JPH0224288Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0224288Y2 JPH0224288Y2 JP1983097293U JP9729383U JPH0224288Y2 JP H0224288 Y2 JPH0224288 Y2 JP H0224288Y2 JP 1983097293 U JP1983097293 U JP 1983097293U JP 9729383 U JP9729383 U JP 9729383U JP H0224288 Y2 JPH0224288 Y2 JP H0224288Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- coil
- base
- capacitor
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は例えば受信機の局部発振器に用いて好
適なハートレー発振回路に関する。
適なハートレー発振回路に関する。
背景技術とその問題点
ハートレー（Hartlay）発振回路は構成が簡単
であり、発振が比較的容易であること、更に、コ
イルのタツプの位置によつて発振強度を調整し得
ること等のため、従来から受信機の局部発振器等
に賞用されている。
であり、発振が比較的容易であること、更に、コ
イルのタツプの位置によつて発振強度を調整し得
ること等のため、従来から受信機の局部発振器等
に賞用されている。
このような従来のハートレー発振回路の一例を
第１図を参照しながら説明する。この第１図にお
いて、１はnpn型発振用トランジスタを示し、こ
のトランジスタ１のコレクタはバイパスコンデン
サ２を介して高周波的に接地されている。３は共
振回路を示し、この共振回路３はコイル４並びに
可変容量ダイオード５及びコンデンサ６から構成
される。この共振回路３の一端は結合コンデンサ
７を介してトランジスタ１のベースに接続され、
共振回路３の他端は接地されている。また、コイ
ル４の適宜位置に設けられた中間タツプ４ｔにト
ランジスタ１のエミツタが接続されている。８は
制御電圧端子を示し、この制御電圧端子８は抵抗
器９を介して可変容量ダイオード５に接続され
る。１０はバイアス抵抗器を示し、このバイアス
抵抗器１０の一端はトランジスタ１のベースに接
続され、他端はトランジスタのコレクタと共にデ
カツプリング抵抗器１１を介して電源端子１２に
接続されている。１３はコンデンサを示し、この
コンデンサ１３は低周波デカツプリング用であつ
て、バイパスコンデンサ２に並列に接続されてい
る。
第１図を参照しながら説明する。この第１図にお
いて、１はnpn型発振用トランジスタを示し、こ
のトランジスタ１のコレクタはバイパスコンデン
サ２を介して高周波的に接地されている。３は共
振回路を示し、この共振回路３はコイル４並びに
可変容量ダイオード５及びコンデンサ６から構成
される。この共振回路３の一端は結合コンデンサ
７を介してトランジスタ１のベースに接続され、
共振回路３の他端は接地されている。また、コイ
ル４の適宜位置に設けられた中間タツプ４ｔにト
ランジスタ１のエミツタが接続されている。８は
制御電圧端子を示し、この制御電圧端子８は抵抗
器９を介して可変容量ダイオード５に接続され
る。１０はバイアス抵抗器を示し、このバイアス
抵抗器１０の一端はトランジスタ１のベースに接
続され、他端はトランジスタのコレクタと共にデ
カツプリング抵抗器１１を介して電源端子１２に
接続されている。１３はコンデンサを示し、この
コンデンサ１３は低周波デカツプリング用であつ
て、バイパスコンデンサ２に並列に接続されてい
る。
上述のハートレー発振回路は制御電圧端子８及
び電源端子１２にそれぞれ所定電圧を供給され
て、共振回路３の共振周波数にほぼ等しい周波数
で発振する。この場合、発振周波数の可変範囲を
広くするために、可変容量ダイオードに並列にな
る漂遊容量等の影響を最小限にとどめる必要があ
つて、結合コンデンサ７の容量値は数10pF程度
に選ばれる。そうすると、トランジスタ１のベー
ス回路の基準電位に対するインピーダンスがバイ
アス抵抗器１０の高抵抗値である数10KΩに対応
して大きくなり、発振動作時、特に100KHzより
低い周波数域で現れる低周波雑音（周波数がオク
ターブ下るごとにレベルが２倍になるため１／ｆ
雑音と呼ばれる）の影響を受けて、発振出力レベ
ルとランダム雑音の実効値との比率（Ｃ／Ｎ）が
悪くなり、受信機のＳ／Ｎが制限されるという欠
点があつた。
び電源端子１２にそれぞれ所定電圧を供給され
て、共振回路３の共振周波数にほぼ等しい周波数
で発振する。この場合、発振周波数の可変範囲を
広くするために、可変容量ダイオードに並列にな
る漂遊容量等の影響を最小限にとどめる必要があ
つて、結合コンデンサ７の容量値は数10pF程度
に選ばれる。そうすると、トランジスタ１のベー
