JPH02234135A - 光論理素子 - Google Patents
光論理素子Info
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- JPH02234135A JPH02234135A JP1055343A JP5534389A JPH02234135A JP H02234135 A JPH02234135 A JP H02234135A JP 1055343 A JP1055343 A JP 1055343A JP 5534389 A JP5534389 A JP 5534389A JP H02234135 A JPH02234135 A JP H02234135A
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- Japan
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/14—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高光感度である光論理素子に関する。
情報の大容量・高速処理のため光を用いることが期待さ
れ、近年この目的のために集積化の可能な光機能素子の
研究開発が活発に行なわれている。中でも光双安定素子
は光信号処理用デバイスの基本的要素として注目され、
種々の型の素子が提案・検討されている。ここで、光入
出力のインバータとＡＮＤ素子があれば、それらを組み
合わせることにより原理的にすべての光入出力論理デバ
イスを構成できる。ＡＮＤ素子は種々の型の素子が提案
されているが、インバータについての提案は少なく、そ
の１つに奥村らにより電子通信学会論文誌第Ｊ − ６
６ （５）巻、１９８３年 第３９３頁〜４００頁に
記載されている素子がある。
れ、近年この目的のために集積化の可能な光機能素子の
研究開発が活発に行なわれている。中でも光双安定素子
は光信号処理用デバイスの基本的要素として注目され、
種々の型の素子が提案・検討されている。ここで、光入
出力のインバータとＡＮＤ素子があれば、それらを組み
合わせることにより原理的にすべての光入出力論理デバ
イスを構成できる。ＡＮＤ素子は種々の型の素子が提案
されているが、インバータについての提案は少なく、そ
の１つに奥村らにより電子通信学会論文誌第Ｊ − ６
６ （５）巻、１９８３年 第３９３頁〜４００頁に
記載されている素子がある。
第５図は従来の光入出力インバータ素子の構成を示して
いる。受光素子１と帰還用発光ダイオード（ＬＥＤ）２
が直列に接続され、受光素子を流れる電流の一部がこの
ＬＥＤ２に流れてその出力光が受光素子１への帰還光つ
として正帰還される構成になっている。
いる。受光素子１と帰還用発光ダイオード（ＬＥＤ）２
が直列に接続され、受光素子を流れる電流の一部がこの
ＬＥＤ２に流れてその出力光が受光素子１への帰還光つ
として正帰還される構成になっている。
このため、この系では光双安定性が生じる。帰還用ＬＥ
Ｄ．２と光出力用ＬＥＤ３は出力特性が逆になるように
並列に接続されている．抵抗５は出力に飽和特性を持た
せるための抵抗であり、抵抗６は２つの安定状態間で飛
躍を起こすしきい値を変えるための抵抗である．ダイオ
ード４は光出力がＯＦＦ状態にあるとき、その光出力を
小さくするために必要なダイオードである． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のインバータ素子では受光素子１に入射さ
れた入力光８により生じた光電流の一部が帰還用ＬＢＤ
２に流れ帰還光９として受光素子１に正帰還がかかり、
光のフィードバックによって光双安定性が生゛ずる．し
かし受光素子、ＬＥＤ、ダイオード、抵抗と回路構成部
品の種類、数量が多くモノリシック化に多数集積化する
ので複雑となる問題があった．また光の帰還を利用し、
