JPH02239238A - コヒーレント青緑色光放射線を発生する装置 - Google Patents
コヒーレント青緑色光放射線を発生する装置Info
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- JPH02239238A JPH02239238A JP2003653A JP365390A JPH02239238A JP H02239238 A JPH02239238 A JP H02239238A JP 2003653 A JP2003653 A JP 2003653A JP 365390 A JP365390 A JP 365390A JP H02239238 A JPH02239238 A JP H02239238A
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A.産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント青緑色光放射線を発生させるた
めのレーザ光源に関し、さらに詳しくは、広範囲にわた
る温度、角度、及び入力波長で非臨界位相整合が可能な
、非線形結晶における半導体ダイオード・レーザの出力
の第2高調波の発生によって、前記放射線を発生させる
ための、光学式記憶の応用分野に特に適した小型固体レ
ーザ光源に関するものである。
めのレーザ光源に関し、さらに詳しくは、広範囲にわた
る温度、角度、及び入力波長で非臨界位相整合が可能な
、非線形結晶における半導体ダイオード・レーザの出力
の第2高調波の発生によって、前記放射線を発生させる
ための、光学式記憶の応用分野に特に適した小型固体レ
ーザ光源に関するものである。
B.従来の技術
青緑色光レーザは、光学式記憶システムの記憶密度を著
しく向上させることができるので好ましい。ただし、8
0 0 nmより短い(すなわち青緑色の範囲)波長
で動作するダイオード・レーザを開発する際、基本的な
材料製造上の問題が発生する。
しく向上させることができるので好ましい。ただし、8
0 0 nmより短い(すなわち青緑色の範囲)波長
で動作するダイオード・レーザを開発する際、基本的な
材料製造上の問題が発生する。
本発明者等が知る限り、第2高調波発生(SHG)によ
るダイオード・レーザ放射線の直接周波数倍加の例は、
2例しか報告されていない。OLEO 87に掲載さ
れている谷内他の論文WP6では% L iN b O
s導波管を使用したGaAfiA8ダイオード・レー
ザのSHGにより約420nmの放射線が発生すること
が開示されている。ただし、この材料は、420nmで
の位相整合SHGが不可能であり、その青緑色光は、回
折によって限定されたスポットに収束することのできな
い曲面状波面を持つので、光学式記憶装置やその他の用
途には適していない。また、LiNb03の光学的損傷
しきい値は、光屈折過程のために比較的低い。
るダイオード・レーザ放射線の直接周波数倍加の例は、
2例しか報告されていない。OLEO 87に掲載さ
れている谷内他の論文WP6では% L iN b O
s導波管を使用したGaAfiA8ダイオード・レー
ザのSHGにより約420nmの放射線が発生すること
が開示されている。ただし、この材料は、420nmで
の位相整合SHGが不可能であり、その青緑色光は、回
折によって限定されたスポットに収束することのできな
い曲面状波面を持つので、光学式記憶装置やその他の用
途には適していない。また、LiNb03の光学的損傷
しきい値は、光屈折過程のために比較的低い。
APPLIED OPTICS%Vo I. 2 4
( 1 9 85年)、p.1299で、J.C.バウ
マー} (Baumert)他は、次のように報告して
いる。K N b O 3を用いると880nmGaA
flAsダイオード・レーザの周波数倍加が室温で実現
できる。ただしこの材料は、数多くの欠点があるため、
実際の装置には、適していない。たとえば、KNbOa
は成長させに<<、成長温度と室温との間で2回の位相
遷移を受ける。また、位相整合に関する温度及び波長の
許容差が非常に狭いので、きわめて限られた波長のレー
ザと、SHG結晶の厳密な温度安定化が必要となる。
( 1 9 85年)、p.1299で、J.C.バウ
マー} (Baumert)他は、次のように報告して
いる。K N b O 3を用いると880nmGaA
flAsダイオード・レーザの周波数倍加が室温で実現
できる。ただしこの材料は、数多くの欠点があるため、
実際の装置には、適していない。たとえば、KNbOa
は成長させに<<、成長温度と室温との間で2回の位相
遷移を受ける。また、位相整合に関する温度及び波長の
許容差が非常に狭いので、きわめて限られた波長のレー
