JPH02234402A - 抵抗体の製造方法 - Google Patents
抵抗体の製造方法Info
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- JPH02234402A JPH02234402A JP1055296A JP5529689A JPH02234402A JP H02234402 A JPH02234402 A JP H02234402A JP 1055296 A JP1055296 A JP 1055296A JP 5529689 A JP5529689 A JP 5529689A JP H02234402 A JPH02234402 A JP H02234402A
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Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はサーマルヘッド等における発熱抵抗体に関す
る． 〔発明の概要〕 この発明は、サーマルヘッド等に用いる発熱抵抗体にお
いて、抵抗率の温度依存性の小さい複合材料を熱処理す
ることにより、結晶化し電気特性を安定化するようにし
たものである． 〔従来の技術〕 従来、サーマルヘッド等に用いる抵抗体としてスパッタ
リング等による窒化タンタルなどが用いられていた． （発明が解決しようとする諜題〕 上記の様な窒化タンタル等による抵抗体は、砥抗の温度
係数が大きく、印字動作中の抵抗値変化が大きいため、
抵抗体の温度に合わせた印加電圧の補正を行う必要があ
り、さらに結晶化状態や酸化に対する安定性が劣るため
に寿命が短いという欠点を有していた． 〔課題を解決するための手段〕 上記の問題点を解決するために、この発明においては、
炭化チタンと炭化ケイ素、もしくは炭化ジルコニウムと
炭化ケイ素の複合材料を形成した後、レーザーによる加
熱処理を行うことにより安定な発熱抵抗体が得られるよ
うにした．（作用） 上記のように、炭化チタンまたは炭化ジルコニウムに炭
化ケイ素を組み合わせた複合材料を用いることにより、
炭化ケイ素が低温では炭化チタンまたは炭化ジルコニウ
ム中で絶縁体として働き、高温では電気伝導体として働
くため抵抗率の温度依存性を小さくすることができる。
る． 〔発明の概要〕 この発明は、サーマルヘッド等に用いる発熱抵抗体にお
いて、抵抗率の温度依存性の小さい複合材料を熱処理す
ることにより、結晶化し電気特性を安定化するようにし
たものである． 〔従来の技術〕 従来、サーマルヘッド等に用いる抵抗体としてスパッタ
リング等による窒化タンタルなどが用いられていた． （発明が解決しようとする諜題〕 上記の様な窒化タンタル等による抵抗体は、砥抗の温度
係数が大きく、印字動作中の抵抗値変化が大きいため、
抵抗体の温度に合わせた印加電圧の補正を行う必要があ
り、さらに結晶化状態や酸化に対する安定性が劣るため
に寿命が短いという欠点を有していた． 〔課題を解決するための手段〕 上記の問題点を解決するために、この発明においては、
炭化チタンと炭化ケイ素、もしくは炭化ジルコニウムと
炭化ケイ素の複合材料を形成した後、レーザーによる加
熱処理を行うことにより安定な発熱抵抗体が得られるよ
うにした．（作用） 上記のように、炭化チタンまたは炭化ジルコニウムに炭
化ケイ素を組み合わせた複合材料を用いることにより、
炭化ケイ素が低温では炭化チタンまたは炭化ジルコニウ
ム中で絶縁体として働き、高温では電気伝導体として働
くため抵抗率の温度依存性を小さくすることができる。
ここで、化学蒸着法または物理蒸着法により薄膜形成し
たものをレーザーによる局所加熱することにより、結晶
化しにくい炭化チタンや炭化ジルコニウムをあらかじめ
結晶化することにより、連続的な印字動作時に発生する
熱による結晶化現象に伴う抵抗値変化が発生することを
防止することができるようにした． 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について詳細に説明する．実施例
−１ この発明の実施例として、イオンプレーティング法によ
り作製した抵抗体について説明する．まずアルミナ基板
を真空槽に設置し、ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒまで排気した
後、２００℃１時間の基板加熱をし、基板バイアス電圧
−４００ Ｖ、アルゴンガス流量５００ ｃｃ／ｓｉｎ
で５分間イオンボンバードメントで基板のクリーニング
を行った．続いてチタンを８ＫＶ、５００ｍＡで電子銃
による加熱蒸発し、窒素ガス１００ ｍ ｌｅｍｉｎ、
テトラメチルシラン１０ｍｊ’／＋ｉｎを導入し、イオ
ン化電力５０■、５０Ａ、基板バイアス電圧−２００
Ｖの条件で２分間の処理を行い、１３２０人の窒化ジル
コニウム、窒化ケイ素の複合した被膜を形成した． 次にイオンブレーティング法により、アルミニウム層を
２一形成し、フォトリソグラフィーの方法により８ドッ
ト／ｓｉｎの発熱体のパターンを形成した． 最後に炭酸ガスレーザーにより１００ Ｗの出力で０．
０５ｗｍφのビーム径で８．５ｃｍ／ｓｅｃの速度で発
熱体パターン上を走査し結晶化処理を行った。
たものをレーザーによる局所加熱することにより、結晶
化しにくい炭化チタンや炭化ジルコニウムをあらかじめ
結晶化することにより、連続的な印字動作時に発生する
熱による結晶化現象に伴う抵抗値変化が発生することを
防止することができるようにした． 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について詳細に説明する．実施例
−１ この発明の実施例として、イオンプレーティング法によ
り作製した抵抗体について説明する．まずアルミナ基板
を真空槽に設置し、ＩＸＩＯ−’Ｔｏｒｒまで排気した
後、２００℃１時間の基板加熱をし、基板バイアス電圧
−４００ Ｖ、アルゴンガス流量５００ ｃｃ／ｓｉｎ
で５分間イオンボンバードメントで基板のクリーニング
を行った．続いてチタンを８ＫＶ、５００ｍＡで電子銃
による加熱蒸発し、窒素ガス１００ ｍ ｌｅｍｉｎ、
テトラメチルシラン１０ｍｊ’／＋ｉｎを導入し、イオ
ン化電力５０■、５０Ａ、基板バイアス電圧−２００
Ｖの条件で２分間の処理を行い、１３２０人の窒化ジル