た光双安定であるため集積化には光のアイソレーション
が非常に厳しかった．また入力光８を切ると出力光１０
も消えてしまう。そのためインバータ出力時にはいつも
光入力が必要となり面状にインバータ素子をマトリック
ス状に配置して集積化したときには光源による消費パワ
ーが大きくなることや温度上昇の問題があった。
Ｄ．２と光出力用ＬＥＤ３は出力特性が逆になるように
並列に接続されている．抵抗５は出力に飽和特性を持た
せるための抵抗であり、抵抗６は２つの安定状態間で飛
躍を起こすしきい値を変えるための抵抗である．ダイオ
ード４は光出力がＯＦＦ状態にあるとき、その光出力を
小さくするために必要なダイオードである． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のインバータ素子では受光素子１に入射さ
れた入力光８により生じた光電流の一部が帰還用ＬＢＤ
２に流れ帰還光９として受光素子１に正帰還がかかり、
光のフィードバックによって光双安定性が生゛ずる．し
かし受光素子、ＬＥＤ、ダイオード、抵抗と回路構成部
品の種類、数量が多くモノリシック化に多数集積化する
ので複雑となる問題があった．また光の帰還を利用し、
た光双安定であるため集積化には光のアイソレーション
が非常に厳しかった．また入力光８を切ると出力光１０
も消えてしまう。そのためインバータ出力時にはいつも
光入力が必要となり面状にインバータ素子をマトリック
ス状に配置して集積化したときには光源による消費パワ
ーが大きくなることや温度上昇の問題があった。
本発明の目的は従来技術の問題であった集積化に伴う部
品点数の多さや光アイソレーションの問題と消費パワー
の問題を解決するための光論理素子を提供することにあ
る． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、レーザダイオードと、光入力によりスイッチ
ングを生ずる光スイッチング素子とを並列接続した構成
の光論理素子がある． 〔作用〕 本発明の光論理素子は光スイッチング素子とレーザダイ
オードだけで構成されるため集積化が容易となる．又、
光帰還を利用しないために光のアイソレーション問題も
考える必要がなくなる。
品点数の多さや光アイソレーションの問題と消費パワー
の問題を解決するための光論理素子を提供することにあ
る． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、レーザダイオードと、光入力によりスイッチ
ングを生ずる光スイッチング素子とを並列接続した構成
の光論理素子がある． 〔作用〕 本発明の光論理素子は光スイッチング素子とレーザダイ
オードだけで構成されるため集積化が容易となる．又、
光帰還を利用しないために光のアイソレーション問題も
考える必要がなくなる。
また光スイッチング素子の特性であるＯＮ状態での保持
機構を利用することにより低い消費パワーでインバータ
動作の保持も実現できる。
機構を利用することにより低い消費パワーでインバータ
動作の保持も実現できる。
第３図及び第４図は光スイッチング素子としてｐｎｐｎ
構造の光サイリスタ（以下ｐｎｐｎ素子と記す）を用い
たときの双安定性を説明するための図である．第３図は
回路構成図であり第４図は電流一電圧特性図を示す。
構造の光サイリスタ（以下ｐｎｐｎ素子と記す）を用い
たときの双安定性を説明するための図である．第３図は
回路構成図であり第４図は電流一電圧特性図を示す。
ｐｎｐｎ素子２８のアノード２４に抵抗２１、電源２０
がそれぞれ直列に接続されている（第３図）、電源２０
からアノード２４の側に正の電圧を加え光を入射しない
状態で電圧を上昇していくと第４図中に示す入射光なし
の電流一電圧特性２６が得られる． 第４図においてＳｏの電圧のときスイッチングが生じる
．第３図に示す抵抗２１と電源２０によって決まる負荷