ザと、SHG結晶の厳密な温度安定化が必要となる。
他の関連手法では、ダイオード●レーザでポンビングす
るNd : YAGレーザを使用して、位相整合SHG
によって530nm放射線を発生させる。これは、この
過程に適した非線形材料が利用可能なためである。同様
に、本発明の出願人に譲渡された1988年12月13
日発行の米国特許出願第4791831号に開示されて
いるように、市販の非線形材料KTiOPO4 (KT
P)で808nmダイオード・レーザと1.06μmN
d : YAGレーザの周波数を混合させることが可能
である。
るNd : YAGレーザを使用して、位相整合SHG
によって530nm放射線を発生させる。これは、この
過程に適した非線形材料が利用可能なためである。同様
に、本発明の出願人に譲渡された1988年12月13
日発行の米国特許出願第4791831号に開示されて
いるように、市販の非線形材料KTiOPO4 (KT
P)で808nmダイオード・レーザと1.06μmN
d : YAGレーザの周波数を混合させることが可能
である。
C.発明が解決しようとする課題
できるだけ短い波長の非臨界位相整合SHGが得られる
ように切断でき、位相整合波長で動作する半導体ダイオ
ード・レーザと組み合わせることのできる、実際上非線
形の材料が求められている。
ように切断でき、位相整合波長で動作する半導体ダイオ
ード・レーザと組み合わせることのできる、実際上非線
形の材料が求められている。
本発明者等が知るかぎり、これまで、コヒーレント放射
線が基本的にKTPからなる非線形結晶におけるダイオ
ード・レーザのSHGによってもたらされたことはない
。
線が基本的にKTPからなる非線形結晶におけるダイオ
ード・レーザのSHGによってもたらされたことはない
。
D.課題を解決するための手段
この目的のため、本発明によれば、次の2つの主要構成
要素を持つ小型青緑色レーザ光源が開発された。2つの
主要な構成要素とは(a)最近他者によって開発された
約980乃至1000nmの波長を持つ半導体ダイオー
ド・レーザと、(b)広範囲にわたる温度、入力波長及
び結晶への入射光線の角度で、約980乃至1000n
mの放射線の非臨界タイブ■位相整合SHGが可能なこ
とを本発明者等が偶然発見した、KTPの結晶である。
要素を持つ小型青緑色レーザ光源が開発された。2つの
主要な構成要素とは(a)最近他者によって開発された
約980乃至1000nmの波長を持つ半導体ダイオー
ド・レーザと、(b)広範囲にわたる温度、入力波長及
び結晶への入射光線の角度で、約980乃至1000n
mの放射線の非臨界タイブ■位相整合SHGが可能なこ
とを本発明者等が偶然発見した、KTPの結晶である。
本発明を実施する装置では、約490乃至500nmの
波長を有するコヒーレント青緑色光放射線を発生させる
。ひずみ層1 nGaAs/GaAs半導体レーザなど
のダイオード・レーザは、約980乃至1000nmの
ビームを供給し、基本的にKTPからなる非線形結晶は
、前記ビームの非臨界位相整合SHGにより青緑色光放
射線を発生する。この光線は、4θ7nmの放射線を発
生させるため994nmの波長を持つことが好ましい。
波長を有するコヒーレント青緑色光放射線を発生させる
。ひずみ層1 nGaAs/GaAs半導体レーザなど
のダイオード・レーザは、約980乃至1000nmの
ビームを供給し、基本的にKTPからなる非線形結晶は
、前記ビームの非臨界位相整合SHGにより青緑色光放
射線を発生する。この光線は、4θ7nmの放射線を発
生させるため994nmの波長を持つことが好ましい。
またレーザの周波数は、結晶をその内部に配置する光共
振器の周波数と一致し、その後に固定することが好まし
い。
振器の周波数と一致し、その後に固定することが好まし
い。
E.実施例
第1図に示すように、本発明を実施する装置は、コリメ
ーシ1冫光学系を有し、それぞれ994nmの基本放射
線を供給する変調出力ビーム12、13を有する、2つ
のひずみ層InGaAs/GaAsダイオード・レーザ
10及び11を含む。ビーム12及び13は、直交方向
に偏光され、通常のコーティングされた偏光ビーム・ス
プリッタ14に向かう。ビーム・・スプリッタ14は、
994nmビーム12と13を合成してビーム15を生
成し、このビーム15が、標準のビーム・スプリッタ1
6に向かう。ビーム・スプリッタ16は、集束レンズ1
7を介して% 994nmの基本放射線を受動ファブリ
ーベロー共振器18に渡す。
ーシ1冫光学系を有し、それぞれ994nmの基本放射
線を供給する変調出力ビーム12、13を有する、2つ
のひずみ層InGaAs/GaAsダイオード・レーザ
10及び11を含む。ビーム12及び13は、直交方向
