JPH02246378A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH02246378A JPH02246378A JP6833889A JP6833889A JPH02246378A JP H02246378 A JPH02246378 A JP H02246378A JP 6833889 A JP6833889 A JP 6833889A JP 6833889 A JP6833889 A JP 6833889A JP H02246378 A JPH02246378 A JP H02246378A
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Landscapes
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、詳しくは、負性抵抗を有
する２端子素子であって、特に負性抵抗が生じる方法に
ついて、従来のトンネル・ダイオードの半導体構成とは
異なる新しい方法の半導体構成を用いて負性抵抗を実現
するようにした半導体装置に関する。
する２端子素子であって、特に負性抵抗が生じる方法に
ついて、従来のトンネル・ダイオードの半導体構成とは
異なる新しい方法の半導体構成を用いて負性抵抗を実現
するようにした半導体装置に関する。
近年の機能素子の発展に伴い、これら素子の安定性と幅
広い自由度が要求される。特に負性抵抗型素子において
も、使用目的により幅広い素子特性と安定性がますます
重要となる。
広い自由度が要求される。特に負性抵抗型素子において
も、使用目的により幅広い素子特性と安定性がますます
重要となる。
ｐ ｆｉｌ域とｎ領域の不純物濃度が何れも極めて大き
いｐｎ接合（Ｇ ｅ ％ Ｓ ｉ接合でｌ Ｑ ” ａ
ｍ −”以上）では、半導体は縮退状態となり、空乏層
はトンネル効果を生ずる程度に薄（なる（１００Ａ程度
）、この状態では、通常の順方向立上り特性の前にトン
ネル電流による電圧制御形の負性抵抗が現れる。
いｐｎ接合（Ｇ ｅ ％ Ｓ ｉ接合でｌ Ｑ ” ａ
ｍ −”以上）では、半導体は縮退状態となり、空乏層
はトンネル効果を生ずる程度に薄（なる（１００Ａ程度
）、この状態では、通常の順方向立上り特性の前にトン
ネル電流による電圧制御形の負性抵抗が現れる。
このような特性を示す接合をトンネル接合（ｔｕｎｎｅ
ｌ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）といい、トンネル接合による真
性抵抗素子をトンネル・ダイオードと呼ぶ。
ｌ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）といい、トンネル接合による真
性抵抗素子をトンネル・ダイオードと呼ぶ。
トンネル・ダイオードは、負性抵抗が電子のトンネル現
象に由来するため、高速動作が可能である。適当な負荷
抵抗時には２安定素子として動作するので、高速パルス
発生、カウンタなどの応用が考えられる。また、トンネ
ル効果自身は本質的に温度に依存しないので、ダイオー
ドの特性も温度保存性が少ないのが特長である。トンネ
ル・ダイオードはスイッチングデバイスとしての応用や
マイクロ波領域での発振、増幅などの応用が可能である
。
象に由来するため、高速動作が可能である。適当な負荷
抵抗時には２安定素子として動作するので、高速パルス
発生、カウンタなどの応用が考えられる。また、トンネ
ル効果自身は本質的に温度に依存しないので、ダイオー
ドの特性も温度保存性が少ないのが特長である。トンネ
ル・ダイオードはスイッチングデバイスとしての応用や
マイクロ波領域での発振、増幅などの応用が可能である
。
しかしながら、このような従来のトンネル・ダイオード
にあっては、単一の半導体材料を用いてｐ型、ｎ型領域
を形成し、半導体のエネルギ・ギャップ中を通過するト
ンネル効果を利用して食性抵抗を得るという構成となっ
ていたため、充分量の空の準位を作る必要があることか
ら、ｐ、ｎ各々縮退状態が実現できる相当量のドーピン
グ濃度（約Ｉ ＸＩＯ”ｅｌｌ−”以上）が必要とされ
ていた。さらにトンネル確率が、エネルギ・ギャップに
よってほぼ決まるため、−旦材料が決まればトンネル電
流量は余り変化させることができなかった。したがって
、高濃度を実現するために用いる半導体材料に対して活