抵抗線２２と電流一電圧特性２６との交点が動作点とな
るが、電圧を上げていくとＡ点２９からＢ点３０に移る
。入力光８が入射するとｐｎｐｎ素子２８の電流一電圧
特性は第４図の入射光ありの電流一電圧特性２７となり
スイッチング電圧ＶＳはＳとなる．そこで、第３図の電
源２０の電圧をＳとＳｏの間の電圧■，に設定し入力光
８をｐｎｐｎ素子２８に入射すると第４図のＣ点３１か
ら負荷抵抗線２３上のＤ点３５に移り、電流が流れる，
ｐｎｐｎ素子は第３図の電源２０を■ｂ以下の電圧とす
るまではＯＮ状態を保持することができる。
がそれぞれ直列に接続されている（第３図）、電源２０
からアノード２４の側に正の電圧を加え光を入射しない
状態で電圧を上昇していくと第４図中に示す入射光なし
の電流一電圧特性２６が得られる． 第４図においてＳｏの電圧のときスイッチングが生じる
．第３図に示す抵抗２１と電源２０によって決まる負荷
抵抗線２２と電流一電圧特性２６との交点が動作点とな
るが、電圧を上げていくとＡ点２９からＢ点３０に移る
。入力光８が入射するとｐｎｐｎ素子２８の電流一電圧
特性は第４図の入射光ありの電流一電圧特性２７となり
スイッチング電圧ＶＳはＳとなる．そこで、第３図の電
源２０の電圧をＳとＳｏの間の電圧■，に設定し入力光
８をｐｎｐｎ素子２８に入射すると第４図のＣ点３１か
ら負荷抵抗線２３上のＤ点３５に移り、電流が流れる，
ｐｎｐｎ素子は第３図の電源２０を■ｂ以下の電圧とす
るまではＯＮ状態を保持することができる。
以上から分かるようにこの様なｐｎｐｎ素子では入力光
に伴なってスイッチングを生じ、保持機能も有する特性
が得られる。ＯＮ状態は、電圧を保持電圧ｖ ｌ＋まで
下げてもｐｎｐｎ素子内に記憶されている．従ってこの
様にしておけばＯＮ状態を光入射を行わず低消費パワー
で保持することが可能となる． インバータ構成、及びその効果については以下実施例で
詳述する。
に伴なってスイッチングを生じ、保持機能も有する特性
が得られる。ＯＮ状態は、電圧を保持電圧ｖ ｌ＋まで
下げてもｐｎｐｎ素子内に記憶されている．従ってこの
様にしておけばＯＮ状態を光入射を行わず低消費パワー
で保持することが可能となる． インバータ構成、及びその効果については以下実施例で
詳述する。
第１図は本発明の実施例を示す図である。ｐｎｐｎ素子
１１は上記に述べた構造を有するｐｎｐｎ素子であり、
レーザダイオード１２のｐ型電極３２とｐｎｐｎ素子１
１のアノード２４が、またレーザダイオード１２のｎ型
電極３３とｐｎｐｎ素子１１のカソード２５が直接接続
され、抵抗ＲＬ１５（本実施例ではＲ２＝５０Ωとした
）と電源とがさらに直列に接続されている。
１１は上記に述べた構造を有するｐｎｐｎ素子であり、
レーザダイオード１２のｐ型電極３２とｐｎｐｎ素子１
１のアノード２４が、またレーザダイオード１２のｎ型
電極３３とｐｎｐｎ素子１１のカソード２５が直接接続
され、抵抗ＲＬ１５（本実施例ではＲ２＝５０Ωとした
）と電源とがさらに直列に接続されている。
なお、ｐｎｐｎ素子としてはＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ系
ｐｎｐｎ素子を用いレーザダイオードとしては発振波長
０．７８μｍのものを用いたがこの材料系に限られなも
のではない。ｐｎｐｎ素子は光入射のないときにはスイ
ッチング電圧Ｖｓ＝５Ｖ、保持電圧■，＝１。５Ｖ，ま
たＯＮ状態においてｖｈ以上の電圧では５Ωの微分抵抗
を有する。レーザダイオードはビイルトイン電圧Ｖｂ＝
１．５Ｖ、発振しきい電流１． ｔｈ＝ ２ ０ ｍ
Ａ ， Ｖ１，以上の電圧では３Ωの微分抵抗を有する
。電源１６がら電気パルスを印加する（印加電圧Ｖ＝３
Ｖ）。ｐｎｐｎ素子はスイッチング電圧Ｖｓ＝５Ｖのた
めにＯＦＦ状態のままであり、レーザダイオードには約
２８ｍＡの電流が流れるためにレーザ発振を生『じ出力