に偏光され、通常のコーティングされた偏光ビーム・ス
プリッタ14に向かう。ビーム・・スプリッタ14は、
994nmビーム12と13を合成してビーム15を生
成し、このビーム15が、標準のビーム・スプリッタ1
6に向かう。ビーム・スプリッタ16は、集束レンズ1
7を介して% 994nmの基本放射線を受動ファブリ
ーベロー共振器18に渡す。
共振器18は+% 9 9 4 n mの波長で共振し
、994nmの波長で高い反射率を有する、2枚の鏡2
0及び21の間に、基本的にKTPからなる結晶19を
配置することによって形成される。あるいはそれが好ま
しい場合には、結晶の両端の球面または平面あるいはそ
の両方を研磨し、その上に非常に反射率の高いコーティ
ングを付着することもによって、共振器18を形成する
こともできる。
、994nmの波長で高い反射率を有する、2枚の鏡2
0及び21の間に、基本的にKTPからなる結晶19を
配置することによって形成される。あるいはそれが好ま
しい場合には、結晶の両端の球面または平面あるいはそ
の両方を研磨し、その上に非常に反射率の高いコーティ
ングを付着することもによって、共振器18を形成する
こともできる。
鏡20及び21は、9 9 4 nmを反射する表面を
有し、鏡21は4θ7nmの反射線を透過する。
有し、鏡21は4θ7nmの反射線を透過する。
KTP結晶19の複屈折により、共振器18は2組の共
振モードを有する。レーザ・ダイオード10は,KTP
結晶のa軸に沿って線形偏光され、後で説明するように
して、共振器のa軸偏光共振に周波数が固定される。レ
ーザ・ダイオード11は、結晶のC軸に沿って偏光され
、同様に共振器のC軸偏光共振に周波数が固定される。
振モードを有する。レーザ・ダイオード10は,KTP
結晶のa軸に沿って線形偏光され、後で説明するように
して、共振器のa軸偏光共振に周波数が固定される。レ
ーザ・ダイオード11は、結晶のC軸に沿って偏光され
、同様に共振器のC軸偏光共振に周波数が固定される。
約9940mの放射線のビームl5は、レンズ17によ
ってKTP結晶19に集束され、KTP結晶19のb軸
に沿って伝播されて、ビーム15の非臨界位相整合SH
Gにより約497nm幅のコヒーレント青緑色光放射線
のビーム22を発生する。これら2つの共振の周波数は
同一ではないが、それらがSHGに関する1.4nm幅
の位相整合帯域内にある限り、ビーム22が効率的に発
生する。
ってKTP結晶19に集束され、KTP結晶19のb軸
に沿って伝播されて、ビーム15の非臨界位相整合SH
Gにより約497nm幅のコヒーレント青緑色光放射線
のビーム22を発生する。これら2つの共振の周波数は
同一ではないが、それらがSHGに関する1.4nm幅
の位相整合帯域内にある限り、ビーム22が効率的に発
生する。
ダイオード・レーザ10及び11は、偏光ビーム・スプ
リッタ25及び2つの検出/フィードバック回路26と
27を含む各フィードバック・ループによって、共振器
18の共振に周波数が固定される。ビーム・スブリッタ
16は、994nmの放射線のビーム28をビーム・ス
プリッタ25に向かわせる。ビーム・スプリッタ25は
、前記ビームをa軸偏光ビーム29とC軸偏光ビーム3
0に分割する。ビーム29は、検出/フィードバック回
路26に向かう。回路26は、例えば、IEEEJou
rnal orLightwaye Technolo
gyt l 9 8 7年4月号、p.485に開示さ
れているタイプのものでよい。この回路26には、要す
るに、ビーム12の周波数と共振器18の周波数の差を
示す信号を発生し、レーザの周波数が共振器周波数が保
たれるように、ダイオード・レーザ10への注入電流ま
たはその温度あるいはその両方を調整する手段(図示せ
ず)を含んでいる。ビーム30は、検出/フィードバッ
ク回路27に向かう。回路27は、ダイオード・レーザ
11への注入電流またはその温度、あるいはその両方を
調整する類似の手段(図示せず)を含んでいる。
リッタ25及び2つの検出/フィードバック回路26と
27を含む各フィードバック・ループによって、共振器
18の共振に周波数が固定される。ビーム・スブリッタ
16は、994nmの放射線のビーム28をビーム・ス
プリッタ25に向かわせる。ビーム・スプリッタ25は
、前記ビームをa軸偏光ビーム29とC軸偏光ビーム3
0に分割する。ビーム29は、検出/フィードバック回
路26に向かう。回路26は、例えば、IEEEJou
rnal orLightwaye Technolo
gyt l 9 8 7年4月号、p.485に開示さ
れているタイプのものでよい。この回路26には、要す
るに、ビーム12の周波数と共振器18の周波数の差を
示す信号を発生し、レーザの周波数が共振器周波数が保
たれるように、ダイオード・レーザ10への注入電流ま
