JPH02233574A - 陶磁器の線条沈降絵付技法 - Google Patents
陶磁器の線条沈降絵付技法Info
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- JPH02233574A JPH02233574A JP5252889A JP5252889A JPH02233574A JP H02233574 A JPH02233574 A JP H02233574A JP 5252889 A JP5252889 A JP 5252889A JP 5252889 A JP5252889 A JP 5252889A JP H02233574 A JPH02233574 A JP H02233574A
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
-
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- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はイングレーズ焼成、オングレーズ焼成を問わず
陶磁器の釉面所要部に線条沈降模様を適確容易に形成す
ることができる陶磁器の線条沈降絵付技法に関するもの
である. (従来の技術) 従来、施釉陶磁器の絵付模様面に線条部分を沈降させて
彩飾するには、■陶胎に手彫りまたは型により凹線状の
文様を施したうえ施釉焼成するか、■陶胎に化粧上掛(
エンゴーベ)し、手彫りにより文様を施したうえ施釉焼
成するか、■陶胎に施釉し、手彫りにより釉を線状に掻
き取って焼成する技法が行われている。
陶磁器の釉面所要部に線条沈降模様を適確容易に形成す
ることができる陶磁器の線条沈降絵付技法に関するもの
である. (従来の技術) 従来、施釉陶磁器の絵付模様面に線条部分を沈降させて
彩飾するには、■陶胎に手彫りまたは型により凹線状の
文様を施したうえ施釉焼成するか、■陶胎に化粧上掛(
エンゴーベ)し、手彫りにより文様を施したうえ施釉焼
成するか、■陶胎に施釉し、手彫りにより釉を線状に掻
き取って焼成する技法が行われている。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、上記のような技法では、いずれも熟練した手
作業が必要であり、このような技法を受継ぐ後継者が減
少しているため、線条沈降模様を有する製品が消えてし
まう趨勢にある。しかも、従来の技法によるときは手作
業であるため線条沈降模様の幅や深さにばらつきが生じ
、均質な製品を量産することは殆どできなかった。
作業が必要であり、このような技法を受継ぐ後継者が減
少しているため、線条沈降模様を有する製品が消えてし
まう趨勢にある。しかも、従来の技法によるときは手作
業であるため線条沈降模様の幅や深さにばらつきが生じ
、均質な製品を量産することは殆どできなかった。
(課題を解決するための手段)
本発明は前記のような問題点を解決した陶磁器の線条沈
降絵付技法に関するもので、無4l!顔料に五酸化バナ
ジウムを添加した沈降絵付材料をもって素地表面に線条
模様を形成したうえ焼成して施釉面に線条沈降模様を形
成することを特徴とするものである. 本発明において、無機顔料に五酸化バナジウムを添加し
た沈降絵付材料を用いる理由は、五酸化バナジウムは釉
の表面張力を著しく小さくして釉面を部分的に沈降させ
る作用を存するからであって、その使用量は無機顔料4
0〜50重量部に対し、3〜50重量部好ましくは5〜
20重量部程度とする.これは3重量部未満では沈降量
が少なすぎ、50重量部を超えると線が拡がって面状化
されるからで、鮮明な輪郭線やヒゲ状凹線模樟を形成す
るには無機顔料40〜50重量部に対し五酸化バナジウ
ムが5〜20重量部の範囲で添加されているとき最良の
ものが得られる。また、本発明において用いる沈降絵付
材料には無機顔料と五酸化バナジウムの外に、0〜40
重量部程度のけい酸ジルコニウムとθ〜10重量部程度
の亜鉛華、O〜10重量部程度の鉛白(酸化鉛)を同時
に添加して焼成温度を!jil節しておくことが好まし
い.しかしながら、素地上や釉薬の種類によってはこれ
らの添加を必ずしも必要としない.そして、無機顔料に
五酸化バナジウムが添加された沈降絵付材料は必要に応
じ添加されるけい酸ジルコニウムや亜鉛華、鉛白ととも
に乳鉢、ボールミルなどでJIS標準篩の目開き74μ
−全通程度の粒度に混合細磨したものとして用いる。
降絵付技法に関するもので、無4l!顔料に五酸化バナ
ジウムを添加した沈降絵付材料をもって素地表面に線条
模様を形成したうえ焼成して施釉面に線条沈降模様を形
成することを特徴とするものである. 本発明において、無機顔料に五酸化バナジウムを添加し
た沈降絵付材料を用いる理由は、五酸化バナジウムは釉
の表面張力を著しく小さくして釉面を部分的に沈降させ
る作用を存するからであって、その使用量は無機顔料4
0〜50重量部に対し、3〜50重量部好ましくは5〜
20重量部程度とする.これは3重量部未満では沈降量
が少なすぎ、50重量部を超えると線が拡がって面状化
されるからで、鮮明な輪郭線やヒゲ状凹線模樟を形成す
るには無機顔料40〜50重量部に対し五酸化バナジウ
ムが5〜20重量部の範囲で添加されているとき最良の
ものが得られる。また、本発明において用いる沈降絵付
材料には無機顔料と五酸化バナジウムの外に、0〜40
重量部程度のけい酸ジルコニウムとθ〜10重量部程度
の亜鉛華、O〜10重量部程度の鉛白(酸化鉛)を同時
に添加して焼成温度を!jil節しておくことが好まし
い.しかしながら、素地上や釉薬の種類によってはこれ
らの添加を必ずしも必要としない.そして、無機顔料に
五酸化バナジウムが添加された沈降絵付材料は必要に応
じ添加されるけい酸ジルコニウムや亜鉛華、鉛白ととも
に乳鉢、ボールミルなどでJIS標準篩の目開き74μ
−全通程度の粒度に混合細磨したものとして用いる。
また、本発明において、素地表面に線条模様を形成した
うえ焼成して釉面に線条沈降模様を形成する手段は、単
祇転写絵付法で行う外、スクリーン直接印刷法やタコ印
刷法その他任意の絵付法で絵付しイングレース焼成また