性化率が高く、固溶度の大きい不純物を選択する必要が
あり、また不純物の拡散によるダイオードの接合領域の
制御性に関する懸念もある。さらにトンネル電流量に自
由度が少ないため、広範囲の特性をもつダイオードが得
られにくい欠点がある。
にあっては、単一の半導体材料を用いてｐ型、ｎ型領域
を形成し、半導体のエネルギ・ギャップ中を通過するト
ンネル効果を利用して食性抵抗を得るという構成となっ
ていたため、充分量の空の準位を作る必要があることか
ら、ｐ、ｎ各々縮退状態が実現できる相当量のドーピン
グ濃度（約Ｉ ＸＩＯ”ｅｌｌ−”以上）が必要とされ
ていた。さらにトンネル確率が、エネルギ・ギャップに
よってほぼ決まるため、−旦材料が決まればトンネル電
流量は余り変化させることができなかった。したがって
、高濃度を実現するために用いる半導体材料に対して活
性化率が高く、固溶度の大きい不純物を選択する必要が
あり、また不純物の拡散によるダイオードの接合領域の
制御性に関する懸念もある。さらにトンネル電流量に自
由度が少ないため、広範囲の特性をもつダイオードが得
られにくい欠点がある。
そこで本発明は、従来のトンネル・ダイオードのような
高濃度のドーピングを必要とせず、通常のト′−ピング
濃度で動作が可能な負性抵抗型のダイオードを提供し、
かつ第三の半導体の膜厚を変えることにより、トンネル
電流量を変化させることが可能な新しい構成のトンネル
・ダイオードを提供することを目的とする。
高濃度のドーピングを必要とせず、通常のト′−ピング
濃度で動作が可能な負性抵抗型のダイオードを提供し、
かつ第三の半導体の膜厚を変えることにより、トンネル
電流量を変化させることが可能な新しい構成のトンネル
・ダイオードを提供することを目的とする。
本発明による半導体装置は上記目的達成のため、第一の
半導体と第二の半導体との組み合わせによるペテロ接合
を存する半導体装置であって、前記ヘテロ接合は２次元
電子と２次元ホールとが同時に形成され、半金属的性質
を持つ第二種ヘテロ接合系からなり、該ヘテロ接合系を
構成する前記第一の半導体と前記第二の半導体との間に
該第−第二の半導体よりも電子親和力が小さく薄い第三
の半導体を挿入し、該第三の半導体内のトンネル効果に
基づいて前記電子と前記ホールのエネルギ準位間での電
流の授受の有無により負性抵抗が生じるようにしている
。
半導体と第二の半導体との組み合わせによるペテロ接合
を存する半導体装置であって、前記ヘテロ接合は２次元
電子と２次元ホールとが同時に形成され、半金属的性質
を持つ第二種ヘテロ接合系からなり、該ヘテロ接合系を
構成する前記第一の半導体と前記第二の半導体との間に
該第−第二の半導体よりも電子親和力が小さく薄い第三
の半導体を挿入し、該第三の半導体内のトンネル効果に
基づいて前記電子と前記ホールのエネルギ準位間での電
流の授受の有無により負性抵抗が生じるようにしている
。
本発明では、第二種のヘテロ接合系を構成する第一の半
導体と前記第二の半導体との間に、該第一、第二の半導
体よりも電子親和力が小さく薄い第三の半導体が挿入さ
れる。
導体と前記第二の半導体との間に、該第一、第二の半導
体よりも電子親和力が小さく薄い第三の半導体が挿入さ
れる。
したがって、該第一、第二の半導体に所定の電圧を印加
すると、バイアスが小さい時は、２次元電子が第三の半
導体をトンネル通過し、２次元ホールである空の準位に
入り、トンネル電流が流れる（ホールについて逆の過程
も同様である）０次に、バイアスが大きくなると、ｐ型
半導体では禁止帯に入るため、空の準位がなく電子から
のトンネル電流は流れない。さらに十分にバイアスが大
きくなると、ｐ型半導体では、伝導帯の領域に入り、新
たに空の準位ができ再びトンネル電流が流れる（ホール
についてもｐ型からｎ型に同様なメカニズムにより電流
のオン・オフが生じる）、その結果、負性抵抗型の電圧
−電流特性が得られる。
すると、バイアスが小さい時は、２次元電子が第三の半
導体をトンネル通過し、２次元ホールである空の準位に
入り、トンネル電流が流れる（ホールについて逆の過程
も同様である）０次に、バイアスが大きくなると、ｐ型
半導体では禁止帯に入るため、空の準位がなく電子から
のトンネル電流は流れない。さらに十分にバイアスが大
きくなると、ｐ型半導体では、伝導帯の領域に入り、新