たはその温度あるいはその両方を調整する手段(図示せ
ず)を含んでいる。ビーム30は、検出/フィードバッ
ク回路27に向かう。回路27は、ダイオード・レーザ
11への注入電流またはその温度、あるいはその両方を
調整する類似の手段(図示せず)を含んでいる。
第2図に示すように、本発明を実施する装置は、コリメ
ーシ日ン光学系を有し、約994nmの直線偏光の基本
放射線を供給する出力ビーム61を有する、単一のひず
み層I nGaAs/GaAsダイオード・レーザ60
を含む。基本的にKTPからなる結晶64は受動共振器
65の一部である。
ーシ日ン光学系を有し、約994nmの直線偏光の基本
放射線を供給する出力ビーム61を有する、単一のひず
み層I nGaAs/GaAsダイオード・レーザ60
を含む。基本的にKTPからなる結晶64は受動共振器
65の一部である。
結晶64の両端にある鏡68と67は、994nmでの
反射率が非常に高い。鏡67は、491nmで透過率が
高い。非線形結晶64は、そのa軸とC軸がタイプ■の
非臨界位相整合第2高調波が発生するように、994n
mのビームの偏光方向と約45度の角度に向いている。
反射率が非常に高い。鏡67は、491nmで透過率が
高い。非線形結晶64は、そのa軸とC軸がタイプ■の
非臨界位相整合第2高調波が発生するように、994n
mのビームの偏光方向と約45度の角度に向いている。
位相プレート69は、結晶64から出る994nmの放
射線の偏光を、共振器を往復した後に再度結晶に入る際
に、KTP結晶64のa軸及びC軸に関して45度の偏
光方向になるように、補正するような方向に向いている
。ダイオード・レーザ80の周波数は、フィードバック
・ループによって共振器65の共振周波数に固定される
。このフィードバック・ループは、ビーム・スブリッタ
62と検出/フィードバック回路71を含んでいる。フ
ィードバック回路71は、第1図の実施例に関して説明
したように、ダイオード・レーザ60への注入電流また
はその温度、あるいはその両方を調整するためのもので
ある。
射線の偏光を、共振器を往復した後に再度結晶に入る際
に、KTP結晶64のa軸及びC軸に関して45度の偏
光方向になるように、補正するような方向に向いている
。ダイオード・レーザ80の周波数は、フィードバック
・ループによって共振器65の共振周波数に固定される
。このフィードバック・ループは、ビーム・スブリッタ
62と検出/フィードバック回路71を含んでいる。フ
ィードバック回路71は、第1図の実施例に関して説明
したように、ダイオード・レーザ60への注入電流また
はその温度、あるいはその両方を調整するためのもので
ある。
第3図に示すように、本発明を実施する装置は、コリメ
ーシリン光学系を有し、約994nmの基本放射線を供
給する変調出力ビーム41を有する、単一のひずみ層I
nGaAs/GaAsダイオード・レーザ40を含ん
でいる。ビーム41は、2色ビーム・スプリッタ42と
集束レンズ43を介して、受動共振器45の一部である
基本的にKTPからなる結晶44中に向かう。結晶44
の両端にある鏡46及び47(または非常に反射率の高
いコーティング材)は、497nmで高い反射率を示す
。しかし、鏡47は、使用する特定のKTP結晶の特性
に関して、青緑色光出力が最大になるように調整された
、497nmでの小さな残留透過率を有する。
ーシリン光学系を有し、約994nmの基本放射線を供
給する変調出力ビーム41を有する、単一のひずみ層I
nGaAs/GaAsダイオード・レーザ40を含ん
でいる。ビーム41は、2色ビーム・スプリッタ42と
集束レンズ43を介して、受動共振器45の一部である
基本的にKTPからなる結晶44中に向かう。結晶44
の両端にある鏡46及び47(または非常に反射率の高
いコーティング材)は、497nmで高い反射率を示す
。しかし、鏡47は、使用する特定のKTP結晶の特性
に関して、青緑色光出力が最大になるように調整された
、497nmでの小さな残留透過率を有する。
ビーム41は、結晶44のa軸及びC軸に対して45度
の角度で偏光される。共振器45は、約497nmの第
2高調波長で共振するように設計されている。第2高調
波放射線は、結晶44のa軸に沿って線形偏光されるの
で、結晶内で発生ずる第2高調波放射線は、共振器45
の類似のa軸偏光共振モードを励振することができる。
の角度で偏光される。共振器45は、約497nmの第
2高調波長で共振するように設計されている。第2高調
波放射線は、結晶44のa軸に沿って線形偏光されるの
で、結晶内で発生ずる第2高調波放射線は、共振器45
の類似のa軸偏光共振モードを励振することができる。
したがって、約497nmのコヒーレント青緑色光放射