光１０を発生する。この状態でｐｎｐｎ素子にスイッチ
ングに充分な入力光８を入射ずる。本実施例に用いたｐ
ｎｐｎ素子１１は１ｐＪの光スイッチングエネルギーを
必要とするために２ｐＪの光量（０．２ ｍＷの光をＩ
ｏｎｓ）入射した。それにより、ｐ ｎ ｐ ｎ素子１
１はＯＮ状態となり電流が流れ出す。そのためレーザダ
イオード１２は約１７ｍＡＬか電流が流れなくなり、発
振しきい値電流より小さな電流のなめレーザ発振が止ま
る．以上から入力光８が入射されなければ出力光１ｏが
放射され、逆に入射光８が入射されると出力光１０は放
射されない．これは光のインバータが実現されているこ
とを示している．また電源電圧により負のリセット信号
が印加されるまでは情報を保持し続けるために、入力光
は短時間入射されるだけで良く、光源によるパワー消費
が少なくて済む．以上の例ではｐｎｐｎ素子とレーザダ
イオードに直列抵抗が接続されておらず、各々を直接接
続した場合の例である．第２図に示す様にｐｎｐｎ素子
１１に直列に抵抗Ｒｌ１３、レーザダイオード１２に直
列にＲ２１４を接続したときにも同様な効果がある．一
般には （Ｒ２＋ＲｐＬ）（Ｒ＋．＋Ｒｖ）（Ｖ−Ｖｂ）＋（Ｒ
２＋ＲｐＬ）ＲＬ（Ｖｂ−Ｖｂ）（Ｒ２＋ＲｐＬ）（Ｒ
＋４Ｒｖ）＋（Ｒ＋＋Ｒｖ）ＲＬ＋（Ｒ２＋ＲｐＬ）Ｒ
ｔ＜ Ｉ ｔｈ（Ｒ２＋ＲｐＬ） ・・・（４
）なる条件を満足する必要がある。上式において■は電
源電圧、Ｖｂはレーザダイオードのビルトイン電圧、Ｒ
．Ｌは負荷抵抗、Ｒ２はレーザダイオードに直列に接続
されている抵抗、ＲＦＬはレーザダイオードのビルトイ
ン電圧以上での微分抵抗、１ｔｈはレーザダイオードの
発振しきい電流、Ｖｈはｐｎｐｎ素子の保持電圧、■ｓ
はｐｎｐｎ素子のスイッチング電圧、Ｒｌはｐｎｐｎ素
子に直列に接続されている抵抗、ＲＶはｐｎｐｎ素子の
ＯＮ状態における保持電圧以上での微分抵抗である。第
１図に示した実施例では、Ｖｂ＝Ｖｈ＝１．５■、Ｖ＝
３Ｖ，ＲＬ ＝５０Ω、ＲＦＬ＝３Ω、Ｒ ｖ ＝ ５
Ω、Ｖｓ＝５Ｖ、Ｉ ｔｈ＝ ２ ０ ｍ Ａ， Ｒ１
”’Ｒ２＝ＯΩであり、これを式に代入すると、（１）
式は０．０２８ ＞ ０．０２、（２）式は１．５
＜１．５♂く５、＜３）式は１．５ ＜１．５１１、
（４）式は０。６ （０．０６となり上記ク１）〜（
４）式を全て満足している。ここで、式（＋．）〜（４
）を満足するｐｎｐｎ素子、レーザダイオード、抵抗で
あれば本発明の効果が得られるために他の規定はしない
。本発明の素子はインバータ以外にもｐｎｐｎ素子のし
きい特性を用いることにより、入力光を複数個入射させ
ることでＮＡＮＤ’？ＮＯＲを実現できる。例えば、ｐ
ｎｐｎ素子への複数の入力光の各々の光強度をｐｎｐｎ
素子のしき値以上とし、各入力光の光強度の総和がしき
い値以上となるようにすればＮＡＮＤとなる９またｐｎ
ｐｎ素子の受光領域とレーザダイオードの発光波長を変
えることで任意の波長の光での光演算，光情報メモリが
実現できる。
ｐｎｐｎ素子を用いレーザダイオードとしては発振波長
０．７８μｍのものを用いたがこの材料系に限られなも
のではない。ｐｎｐｎ素子は光入射のないときにはスイ
ッチング電圧Ｖｓ＝５Ｖ、保持電圧■，＝１。５Ｖ，ま
たＯＮ状態においてｖｈ以上の電圧では５Ωの微分抵抗
を有する。レーザダイオードはビイルトイン電圧Ｖｂ＝
１．５Ｖ、発振しきい電流１． ｔｈ＝ ２ ０ ｍ
Ａ ， Ｖ１，以上の電圧では３Ωの微分抵抗を有する
。電源１６がら電気パルスを印加する（印加電圧Ｖ＝３
Ｖ）。ｐｎｐｎ素子はスイッチング電圧Ｖｓ＝５Ｖのた
めにＯＦＦ状態のままであり、レーザダイオードには約
２８ｍＡの電流が流れるためにレーザ発振を生『じ出力
光１０を発生する。この状態でｐｎｐｎ素子にスイッチ
ングに充分な入力光８を入射ずる。本実施例に用いたｐ
ｎｐｎ素子１１は１ｐＪの光スイッチングエネルギーを
必要とするために２ｐＪの光量（０．２ ｍＷの光をＩ