たに空の準位ができ再びトンネル電流が流れる（ホール
についてもｐ型からｎ型に同様なメカニズムにより電流
のオン・オフが生じる）、その結果、負性抵抗型の電圧
−電流特性が得られる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
皿理説所
本発明は、第二種のヘテロ接合系が形成できる２つの半
導体材料を用いて、そのヘテロ界面に生じる２次元電子
と２次元ホールの準位間のやりとりを、第三の薄い半導
体中を通過するトンネル効果を利用して、負性抵抗型の
ダイオード特性を得るようにしたものである。
導体材料を用いて、そのヘテロ界面に生じる２次元電子
と２次元ホールの準位間のやりとりを、第三の薄い半導
体中を通過するトンネル効果を利用して、負性抵抗型の
ダイオード特性を得るようにしたものである。
上記基本原理を第１〜３図を用いて具体的に説明する。
第１図は、本発明の原理説明図である。
第１図（ａ）は、第二種のヘテロ接合系ｌにおいて、電
子親和力の大きい材料をｎ型の領域２にドーピングし、
電子親和力の小さい材料をｐ型の領域３にドーピングし
たものを直接接続したバンド図を示しており、この状態
で２次元電子ガス（２ＤＥＧ）と２次元ホールガス（２
ＤＨＧ）が形成される。しかし、この状態で電圧を印加
すると、第２図に示すようなオーミック伝導のみが得ら
れる。
子親和力の大きい材料をｎ型の領域２にドーピングし、
電子親和力の小さい材料をｐ型の領域３にドーピングし
たものを直接接続したバンド図を示しており、この状態
で２次元電子ガス（２ＤＥＧ）と２次元ホールガス（２
ＤＨＧ）が形成される。しかし、この状態で電圧を印加
すると、第２図に示すようなオーミック伝導のみが得ら
れる。
次に、このヘテロ接合系ｌの間に、新たにトンネルが可
能な程度に薄い、電子親和力の小さい第三の半導体４を
挿入したものが第１図（ｂ）である、この状態では、第
１図（ａ）の場合とは異なり、電圧を印加すると、電圧
が第三の半導体４のみに集中するため、バイアスにより
２次元電子と２次元ホールのエネルギ準位を自由に変化
させることができ、トンネル電流の制御が可能となる。
能な程度に薄い、電子親和力の小さい第三の半導体４を
挿入したものが第１図（ｂ）である、この状態では、第
１図（ａ）の場合とは異なり、電圧を印加すると、電圧
が第三の半導体４のみに集中するため、バイアスにより
２次元電子と２次元ホールのエネルギ準位を自由に変化
させることができ、トンネル電流の制御が可能となる。
このときの熱平衡状態の電圧−電流特性は第３図（１）
で示される。
で示される。
本発明では、第１図（ｂ）に示すように、２次元電子と
２次元ホールとが形成されるヘテロ接合系ｌにおいて、
第三の薄い半導体４を導入することにより、両エネルギ
準位をバイアスにより変化させて、トンネル電流を制御
するものである。
２次元ホールとが形成されるヘテロ接合系ｌにおいて、
第三の薄い半導体４を導入することにより、両エネルギ
準位をバイアスにより変化させて、トンネル電流を制御
するものである。
このヘテロ接合系１において、ｎ型の領域２に負の電圧
を印加し、ｐ型の領域３に正の電圧を印加すると、バイ
アスが小さいときは第１図（ｂ）に示すように２次元電
子が第三の半導体４をトンネル通過し、２次元ホールで
ある空の準位に入り、トンネル電流が流れる（第３図（
１）参照）、また、ホールについて逆の過程も同様であ
る。そして、バイアスが大きくなると、第１図（Ｃ）に
示すようにｐ型半導体では禁止帯に入るため、空の単位
がなく電子からのトンネル電流は流れない（第３図（Ｉ
Ｉ）参照）、さらに十分にバイアスが大きくなると、ｐ
型半導体では、第１図（ｄ）に示すように伝導帯の領域
に入り、新たに空の準位ができ再びトンネル電流が流れ
る（第３図（ＩＩＩ）参照）。ホールについてもｐ型か
らｎ型に同様なメカニズムにより電流のオン・オフが生
じる（但し、オン・オフの電圧が異なる場合もある）。
を印加し、ｐ型の領域３に正の電圧を印加すると、バイ
アスが小さいときは第１図（ｂ）に示すように２次元電
子が第三の半導体４をトンネル通過し、２次元ホールで
ある空の準位に入り、トンネル電流が流れる（第３図（
１）参照）、また、ホールについて逆の過程も同様であ
る。そして、バイアスが大きくなると、第１図（Ｃ）に
示すようにｐ型半導体では禁止帯に入るため、空の単位