線のビーム48は、レンズ43によって集束された、ビ
ーム41の非臨界位相整合SHGによって発生される。
線のビーム48は、レンズ43によって集束された、ビ
ーム41の非臨界位相整合SHGによって発生される。
発生する第2高調波放射線の波長は、基本ダイオード・
レーザ波長を調整することによって制御できるので、発
生する約497nmの放射線は、ビーム49を検出/フ
ィードバック回路50に向かわせることによって、共振
器45の共振波長と一致するように、その周波数が固定
される。
レーザ波長を調整することによって制御できるので、発
生する約497nmの放射線は、ビーム49を検出/フ
ィードバック回路50に向かわせることによって、共振
器45の共振波長と一致するように、その周波数が固定
される。
回路50は、はじめに説明した実施例の場合と同様に、
ダイオード・レーザ40への注入電流またはその温度、
あるいはその両方を調整するためのものである。
ダイオード・レーザ40への注入電流またはその温度、
あるいはその両方を調整するためのものである。
第1図及び第2図の構成によって得られる効率は、それ
ぞれ受動共振器18及び85のフィネスの2乗に基本的
に等しいことに留意されたい。第3図の構成での効率の
向上度は、基本的に共振器45のフィネスに等しい。し
たがって、効率の向上度は第3図の構成の場合より小さ
いが、この構成は、共振器の共振モードに周波数を固定
するのに必要なダイオード・レーザが1つだけですむの
で、第1図の構成より簡単である。
ぞれ受動共振器18及び85のフィネスの2乗に基本的
に等しいことに留意されたい。第3図の構成での効率の
向上度は、基本的に共振器45のフィネスに等しい。し
たがって、効率の向上度は第3図の構成の場合より小さ
いが、この構成は、共振器の共振モードに周波数を固定
するのに必要なダイオード・レーザが1つだけですむの
で、第1図の構成より簡単である。
必要があれば共振器18または45の代りに、3個以上
の反射面を持つリング共振器を使用することができる。
の反射面を持つリング共振器を使用することができる。
これらの反射面は、外部の鏡または研磨した結晶面によ
って設けることができる。
って設けることができる。
これらについてはN IEEE Journal of
QuantumElectronics, 1 9
8 8年6月号、l).913に記載されている。
QuantumElectronics, 1 9
8 8年6月号、l).913に記載されている。
必要な場合、第4図に示すように先導波管50をKTP
M晶51の縁部に設けることができる。
M晶51の縁部に設けることができる。
コリメーシ日ソ光学系及び変調出力ビーム53を有する
ダイオード・レーザ52は、約994nmの基本放射線
を供給する。ビーム53は、集束レンズ54を介して導
波管に向かい、約497nmのコヒーレント青緑色光放
射線のビーム55を発生させる際のSHGの効率を向上
させる。この実施例では、レーザの周波数を共振器の周
波数に固定する必要はないことに留意されたい。
ダイオード・レーザ52は、約994nmの基本放射線
を供給する。ビーム53は、集束レンズ54を介して導
波管に向かい、約497nmのコヒーレント青緑色光放
射線のビーム55を発生させる際のSHGの効率を向上
させる。この実施例では、レーザの周波数を共振器の周
波数に固定する必要はないことに留意されたい。
F.発明の効果
また本発明の1つの特徴によれば、本明細書に記載した
タイブ■レーザの位相整合は、レーザ注入電流の微調整
により、ダイオード・レーザ光源の周波数を受動共振器
の周波数に調整することによって実現されることに留意
されたい。このことは、共振器に電界をかけることによ
って、共振器周波数をレーザ光源の周波数に調整すると
いう、従来技術の方法とは対照的である。
タイブ■レーザの位相整合は、レーザ注入電流の微調整
により、ダイオード・レーザ光源の周波数を受動共振器
の周波数に調整することによって実現されることに留意
されたい。このことは、共振器に電界をかけることによ
って、共振器周波数をレーザ光源の周波数に調整すると
いう、従来技術の方法とは対照的である。
本発明を、光記憶の応用分野に特に適した好ましい実施
例に関して開示し説明してきたが、本発明はプリンタや
カラー・ディスプレイに使用することも非常に望ましい
。
例に関して開示し説明してきたが、本発明はプリンタや
カラー・ディスプレイに使用することも非常に望ましい
。
第1図は、本発明の1つの実施例による青緑色光を発生
するための、共振器で機能強化した装置を示す図である
。 第2図は、本発明のもう1つの実施例による装置を示す
図である。 第3図は、修正された実施例による青緑色光を発生する