コニウム、窒化ケイ素の複合した被膜を形成した． 次にイオンブレーティング法により、アルミニウム層を
２一形成し、フォトリソグラフィーの方法により８ドッ
ト／ｓｉｎの発熱体のパターンを形成した． 最後に炭酸ガスレーザーにより１００ Ｗの出力で０．
０５ｗｍφのビーム径で８．５ｃｍ／ｓｅｃの速度で発
熱体パターン上を走査し結晶化処理を行った。
このようにして形成したサーマルヘッドに連続したパル
スを加え抵抗値の変化を測定したところ３ ｍｓｅｃ，
２０ｖｏｌｔで１０７パルスを加えた後も、抵抗値の変
化は５％以下で１０”パルス印加後も約半数は１０％以
内の抵抗値変化にとどまった。
スを加え抵抗値の変化を測定したところ３ ｍｓｅｃ，
２０ｖｏｌｔで１０７パルスを加えた後も、抵抗値の変
化は５％以下で１０”パルス印加後も約半数は１０％以
内の抵抗値変化にとどまった。
実施例−２
続いて、化学蒸着法（Ｃ Ｖ Ｄ）により作製した炭化
ジルコニウムー炭化ケイ素の複合材料による実施例につ
いて説明する． まず真空槽を１０− ３Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
真空槽の圧力が９５Ｔｏｒｒになるように水素、四塩化
ジルコニウム、および四塩化ケイ素を導入した。この時
のガス流量はそれぞれ、 水素−−−−７８０ｃｃ／Ｉｌｉｎ 四塩化ケイ素・・・−・・・２６ｃｃ／ｓｉｎ四塩化ジ
ルコニウムー−−・３７ｃｃ／＋＊ ｉｎであった。基
板加熱条件１３５０℃で４５分間成膜を行ったところ、
膜厚１５００人の複合膜が生成され、電極パターン形成
後、ＹＡＧレーザーにより５Ｗの出力で０．０１１ｍφ
のビーム径で２００ｃｍ／ｓｅｅの速度で２０回発熱体
パターン上を走査し結晶化処理を施した． このようにして作製したサーマルヘッドに連続パルスを
印加したところ１０’回のパルス数で抵抗値の変化は５
％以下で、これに対してレーザーによる加熱処理を行わ
ないものはク２０％以上の変化を示した． 〔発明の効果〕 この発明によれば、炭化チタンや炭化ジルコニウムの金
属的電気伝導性と炭化ケイ素の半導体的電気伝導性を共
に活かすことが出来るため熱に対して抵抗値の変化率が
小さく、局所的加熱により外部の回路等に影響を及ぼさ
ずに、耐パルス性に優れた抵抗発熱体を形成することが
できる。本実施例においては、サーマルプリンター用ヘ
ッドについて記したが、その他抵抗回路やＩＣ等の製造
にも応用可能である． 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
ジルコニウムー炭化ケイ素の複合材料による実施例につ
いて説明する． まず真空槽を１０− ３Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
真空槽の圧力が９５Ｔｏｒｒになるように水素、四塩化
ジルコニウム、および四塩化ケイ素を導入した。この時
のガス流量はそれぞれ、 水素−−−−７８０ｃｃ／Ｉｌｉｎ 四塩化ケイ素・・・−・・・２６ｃｃ／ｓｉｎ四塩化ジ
ルコニウムー−−・３７ｃｃ／＋＊ ｉｎであった。基
板加熱条件１３５０℃で４５分間成膜を行ったところ、
膜厚１５００人の複合膜が生成され、電極パターン形成
後、ＹＡＧレーザーにより５Ｗの出力で０．０１１ｍφ
のビーム径で２００ｃｍ／ｓｅｅの速度で２０回発熱体
パターン上を走査し結晶化処理を施した． このようにして作製したサーマルヘッドに連続パルスを
印加したところ１０’回のパルス数で抵抗値の変化は５
％以下で、これに対してレーザーによる加熱処理を行わ
ないものはク２０％以上の変化を示した． 〔発明の効果〕 この発明によれば、炭化チタンや炭化ジルコニウムの金
属的電気伝導性と炭化ケイ素の半導体的電気伝導性を共
に活かすことが出来るため熱に対して抵抗値の変化率が
小さく、局所的加熱により外部の回路等に影響を及ぼさ
ずに、耐パルス性に優れた抵抗発熱体を形成することが
できる。本実施例においては、サーマルプリンター用ヘ
ッドについて記したが、その他抵抗回路やＩＣ等の製造
にも応用可能である． 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 化学蒸着法または物理蒸着法により炭化チタンと炭化ケ
イ素、もしくは炭化ジルコニウムと炭化ケイ素の薄膜を
形成した後、レーザーによる加熱処理を行うことを特徴
とする抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055296A JPH02234402A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055296A JPH02234402A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234402A true JPH02234402A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12994611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055296A Pending JPH02234402A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02234402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337276A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP1055296A patent/JPH02234402A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337276A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒ−タ− |
| JP2948357B2 (ja) * | 1991-05-14 | 1999-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 複層セラミックスヒ−タ− |
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