がなく電子からのトンネル電流は流れない（第３図（Ｉ
Ｉ）参照）、さらに十分にバイアスが大きくなると、ｐ
型半導体では、第１図（ｄ）に示すように伝導帯の領域
に入り、新たに空の準位ができ再びトンネル電流が流れ
る（第３図（ＩＩＩ）参照）。ホールについてもｐ型か
らｎ型に同様なメカニズムにより電流のオン・オフが生
じる（但し、オン・オフの電圧が異なる場合もある）。
以上により、負性抵抗型の電圧−電流特性が得られるこ
ととなる０本発明による半導体装置の負性抵抗型の電圧
−電流特性は特性的には従来の単一の半導体材料を用い
て作られるトンネル・ダイオードと同様であるが、従来
のダイオードに比ベバイアス電圧がかなり小さく、微小
電圧（例えば、１００ｍＶ）で動作可能である。
ととなる０本発明による半導体装置の負性抵抗型の電圧
−電流特性は特性的には従来の単一の半導体材料を用い
て作られるトンネル・ダイオードと同様であるが、従来
のダイオードに比ベバイアス電圧がかなり小さく、微小
電圧（例えば、１００ｍＶ）で動作可能である。
二実笠■
以下、上記基本原理に基づいて実施例を説明する。第４
図は本発明に係る半導体装置の一実施例を示す図であり
、第二種のヘテロ結合系としてＩｎＡｓ （インジウム
・ヒ素）とＧａＳｂ （ガリウム・アンチモン）を用い
た例である。第４図において、１１は負性抵抗ダイオー
ド（半導体装置）であり、負性抵抗ダイオード１１は１
−ＧａＡｓ （真性半導体−ガリウム・ヒ素）からなる
基板１２と、膜厚が０．５．ｃｒｍで１−ＡＩＳｂ （
真性半導体−アルミニウム・アンチモン）からなるバッ
ファ層１３と、第二種のヘテロ接合系１４として膜厚が
０．１μｍでｎ−１ｎＡｓ（ｎ型インジウム・ヒ素）か
らなる第一の半導体１５および膜厚が０．１μｍでｐ−
ＧａＳｂ （ｐ型ガリウム・アンチモン）からなる第二
の半導体１６と、第一の半導体１５と第二の半導体１６
との間に挿入される膜厚が３ｎｍの薄い絶縁性の１−Ａ
ＪＳｂ （真性半導体−アルミニウム・アンチモン）か
らなる第三の半導体１７と、第一の半導体１５とオーミ
ックコンタクトをとるためのオーミック電極（ＡｕＧｅ
／Ａｕ）１Ｂと、第二の半導体１６とオーミックコンタ
クトをとるためのオーミック電極（ＡｕＳｎ／Ａｕ）１
９．２０と、により構成されている。
図は本発明に係る半導体装置の一実施例を示す図であり
、第二種のヘテロ結合系としてＩｎＡｓ （インジウム
・ヒ素）とＧａＳｂ （ガリウム・アンチモン）を用い
た例である。第４図において、１１は負性抵抗ダイオー
ド（半導体装置）であり、負性抵抗ダイオード１１は１
−ＧａＡｓ （真性半導体−ガリウム・ヒ素）からなる
基板１２と、膜厚が０．５．ｃｒｍで１−ＡＩＳｂ （
真性半導体−アルミニウム・アンチモン）からなるバッ
ファ層１３と、第二種のヘテロ接合系１４として膜厚が
０．１μｍでｎ−１ｎＡｓ（ｎ型インジウム・ヒ素）か
らなる第一の半導体１５および膜厚が０．１μｍでｐ−
ＧａＳｂ （ｐ型ガリウム・アンチモン）からなる第二
の半導体１６と、第一の半導体１５と第二の半導体１６
との間に挿入される膜厚が３ｎｍの薄い絶縁性の１−Ａ
ＪＳｂ （真性半導体−アルミニウム・アンチモン）か
らなる第三の半導体１７と、第一の半導体１５とオーミ
ックコンタクトをとるためのオーミック電極（ＡｕＧｅ
／Ａｕ）１Ｂと、第二の半導体１６とオーミックコンタ
クトをとるためのオーミック電極（ＡｕＳｎ／Ａｕ）１
９．２０と、により構成されている。
本実施例では、第二種のヘテロ接合系１４としては、Ｔ
ｎＡｓとＧａＳｂを用いており、Ｔ ｎＡｓをｎ型とし
、ＧａＳｂをｐ型とする。しかし両材料では、アン・ド
ープでも各々、ｎ型、ｐ型からなる場合が多い。また第
三の半導体１７としては、ノン・ドープのＡｊＳｂを用
いている。／ｌ！Ｓｂ膜の厚みは、ｌｎｍから１０ｎｍ
程度である。
ｎＡｓとＧａＳｂを用いており、Ｔ ｎＡｓをｎ型とし
、ＧａＳｂをｐ型とする。しかし両材料では、アン・ド
ープでも各々、ｎ型、ｐ型からなる場合が多い。また第
三の半導体１７としては、ノン・ドープのＡｊＳｂを用
いている。／ｌ！Ｓｂ膜の厚みは、ｌｎｍから１０ｎｍ
程度である。
この場合、他の半導体材料の組み合わせてとしては、Ｉ
ｎＡｓＳｂ％ＧａＳｂＡｓ、Ａｌ５ｂＡＳなどの３元素
を組み合わせることも可能である。
ｎＡｓＳｂ％ＧａＳｂＡｓ、Ａｌ５ｂＡＳなどの３元素