ｏｎｓ）入射した。それにより、ｐ ｎ ｐ ｎ素子１
１はＯＮ状態となり電流が流れ出す。そのためレーザダ
イオード１２は約１７ｍＡＬか電流が流れなくなり、発
振しきい値電流より小さな電流のなめレーザ発振が止ま
る．以上から入力光８が入射されなければ出力光１ｏが
放射され、逆に入射光８が入射されると出力光１０は放
射されない．これは光のインバータが実現されているこ
とを示している．また電源電圧により負のリセット信号
が印加されるまでは情報を保持し続けるために、入力光
は短時間入射されるだけで良く、光源によるパワー消費
が少なくて済む．以上の例ではｐｎｐｎ素子とレーザダ
イオードに直列抵抗が接続されておらず、各々を直接接
続した場合の例である．第２図に示す様にｐｎｐｎ素子
１１に直列に抵抗Ｒｌ１３、レーザダイオード１２に直
列にＲ２１４を接続したときにも同様な効果がある．一
般には （Ｒ２＋ＲｐＬ）（Ｒ＋．＋Ｒｖ）（Ｖ−Ｖｂ）＋（Ｒ
２＋ＲｐＬ）ＲＬ（Ｖｂ−Ｖｂ）（Ｒ２＋ＲｐＬ）（Ｒ
＋４Ｒｖ）＋（Ｒ＋＋Ｒｖ）ＲＬ＋（Ｒ２＋ＲｐＬ）Ｒ
ｔ＜ Ｉ ｔｈ（Ｒ２＋ＲｐＬ） ・・・（４
）なる条件を満足する必要がある。上式において■は電
源電圧、Ｖｂはレーザダイオードのビルトイン電圧、Ｒ
．Ｌは負荷抵抗、Ｒ２はレーザダイオードに直列に接続
されている抵抗、ＲＦＬはレーザダイオードのビルトイ
ン電圧以上での微分抵抗、１ｔｈはレーザダイオードの
発振しきい電流、Ｖｈはｐｎｐｎ素子の保持電圧、■ｓ
はｐｎｐｎ素子のスイッチング電圧、Ｒｌはｐｎｐｎ素
子に直列に接続されている抵抗、ＲＶはｐｎｐｎ素子の
ＯＮ状態における保持電圧以上での微分抵抗である。第
１図に示した実施例では、Ｖｂ＝Ｖｈ＝１．５■、Ｖ＝
３Ｖ，ＲＬ ＝５０Ω、ＲＦＬ＝３Ω、Ｒ ｖ ＝ ５
Ω、Ｖｓ＝５Ｖ、Ｉ ｔｈ＝ ２ ０ ｍ Ａ， Ｒ１
”’Ｒ２＝ＯΩであり、これを式に代入すると、（１）
式は０．０２８ ＞ ０．０２、（２）式は１．５
＜１．５♂く５、＜３）式は１．５ ＜１．５１１、
（４）式は０。６ （０．０６となり上記ク１）〜（
４）式を全て満足している。ここで、式（＋．）〜（４
）を満足するｐｎｐｎ素子、レーザダイオード、抵抗で
あれば本発明の効果が得られるために他の規定はしない
。本発明の素子はインバータ以外にもｐｎｐｎ素子のし
きい特性を用いることにより、入力光を複数個入射させ
ることでＮＡＮＤ’？ＮＯＲを実現できる。例えば、ｐ
ｎｐｎ素子への複数の入力光の各々の光強度をｐｎｐｎ
素子のしき値以上とし、各入力光の光強度の総和がしき
い値以上となるようにすればＮＡＮＤとなる９またｐｎ
ｐｎ素子の受光領域とレーザダイオードの発光波長を変
えることで任意の波長の光での光演算，光情報メモリが
実現できる。
なお、本発明に用いる光スイッチング素子、レーザダイ
オードは特殊なものでなく、従来がらあるものを用いれ
ばよいので具体的な構造等の説明は省略した． 〔発明の効果〕 本実施例では構成部品間の光の帰還を用いていないため
に光のアイソレーションが従来方法に比べ厳密でなくて
も良く、更に動作設計が電圧と抵抗のみで行え、部品数
が少ないため集積化に有利である．またｐｎｐｎ素子の
保持機能を用いるためなめ光源の光を入射し続けなくも
状態を保持でき光源の消費パワーが少なくてもよい利点
もある． ２６・・・入射光のないときのｐｎｐｎ素子の電流一電
圧特性、２７・・・入射光のあるときのｐｎｐｎ素子の
電圧一電流特性、３２・・・ｐ電極、３３・・・ｎ電極
．
オードは特殊なものでなく、従来がらあるものを用いれ
ばよいので具体的な構造等の説明は省略した． 〔発明の効果〕 本実施例では構成部品間の光の帰還を用いていないため
に光のアイソレーションが従来方法に比べ厳密でなくて
も良く、更に動作設計が電圧と抵抗のみで行え、部品数
が少ないため集積化に有利である．またｐｎｐｎ素子の
保持機能を用いるためなめ光源の光を入射し続けなくも