ス回路の基準電位に対するインピーダンスがバイ
アス抵抗器１０の高抵抗値である数10KΩに対応
して大きくなり、発振動作時、特に100KHzより
低い周波数域で現れる低周波雑音（周波数がオク
ターブ下るごとにレベルが２倍になるため１／ｆ
雑音と呼ばれる）の影響を受けて、発振出力レベ
ルとランダム雑音の実効値との比率（Ｃ／Ｎ）が
悪くなり、受信機のＳ／Ｎが制限されるという欠
点があつた。
考案の目的
本考案は、この点に鑑み、発振動作時にトラン
ジスタのベース回路が低周波数域において低イン
ピーダンスを呈し、高Ｃ／Ｎのハートレー発振回
路を提供することを目的とする。
ジスタのベース回路が低周波数域において低イン
ピーダンスを呈し、高Ｃ／Ｎのハートレー発振回
路を提供することを目的とする。
考案の概要
本考案はトランジスタのコレクタ及びベース間
にコイル及びコンデンサの並列共振回路が接続さ
れると共にトランジスタのエミツタがコイルに設
けられた中間タツプに接続されて成るハートレー
発振回路において、トランジスタのベースと電源
との間に高調波チヨークコイル及びダイオードを
直列に接続したもので、ベース回路の低周波イン
ピーダンスが低くなるので、発振動作時の１／ｆ
雑音の影響が抑えられて高Ｃ／Ｎの発振回路が得
られる。
にコイル及びコンデンサの並列共振回路が接続さ
れると共にトランジスタのエミツタがコイルに設
けられた中間タツプに接続されて成るハートレー
発振回路において、トランジスタのベースと電源
との間に高調波チヨークコイル及びダイオードを
直列に接続したもので、ベース回路の低周波イン
ピーダンスが低くなるので、発振動作時の１／ｆ
雑音の影響が抑えられて高Ｃ／Ｎの発振回路が得
られる。
実施例
以下、第２図を参照しながら、本考案によるハ
ートレー発振回路について説明するが、この第２
図において、第１図に対応する部分には同一の符
号を付して重複説明を省略する。
ートレー発振回路について説明するが、この第２
図において、第１図に対応する部分には同一の符
号を付して重複説明を省略する。
第２図において、１４は高調波チヨークコイル
（マイクロインダクタ）を示し、このチヨークコ
イル１４とダイオード１５とを、第１図に示した
バイアス抵抗器１０に代えて、トランジスタ１の
ベース並びにデカツプリング抵抗器１１及びコン
デンサ１３の接続点に接続する。
（マイクロインダクタ）を示し、このチヨークコ
イル１４とダイオード１５とを、第１図に示した
バイアス抵抗器１０に代えて、トランジスタ１の
ベース並びにデカツプリング抵抗器１１及びコン
デンサ１３の接続点に接続する。
高調波チヨークコイル１４は発振周波数に対し
て高インピーダンスを呈するよう、そのインダク
タンスを例えば数μHに選んであるので、前述の
１／ｆ雑音が問題となる周波数域では極めて低い
インピーダンスを呈する。また、コンデンサ１３
も同様に低インピーダンスを呈し、更にダイオー
ド１５の直列抵抗分も低いので、トランジスタ１
のベース回路の基準電位に対する低周波インピー
ダンスは充分低くなる。従つて、本例発振回路に
おいては、動作時トランジスタの１／ｆ雑音の影
響は充分抑制され良好なＣ／Ｎを得ることができ
る。
て高インピーダンスを呈するよう、そのインダク
タンスを例えば数μHに選んであるので、前述の
１／ｆ雑音が問題となる周波数域では極めて低い
インピーダンスを呈する。また、コンデンサ１３
も同様に低インピーダンスを呈し、更にダイオー
ド１５の直列抵抗分も低いので、トランジスタ１
のベース回路の基準電位に対する低周波インピー
ダンスは充分低くなる。従つて、本例発振回路に
おいては、動作時トランジスタの１／ｆ雑音の影
響は充分抑制され良好なＣ／Ｎを得ることができ
る。
また、ダイオード１５をチヨークコイル１４と
併用しているので、チヨークコイル１４だけを使
用した場合に比べてトランジスタのコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEをダイオードの順方向降下電圧
VFだけ大きくすることができて、高温時及び低
温時においても安定に発振する。
併用しているので、チヨークコイル１４だけを使
用した場合に比べてトランジスタのコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEをダイオードの順方向降下電圧
VFだけ大きくすることができて、高温時及び低
温時においても安定に発振する。
なお、チヨークコイル１４の分布容量に起因す
る異常発振の生じる虞のある場合は、これを防止
するためにチヨークコイルと直列に数百Ω程度の
ダンピング抵抗を接続すれば良い。
る異常発振の生じる虞のある場合は、これを防止
するためにチヨークコイルと直列に数百Ω程度の
ダンピング抵抗を接続すれば良い。
上述の実施例は可変発振器の場合で、可変容量
ダイオードを使用しているが、もちろん機械的な