ための、共振器で機能強化した装置を示す図である。 第4図は、本発明の変形による、光導波管を使用して青
緑色光を発生するための装置を示す図である。 10% 1 1・・・−I nGaAs/GaAsレ
ーザ、12、13・・・・出力ビーム、14、16、2
5・・・・ビーム・スブリフタ、17・・・・集束レン
ズ、18・・・・共振器、19・・・・KTP結晶、2
0、21・・・・M、26、27・・・・検出/フィー
ドバック回路。
するための、共振器で機能強化した装置を示す図である
。 第2図は、本発明のもう1つの実施例による装置を示す
図である。 第3図は、修正された実施例による青緑色光を発生する
ための、共振器で機能強化した装置を示す図である。 第4図は、本発明の変形による、光導波管を使用して青
緑色光を発生するための装置を示す図である。 10% 1 1・・・−I nGaAs/GaAsレ
ーザ、12、13・・・・出力ビーム、14、16、2
5・・・・ビーム・スブリフタ、17・・・・集束レン
ズ、18・・・・共振器、19・・・・KTP結晶、2
0、21・・・・M、26、27・・・・検出/フィー
ドバック回路。
Claims (6)
- (1)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を発生するための装置であって、 約980乃至1000nmのビームを供給するためのダ
イオード・レーザと、 前記ビームの非臨界位相整合第2高調波の発生によりコ
ヒーレント放射線を生成する、基本的にKTPからなる
非線形結晶とを含む装置。 - (2)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を発生するための装置であって、 各ビームの波長が相互に約1nm内にある約980乃至
1000nmの直交方向に偏光されたビームを供給する
ような方向に向いた2つのダイオード・レーザと、 前記ビームの非臨界位相整合第2高調波の発生によりコ
ヒーレント放射線を生成するための、そのa軸とc軸が
前記直交方向に偏光されたビームに平行になるような方
向に向いた基本的にKTPからなる非線形結晶とを含む
装置。 - (3)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を発生するための装置であって、 基本的にKTPからなる非線形結晶が内部に配置されて
いる光共振器と、 共振器の外部にあり、約980乃至1000nmのビー
ムを供給する2個のダイオード・レーザと、 偏光ビーム・スプリッタ手段を含む、2本のレーザ・ビ
ームを合成するための手段と、 2つのレーザ・ビーム周波数を、前記結晶のa軸及びc
軸に沿って偏光された共振器の両モードの共振周波数に
固定するための手段とを含む装置。 - (4)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を発生するための装置であって、 約980乃至1000nmビームを供給するためのダイ
オード・レーザと、 前記ビームの非臨界位相整合第2高調波の発生によりそ
のb軸に沿ってコヒーレント放射線を生成するための、
基本的にKTPからなる非線形結晶とを含み、 前記ビームが、前記結晶のa軸及びc軸に対して約45
度の角度で偏光されるところの装置。 - (5)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を発生するための装置であって、 コリメーション光学系を有し、約980乃至1000n
mの直線偏光ビームを供給するダイオード・レーザと、 基本的にKTPからなり、そのb軸が前記ビームに平行
となり、a軸とc軸が前記ビームの偏光方向に対して約
45度の角度をなすような方向に向いた非線形結晶と、
共振器の内部に配置され、約980乃至1000nmの
放射線の偏光方向が、共振器を往復して前記結晶に再度
入る際に前記結晶のa軸及びc軸に対して約45度の角
度をなすような方向に向いたフェーズプレートとを含む
光共振器と、 ダイオード・レーザの周波数を共振器の共振周波数に固
定するための手段とを含む装置。 - (6)約490乃至500nmの波長を有するコヒーレ
ント青緑色光放射線を生成するための装置であって、 約980乃至1000nmビームを供給するダイオード
・レーザと、 光導波管を有し、前記導波管に沿ってビームが伝播され
るような方向に向いている前記ビームの非臨界位相整合
第2高調波の発生によりコヒーレント放射線を生成する
ための基本的にKTPからなる非線形結晶とを含む装置
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US29746189A | 1989-01-13 | 1989-01-13 | |