状態を保持でき光源の消費パワーが少なくてもよい利点
もある． ２６・・・入射光のないときのｐｎｐｎ素子の電流一電
圧特性、２７・・・入射光のあるときのｐｎｐｎ素子の
電圧一電流特性、３２・・・ｐ電極、３３・・・ｎ電極
．
第１図は本発明の実施例の光論理素子の構成図、第２図
は本発明の光論理素子を一般的に説明するために用いた
構成図、第３図はｐｎｐｎ素子の動作を説明するための
図、第４図は第３図に示したｐｎｐｎ素子の電圧一電流
特性図、第５図は従来技術による光インバータ素子の構
成図である。
は本発明の光論理素子を一般的に説明するために用いた
構成図、第３図はｐｎｐｎ素子の動作を説明するための
図、第４図は第３図に示したｐｎｐｎ素子の電圧一電流
特性図、第５図は従来技術による光インバータ素子の構
成図である。
Claims (1)
- レーザダイオードと、光入力によりスイッチングを生
ずる光スイッチング素子とを並列に接続したことを特徴
とする光論理素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055343A JPH02234135A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 光論理素子 |
| US07/489,990 US5059788A (en) | 1989-03-07 | 1990-03-07 | Optical logic device with PNPN detection and laser diode output |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055343A JPH02234135A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 光論理素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234135A true JPH02234135A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12995864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055343A Pending JPH02234135A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 光論理素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059788A (ja) |
| JP (1) | JPH02234135A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69130493T2 (de) * | 1990-04-27 | 1999-07-22 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Steuerverfahren und Steueranordnung für eine Halbleiter-PNPN-Vorrichtung |
| JPH06508963A (ja) * | 1992-05-05 | 1994-10-06 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 面発光レーザを組み込んだ能動光論理デバイス |
| US5557114A (en) * | 1995-01-12 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Optical fet |
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