可変コンデンサを用いてもよく、或は固定コンデ
ンサと可変インダクタとを組合せても良く、ま
た、各素子をいずれも固定形として固定周波数発
振器としてもよい。
ダイオードを使用しているが、もちろん機械的な
可変コンデンサを用いてもよく、或は固定コンデ
ンサと可変インダクタとを組合せても良く、ま
た、各素子をいずれも固定形として固定周波数発
振器としてもよい。
また、ダイオードは複数個直列接続して使用し
てもよい。
てもよい。
考案の効果
以上詳述のように、本考案によれば、トランジ
スタのベースと電源との間に高調波チヨークコイ
ルとダイオードを直列に接続したので、ベース回
路の基準電位に対する低周波インピーダンスが低
くなつて、動作時のトランジスタの１／ｆ雑音の
影響が抑えられて高Ｃ／Ｎの発振回路が得られ
る。
スタのベースと電源との間に高調波チヨークコイ
ルとダイオードを直列に接続したので、ベース回
路の基準電位に対する低周波インピーダンスが低
くなつて、動作時のトランジスタの１／ｆ雑音の
影響が抑えられて高Ｃ／Ｎの発振回路が得られ
る。
第１図は従来のハートレー発振回路の一例を示
す結線図、第２図は本考案によるハートレー発振
回路の一実施例を示す結線図である。 １はトランジスタ、４はコイル、５は可変容量
ダイオード、１０はバイアス抵抗器、１３はデカ
ツプリングコンデンサ、１４は高調波チヨークコ
イル、１５はダイオードである。
す結線図、第２図は本考案によるハートレー発振
回路の一実施例を示す結線図である。 １はトランジスタ、４はコイル、５は可変容量
ダイオード、１０はバイアス抵抗器、１３はデカ
ツプリングコンデンサ、１４は高調波チヨークコ
イル、１５はダイオードである。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 トランジスタのコレクタ及びベース間にそれぞ
れ第１及び第２のコンデンサを介してコイル及び
第３のコンデンサの並列共振回路が接続されると
共に、上記トランジスタのエミツタが上記コイル
に設けられた中間タツプに接続されて成るハート
レー発振回路において、 上記トランジスタのベースと電源との間に高調
波チヨークコイル及びダイオードを直列に接続
し、上記ベースの低周波インピーダンスを低くし
たことを特徴とするハートレー発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9729383U JPS606321U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | ハ−トレ−発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9729383U JPS606321U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | ハ−トレ−発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606321U JPS606321U (ja) | 1985-01-17 |
| JPH0224288Y2 true JPH0224288Y2 (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=30231494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9729383U Granted JPS606321U (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | ハ−トレ−発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606321U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366145A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Oscillator circuit |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP9729383U patent/JPS606321U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5366145A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Hitachi Ltd | Oscillator circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606321U (ja) | 1985-01-17 |
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