を組み合わせることも可能である。
但し、２次元電子と２次元ホールが形成されるような第
二種のヘテロ接合組成の組み合わせが必要である。
二種のヘテロ接合組成の組み合わせが必要である。
このように、本実施例では２次元電子と２次元ホールが
同時に形成され半金属的性質がある第二種のヘテロ接合
を有する第一の半導体１５および第二の半導体１６が設
けられ、第一の半導体１５と第二の半導体１６の間に前
半導体よりも電子親和力が小さくトンネルできる程度の
薄い第三の半導体１７が挿入される。
同時に形成され半金属的性質がある第二種のヘテロ接合
を有する第一の半導体１５および第二の半導体１６が設
けられ、第一の半導体１５と第二の半導体１６の間に前
半導体よりも電子親和力が小さくトンネルできる程度の
薄い第三の半導体１７が挿入される。
したがって、単に第一の半導体１５と第二の半導体１６
を組み合わせると第２図に示すようなオーミック電流が
流れるだけだが、第三の半導体１７内のトンネル効果を
通して２次元電子と２次元ホールのエネルギ準位間で電
流のやりとりが生じることになり第３図に示す負性抵抗
特性が得られる。すなわち、最初、電圧を余り加えない
状態では第１図（ｂ）に示すように互いの、例えば電子
が第三の半導体４をトンネル通過して、ｐ型の領域３の
空きの準位に入るという状況で電流が流れる（第３図（
１）Ｗｌ域）、そして、少しバイアスを加えると、第１
図（Ｃ）に示すように禁止帯に入るためトンネルする空
きの準位がなく、電流はカントオフされる（第３図（ｎ
）ｔ＋Ｊｆ域）、さらに、バイアスを大きくすると、第
１図（ｄ）に示すように伝導帯の領域に入り、空きの準
位ができるため再びトンネルできるようになる（第３図
（ｍ）ＳＪＩ域）。
を組み合わせると第２図に示すようなオーミック電流が
流れるだけだが、第三の半導体１７内のトンネル効果を
通して２次元電子と２次元ホールのエネルギ準位間で電
流のやりとりが生じることになり第３図に示す負性抵抗
特性が得られる。すなわち、最初、電圧を余り加えない
状態では第１図（ｂ）に示すように互いの、例えば電子
が第三の半導体４をトンネル通過して、ｐ型の領域３の
空きの準位に入るという状況で電流が流れる（第３図（
１）Ｗｌ域）、そして、少しバイアスを加えると、第１
図（Ｃ）に示すように禁止帯に入るためトンネルする空
きの準位がなく、電流はカントオフされる（第３図（ｎ
）ｔ＋Ｊｆ域）、さらに、バイアスを大きくすると、第
１図（ｄ）に示すように伝導帯の領域に入り、空きの準
位ができるため再びトンネルできるようになる（第３図
（ｍ）ＳＪＩ域）。
以上説明したように、本実施例によれば、従来のトンネ
ル・ダイオードのように、高ドーピングの必要がなく、
また間に挟む半導体層の厚みを変えることにより、トン
ネル電流量も制御できるため、負性抵抗型のダイオード
素子への性能幅向上に寄与することができる。
ル・ダイオードのように、高ドーピングの必要がなく、
また間に挟む半導体層の厚みを変えることにより、トン
ネル電流量も制御できるため、負性抵抗型のダイオード
素子への性能幅向上に寄与することができる。
本発明によれば、従来のトンネル・ダイオードのような
高濃度のドーピングを必要とせず、通常のドーピゾグ濃
度での動作を可能にするとともに、かつ第三の半導体の
膜厚を変えることにより、トンネル電流量を変化させる
ことが可能な新しい構成のトンネル・ダイオードを実現
することができる。
高濃度のドーピングを必要とせず、通常のドーピゾグ濃
度での動作を可能にするとともに、かつ第三の半導体の
膜厚を変えることにより、トンネル電流量を変化させる
ことが可能な新しい構成のトンネル・ダイオードを実現
することができる。
第１〜３図は本発明の詳細な説明するための図であり、
第１図はそのバンド図、
第２図はその第二種のヘテロ接合系の電圧−電流特性図
、 第３図はその負性抵抗型の電圧−電流特性図、第４図は
本発明に係る半導体装置の一実施例を示すその構造を示
す断面図である。 ｌ、１４・・・・・・第二種のヘテロ接合系、２・・・
・・・ｎ型の領域、 ３・・・・・・ｐ型の領域、 ４．１７・・・・・・第三の半導体、 １１・・・・・・負性抵抗ダイオード １２・・・・・・基板、 １３・・・・・・バッファ層、 １５・・・・・・第一の半導体、 １６・・・・・・第二の半導体、 １８〜２０・・・・・・オーミック電極。 （半導体装置） （ａ） 原理説明のためのバンド図 第１図 ／