US297461 | 1989-01-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02239238A true JPH02239238A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=23146413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003653A Pending JPH02239238A (ja) | 1989-01-13 | 1990-01-12 | コヒーレント青緑色光放射線を発生する装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0378061B1 (ja) |
JP (1) | JPH02239238A (ja) |
KR (1) | KR930006854B1 (ja) |
CN (1) | CN1025394C (ja) |
AU (1) | AU626964B2 (ja) |
BR (1) | BR9000115A (ja) |
DE (1) | DE68925810T2 (ja) |
HK (1) | HK203896A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04338930A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-11-26 | Nec Corp | 導波路型波長変換素子 |
CN104795717A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-07-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 蓝绿波段脉冲全固态激光器 |
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US5038352A (en) * | 1990-11-13 | 1991-08-06 | International Business Machines Incorporation | Laser system and method using a nonlinear crystal resonator |
JP2738785B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1998-04-08 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録再生装置 |
EP0585758B1 (en) * | 1992-08-26 | 1998-10-14 | Sony Corporation | Optical wavelength converter |
CN1058194C (zh) * | 1995-06-10 | 2000-11-08 | 中科院长春光学精密机械研究所 | 蓝绿激光血管内照射治疗仪 |
US20080075130A1 (en) * | 2004-07-15 | 2008-03-27 | Kiminori Mizuuchi | Coherent Light Source and Optical Device Using the Same |
US20110116520A1 (en) * | 2008-07-07 | 2011-05-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Eye-safe laser-based lighting |
KR102609862B1 (ko) | 2014-04-17 | 2023-12-04 | 펨토매트릭스, 인코포레이티드. | 웨이퍼 계측 기술들 |
WO2016077617A1 (en) | 2014-11-12 | 2016-05-19 | Femtometrix, Inc. | Systems for parsing material properties from within shg signals |
CN108369186B (zh) | 2015-09-03 | 2022-05-27 | 加州理工学院 | 表征高k介质的光学系统以及方法 |
US9859676B2 (en) * | 2015-12-18 | 2018-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light source configured for stabilization relative to external operating conditions |
