｐａが印加されたときに発生する出力電圧Ｖ
ａをそれぞれ検出してコードを介してパーソナルコンピ
ュータ１３に伝送する。パーソナルコンピュータ１３に
おいては、伝送された各センサチップ４の出力電圧Ｖａ
を内部のメモリに記憶する。同様に、各センサチップ４
に圧力ｐｂおよびＰｃが印加されたときに発生する出力
電圧ｖｂおよびＶｃをプローブ測定器１０を用いて検出
してコードを介してパーソナルコンピュータ１３に伝送
する。パーソナルコンピュータ１３においては、伝送さ
れた各センサチップ４の出力電圧ｖｂおよびＶｃを内部
のメモリに記憶し、これらの電圧ｖｂおよびＶｃと先に
メモリに記憶された各センサチップ４の電圧■ａを用い
て上述の０式により各センサチップ４の直線性を計算し
、内部のメモリに記憶する。
このように、グイソング前のシリコンウェハｌをウェハ
固定用チャッキングステージ５に吸着固定して各センサ
チップ４のスパンおよび直線性を測定することにより、
ウェハ段階での両特性におけるスクリーニングを行うこ
とができる。
固定用チャッキングステージ５に吸着固定して各センサ
チップ４のスパンおよび直線性を測定することにより、
ウェハ段階での両特性におけるスクリーニングを行うこ
とができる。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、シリコンウェ
ハをウェハ固定用チャッキングステージ上に載せ、圧力
コントローラを制御することにより、吸引チューブを介
してシリコンウェハをウェハ固定用チャッキングステー
ジに吸着固定して各センサチップに均等に圧力を印加し
た後、プローブ測定器を用いてプローブを各センサチッ
プのボンディングパッドに接触させて各センサチップの
各特性を測定することにしたので、シリコンウェハ段階
での各センサチップの各特性の評価をすることができる
効果がある。従って、特性の悪いセンサデツプを最終的
な製品に組み立てる必要がなく、大幅に作業工数を削減
でき、しかも、組み立て加工費を低減できる効果もある
。
ハをウェハ固定用チャッキングステージ上に載せ、圧力
コントローラを制御することにより、吸引チューブを介
してシリコンウェハをウェハ固定用チャッキングステー
ジに吸着固定して各センサチップに均等に圧力を印加し
た後、プローブ測定器を用いてプローブを各センサチッ
プのボンディングパッドに接触させて各センサチップの
各特性を測定することにしたので、シリコンウェハ段階
での各センサチップの各特性の評価をすることができる
効果がある。従って、特性の悪いセンサデツプを最終的
な製品に組み立てる必要がなく、大幅に作業工数を削減
でき、しかも、組み立て加工費を低減できる効果もある
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
特性測定方法を適用した半導体圧力センサの特性測定装
置の構成を示すブロック図、第２図はノリコンウェハ１
の平面図、第３図はウェハ固定用チャッキングステージ
５の平面図、第４、第５図は半導体圧力センサの特性図
である。 Ｉ・・・・・・シリコンウェハ、４・・・・・・センサ
チップ、５・・・・・・ウェハ固定用チャッキングステ
ージ、７・・・孔、８・・・・・・吸引チューブ、！０
・・・・・・プローブ測定器、１１・・・・・・プロー
ブ、１２・・・・・・圧力コントローラ。
特性測定方法を適用した半導体圧力センサの特性測定装
置の構成を示すブロック図、第２図はノリコンウェハ１
の平面図、第３図はウェハ固定用チャッキングステージ
５の平面図、第４、第５図は半導体圧力センサの特性図
である。 Ｉ・・・・・・シリコンウェハ、４・・・・・・センサ
チップ、５・・・・・・ウェハ固定用チャッキングステ
ージ、７・・・孔、８・・・・・・吸引チューブ、！０
・・・・・・プローブ測定器、１１・・・・・・プロー
ブ、１２・・・・・・圧力コントローラ。
Claims (1)
- 半導体圧力センサとしての製造工程がダイシング前まで
終了したシリコンウェハを、前記シリコンウェハ上に形
成されたセンサチップと一対一に対応し、かつ前記セン
サチップに圧力を印加するために吸引チューブと連通し
ている孔が設けられたウェハ固定用チャッキングステー
ジ上に載せ、各前記センサチップに均等に圧力を印加す
る圧力コントローラを制御して、前記吸引チューブを介
して前記シリコンウェハを前記ウェハ固定用チャッキン
グステージに吸着固定し、前記センサチップに設けられ
たボンディングパッドに対応したプローブが設けられた
プローブ測定器を用いて、前記ボンディングパッドに前
記プローブを接触させて各前記センサチップの特性を測
定することを特徴とする半導体圧力センサの特性測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17417688A JPH0225050A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体圧力のセンサの特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17417688A JPH0225050A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体圧力のセンサの特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225050A true JPH0225050A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15974041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17417688A Pending JPH0225050A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体圧力のセンサの特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225050A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683947A (en) * | 1994-08-13 | 1997-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a component according to the anodic bonding method and component |
| WO2015174151A1 (ja) * | 2014-05-15 | 2015-11-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子のオン抵抗測定方法および半導体素子のオン抵抗測定装置 |
| JP2017051277A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | オムロンヘルスケア株式会社 | 圧脈波センサの検査方法及び圧脈波センサの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136040A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Nec Corp | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17417688A patent/JPH0225050A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136040A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Nec Corp | 半導体ウエハ−プロ−バ−用ステ−ジ |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015220286A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子のオン抵抗測定方法および半導体素子のオン抵抗測定装置 |
| JP2017051277A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | オムロンヘルスケア株式会社 | 圧脈波センサの検査方法及び圧脈波センサの製造方法 |
| WO2017043384A1 (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | オムロンヘルスケア株式会社 | 圧脈波センサの検査方法及び圧脈波センサの製造方法 |
| CN108024736A (zh) * | 2015-09-07 | 2018-05-11 | 欧姆龙健康医疗事业株式会社 | 压力脉搏波传感器的检查方法及压力脉搏波传感器的制造方法 |
| US10136858B2 (en) | 2015-09-07 | 2018-11-27 | Omron Healthcare Co., Ltd. | Method for inspecting pressure pulse wave sensor and method for manufacturing pressure pulse wave sensor |
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