、 第３図はその負性抵抗型の電圧−電流特性図、第４図は
本発明に係る半導体装置の一実施例を示すその構造を示
す断面図である。 ｌ、１４・・・・・・第二種のヘテロ接合系、２・・・
・・・ｎ型の領域、 ３・・・・・・ｐ型の領域、 ４．１７・・・・・・第三の半導体、 １１・・・・・・負性抵抗ダイオード １２・・・・・・基板、 １３・・・・・・バッファ層、 １５・・・・・・第一の半導体、 １６・・・・・・第二の半導体、 １８〜２０・・・・・・オーミック電極。 （半導体装置） （ａ） 原理説明のためのバンド図 第１図 ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第一の半導体と第二の半導体との組み合わせによるヘテ
ロ接合を有する半導体装置であって、前記ヘテロ接合は
２次元電子と２次元ホールとが同時に形成され、半金属
的性質を持つ第二種のヘテロ接合系からなり、 該ヘテロ接合系を構成する前記第一の半導体と前記第二
の半導体との間に該第一、第二の半導体よりも電子親和
力が小さく薄い第三の半導体を挿入し、 該第三の半導体内のトンネル効果に基づいて前記電子と
前記ホールのエネルギ準位間での電流の授受の有無によ
り負性抵抗が生じるようにしたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6833889A JPH02246378A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6833889A JPH02246378A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246378A true JPH02246378A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13370955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6833889A Pending JPH02246378A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246378A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518326A (ja) * | 1999-11-17 | 2003-06-03 | エイチアールエル ラボラトリーズ，エルエルシー | タイプｉｉインターバンド異質構造体後方ダイオード |
| JP2010251689A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体素子 |
| JP2011523208A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-08-04 | ユニヴァーシティー オブ ノートル ダム デュ ラック | Ｓｂ化合物ベースのバックワードダイオードによるミリ波検出器に係る方法及び装置 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP6833889A patent/JPH02246378A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003518326A (ja) * | 1999-11-17 | 2003-06-03 | エイチアールエル ラボラトリーズ，エルエルシー | タイプｉｉインターバンド異質構造体後方ダイオード |
| JP2011523208A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-08-04 | ユニヴァーシティー オブ ノートル ダム デュ ラック | Ｓｂ化合物ベースのバックワードダイオードによるミリ波検出器に係る方法及び装置 |
| JP2010251689A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Fujitsu Ltd | 半導体素子 |
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