はオングレース焼成を行えばよい。すなわち、絵付手段
や焼成法は公知の技術で足り何ら限定されることはない
。
うえ焼成して釉面に線条沈降模様を形成する手段は、単
祇転写絵付法で行う外、スクリーン直接印刷法やタコ印
刷法その他任意の絵付法で絵付しイングレース焼成また
はオングレース焼成を行えばよい。すなわち、絵付手段
や焼成法は公知の技術で足り何ら限定されることはない
。
(実施例)
五酸化バナジウム5〜20重量部とけい酸ジルコニウム
20〜4(11部と亜鉛華O〜10重量部を無機顛料4
0〜50重量部とともにボールミルで目開き74μ−全
通に細磨した沈降絵付材料を10種作成し、これらの沈
降絵付材料で輪郭線および花芯部を印刷するとともに残
りの部分を一般の陶磁器用絵具で印刷した花柄の転写紙
を作成し、この転写紙を用いて施釉磁器表面に上絵付し
、これを常法により焼き付けたところ、いずれも輪郭線
および花芯部は幅0.5 m、深さ0.4 m.の腺条
沈降模様として鮮明にあらわれた。また、前記した沈降
絵付材料を用いてスクリーン直接印刷法およびタコ印刷
法で絵付し、イングレース焼成およびオングレース焼成
した実施例でも同様の結果かえられた.(発明の効果) 本発明は前記説明から明らかなように、五酸化バナジウ
ムが溶融状態にある釉の表面張力を著しく小さくするか
ら、無機顔料に五酸化バナジウムを添加した沈降絵付材
料を用いて線条模様を形成した部分が焼成後の釉面にく
っきりとした線条沈降模様を形成することとなるもので
、陶磁器の彩飾において、従来の手作業に.よる製品と
同様またはそれ以上の製品を公知の絵付法と焼成法によ
って簡単に得ることができ、熟練した手作業を必要とし
ないので後継者の減少を克服できるばかりか幅や深さが
等しくて均質な製品を多量に提供できる利点があり、優
れた陶磁器の線条沈降絵付技法として業界の発展に寄与
するところ掘めて大きいものがある.
20〜4(11部と亜鉛華O〜10重量部を無機顛料4
0〜50重量部とともにボールミルで目開き74μ−全
通に細磨した沈降絵付材料を10種作成し、これらの沈
降絵付材料で輪郭線および花芯部を印刷するとともに残
りの部分を一般の陶磁器用絵具で印刷した花柄の転写紙
を作成し、この転写紙を用いて施釉磁器表面に上絵付し
、これを常法により焼き付けたところ、いずれも輪郭線
および花芯部は幅0.5 m、深さ0.4 m.の腺条
沈降模様として鮮明にあらわれた。また、前記した沈降
絵付材料を用いてスクリーン直接印刷法およびタコ印刷
法で絵付し、イングレース焼成およびオングレース焼成
した実施例でも同様の結果かえられた.(発明の効果) 本発明は前記説明から明らかなように、五酸化バナジウ
ムが溶融状態にある釉の表面張力を著しく小さくするか
ら、無機顔料に五酸化バナジウムを添加した沈降絵付材
料を用いて線条模様を形成した部分が焼成後の釉面にく
っきりとした線条沈降模様を形成することとなるもので
、陶磁器の彩飾において、従来の手作業に.よる製品と
同様またはそれ以上の製品を公知の絵付法と焼成法によ
って簡単に得ることができ、熟練した手作業を必要とし
ないので後継者の減少を克服できるばかりか幅や深さが
等しくて均質な製品を多量に提供できる利点があり、優
れた陶磁器の線条沈降絵付技法として業界の発展に寄与
するところ掘めて大きいものがある.
Claims (1)
- 1、無機顔料に五酸化バナジウムを添加した沈降絵付材
料をもって素地表面に線条模様を形成したうえ焼成して
施釉面に線条沈降模様を形成することを特徴とする陶磁
器の線条沈降絵付技法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5252889A JPH02233574A (ja) | 1989-03-04 | 1989-03-04 | 陶磁器の線条沈降絵付技法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5252889A JPH02233574A (ja) | 1989-03-04 | 1989-03-04 | 陶磁器の線条沈降絵付技法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02233574A true JPH02233574A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12917252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5252889A Pending JPH02233574A (ja) | 1989-03-04 | 1989-03-04 | 陶磁器の線条沈降絵付技法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02233574A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100775878B1 (ko) * | 1998-09-18 | 2007-11-13 | 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 | 단일벽 탄소 나노튜브의 용매화를 용이하게 하기 위한 단일벽 탄소 나노튜브의 화학적 유도체화 및 그 유도체화된 나노튜브의 사용 방법 |
-
1989
- 1989-03-04 JP JP5252889A patent/JPH02233574A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100775878B1 (ko) * | 1998-09-18 | 2007-11-13 | 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 | 단일벽 탄소 나노튜브의 용매화를 용이하게 하기 위한 단일벽 탄소 나노튜브의 화학적 유도체화 및 그 유도체화된 나노튜브의 사용 방법 |
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