KR20210021308A (ko) | 2018-05-15 | 2021-02-25 | 펨토매트릭스, 인코포레이티드. | 제2고조파 발생(shg) 광학 검사 시스템 설계 |
Citations (1)
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JPS63301582A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Seiko Epson Corp | レ−ザ−光源装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1281402C (en) * | 1986-04-30 | 1991-03-12 | William L. Austin | Continuous wave, frequency-doubled solid state laser systems with stabilized output |
US4791631A (en) * | 1987-08-31 | 1988-12-13 | International Business Machines Corporation | Wide tolerance, modulated blue laser source |
-
1989
- 1989-12-18 DE DE68925810T patent/DE68925810T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-18 EP EP89850440A patent/EP0378061B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-08 AU AU47786/90A patent/AU626964B2/en not_active Ceased
- 1990-01-10 KR KR1019900000203A patent/KR930006854B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-01-12 CN CN90100168A patent/CN1025394C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-12 BR BR909000115A patent/BR9000115A/pt not_active Application Discontinuation
- 1990-01-12 JP JP2003653A patent/JPH02239238A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-07 HK HK203896A patent/HK203896A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63301582A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Seiko Epson Corp | レ−ザ−光源装置 |
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CN104795717A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-07-22 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 蓝绿波段脉冲全固态激光器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP0378061A2 (en) | 1990-07-18 |
EP0378061B1 (en) | 1996-02-28 |
DE68925810T2 (de) | 1996-09-26 |
DE68925810D1 (de) | 1996-04-04 |
HK203896A (en) | 1996-11-15 |
CN1044193A (zh) | 1990-07-25 |
KR930006854B1 (ko) | 1993-07-24 |
AU626964B2 (en) | 1992-08-13 |
CN1025394C (zh) | 1994-07-06 |
EP0378061A3 (en) | 1991-08-14 |
BR9000115A (pt) | 1990-10-23 |
KR900012312A (ko) | 1990-08-03 |
AU4778690A (en) | 1990-07-19 |
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